JPS6183050A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPS6183050A JPS6183050A JP59205012A JP20501284A JPS6183050A JP S6183050 A JPS6183050 A JP S6183050A JP 59205012 A JP59205012 A JP 59205012A JP 20501284 A JP20501284 A JP 20501284A JP S6183050 A JPS6183050 A JP S6183050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- resistance
- value
- resistor
- thermal head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔腫業上の利用分野〕
不発明は王としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造方法に関するもので6る。
サーマルヘッドの製造方法に関するもので6る。
現像、定層の必要がなく、s騒音、メインナナ/フリー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが、感熱記録紙の
向上とともに普及している0感熱記録は、基板上に設け
′fi−抵抗体に、記録域fLt−印児し、抵抗体に流
れた磁流によシ生ずるジュール熱を利用して、抵抗体上
に接する感熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を
溶融させ、4&転写紙に記録信号情報を印字&!、漱す
る技術である。
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが、感熱記録紙の
向上とともに普及している0感熱記録は、基板上に設け
′fi−抵抗体に、記録域fLt−印児し、抵抗体に流
れた磁流によシ生ずるジュール熱を利用して、抵抗体上
に接する感熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を
溶融させ、4&転写紙に記録信号情報を印字&!、漱す
る技術である。
サーマルヘッドの一般構造図t−第9図に示す。
サーマルヘッドは絶縁基板+IJ上にAI、ムu、Ou
等の良電気導体材料にてrfc膜技術により構成したり
一ド郡(21とそれに両端七債絖した膜状のエレメント
抵抗体t37で全体で発熱素子t−構、収される。
等の良電気導体材料にてrfc膜技術により構成したり
一ド郡(21とそれに両端七債絖した膜状のエレメント
抵抗体t37で全体で発熱素子t−構、収される。
絶縁基板to Og P+に框アルミナセラミック基板
又はグレーズ層付フルミナセラミック基板を使用する事
が多い。エレメント抵抗体(31の材料として護膜方式
の場合はTaIN、 T a−8io 1. T a−
8i。
又はグレーズ層付フルミナセラミック基板を使用する事
が多い。エレメント抵抗体(31の材料として護膜方式
の場合はTaIN、 T a−8io 1. T a−
8i。
Ni−Cu Ti10g等の材料が用いられるO又、厚
膜方式の場合はRu10. PtO,等の貴金属の酸化
物tガラス材と混合して値付して焼結するO 図示しないが、エレメント抵抗体(3)を形威しfc後
、これを保護するためのガラス膜を焼成するO このプーマルヘッドのリード部両端に一定の砿圧を一定
時間印Mlし九場合、ジュール熱にエフ抵抗体部に熱が
発生するOこの熱は第10図の様に樽武する記録ti、
ufのA部分で感熱紙(5)に伝達され感熱紙(6)が
発色してその表面に印画される。なお、弗2図において
、第1図と同一符号は相当部分を示す。Pはロール14
Jの押圧方向を示す・ −Sに例えばファクシミリ用のプーマルヘッドは、発熱
抵抗体として、1ヘッド当りf120G□−のt導体が
独立して並列に設けられている。
膜方式の場合はRu10. PtO,等の貴金属の酸化
物tガラス材と混合して値付して焼結するO 図示しないが、エレメント抵抗体(3)を形威しfc後
、これを保護するためのガラス膜を焼成するO このプーマルヘッドのリード部両端に一定の砿圧を一定
時間印Mlし九場合、ジュール熱にエフ抵抗体部に熱が
発生するOこの熱は第10図の様に樽武する記録ti、
ufのA部分で感熱紙(5)に伝達され感熱紙(6)が
発色してその表面に印画される。なお、弗2図において
、第1図と同一符号は相当部分を示す。Pはロール14
Jの押圧方向を示す・ −Sに例えばファクシミリ用のプーマルヘッドは、発熱
抵抗体として、1ヘッド当りf120G□−のt導体が
独立して並列に設けられている。
これらの発熱抵抗体は、そのジュール熱により衣圓温度
が、250°C〜600°C程度まで願熱され、この温
度に到達させるに寺しい、印児エネルギーは、サーマル
ヘッド各々の解像度により異なるが、約0.2mJジュ
ール〜am、T必要とされるO 従来よシこのプーマルヘッドには、抵抗体の製造プロヤ
スおよびその材料の逮いにより、厚膜形と薄膜形および
牛導体杉が6つ九G#膜形は、ペースト状の抵抗材料を
用いて、あらかじめ所望とするパターン金スクリーンや
フォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術
により、抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工嶺として焼
成することで発熱抵抗体が形成される0薄膜形は、王と
してタンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし、あら
かじめ抵抗体となりうる基本パターンを形成し、その後
、フォトエツチングにより、所望パターンの独立した抵
抗体に仕上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の
一部に抵抗拡紋を行ない、抵抗体を形成しP−N接合面
の発熱を利用するもので牛導体裂遣工程とほぼ同一手段
を用いる◎ 以上3゜厘の製造方法のうち天川化が実施されているの
は、厚膜形と#膜形でらるGところで博映形は、その製
造工程は、多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きは少なく微細パターンが形成でさるという大きな利点
を持っている◎反面厚膜形は、比較、的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗1直
のばうつきが大きいという重大な欠点を持ち合わせてい
た0感熱記録μ、抵抗体の抵抗値により決定され、発生
するジュール熱を利用するため、抵抗−のぼりつぎは、
当然、その上に印字さ几る、1頁の濃度ムラの糸回とな
る。
が、250°C〜600°C程度まで願熱され、この温
度に到達させるに寺しい、印児エネルギーは、サーマル
