JPS6197822A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6197822A JPS6197822A JP59219691A JP21969184A JPS6197822A JP S6197822 A JPS6197822 A JP S6197822A JP 59219691 A JP59219691 A JP 59219691A JP 21969184 A JP21969184 A JP 21969184A JP S6197822 A JPS6197822 A JP S6197822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide film
- implanted
- back surface
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体集積回路の製造方法に関するものである
。
。
（従来技術）
半導体集積回路の製造にはリン（Ｐ）などの不純物拡散
工程が必要であるが、不純物拡散工程で最もよく行なわ
れている方法は二段階拡散法又はドープトオキサイド法
である。これらの方法では。
工程が必要であるが、不純物拡散工程で最もよく行なわ
れている方法は二段階拡散法又はドープトオキサイド法
である。これらの方法では。
半導体単結晶基板又はその上に形成されたエピタキシャ
ル層中図下基板等という）の表面の所定領域の酸化膜を
除去して基板等を露出させ、その露出部分へ拡散不純物
のガラス層又は酸化物層を堆積させた後、熱処理によっ
て不純物を基板等に拡散させる。この場合、拡散不純物
のガラス層又は酸化物層の堆積前に基板等の表面の酸化
膜の一部をエツチングにより除去する際、基板裏面の酸
化膜も除去されてしまうため、後の拡散工程においてリ
ンなどの不純物が基板裏面にもドーピングする、所謂オ
ートドーピングの問題が発生する。
ル層中図下基板等という）の表面の所定領域の酸化膜を
除去して基板等を露出させ、その露出部分へ拡散不純物
のガラス層又は酸化物層を堆積させた後、熱処理によっ
て不純物を基板等に拡散させる。この場合、拡散不純物
のガラス層又は酸化物層の堆積前に基板等の表面の酸化
膜の一部をエツチングにより除去する際、基板裏面の酸
化膜も除去されてしまうため、後の拡散工程においてリ
ンなどの不純物が基板裏面にもドーピングする、所謂オ
ートドーピングの問題が発生する。
そこで、オートドーピングを防止するために、従来は表
面の所定領域の酸化膜と裏面の酸化膜が除去された基板
を拡散炉に設置するに際し、基板を２枚で１組として互
いに裏面が接触するように並べたり、あるいは裏面を基
板以外の物体に接触させておくことが行なわれている。
面の所定領域の酸化膜と裏面の酸化膜が除去された基板
を拡散炉に設置するに際し、基板を２枚で１組として互
いに裏面が接触するように並べたり、あるいは裏面を基
板以外の物体に接触させておくことが行なわれている。
しかし、このような方法によれば、基板が他の基板又は
他の物体と接触しているために、そこで発埃する可能性
が大きくなる問題がある。
他の物体と接触しているために、そこで発埃する可能性
が大きくなる問題がある。
他のオートドーピング防止法は、第２図に示されるよう
に、表面の酸化膜の所定領域のエツチング時に裏面に酸
化膜を残存させることである。
に、表面の酸化膜の所定領域のエツチング時に裏面に酸
化膜を残存させることである。
第２図（Ａ）において、２は基板、４は表面の酸化膜、
６は裏面の酸化膜であり、表面の酸化膜４上には拡散領
域形成用にレジストパターン８がフォトリソグラフィ技
法により形成されている。
６は裏面の酸化膜であり、表面の酸化膜４上には拡散領
域形成用にレジストパターン８がフォトリソグラフィ技
法により形成されている。
次に、同図（Ｂ）に示されるように裏面の酸化膜６をレ
ジスト１０で被覆し、その後１表面の酸化膜４をエツチ
ングして拡散領域形成用に開口１２を形成した後、裏面
のレジストを除去する（同図（Ｃ））。
ジスト１０で被覆し、その後１表面の酸化膜４をエツチ
ングして拡散領域形成用に開口１２を形成した後、裏面
のレジストを除去する（同図（Ｃ））。
しかしながら、この方法によれば、基板裏面のレジスト
１０を形成する工程が必要になる。すなわち、このレジ
スト１ｏの塗布工程を塗布装置を用いて行なおうとすれ
ば表面のレジストパターン８を保護しておくための工数
が必要となり、また、塗布装置を使用せずにレジスト１
０を塗布しようとすれば人手と時間がかかることが問題
となる。
１０を形成する工程が必要になる。すなわち、このレジ
スト１ｏの塗布工程を塗布装置を用いて行なおうとすれ
ば表面のレジストパターン８を保護しておくための工数
が必要となり、また、塗布装置を使用せずにレジスト１
０を塗布しようとすれば人手と時間がかかることが問題
となる。
（目的）
本発明は、基板同志又は基板と他の物体との接触、又は
基板裏面の酸化膜残存のためのレジスト塗布を行なわず
に、拡散工程でのオートドーピングを防止する方法を提
供することを目的とするものである。
基板裏面の酸化膜残存のためのレジスト塗布を行なわず
に、拡散工程でのオートドーピングを防止する方法を提
供することを目的とするものである。
（構成）
本発明方法は、拡散工程よりも前に基板裏面に酸素イオ
ン又は窒素イオンをイオン注入法により注入し、熱処理
を施こして酸化膜又は窒素膜を形成することを特徴とす
るものである。
ン又は窒素イオンをイオン注入法により注入し、熱処理
を施こして酸化膜又は窒素膜を形成することを特徴とす
るものである。
ここで、酸素イオン又は窒素イオンの注入量は１０１ｓ
イオン／ ｃ ｍ ”以上が好ましい。
イオン／ ｃ ｍ ”以上が好ましい。
以下、第１図に示される一実施例について具体的に説明
する。
する。
第１図（Ａ）は第２図（Ａ）と同じ状態を表ねすもので
