JPS62123066A - 熱処理用部材 - Google Patents
熱処理用部材Info
- Publication number
- JPS62123066A JPS62123066A JP60261353A JP26135385A JPS62123066A JP S62123066 A JPS62123066 A JP S62123066A JP 60261353 A JP60261353 A JP 60261353A JP 26135385 A JP26135385 A JP 26135385A JP S62123066 A JPS62123066 A JP S62123066A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産金Ｅの１１［′
この発明は半導体ウェハのための熱処理用部材に関する
。
。
え＆悲ｉ九
従来、耐スポーリング性と熱膨張率の観点から耐久性を
向上させるために、窒化珪素粒、炭化珪素粒又は両者の
適当混合物を主体とする耐火物を製造するに当り、７４
μ以下の窒化珪素粉を結合材として５〜５０％添加し、
無機質又は有機質の成形剤を少量添加して、成形乾燥後
、空気中高温焼成する焼成耐火物の製造法が提案された
。特公昭４０−２７５３５号公報を参照。
向上させるために、窒化珪素粒、炭化珪素粒又は両者の
適当混合物を主体とする耐火物を製造するに当り、７４
μ以下の窒化珪素粉を結合材として５〜５０％添加し、
無機質又は有機質の成形剤を少量添加して、成形乾燥後
、空気中高温焼成する焼成耐火物の製造法が提案された
。特公昭４０−２７５３５号公報を参照。
が解決しようとする。ｒ ス
最近の半導体ウェハの熱処理用部材にあっては、特に耐
スポーリング性の点で耐久性の格段の向上が要望される
ようになるとともに、曲げ強さの増大も強く望まれるよ
うになってきた。
スポーリング性の点で耐久性の格段の向上が要望される
ようになるとともに、曲げ強さの増大も強く望まれるよ
うになってきた。
しかし、従来の熱処理用部材は、かかる要望を十分に満
足させるものではなかった。
足させるものではなかった。
ｌ１仄１左
この発明は前述のような従来技術の欠貞を解決して、耐
スポーリングと曲げ強さに勝れた特性を有する熱処理用
部材を提供することを目的としている。
スポーリングと曲げ強さに勝れた特性を有する熱処理用
部材を提供することを目的としている。
＋ ’（：５Ｚ” ゛するための。
本発明による熱処理用部材は、Ｓｉ：ｓＮ４が５〜９０
重最％で、３ｉが５〜３０重曇％で残部がＳｉＣである
。
重最％で、３ｉが５〜３０重曇％で残部がＳｉＣである
。
本発明において、３ｉ ３ Ｎ４を５〜９０垂開％にす
ることにより高強度とし、３ｉを５〜３０弔吊％にする
ことによりＳｉ ３ Ｎ４とＳｉＣとの熱膨張のバラン
スを保ち、耐スポーリング性を向上させたものである。
ることにより高強度とし、３ｉを５〜３０弔吊％にする
ことによりＳｉ ３ Ｎ４とＳｉＣとの熱膨張のバラン
スを保ち、耐スポーリング性を向上させたものである。
本発明において、Ｓｉ３Ｎ４が５重量％よりも小である
と、明持する耐スポーリング性が１９られす、９０ ｍ
ｆＢ％よりも大であると、成形体の空隙を完全に密閑
することが難しくなる。まｊ；、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＣの
熱膨張のバランスを保Ｊ５強度を向上させるには３ｉを
５〜３０１ｌｌｉ 砧％にすることが必要である。
と、明持する耐スポーリング性が１９られす、９０ ｍ
ｆＢ％よりも大であると、成形体の空隙を完全に密閑
することが難しくなる。まｊ；、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＣの
熱膨張のバランスを保Ｊ５強度を向上させるには３ｉを
５〜３０１ｌｌｉ 砧％にすることが必要である。
支ＬＬＬ二二二
平均粒径１３ ｕのＳｔ ３ Ｎ４粉、ＳｉＣ粉、レジ
ンを表−１に示した配合比で配合し、各々を混合して造
粒し、平均粒径０．８μ以下の粒度にした。これらの造
粒物をラバープレスにて成型圧２ｔ／Ｃｍ２で成型した
。この成型体を８００℃で２０時間焼成した。この焼成
体を溶融シリコンと反応させ、１５００℃かつ１０ ｔ
ｏｒｒでシリコンを含浸した。
ンを表−１に示した配合比で配合し、各々を混合して造
粒し、平均粒径０．８μ以下の粒度にした。これらの造
粒物をラバープレスにて成型圧２ｔ／Ｃｍ２で成型した
。この成型体を８００℃で２０時間焼成した。この焼成
体を溶融シリコンと反応させ、１５００℃かつ１０ ｔ
ｏｒｒでシリコンを含浸した。
上」Ｌ医」−
製造方法は実施例と同じであるが、Ｓｉ３Ｎ４粉の代わ
りにＳｉＣ粉を使用した。この比較例１では、気孔が残
り、そのため強度の低下が認められた。
りにＳｉＣ粉を使用した。この比較例１では、気孔が残
り、そのため強度の低下が認められた。
１１九ｌ
製造方法は実施例と同じであるが、レジンの添加槽を５
重間％にした。
重間％にした。
さて、前述の実施例１〜１０と比較ＶＡ１〜２のものを
Ｘ線回折によりｓｉ、ｓｔ ｃおよびＳｉ ３ Ｎ４の
間を測定し、その結果を表１に示す。
Ｘ線回折によりｓｉ、ｓｔ ｃおよびＳｉ ３ Ｎ４の
間を測定し、その結果を表１に示す。
また、各々の例について曲げ強さを測定し、その結果を
表１に示す。
表１に示す。
実施例１〜１０と比較例１〜２の含浸体をＩ Ｑｘ １
Ｑｘ ６０ｍｍのピースとしてとり、１２００℃で１
０分間加熱した後、水中に入れ、クラック発生までの回
数を測定した。その結果を表１に示す。
Ｑｘ ６０ｍｍのピースとしてとり、１２００℃で１
０分間加熱した後、水中に入れ、クラック発生までの回
数を測定した。その結果を表１に示す。
尺」Ｊと１ヌー