ヘッド各々の解像度により異なるが、約0.2mJジュ
ール〜am、T必要とされるO 従来よシこのプーマルヘッドには、抵抗体の製造プロヤ
スおよびその材料の逮いにより、厚膜形と薄膜形および
牛導体杉が6つ九G#膜形は、ペースト状の抵抗材料を
用いて、あらかじめ所望とするパターン金スクリーンや
フォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術
により、抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工嶺として焼
成することで発熱抵抗体が形成される0薄膜形は、王と
してタンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし、あら
かじめ抵抗体となりうる基本パターンを形成し、その後
、フォトエツチングにより、所望パターンの独立した抵
抗体に仕上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の
一部に抵抗拡紋を行ない、抵抗体を形成しP−N接合面
の発熱を利用するもので牛導体裂遣工程とほぼ同一手段
を用いる◎ 以上3゜厘の製造方法のうち天川化が実施されているの
は、厚膜形と#膜形でらるGところで博映形は、その製
造工程は、多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きは少なく微細パターンが形成でさるという大きな利点
を持っている◎反面厚膜形は、比較、的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗1直
のばうつきが大きいという重大な欠点を持ち合わせてい
た0感熱記録μ、抵抗体の抵抗値により決定され、発生
するジュール熱を利用するため、抵抗−のぼりつぎは、
当然、その上に印字さ几る、1頁の濃度ムラの糸回とな
る。
第11図はプーマルヘッド金構成する各エレメント抵抗
体の抵抗1@R監、 R4、−−−−、Rnの一例を示
す口 通常博映形の抵抗値ばらつきに、±5%〜±15%以内
に均一化されているのに対し、浮説形は±15%〜±a
OXにばらついており、薄膜形より省っているのに一王
流taしているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信情性の長さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている改でろる。
体の抵抗1@R監、 R4、−−−−、Rnの一例を示
す口 通常博映形の抵抗値ばらつきに、±5%〜±15%以内
に均一化されているのに対し、浮説形は±15%〜±a
OXにばらついており、薄膜形より省っているのに一王
流taしているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信情性の長さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている改でろる。
厚膜形でも最近は、微細パターンの形成a薄膜形に省ら
ず、作成することが9龜となった。たとえば導体パター
ンの杉収においては、印刷膜厚な、従来8μm以上必要
とされていたが、aoo。
ず、作成することが9龜となった。たとえば導体パター
ンの杉収においては、印刷膜厚な、従来8μm以上必要
とされていたが、aoo。
l以下の尋体訣厚でも構成できる。この利点は7オト工
ツチング時のエツチングファクターが従来20μmを要
したのに比べ、薄膜形と同程戚、即ちほぼ零のエラチン
グツアクタとなることによるーー万厚換形の抵抗値のば
らつさの数曲に関しては、メツシュスクリーンやメタル
マスクスクリーンの改良など従来のスクリーン印刷技術
の向上のほかに、たとえば特公昭59−22675号に
記載されてるる厚涙抵抗不の7オトエツテングや、特公
昭57−18506号に記載されである厚換抵尻体t″
フォトレジストパターンに埋込む方法は特開昭54−9
9443号に記載しである厚膜抵抗体の辰面研マ処理を
する方決等がある。さらに特開1@55−47597記
載の薄暎導体に4涙抵抗全印刷したものがるる。こnら
は、発熱抵抗体の形状全均一化し、その効果による抵抗
値のばらつきを改禽しようとしたものでるる。
ツチング時のエツチングファクターが従来20μmを要
したのに比べ、薄膜形と同程戚、即ちほぼ零のエラチン
グツアクタとなることによるーー万厚換形の抵抗値のば
らつさの数曲に関しては、メツシュスクリーンやメタル
マスクスクリーンの改良など従来のスクリーン印刷技術
の向上のほかに、たとえば特公昭59−22675号に
記載されてるる厚涙抵抗不の7オトエツテングや、特公
昭57−18506号に記載されである厚換抵尻体t″
フォトレジストパターンに埋込む方法は特開昭54−9
9443号に記載しである厚膜抵抗体の辰面研マ処理を
する方決等がある。さらに特開1@55−47597記
載の薄暎導体に4涙抵抗全印刷したものがるる。こnら
は、発熱抵抗体の形状全均一化し、その効果による抵抗
値のばらつきを改禽しようとしたものでるる。
また厚膜抵抗材料の改良も進められてさた。
#膜抵抗材料とじてに、たとえば、特開昭58−954
4号および特開昭58−9548 号に記載の酸化ル
テニクと、高融点7リツトガラス%酸化ジルコニクム等
が過当である。しかしこれらに王として、厚映形サーマ
ルヘッドとしての信頼性を保持するために改良されたも
のであり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていな
い。
4号および特開昭58−9548 号に記載の酸化ル
テニクと、高融点7リツトガラス%酸化ジルコニクム等
が過当である。しかしこれらに王として、厚映形サーマ
ルヘッドとしての信頼性を保持するために改良されたも
のであり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていな
い。
ところで厚膜抵抗体の形状が幾可学的に、R,膜抵抗体
と同等に蛍ったとしf?:、場合、本当に、抵抗値のば
らつきが薄膜抵抗体と同等はなるのかといり疑問かめる
。理論的には抵抗体の抵抗値a入代で示されるO R−
f−舊(2)スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常
、その抵抗体の長き(1)、抵抗体の幅(旬、抵抗体の
厚−) (1)共に、わずかにばらつくが、終局的に問
題となるのは、厚膜抵抗材料が基本的にるる太ささ0粒
径を保持する酸化ルテニクム、ガラス7リツト、酸化ジ
ルコニクム等の焼成時に生ずる結合度の差異により、生
ずる、抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結果
生ずる抵抗値のばらつきでろる。
と同等に蛍ったとしf?:、場合、本当に、抵抗値のば
らつきが薄膜抵抗体と同等はなるのかといり疑問かめる
。理論的には抵抗体の抵抗値a入代で示されるO R−
