JPS62102546A - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置の製造方法Info
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- JPS62102546A JPS62102546A JP60241873A JP24187385A JPS62102546A JP S62102546 A JPS62102546 A JP S62102546A JP 60241873 A JP60241873 A JP 60241873A JP 24187385 A JP24187385 A JP 24187385A JP S62102546 A JPS62102546 A JP S62102546A
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- Japan
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- integrated circuit
- circuit device
- hybrid integrated
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/874—On different surfaces
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、混成集積回路装置の製造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来より、混成集積回路装置を製造する方法として、第
４図の工程図に示すような方法が知られている。
４図の工程図に示すような方法が知られている。
すなわちこの方法では、まずアルミナ等のセラミックス
多層配線基板を形成する第１の工程と、この多層配線基
板上のシールリングパターンく気密封止用の金ａａキャ
ップを装着するための導体パターン）上にフラックスを
用いて予備半田し洗浄する第２の工程と、チップ部品を
多層配線基板の所定位置に接着剤によりマウントし、ボ
ンディングする第３の工程と、電気的機能検査を行う第
４の工程と、第２の工程で形成された予備半田上に金属
製キャップを装着しリフローする第５の工程と、前記金
属製キャップに設けられたガス穴を不活性雰囲気中で半
田で塞ぎ、気密封止する第６の工程とを順次経て混成集
積回路が製造されていた。
多層配線基板を形成する第１の工程と、この多層配線基
板上のシールリングパターンく気密封止用の金ａａキャ
ップを装着するための導体パターン）上にフラックスを
用いて予備半田し洗浄する第２の工程と、チップ部品を
多層配線基板の所定位置に接着剤によりマウントし、ボ
ンディングする第３の工程と、電気的機能検査を行う第
４の工程と、第２の工程で形成された予備半田上に金属
製キャップを装着しリフローする第５の工程と、前記金
属製キャップに設けられたガス穴を不活性雰囲気中で半
田で塞ぎ、気密封止する第６の工程とを順次経て混成集
積回路が製造されていた。
ところでこの方法では、チップ部品をマウントする際に
使用する接着剤を硬化するため多層配線基板を加熱する
必要がある。例えばエポキシ系接着剤では１５０〜１６
０℃で１〜３時間の加熱が必要である。またチップ部品
と多層配線基板との電気的接続を形成するためのワイヤ
ーボンディングするときにも基板を１２０〜１５０℃に
加熱する必要がある。ざらに電気的機能検査の工程でも
混成集積回路装置の消費電力が大きいものの場合には発
熱が生じる。このように加熱や発熱によって基板の温度
がかなり上昇し、そのため、予備半田層が酸化されて気
密封止不良をまねき、歩留りの低下をきたしていた。ま
たシールリングパターンと半田とが高温で拡散反応をお
こすため接合部分の強度が不十分となって混成集積回路
装置の信頼性が低下するという問題があった。
使用する接着剤を硬化するため多層配線基板を加熱する
必要がある。例えばエポキシ系接着剤では１５０〜１６
０℃で１〜３時間の加熱が必要である。またチップ部品
と多層配線基板との電気的接続を形成するためのワイヤ
ーボンディングするときにも基板を１２０〜１５０℃に
加熱する必要がある。ざらに電気的機能検査の工程でも
混成集積回路装置の消費電力が大きいものの場合には発
熱が生じる。このように加熱や発熱によって基板の温度
がかなり上昇し、そのため、予備半田層が酸化されて気
密封止不良をまねき、歩留りの低下をきたしていた。ま
たシールリングパターンと半田とが高温で拡散反応をお
こすため接合部分の強度が不十分となって混成集積回路
装置の信頼性が低下するという問題があった。
このため前述の多層配線基板上への予備半田の工程をチ
ップ部品のマウント、ボンディング工程Ｊ３よび電気的
機能検査の工程等の加熱発熱工程の終了後に行なうこと
