JPS6211183U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6211183U JPS6211183U JP10157885U JP10157885U JPS6211183U JP S6211183 U JPS6211183 U JP S6211183U JP 10157885 U JP10157885 U JP 10157885U JP 10157885 U JP10157885 U JP 10157885U JP S6211183 U JPS6211183 U JP S6211183U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- crucible
- single crystal
- melt
- semiconductor
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
図は本考案の半導体単結晶製造装置の実施例の
縦断面図である。 １……種子結晶、２……引上装置、３……液体
封止剤、４……融液、５……るつぼ、６……サセ
プタ、７……熱遮蔽盤、８……発熱体、１０……
高圧容器、１２……保持部材。
縦断面図である。 １……種子結晶、２……引上装置、３……液体
封止剤、４……融液、５……るつぼ、６……サセ
プタ、７……熱遮蔽盤、８……発熱体、１０……
高圧容器、１２……保持部材。
Claims (1)
- 高圧容器内で上面を液体封止剤で覆われた半導
体融液が内部に収容され、かつ、回転駆動される
サセプタ内に配設されたるつぼと、該サセプタの
下面及び外周部を覆う発熱体と、上記るつぼ内の
上記融液から単結晶をシード付けし引き上げる種
子結晶が固定される上記るつぼ上方に配設された
保持部材とを設けたものにおいて、上記サセプタ
上部に円板状の熱遮蔽盤を取り付けたことを特徴
とする半導体単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157885U JPS6211183U (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157885U JPS6211183U (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211183U true JPS6211183U (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=30972428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10157885U Pending JPS6211183U (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211183U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160894A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引上装置 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP10157885U patent/JPS6211183U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160894A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引上装置 |
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