f−舊(2)スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常
、その抵抗体の長き(1)、抵抗体の幅(旬、抵抗体の
厚−) (1)共に、わずかにばらつくが、終局的に問
題となるのは、厚膜抵抗材料が基本的にるる太ささ0粒
径を保持する酸化ルテニクム、ガラス7リツト、酸化ジ
ルコニクム等の焼成時に生ずる結合度の差異により、生
ずる、抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結果
生ずる抵抗値のばらつきでろる。
これは、I9.膜製造工程の、厳密なスクリーン印刷、
および焼成条件、さら1cri、それら発熱抵抗体を製
造の前工程後工程式の改善によっても解決されない。こ
れは、酸化ルテニウム寺の粒径が特開昭53−9544
号に記載にもめるように5μmと無視できない太ささで
ろるということまた、厚膜抵抗体の抵抗値の決定には王
とじて酸化ルテニクムガラス7リットとの接触界−Me
−工a−Mθ(メメルーインシュレーターメタルンの不
均質給台状悪による原因が終局的にあるからでめる0基
本的に厚膜抵抗材料が、七の焼成温度、ふんいき、焼成
スピードに同一材料にもかかわらず抵抗1@が大幅に変
化するのは、Me”より−Meの袷台状悪が変化するた
めと推定できる。
および焼成条件、さら1cri、それら発熱抵抗体を製
造の前工程後工程式の改善によっても解決されない。こ
れは、酸化ルテニウム寺の粒径が特開昭53−9544
号に記載にもめるように5μmと無視できない太ささで
ろるということまた、厚膜抵抗体の抵抗値の決定には王
とじて酸化ルテニクムガラス7リットとの接触界−Me
−工a−Mθ(メメルーインシュレーターメタルンの不
均質給台状悪による原因が終局的にあるからでめる0基
本的に厚膜抵抗材料が、七の焼成温度、ふんいき、焼成
スピードに同一材料にもかかわらず抵抗1@が大幅に変
化するのは、Me”より−Meの袷台状悪が変化するた
めと推定できる。
そこで戚1ヒルテニクム、ガラス7リツト等の粒径tさ
らに緻密化した4膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った@ しかし、目標とする効果は、得られなかった。
らに緻密化した4膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った@ しかし、目標とする効果は、得られなかった。
以上から、接触界面の不均一による厚換抵尻のばらつさ
t改善しないことには、結局抵抗1直のばらつきが改善
されないことがわかる0ところで抵抗庫のばしつさの改
善に閃しては、従来から、レーデ−トリミング法などを
利用して、a抗I−の、Si2歪等を王として厚膜回路
基板、薄膜回路基板等でメ°施されている。また、特開
昭58−7360号又は特開f!85B−’1860号
記戦の液体噴射記録ヘッドでは、薄膜抵抗素子をノーデ
ートリミングし、越気−熱変換特性に分わせるように抵
抗1己を調姫している0 〔発明が解決しようとする間組点〕 、厚膜抵抗体の抵抗+llfのばらつさt改善する従来
の方法はいやれも不十分なものでめった。発熱抵抗体上
部に位置し感熱紙と圧接する回伝ローラのm切による愼
械的裁助がろる几め、衝撃に弱い化学的トリミング方法
は使用できない〇1足、均一な温度分布全必要とするの
で発熱抵抗体の形状も厘要な要素となる之め、レーデ、
ダイヤモンドカット、サンドブラスト等の礪楓カドリミ
ング法では、形状の変化にニジ、テーマルヘッドの注叱
を悪化させるため便用できなかつ九〇 この発明は、厚誤形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状
を諷えることなく、その抵抗値を変化して生産する方決
を提供するCとt自問とするO C間逅点金解決Tるための手段〕 この発明に、丈−マルヘッドの発熱を抗体に4圧パルス
e l”lJ 270することにより抵抗貝全賦少させ
、抵抗のばりつさt減少せしめる。
t改善しないことには、結局抵抗1直のばらつきが改善
されないことがわかる0ところで抵抗庫のばしつさの改
善に閃しては、従来から、レーデ−トリミング法などを
利用して、a抗I−の、Si2歪等を王として厚膜回路
基板、薄膜回路基板等でメ°施されている。また、特開
昭58−7360号又は特開f!85B−’1860号
記戦の液体噴射記録ヘッドでは、薄膜抵抗素子をノーデ
ートリミングし、越気−熱変換特性に分わせるように抵
抗1己を調姫している0 〔発明が解決しようとする間組点〕 、厚膜抵抗体の抵抗+llfのばらつさt改善する従来
の方法はいやれも不十分なものでめった。発熱抵抗体上
部に位置し感熱紙と圧接する回伝ローラのm切による愼
械的裁助がろる几め、衝撃に弱い化学的トリミング方法
は使用できない〇1足、均一な温度分布全必要とするの
で発熱抵抗体の形状も厘要な要素となる之め、レーデ、
ダイヤモンドカット、サンドブラスト等の礪楓カドリミ
ング法では、形状の変化にニジ、テーマルヘッドの注叱
を悪化させるため便用できなかつ九〇 この発明は、厚誤形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状
を諷えることなく、その抵抗値を変化して生産する方決
を提供するCとt自問とするO C間逅点金解決Tるための手段〕 この発明に、丈−マルヘッドの発熱を抗体に4圧パルス
e l”lJ 270することにより抵抗貝全賦少させ
、抵抗のばりつさt減少せしめる。
Crp用〕
この発明では端圧パルスの印g &Cよって発熱抵抗体
の抵抗値が減少すること全利用して、抵抗値のばらつき
を著しく減少させることができる。これによりサーマル
ヘッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させるこ七が
できる。
の抵抗値が減少すること全利用して、抵抗値のばらつき
を著しく減少させることができる。これによりサーマル
ヘッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させるこ七が
できる。
この発明によるサーマルヘッドの製造方法は主要な生産
プロセスの後に、発熱抵抗体の抵抗11を減少させるプ
ロセスfc実施する。即チ、基板上に発熱抵抗体、リー
ド線、保護ガラス映を形成した後に、本発明による抵抗
値を減少させるプロセスを実施する◇ 第1図は本発明によるサーマルヘッドの生態方法のIJ
K理を示す図である。
プロセスの後に、発熱抵抗体の抵抗11を減少させるプ
ロセスfc実施する。即チ、基板上に発熱抵抗体、リー
ド線、保護ガラス映を形成した後に、本発明による抵抗
値を減少させるプロセスを実施する◇ 第1図は本発明によるサーマルヘッドの生態方法のIJ
K理を示す図である。
この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している・この現象はM工E (
Meta7− mujator −Sami、cond