も検討されている。
ップ部品のマウント、ボンディング工程Ｊ３よび電気的
機能検査の工程等の加熱発熱工程の終了後に行なうこと
も検討されている。
しかしながらこの方法においては、多層配線基板上のシ
ールリングに半田をつける際、半田ボールが飛翔してチ
ップ部品上に付着し、チップ部品の不良をひきおこすお
それがあった。また予備半田の工程がチップ部品のマウ
ント後では重板表面のチップ部品の凹凸により半田のフ
ラックスが洗浄しきれず、残漬が残るので、混成集積回
路装置の信頼性が著しく低下するという問題もあった。
ールリングに半田をつける際、半田ボールが飛翔してチ
ップ部品上に付着し、チップ部品の不良をひきおこすお
それがあった。また予備半田の工程がチップ部品のマウ
ント後では重板表面のチップ部品の凹凸により半田のフ
ラックスが洗浄しきれず、残漬が残るので、混成集積回
路装置の信頼性が著しく低下するという問題もあった。
［発明の目的］
本発明はこのような問題を解消するためなされたもので
、半田ボールの飛翔がなく、またフラックス残漬のない
混成集積回路装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
、半田ボールの飛翔がなく、またフラックス残漬のない
混成集積回路装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
［発明の概要］
本発明方法は多層配線基板上にチップ部品をマウント、
ボンディングし、電気的機能検査後にチップ部品全体を
気密封止して混成集積回路装置を製造するにあたり、前
記チップ部品のマウン１〜、ボンディング工程および電
気的機能検査の工程終了後に、多層配線基板上にフラッ
クスを含まない半田シートと金属製キャップとを順に設
置し還元雰囲気中で半田リフローし金属製キャップを基
板上に固定して気密封止することを特徴としている。
ボンディングし、電気的機能検査後にチップ部品全体を
気密封止して混成集積回路装置を製造するにあたり、前
記チップ部品のマウン１〜、ボンディング工程および電
気的機能検査の工程終了後に、多層配線基板上にフラッ
クスを含まない半田シートと金属製キャップとを順に設
置し還元雰囲気中で半田リフローし金属製キャップを基
板上に固定して気密封止することを特徴としている。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明方法の一実施例を示す″工程図、第２図
は製造の一過程を示す斜視図、第３図は本発明方法によ
り製造された混成集積回路装置の断面図を示す。
は製造の一過程を示す斜視図、第３図は本発明方法によ
り製造された混成集積回路装置の断面図を示す。
口の実施例では、まず多層配線基板１を形成しく第１の
工程）、この多層配線基板１上のダイポンディングパッ
ド２にエポキシ系接着剤３を介してチップ部品４をマウ
ントするとともにチップ部品４と多層配線基板１上のワ
イψポンディングパッド５とをＡｕあるいはＡｆｆｌか
らなるワイヤ６によりボンディングする（第２の］：程
）。
工程）、この多層配線基板１上のダイポンディングパッ
ド２にエポキシ系接着剤３を介してチップ部品４をマウ
ントするとともにチップ部品４と多層配線基板１上のワ
イψポンディングパッド５とをＡｕあるいはＡｆｆｌか
らなるワイヤ６によりボンディングする（第２の］：程
）。
次いで電気的機能検査を行い（第３の工程）、その後に
多層配線基板１にメタライズ形成されたシールリング７
（金属製キャップ取付は用の導体パターン）の上に７ラ
ツクスの混入していない半田シート８と金属製キャップ
９とを順に重ね、還元雰囲気加熱チャンバ１４内に入れ
て半田をリフローし、金属製キャップ９を基板上に固定
する（第４の工程）。次いで金属製キャップ９に設けら
れたガス穴１０を不活性雰囲気中でフラックスレス半田
１１で塞ぎ気密封止する（第５の工程）。
多層配線基板１にメタライズ形成されたシールリング７
（金属製キャップ取付は用の導体パターン）の上に７ラ
ツクスの混入していない半田シート８と金属製キャップ
９とを順に重ね、還元雰囲気加熱チャンバ１４内に入れ
て半田をリフローし、金属製キャップ９を基板上に固定
する（第４の工程）。次いで金属製キャップ９に設けら
れたガス穴１０を不活性雰囲気中でフラックスレス半田
１１で塞ぎ気密封止する（第５の工程）。
なお図中符号１２、コンデンサーあるいはレジスター等
の受動チップ部品で、１３は混成集積回路装置の入出力
端子である。
の受動チップ部品で、１３は混成集積回路装置の入出力
端子である。
このようにして製造した混成集積回路装置には、半田ボ
ールの飛翔がなく、またフラックス残漬もないので混成
集積回路装置の信頼性が向上する。
ールの飛翔がなく、またフラックス残漬もないので混成
集積回路装置の信頼性が向上する。
［発明の効果］
以上説明したように金属製キャップを半田にて基板に固
