JPS6185854A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6185854A JPS6185854A JP59207467A JP20746784A JPS6185854A JP S6185854 A JPS6185854 A JP S6185854A JP 59207467 A JP59207467 A JP 59207467A JP 20746784 A JP20746784 A JP 20746784A JP S6185854 A JPS6185854 A JP S6185854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resistance layer
- voltage
- diffused
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/40—Resistors
- H10D1/43—Resistors having PN junctions
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に同一基板上に相異な
る導電形の部分を設け、そこに相補的な特性を持つＭＯ
ＳＦＥＴを作シつけた相補形ＭＯ８集積回路（０ＭＯ８
ＩＣ）に設けられた拡散高抵抗層に関する。
る導電形の部分を設け、そこに相補的な特性を持つＭＯ
ＳＦＥＴを作シつけた相補形ＭＯ８集積回路（０ＭＯ８
ＩＣ）に設けられた拡散高抵抗層に関する。
０ＭＯ８ＩＣは、元来の低消費電力動作の利点に加えて
、高速動作が可能で、大規模集積化および素子微細化に
適する半導体装置として注目されている。
、高速動作が可能で、大規模集積化および素子微細化に
適する半導体装置として注目されている。
近年、ＰＩＦ等を直接駆動できるような高耐圧トランジ
スタ、高抵抗層分有する１チツプＣΔｌ０８ＩＣの要求
が活発である。
スタ、高抵抗層分有する１チツプＣΔｌ０８ＩＣの要求
が活発である。
第３図にＦＩＰ駆動用の出力部の例を示すが、ＦＩＰｔ
−ＩＩ動するのに、プルダウン抵抗２は数１００にΩ程
度、ｖｋｋは一数１０Ｖ程度必侠である。
−ＩＩ動するのに、プルダウン抵抗２は数１００にΩ程
度、ｖｋｋは一数１０Ｖ程度必侠である。
このようなプルダウン抵抗のような、高抵抗層を、同一
８ｉ基板上に形成する場合、従来は、第４図に示すよう
に、例え＃−１’Ｎ形８ｉ基板１１上に薄いＳ：０！膜
１２を成長させ、レジスト膜１３等によシマスキングし
て、例えばボロンをイオン注入することＫより、Ｐ膨拡
散層１４を形成してこれた抵抗としていた。しかるＫこ
のような高抵抗層の場合、電圧依存性が非常に大きいと
云う問題がある。
８ｉ基板上に形成する場合、従来は、第４図に示すよう
に、例え＃−１’Ｎ形８ｉ基板１１上に薄いＳ：０！膜
１２を成長させ、レジスト膜１３等によシマスキングし
て、例えばボロンをイオン注入することＫより、Ｐ膨拡
散層１４を形成してこれた抵抗としていた。しかるＫこ
のような高抵抗層の場合、電圧依存性が非常に大きいと
云う問題がある。
すなわち、第５図は、このような従来の拡散抵抗層に電
圧を印加した場合の拡散抵抗層内の空乏層の広がりを示
したものであるが、第５図からも明らかなように抵抗体
１４に電圧を印加した場合、特にｖｋｋ側の空乏層１５
の広がりが激しく、実質的な拡散層抵抗が大きくなる。
圧を印加した場合の拡散抵抗層内の空乏層の広がりを示
したものであるが、第５図からも明らかなように抵抗体
１４に電圧を印加した場合、特にｖｋｋ側の空乏層１５
の広がりが激しく、実質的な拡散層抵抗が大きくなる。
先に述べたようにプルダウン抵抗としては、数１００に
Ω程度必要であシ、又、高抵抗層を小さな領域に形成す
る必要から、抵抗層の濃度は低くしなければならず、こ
のことも、拡散抵抗層内の空乏層の広がりを大きくして
いる原因となっている。
Ω程度必要であシ、又、高抵抗層を小さな領域に形成す
る必要から、抵抗層の濃度は低くしなければならず、こ
のことも、拡散抵抗層内の空乏層の広がりを大きくして
いる原因となっている。
本発明の目的は、かかる、従来の高抵抗層の電圧依存性
を低減することＶＣある。
を低減することＶＣある。
本発明は、抵抗領域のうち、基体との電位差が大きい側
を高濃度又は高深度としたことを特徴とする。
を高濃度又は高深度としたことを特徴とする。
以下、本発明を図面を使用して説明する。
第１図は、本発明の一実施例には高抵抗層でら夛、これ
は第２図に示すようにして形成される。
は第２図に示すようにして形成される。
すなわち、例えばＮ形Ｓｉ基板２１上に薄い酸化膜２２
を成長させ、その酸化膜２２に段差を設ける。その際に
、Ｖｋｋ側の酸化膜を薄くする。次Ｋ、この酸化膜２２
を通してレジスト膜３をマスクとして、例えはボロンを