uctorJ樽造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物(工n日u
lator沙五区圧によりブレークスルーするためであ
るとも考えられている。ともかく抵抗体の物理的性質が
電圧印加によシ変化していることは確実でろるる @1図は当初の抵抗値がR,、R,、R−である発熱抵
抗体の抵抗値tR・に調整する場合を示している。
するという現象を利用している・この現象はM工E (
Meta7− mujator −Sami、cond
uctorJ樽造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物(工n日u
lator沙五区圧によりブレークスルーするためであ
るとも考えられている。ともかく抵抗体の物理的性質が
電圧印加によシ変化していることは確実でろるる @1図は当初の抵抗値がR,、R,、R−である発熱抵
抗体の抵抗値tR・に調整する場合を示している。
先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目4iIと
する抵抗値島と比較する。鳥のようにR・より低い抵抗
fLtもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しな
い・ 拘より大きい抵抗値R1@ Rs # Rat持っ発熱
抵抗体く対し電圧パルスを印加する。
する抵抗値島と比較する。鳥のようにR・より低い抵抗
fLtもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しな
い・ 拘より大きい抵抗値R1@ Rs # Rat持っ発熱
抵抗体く対し電圧パルスを印加する。
最初に波高値の初期設定がV・で6る電圧パルスt−f
4]、?jOシて抵抗値を減少させる。
4]、?jOシて抵抗値を減少させる。
減少後の抵抗値を測定し、その唾がR・以上であればV
a+ΔVO披高lll0電圧パルスを印加する。
a+ΔVO披高lll0電圧パルスを印加する。
その後抵抗値を測定し、その値がR@以上で6ればV・
十8ΔVの彼高楓をもつ電圧パルスを印加する。このよ
うに抵抗値がR・以下になるまで次第に印加電圧パルス
の波高値を高くしながら次第に抵抗画を減少させて行く
。抵抗値がR・以下になればそこで調g!1ヲ終了する
。このようにして@熱体の抵抗値tR・以下の一定4囲
内に揃える。
十8ΔVの彼高楓をもつ電圧パルスを印加する。このよ
うに抵抗値がR・以下になるまで次第に印加電圧パルス
の波高値を高くしながら次第に抵抗画を減少させて行く
。抵抗値がR・以下になればそこで調g!1ヲ終了する
。このようにして@熱体の抵抗値tR・以下の一定4囲
内に揃える。
抵抗1直のばらつきを少なくするのがこの発明の目的で
あるから、抵抗値がRe以下になりさえすれば良いので
なく%R・以下の一足範囲内にろることt要する・その
ため少しづつ抵抗値を減少させて行さ、R−以下になっ
た時点で止めるのでるる。
あるから、抵抗値がRe以下になりさえすれば良いので
なく%R・以下の一足範囲内にろることt要する・その
ため少しづつ抵抗値を減少させて行さ、R−以下になっ
た時点で止めるのでるる。
第2図および第3図は本発明の製造方法を実施しなめ場
合と実施した場合の発熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図
である。何個かの発熱抵抗体τ−グループとし、その中
の最大値を白丸印、平均値を黒丸叩、最小値2x印で示
して−る。
合と実施した場合の発熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図
である。何個かの発熱抵抗体τ−グループとし、その中
の最大値を白丸印、平均値を黒丸叩、最小値2x印で示
して−る。
実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。
男4図はこの発明の生産方法に使用する装置の一例を示
す構灰図である。第5図は第4図の王−jiな信号の彼
杉図である。
す構灰図である。第5図は第4図の王−jiな信号の彼
杉図である。
(6)は調整対象のサーマルヘッド(7)に探針(プロ
ーグ)を押し当てるプロービング装置、(81[印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、(9)は
電圧印茄七抵抗測定とt切シ換えるスイッチ、叫は調整
電圧パルスt−発生するパルス発生回路% ttlは抵
抗計、(Llは訂算部、α場はその入出力部、Iは中央
演算処理!lIC以下opσと称す〕、四はメモリ、V
19はキーボード、(1Mはプリンタでるる。
ーグ)を押し当てるプロービング装置、(81[印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、(9)は
電圧印茄七抵抗測定とt切シ換えるスイッチ、叫は調整
電圧パルスt−発生するパルス発生回路% ttlは抵
抗計、(Llは訂算部、α場はその入出力部、Iは中央
演算処理!lIC以下opσと称す〕、四はメモリ、V
19はキーボード、(1Mはプリンタでるる。
本発明により抵抗at−m少させる手順について説明す
る。
る。
訂算部口から印m″it圧の波高値寝の設定信号、1回
の′電圧印加に含まれるパルス数nの設定1直号が与え
られている・訂算部四からのシ圧印W開始信号8TAR
Tft受けるとパルス発生回路−はENABLE信すを
訂算郡に返送する。又スイッチ(9]がパルス発生回w
t四側に切シ換わる。 ENABLE信号が出力されて
いる期間は波高値Vaの変更と5TART信号の発生は
禁止される。これは電圧パルス印加中においては、波高
値v8の変更tすべきではないし、また現在の1圧パル
スの印加が終了するまでは次の電圧パルス印Wの開始信
号S’l’ARTt−発するべきでにないからでるる。
の′電圧印加に含まれるパルス数nの設定1直号が与え
られている・訂算部四からのシ圧印W開始信号8TAR
Tft受けるとパルス発生回路−はENABLE信すを
訂算郡に返送する。又スイッチ(9]がパルス発生回w
t四側に切シ換わる。 ENABLE信号が出力されて
いる期間は波高値Vaの変更と5TART信号の発生は
禁止される。これは電圧パルス印加中においては、波高
値v8の変更tすべきではないし、また現在の1圧パル
スの印加が終了するまでは次の電圧パルス印Wの開始信
号S’l’ARTt−発するべきでにないからでるる。
8TAR’l’信号印加後一定時間TIが経過すると、
パルス発生回路−は波高値がVのn個のパルスをスイッ
チ(9)、リレー網(8)ヲ経てサーマルヘッドけ)の
発熱抵抗体にl=l]XIする一パルス電圧の印′xJ
が終了し′fc後T3時間経過後スイッチ(91は抵抗
計(四側へ切り替えらnる6そして更に11時間後には
■心TA僅号が解除されて次の゛鴫圧印WがaJ鵬にな
る・時間TIの間に抵抗量の測定が行なわれ、その測定