定する工程を、加熱工程後に、しかも還元雰囲気中で行
なうので半田の酸化が生じることがなく、半田ボールの
飛翔も起こりにくいので歩留りが向上する。またフラッ
クスを使用しないので、面倒な洗浄工程が省略でき、工
数の削減ができるとともに７ラツクス残清による信頼性
低下を防ぐことができる。
定する工程を、加熱工程後に、しかも還元雰囲気中で行
なうので半田の酸化が生じることがなく、半田ボールの
飛翔も起こりにくいので歩留りが向上する。またフラッ
クスを使用しないので、面倒な洗浄工程が省略でき、工
数の削減ができるとともに７ラツクス残清による信頼性
低下を防ぐことができる。
第１図は本発明方法を示す工程図、第２図は製造におけ
る一過程を示す斜視図、第３図は本発明により製造され
た混成集積回路装置の断面図、第４図は従来方法を示す
工程図である。 １・・・・・・・・・多層配線基板 ３・・・・・・・・・接着剤 ４・・・・・・・・・チップ部品 ７・・・・・・・・・シールリング ８・・・・・・・・・フラックスレス半田シート９・・
・・・・・・・金属製キャップ １０・・・・・・・・・ガス穴 １４・・・・・・・・・還元雰囲気加熱チャンバ出願人
株式会社 東芝 代理人弁理士 須 山 佐 − 薪２図
る一過程を示す斜視図、第３図は本発明により製造され
た混成集積回路装置の断面図、第４図は従来方法を示す
工程図である。 １・・・・・・・・・多層配線基板 ３・・・・・・・・・接着剤 ４・・・・・・・・・チップ部品 ７・・・・・・・・・シールリング ８・・・・・・・・・フラックスレス半田シート９・・
・・・・・・・金属製キャップ １０・・・・・・・・・ガス穴 １４・・・・・・・・・還元雰囲気加熱チャンバ出願人
株式会社 東芝 代理人弁理士 須 山 佐 − 薪２図
Claims (1)
- 多層配線基板上にチップ部品をマウント、ボンディング
し、電気的機能検査後にチップ部品全体を気密封止して
混成集積回路装置を製造するにあたり、前記チップ部品
のマウント、ボンディング工程および電気的機能検査の
工程終了後に、多層配線基板上にフラックスを含まない
半田シートと金属製キャップとを順に設置し還元雰囲気
中で半田リフローし金属製キャップを基板上に固定して
気密封止することを特徴とする混成集積回路装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60241873A JPS62102546A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60241873A JPS62102546A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102546A true JPS62102546A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0337305B2 JPH0337305B2 (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17080796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60241873A Granted JPS62102546A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344407B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing solder bumps and solder joints using formic acid |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60241873A patent/JPS62102546A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344407B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing solder bumps and solder joints using formic acid |
| US6666369B2 (en) | 1999-12-20 | 2003-12-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method, electronic parts mounting method and heating/melting process equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337305B2 (ja) | 1991-06-05 |
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