イオン注入することにより、深さ方向に段差を持つ、Ｐ
膨拡散層２４を形成する。
を成長させ、その酸化膜２２に段差を設ける。その際に
、Ｖｋｋ側の酸化膜を薄くする。次Ｋ、この酸化膜２２
を通してレジスト膜３をマスクとして、例えはボロンを
イオン注入することにより、深さ方向に段差を持つ、Ｐ
膨拡散層２４を形成する。
このようにして形成された拡散抵抗層２４に電圧を印加
した場合の拡散抵抗層２４側の空乏層２５の広がりは、
第１図に示すようになり、本実施例による拡散抵抗層２
４は、その抵抗値が、空乏層２５の広が夛の少い部分で
決定されるため、抵抗値の電圧依存性を少なくすること
ができる。
した場合の拡散抵抗層２４側の空乏層２５の広がりは、
第１図に示すようになり、本実施例による拡散抵抗層２
４は、その抵抗値が、空乏層２５の広が夛の少い部分で
決定されるため、抵抗値の電圧依存性を少なくすること
ができる。
以上のとおり、空乏層の広がシの大きな部分（電圧依存
性の大きな部分）の抵抗値を小さくすることＫよって、
抵抗層の電圧依存性を小さくすることができる。
性の大きな部分）の抵抗値を小さくすることＫよって、
抵抗層の電圧依存性を小さくすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図を形成するための断面図、第３図はＦＩＰ駆動用の出
力部の等価回路図、第４図は従来の抵抗層を形成するた
めの断面図、第５図は、第４図の従来例の電圧印加時の
空乏層の広がシを示す断面図である。 １・・・・・・ＰチャネルＭ０８ＦＢＴ（オープンドレ
イン）、２・・・・・・プルダウン抵抗、１１・・・・
・・Ｎ形番板、１２・・・・・・酸化膜、１３・・・・
・・レジスト膜、１４・・・・・・拡散抵抗層、２１・
・・・・・Ｎ形番板、２２・・・・・・酸化膜、２３・
・・・・・レジスト膜、２４・・・・・・拡散抵抗層、
２５・・・・・・空乏層。 代理人 弁理士 内 原 晋・ ”′・１１
。 °（−１ 第 １ 図
図を形成するための断面図、第３図はＦＩＰ駆動用の出
力部の等価回路図、第４図は従来の抵抗層を形成するた
めの断面図、第５図は、第４図の従来例の電圧印加時の
空乏層の広がシを示す断面図である。 １・・・・・・ＰチャネルＭ０８ＦＢＴ（オープンドレ
イン）、２・・・・・・プルダウン抵抗、１１・・・・
・・Ｎ形番板、１２・・・・・・酸化膜、１３・・・・
・・レジスト膜、１４・・・・・・拡散抵抗層、２１・
・・・・・Ｎ形番板、２２・・・・・・酸化膜、２３・
・・・・・レジスト膜、２４・・・・・・拡散抵抗層、
２５・・・・・・空乏層。 代理人 弁理士 内 原 晋・ ”′・１１
。 °（−１ 第 １ 図
Claims (1)
- 第１の導電形の半導体部分に第２の導電形層を形成し
、上記第２の導電形層を抵抗として使用する半導体装置
において、上記抵抗層のうち基板に対して高電位差の電
圧が印加される部分を高濃度又は高深度としたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207467A JPS6185854A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207467A JPS6185854A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185854A true JPS6185854A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16540247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207467A Pending JPS6185854A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5184201A (en) * | 1989-06-07 | 1993-02-02 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Static induction transistor |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207467A patent/JPS6185854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5184201A (en) * | 1989-06-07 | 1993-02-02 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Static induction transistor |
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