結果が打算部側へ送られる。打算s四では(2)■が測
定値t−前回の測定値と比較する・そして前回の測定値
上基準として一足の範囲内にないゃ高い値でろるか否か
比較するようにするのが最も間車な方法である。以下−
例としてこの方法の場合を述べる・ もし、目TI1gIo測定1直よりも高い値が得られた
ならば、OFσg4は、この測定1匣”を採用せず、ブ
ロービング袋it Filに対し、測定対象のサーマル
ヘッド(7)への探針の接!it−解き、再接触さるべ
くリグローブ信号を送出する。そして抵抗値の再測定が
行なわれる。第1図から理解できるよりに電圧パルスの
印加によって抵抗値が増那することはろり#ないのでろ
って、もし増辺することがるればそれは探針(グローブ
ノの接触不良によるものと考えられるからである。
パルス発生回路−は波高値がVのn個のパルスをスイッ
チ(9)、リレー網(8)ヲ経てサーマルヘッドけ)の
発熱抵抗体にl=l]XIする一パルス電圧の印′xJ
が終了し′fc後T3時間経過後スイッチ(91は抵抗
計(四側へ切り替えらnる6そして更に11時間後には
■心TA僅号が解除されて次の゛鴫圧印WがaJ鵬にな
る・時間TIの間に抵抗量の測定が行なわれ、その測定
結果が打算部側へ送られる。打算s四では(2)■が測
定値t−前回の測定値と比較する・そして前回の測定値
上基準として一足の範囲内にないゃ高い値でろるか否か
比較するようにするのが最も間車な方法である。以下−
例としてこの方法の場合を述べる・ もし、目TI1gIo測定1直よりも高い値が得られた
ならば、OFσg4は、この測定1匣”を採用せず、ブ
ロービング袋it Filに対し、測定対象のサーマル
ヘッド(7)への探針の接!it−解き、再接触さるべ
くリグローブ信号を送出する。そして抵抗値の再測定が
行なわれる。第1図から理解できるよりに電圧パルスの
印加によって抵抗値が増那することはろり#ないのでろ
って、もし増辺することがるればそれは探針(グローブ
ノの接触不良によるものと考えられるからである。
この場合の探針の再接触でろるが、前と同じ1iaif
rに再接触したのでは再び9!畦不良になる可能性がる
る・そこで、再接触は、前の一所ではな(、少し離れた
箇所に対して行コ・探針の接触は、リード線の先に設け
られるパッドと呼ば几る箇所にされるが、再接触は同一
パッド内の少し離れた位置にする。
rに再接触したのでは再び9!畦不良になる可能性がる
る・そこで、再接触は、前の一所ではな(、少し離れた
箇所に対して行コ・探針の接触は、リード線の先に設け
られるパッドと呼ば几る箇所にされるが、再接触は同一
パッド内の少し離れた位置にする。
抵抗測定1直が曲回の測定値=9低ければCPff−は
この測定値を採用してy!4憂目係値R,と比較するe
R@以下に達していなければcptrHH]nNABL
11ぎ号が解除された仮に1j児する1圧パルスのgL
Ili6臘の設疋1匝Vs iΔVだけ高めてパルス発
生口!6+IQlに与え九後、次回の1圧パルスの印加
の几めの開始1dす8TAR’l’を発生する。
この測定値を採用してy!4憂目係値R,と比較するe
R@以下に達していなければcptrHH]nNABL
11ぎ号が解除された仮に1j児する1圧パルスのgL
Ili6臘の設疋1匝Vs iΔVだけ高めてパルス発
生口!6+IQlに与え九後、次回の1圧パルスの印加
の几めの開始1dす8TAR’l’を発生する。
このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗11を減少させて行く@抵抗値
がtA姫目標l1liR・以下となればその発熱抵抗体
の抵抗−の調査は終了する。
ながら発熱抵抗体の抵抗11を減少させて行く@抵抗値
がtA姫目標l1liR・以下となればその発熱抵抗体
の抵抗−の調査は終了する。
RPJL T1# Tl# Tlを設けているのはスイ
ッチ(8)、リレー網(81のチャタリングによる影響
を避けるためである。スイッチ(9j1 リレー網(8
)が完全に切9侠えられる前に、パルス発生回路−から
・域f パルス七発生させても、そのパルスはサーマル
ヘッド(7)には印加されない。また、スイッチ(9)
、リレー網(8)が完全に切シ侠えられる前に抵抗値の
測定金行っても正Sな測定はでさない。
ッチ(8)、リレー網(81のチャタリングによる影響
を避けるためである。スイッチ(9j1 リレー網(8
)が完全に切9侠えられる前に、パルス発生回路−から
・域f パルス七発生させても、そのパルスはサーマル
ヘッド(7)には印加されない。また、スイッチ(9)
、リレー網(8)が完全に切シ侠えられる前に抵抗値の
測定金行っても正Sな測定はでさない。
印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても艮いが、
むしろg個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易でaる@−電圧パルスエネルーは波高値とパルス
中Δtによって規定されるが、これがめ1りに大さくな
ると発熱抵抗体が破壊される0そこで゛4圧パルスのエ
ネルギーがある程直で6って発熱抵抗体七破壊する危険
かめるときは電圧パルスの波高値に応じてパルス中を減
少させるように調愛しなければならな一0単二パルスの
パルス中を調整する二りはむしろ、複数のパルスからな
るパルス群の各/< A/ Xの巾Δtは一足としてお
いて、パルス周期でとパルス中Δtとの比Δt/Tfs
波高1直の便化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下
に調贅する万が容易でろる0るるいに、Δt/Tを一定
としておき、波高値の父化に応じてパルス群を構成する
パルスant″又化させても良i・電圧パルスのエネル
ギーが十分小さい4合は単一パルス又はパルス群のいう
れで与えても艮1/1(1#]27IIIする1圧パル
スの波高値が低いと抵抗値が減少する現象は見られなく
なる。そこで抵抗値の減少が期待できるよりな値から処
1回の電圧パルスの印加は開始される◎第1図の■oに
第1回の印那電圧パルスの波高値を示す。
むしろg個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易でaる@−電圧パルスエネルーは波高値とパルス
中Δtによって規定されるが、これがめ1りに大さくな
ると発熱抵抗体が破壊される0そこで゛4圧パルスのエ
ネルギーがある程直で6って発熱抵抗体七破壊する危険
かめるときは電圧パルスの波高値に応じてパルス中を減
少させるように調愛しなければならな一0単二パルスの
パルス中を調整する二りはむしろ、複数のパルスからな
るパルス群の各/< A/ Xの巾Δtは一足としてお
いて、パルス周期でとパルス中Δtとの比Δt/Tfs
波高1直の便化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下
に調贅する万が容易でろる0るるいに、Δt/Tを一定
としておき、波高値の父化に応じてパルス群を構成する