あって、基板２としては例えばシリコン 、基
板が使用され、その両面が酸化膜４，６で被われ、表面
の酸化膜４上にはレジストパターン８が形成されている
。
あって、基板２としては例えばシリコン 、基
板が使用され、その両面が酸化膜４，６で被われ、表面
の酸化膜４上にはレジストパターン８が形成されている
。
次に、そのレジストパターン８をマスクにしてエツチン
グを施し、酸化膜４に不純物拡散用の開口１２を開ける
。このとき、裏面の酸化膜６も除去される。レジストパ
ターン８を除去すると、同図（Ｂ）に示されるようにな
る。
グを施し、酸化膜４に不純物拡散用の開口１２を開ける
。このとき、裏面の酸化膜６も除去される。レジストパ
ターン８を除去すると、同図（Ｂ）に示されるようにな
る。
次に同図（Ｃ）に示されるように基板２の裏面に酸素イ
オン２０を注入する。このイオン注入条件は１例えばエ
ネルギー３０ＫｅＶ、注入量１×１０”イオン／ｃｍ”
である。
オン２０を注入する。このイオン注入条件は１例えばエ
ネルギー３０ＫｅＶ、注入量１×１０”イオン／ｃｍ”
である。
イオン注入された基板を窒素雰囲気中で１０００℃前後
で熱処理して、イオン注入された酸素イオン２０により
同図（Ｄ）に示されるように基板裏面に酸化膜２２を形
成させる。
で熱処理して、イオン注入された酸素イオン２０により
同図（Ｄ）に示されるように基板裏面に酸化膜２２を形
成させる。
その後、この基板を拡散炉に設置し、表面の開口部１２
に例えば不純物であるリンのガラス層又は酸化物（例え
ばリンシリコンガラス）層を堆積させた後、熱処理して
不純物を基板中２に拡散させる。このとき、基板裏面に
は酸化膜２２が形成されているので、基板裏面への不純
物のオートドーピングが防止される。
に例えば不純物であるリンのガラス層又は酸化物（例え
ばリンシリコンガラス）層を堆積させた後、熱処理して
不純物を基板中２に拡散させる。このとき、基板裏面に
は酸化膜２２が形成されているので、基板裏面への不純
物のオートドーピングが防止される。
実施例では基板裏面に酸素のイオン注入を行なったが、
酸素に代えて窒素のイオン注入を行なってもよい。窒素
イオンを注入した場合には、熱処理後に形成される被覆
は窒化膜である。窒化膜も酸化膜と同様に不純物のオー
トドーピングを防止する。
酸素に代えて窒素のイオン注入を行なってもよい。窒素
イオンを注入した場合には、熱処理後に形成される被覆
は窒化膜である。窒化膜も酸化膜と同様に不純物のオー
トドーピングを防止する。
また、実施例は基板２に拡散層が形成される場合を例示
しているが、基板上に形成されたエピタキシャル層に拡
散層が形成される場合も全く同じである。
□ （効果） 本発明によれば、基板裏面への酸素又は窒素のイオン注
入とその後の熱処理により基板裏面に酸化膜又は窒化膜
が形成され、これが後の拡散工程におけるオートドーピ
ングを防止するので、従来のように拡散工程における基
板裏面の接触や、基板裏面に酸化膜を残すためのレジス
ト塗布工程が不要になる。
しているが、基板上に形成されたエピタキシャル層に拡
散層が形成される場合も全く同じである。
□ （効果） 本発明によれば、基板裏面への酸素又は窒素のイオン注
入とその後の熱処理により基板裏面に酸化膜又は窒化膜
が形成され、これが後の拡散工程におけるオートドーピ
ングを防止するので、従来のように拡散工程における基
板裏面の接触や、基板裏面に酸化膜を残すためのレジス
ト塗布工程が不要になる。
また、本発明によれば、フィールド酸化、酸化膜全面エ
ツチング、窒化膜除去の後に、基Ｆｉ、ｇ面にのみ酸化
膜又は窒化膜が形成されることになるので、基板の反り
を校正することができる効果もある。
ツチング、窒化膜除去の後に、基Ｆｉ、ｇ面にのみ酸化
膜又は窒化膜が形成されることになるので、基板の反り
を校正することができる効果もある。
第１図（Ａ）ないし同図（Ｄ）は一実施例を断面図によ
り工程順に示す図、第２図（Ａ）ないし同図（Ｃ）は従
来の方法を断面図により工程順に示す図である。 ２・・・・・・基板、 ２０・・・・・・注入された
酸素イオン、２２・・・・・・酸化膜。
り工程順に示す図、第２図（Ａ）ないし同図（Ｃ）は従
来の方法を断面図により工程順に示す図である。 ２・・・・・・基板、 ２０・・・・・・注入された
酸素イオン、２２・・・・・・酸化膜。
Claims (1)
- （１）不純物のガラス層又は酸化物層を形成した後、熱
処理によりその不純物を基板又はエピタキシャル層中に
拡散させる拡散工程を含む方法において、 前記拡散工程より前に基板裏面に酸素イオン又は窒素イ
オンをイオン注入法により注入し、熱処理をして酸化膜
又は窒素膜を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219691A JPS6197822A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219691A JPS6197822A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197822A true JPS6197822A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16739446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219691A Pending JPS6197822A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197822A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP59219691A patent/JPS6197822A/ja active Pending
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