表１からもわかるように、本発明においては、Ｓｉ ：
ｓ Ｎ４を５〜９０車吊％、ＳｉＣを５〜３０重量％、
残部をＳｉＣにしたので、高強度のものが得られる。
ｓ Ｎ４を５〜９０車吊％、ＳｉＣを５〜３０重量％、
残部をＳｉＣにしたので、高強度のものが得られる。
また、Ｓｉを５〜３０重量％することにより、Ｓｉ ３
ＮａとＳｉＣの熱膨張のバランスをとり、その点から
も高強度を得ることができる。
ＮａとＳｉＣの熱膨張のバランスをとり、その点から
も高強度を得ることができる。
一般に３ｉとＳｉ ３ Ｎ４はぬれが悪いので、３ｉが
入りにくいのであるが、レジンからのＣとＳｉが反応す
るため、Ｓｉを５〜３０重間％にすることができ、Ｓｉ
３Ｎ４とＳｉＣの熱膨張のバランスをとることができる
のである。この場合、レジンからのＣのみでなく、Ｃを
添加してやることも可能である。
入りにくいのであるが、レジンからのＣとＳｉが反応す
るため、Ｓｉを５〜３０重間％にすることができ、Ｓｉ
３Ｎ４とＳｉＣの熱膨張のバランスをとることができる
のである。この場合、レジンからのＣのみでなく、Ｃを
添加してやることも可能である。
本発明は、高強度で耐スポーリング性が高く、各種熱処
理用部材として使用できる。半導体用熱処理用部材とし
て用いた場合には、Ｓｉ ３ Ｎ４が５〜９０Φけ％で
、Ｃの総量が少ないため、使用時にＣｏガスの発生が少
なく、ウェーハに悪影響をおよぼさない。
理用部材として使用できる。半導体用熱処理用部材とし
て用いた場合には、Ｓｉ ３ Ｎ４が５〜９０Φけ％で
、Ｃの総量が少ないため、使用時にＣｏガスの発生が少
なく、ウェーハに悪影響をおよぼさない。
Claims (1)
- 半導体ウェハを処理する熱処理部材において、Ｓｉ＿３
Ｎ＿４が５〜９０重量％で、Ｓｉが５〜３０重量％で、
残部がＳｉＣであることを特徴とする熱処理用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261353A JPS62123066A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 熱処理用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261353A JPS62123066A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 熱処理用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123066A true JPS62123066A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0572351B2 JPH0572351B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=17360664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261353A Granted JPS62123066A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 熱処理用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123066A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571677A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-29 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of silicon nitrideesilicon carbide molded body |
| JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
| JPS6246965A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | 黒崎窯業株式会社 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４系複合セラミツクス及びその製法 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60261353A patent/JPS62123066A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571677A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-29 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of silicon nitrideesilicon carbide molded body |
| JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
| JPS6246965A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | 黒崎窯業株式会社 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４系複合セラミツクス及びその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572351B2 (ja) | 1993-10-12 |
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