パルスant″又化させても良i・電圧パルスのエネル
ギーが十分小さい4合は単一パルス又はパルス群のいう
れで与えても艮1/1(1#]27IIIする1圧パル
スの波高値が低いと抵抗値が減少する現象は見られなく
なる。そこで抵抗値の減少が期待できるよりな値から処
1回の電圧パルスの印加は開始される◎第1図の■oに
第1回の印那電圧パルスの波高値を示す。
iI#1ffi目標抵抗1−R・、パルスIl数nの変
更はキーボード(11を使って行なわ几る◎11長後の
抵抗値及びCPUU41の打算結果はプリンタ同に打ち
田さ几るO 第6図は第4図の装置による発熱抵抗体の抵抗l1li
調歪方法の70−チャート図である。
更はキーボード(11を使って行なわ几る◎11長後の
抵抗値及びCPUU41の打算結果はプリンタ同に打ち
田さ几るO 第6図は第4図の装置による発熱抵抗体の抵抗l1li
調歪方法の70−チャート図である。
ステップ四では反高値Va 、パルス数a等のノイルス
条佇の初期設定を行うO?XいてステップφMでブロー
ビング装置+61によるプーマルヘッド(7)へのブロ
ービングと、リノー網(8)の切換えと七行う。その後
ステップ固、@では設定された波高楓【もつn個のパル
ス列を印加し、抵抗値の測定を行う、今回の測定隠と前
回の測定値との比較器ステップ(至)で行い、前回の測
定値エフ犬であればステップ□□□で再びブロービング
を行う。
条佇の初期設定を行うO?XいてステップφMでブロー
ビング装置+61によるプーマルヘッド(7)へのブロ
ービングと、リノー網(8)の切換えと七行う。その後
ステップ固、@では設定された波高楓【もつn個のパル
ス列を印加し、抵抗値の測定を行う、今回の測定隠と前
回の測定値との比較器ステップ(至)で行い、前回の測
定値エフ犬であればステップ□□□で再びブロービング
を行う。
−rJl!12]測尼1直より小であれば調姫目標抵抗
値R,との比etステップAで行うO測定値かR・以下
でめndその発熱抵抗体についての調姫に終了すゐ。R
,以下になっていなけnば、印那鴫圧ノくルスの波向1
直tΔVだけ増してノ(ルスを印加する(ステップ27
1)。
値R,との比etステップAで行うO測定値かR・以下
でめndその発熱抵抗体についての調姫に終了すゐ。R
,以下になっていなけnば、印那鴫圧ノくルスの波向1
直tΔVだけ増してノ(ルスを印加する(ステップ27
1)。
C+/)工うにして調姫r11.測定1直がR・以下と
なるlでボス1」として続けられる。7′cだし中vc
rC/櫂ルス戒圧τいくら印加しても抵抗値が減少しな
い特異な素子もある。又パルス発生回路(lO)が発生
しうるパルス延圧の波晟1直ICは制限がろるOそこで
、抵抗値がR,以下とならなくても/<ルス也圧の印加
回数がろる一定数vc廟するとそこで調[k終了する0
ステツプ鏝μそのために設けらnでいる。
なるlでボス1」として続けられる。7′cだし中vc
rC/櫂ルス戒圧τいくら印加しても抵抗値が減少しな
い特異な素子もある。又パルス発生回路(lO)が発生
しうるパルス延圧の波晟1直ICは制限がろるOそこで
、抵抗値がR,以下とならなくても/<ルス也圧の印加
回数がろる一定数vc廟するとそこで調[k終了する0
ステツプ鏝μそのために設けらnでいる。
数個の発熱抵抗体t−グループとして抵抗値の測定が行
なわ几ることは既に第2図、第3図で述ベア’C。
なわ几ることは既に第2図、第3図で述ベア’C。
一グループの調整が終るとCPU圓は平J’l +vi
。
。
標準偏差t−求めるための演算ΣR,ΣRi行う・(−
してプリンタ同は−グループの最大1貝、平均直、最小
値が第8図のよりにプリントされるOサーマルヘッドの
全発熱抵抗について調整が終るとCPU圓は標準偏差σ
t−打算する。その結果はプリンタqηに打ち出される
G 第7図は第4図のパルス発生回路(10jの詳細祝明図
である・ 図において、銅、に)、−は7リツプ70ツブ回烏、籾
、(7)、に)はタイマ回路、g3はパルス発生a、c
34に単安定マルチ回路、曽はトランジスタ、@は延圧
LL@は訂畝器、■は比較器である。
してプリンタ同は−グループの最大1貝、平均直、最小
値が第8図のよりにプリントされるOサーマルヘッドの
全発熱抵抗について調整が終るとCPU圓は標準偏差σ
t−打算する。その結果はプリンタqηに打ち出される
G 第7図は第4図のパルス発生回路(10jの詳細祝明図
である・ 図において、銅、に)、−は7リツプ70ツブ回烏、籾
、(7)、に)はタイマ回路、g3はパルス発生a、c
34に単安定マルチ回路、曽はトランジスタ、@は延圧
LL@は訂畝器、■は比較器である。
訂″卑部(6)から開始信号5TART信8を受けると
7リツグフロツプ回路鋼、輪はセットされる。
7リツグフロツプ回路鋼、輪はセットされる。
7リツグ70ツブ回路−からは訂算部へB11NABL
Fi nd号が送られる)ENABLE信号が継続して
イルm n 1K 81m im 9 v aの変更ト
、5TART信号の発生は禁止される。フリツプフロツ
プ回路−の出力VCより、スイッチ(9)のコイルaυ
が通1し、接点潤、鏝が図とは反対側に+j′J賛えら
れる。
Fi nd号が送られる)ENABLE信号が継続して
イルm n 1K 81m im 9 v aの変更ト
、5TART信号の発生は禁止される。フリツプフロツ
プ回路−の出力VCより、スイッチ(9)のコイルaυ
が通1し、接点潤、鏝が図とは反対側に+j′J賛えら
れる。
7リツプ70ツブ回路−がセットさnてかうTI埒間仮
にタイマ回路Oυは出力する。これによりフリツプフロ
ツプ回路(至)がセットされるとゲート例が開かれ、パ
ルス発生4Qの発生したパルスが単安定マルチ回路(7
)に与えられる。
にタイマ回路Oυは出力する。これによりフリツプフロ
ツプ回路(至)がセットされるとゲート例が開かれ、パ
ルス発生4Qの発生したパルスが単安定マルチ回路(7
)に与えられる。
単安定マルチ回路μsはパルス発生器に)のパルス巾t
”Pjriのパルス巾Δt2もつパルスに歪形する◎Δ
ti単安定マルチ回路(7)中の抵抗とコンデンVVこ
よって定めら几る。第8図にパルス発生器(至)の出力
パルス波形と単安定マルチ回路(至)の出力波形を示す
〇 単安定マルチ回路曽のパルスにより、トランジスタ(至
)のゲートドライブ1流が・共M!されてトランジスタ
(至)はパルスが存在する期間ΔtはON状悪トなる・
トランジスタに)がON状態の期間に1圧厄源助の出力
電圧がスイッチ(9)の接Q[(晴、リン−網(8)を
経てサンプルに印加される〇゛1圧′4源(2)の波高
111iは訂算部四からの波高1直1言号Vs icよ
って決定されている。
”Pjriのパルス巾Δt2もつパルスに歪形する◎Δ
ti単安定マルチ回路(7)中の抵抗とコンデンVVこ
よって定めら几る。第8図にパルス発生器(至)の出力
パルス波形と単安定マルチ回路(至)の出力波形を示す
〇 単安定マルチ回路曽のパルスにより、トランジスタ(至
)のゲートドライブ1流が・共M!されてトランジスタ
(至)はパルスが存在する期間ΔtはON状悪トなる・
トランジスタに)がON状態の期間に1圧厄源助の出力
電圧がスイッチ(9)の接Q[(晴、リン−網(8)を
経てサンプルに印加される〇゛1圧′4源(2)の波高
111iは訂算部四からの波高1直1言号Vs icよ
って決定されている。
ゲート(へ)ic通過するパルスはカクンタ@vc↓つ
て打数される0カクンタ(至)のlff数1直は比較器
に)によって訂算鄭四から与えられる数nと比奴される
。打数値がnK達すると比較4四の出力により7リツプ
70ツブ回路に)をリセットする・こ九にエフゲート(
至)は閉じられ、サンプルへの一回のパルス1圧の印加
が終了する。
て打数される0カクンタ(至)のlff数1直は比較器
に)によって訂算鄭四から与えられる数nと比奴される
。打数値がnK達すると比較4四の出力により7リツプ
70ツブ回路に)をリセットする・こ九にエフゲート(
至)は閉じられ、サンプルへの一回のパルス1圧の印加
が終了する。
比較器に)の出力はタイマ回路−にも与えら几る。時限
T、後にタイマ回路−に出力し、これによって7リツプ
70ング祷はリセットされ、スインチ(9)は抵抗計測
に切替えられる0スイツチ(9)が切換えられると、接
点−、−は1示の位置に切替えられ、抵抗計(1りによ
ってプンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定される。
T、後にタイマ回路−に出力し、これによって7リツプ
70ング祷はリセットされ、スインチ(9)は抵抗計測
に切替えられる0スイツチ(9)が切換えられると、接
点−、−は1示の位置に切替えられ、抵抗計(1りによ
ってプンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定される。
タイマ回路(6)が出力してからT、時間経過するとタ
イマ回路に)が出力し、それにより7リツプ70ツブ回
路−がリセットされQ端子出力ば1H″レベルとなり、
E NAB i信号は消滅する◎これにより欠の電圧
パルスの印加が0J能になる。
イマ回路に)が出力し、それにより7リツプ70ツブ回
路−がリセットされQ端子出力ば1H″レベルとなり、
E NAB i信号は消滅する◎これにより欠の電圧
パルスの印加が0J能になる。
本元明による抵抗層の変化のメ験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は絶体値で±20%標**差I
が5.6%であるのに対し、本発明を天旌すると杷体値
で±3%標準偏差が0.4%になる等大幅のばらつきが
改善された。
本発明を実施しない場合は絶体値で±20%標**差I
が5.6%であるのに対し、本発明を天旌すると杷体値
で±3%標準偏差が0.4%になる等大幅のばらつきが
改善された。
こ几によってサーマルヘッドの印字の娘反ムツをほとん
どなくすることかでさた。
どなくすることかでさた。
発明者等は抵抗1直の調整のために印加する1圧パルス
の波高値の初P8設定臘(第1図Vo)f:’0− 十
V + !”IJ 27111ハルス’4圧のILgl
l毎のmm分Δv’21■ないし畝V、1回の電圧印加
に含壕れるパルスdntlO〜2011+固のパルス巾
Δt’<iμないし数μ秒、パルス間隔t″数十μ秒と
して発熱体の抵抗値の調整を行った。
の波高値の初P8設定臘(第1図Vo)f:’0− 十
V + !”IJ 27111ハルス’4圧のILgl
l毎のmm分Δv’21■ないし畝V、1回の電圧印加
に含壕れるパルスdntlO〜2011+固のパルス巾
Δt’<iμないし数μ秒、パルス間隔t″数十μ秒と
して発熱体の抵抗値の調整を行った。
時限TI 、 Tsは10 m秒前後に、時限T、は数
m秒に設定して発閤者等は抵抗1@の調整上行なったO 抵抗値のS藍に用いるパラメータの具体的な数!は以上
に述゛べた一例に限られるものではなく、この発明の効
果上奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言5″
!でもない。
m秒に設定して発閤者等は抵抗1@の調整上行なったO 抵抗値のS藍に用いるパラメータの具体的な数!は以上
に述゛べた一例に限られるものではなく、この発明の効
果上奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言5″
!でもない。
第6図のステップg4に3いては前回の抵抗測定値と大
小比較を行なっているが、これに代えて、曲回の抵抗測
定値に比して一足の範囲内、洞えば0.9〜1.0倍の
範囲内VCあるか否かを確認し、この4@囲内にないと
@鉱抵抗楓の再測定をするようにしても良い。
小比較を行なっているが、これに代えて、曲回の抵抗測
定値に比して一足の範囲内、洞えば0.9〜1.0倍の
範囲内VCあるか否かを確認し、この4@囲内にないと
@鉱抵抗楓の再測定をするようにしても良い。
この発明に係るサーマルヘッドの製造方法に ・
去彪する装置の一例を第4図、第7図に示したが、この
発明はこ几らに阪らnない。
去彪する装置の一例を第4図、第7図に示したが、この
発明はこ几らに阪らnない。
パルスジ圧の波高値v8とパルス該nt訂算部四からパ
ルス発生回路(lO)に自助的に与えているが、これら
上手切操作にて設定する二うにする事もできる。それに
、パルス発生回路に波高値■aとパルス数nt設定する
スイッチを設けることによって容易に実施でさる。又打
算s四からの自wJ設定と手助操作の両者を併用しても
良へスイッチ(9)は、第7図の例でにコイル0υに通
―して接点−、a21を駆動するリレーでるるか、こ几
に代えてプイリスタスイッチを用いることもiJ能でめ
る。
ルス発生回路(lO)に自助的に与えているが、これら
上手切操作にて設定する二うにする事もできる。それに
、パルス発生回路に波高値■aとパルス数nt設定する
スイッチを設けることによって容易に実施でさる。又打
算s四からの自wJ設定と手助操作の両者を併用しても
良へスイッチ(9)は、第7図の例でにコイル0υに通
―して接点−、a21を駆動するリレーでるるか、こ几
に代えてプイリスタスイッチを用いることもiJ能でめ
る。
この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は4圧パルス
七発熱抵抗坏に印加して抵抗値を減少させるようにした
ので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗層のばらつ@
を少なくして、サーマルヘッドめ印芋−反のむらを著し
く減少させることができる。
七発熱抵抗坏に印加して抵抗値を減少させるようにした
ので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗層のばらつ@
を少なくして、サーマルヘッドめ印芋−反のむらを著し
く減少させることができる。
第1図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の厘
理説明図、第2図、第8図はこの発明に係るサーマルヘ
ッドの製造方法を実施しない場合と、実施した場合の抵
抗値の分布を示す図、第4図はこの発明に係るサーマル
ヘッドの製造方法に実施する装置の一実施例を示す構成
図、第5図は第4図の主要部の波形図、第6図サーマル
ヘッドの一般構成図、第10図に感熱記録装置における
サーマルヘッドの使用状態を説明する図、第11図は一
般的なサーマルヘッドにおける抵抗(1i!の分布の一
11!lIJ ’に示す図でめる0図において、111
は絶縁基板、(21はり一ド猟、+31は発熱抵抗素子
、(61iよプロービング装置、(7)にサーマルヘッ
ド、(8)はリレー網、(9+1’!スイツチ、110
1はパルス発生回路、(ll)は抵抗計、四は訂′#郡
、1141i CP u、G3L t4.11aiタイ
マ回路、−はパルス発生器、に)に単安定マルチ回路、
(ロ)ζ紙圧ζ源、@は打数器、燭は比較器である。 なお、各丙申の同一符号は同−又に相当部分tボす0
理説明図、第2図、第8図はこの発明に係るサーマルヘ
ッドの製造方法を実施しない場合と、実施した場合の抵
抗値の分布を示す図、第4図はこの発明に係るサーマル
ヘッドの製造方法に実施する装置の一実施例を示す構成
図、第5図は第4図の主要部の波形図、第6図サーマル
ヘッドの一般構成図、第10図に感熱記録装置における
サーマルヘッドの使用状態を説明する図、第11図は一
般的なサーマルヘッドにおける抵抗(1i!の分布の一
11!lIJ ’に示す図でめる0図において、111
は絶縁基板、(21はり一ド猟、+31は発熱抵抗素子
、(61iよプロービング装置、(7)にサーマルヘッ
ド、(8)はリレー網、(9+1’!スイツチ、110
1はパルス発生回路、(ll)は抵抗計、四は訂′#郡
、1141i CP u、G3L t4.11aiタイ
マ回路、−はパルス発生器、に)に単安定マルチ回路、
(ロ)ζ紙圧ζ源、@は打数器、燭は比較器である。 なお、各丙申の同一符号は同−又に相当部分tボす0
Claims (3)
- (1)サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加
した後前記発熱抵抗体の抵抗量を測定し、抵抗値が所定
値以上であるときは、より波高値の高い電圧パルスを印
加し、抵抗値が所定値以下のとさは電圧パルスを印加し
ないことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - (2)電圧パルスが単一パルスでるることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のサーマルヘッドの製造方法
。 - (3)電圧パルスが複数のパルスからなるパルス群であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサーマ
ルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205012A JPS6183050A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205012A JPS6183050A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23691092A Division JPH05305722A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | サーマルヘッドの抵抗値調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183050A true JPS6183050A (ja) | 1986-04-26 |
| JPH0229023B2 JPH0229023B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=16499984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205012A Granted JPS6183050A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183057A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘッドの製造装置 |
| JPS61131404A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | ロ−ム株式会社 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528500A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-22 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Electric insulation use gas composition |
| JPS5968270A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | サ−マルヘツド用発熱抵抗体の製造法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59205012A patent/JPS6183050A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528500A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-22 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Electric insulation use gas composition |
| JPS5968270A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | サ−マルヘツド用発熱抵抗体の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131404A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | ロ−ム株式会社 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
| JPS6183057A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘッドの製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0229023B2 (ja) | 1990-06-27 |
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