JPS6215845A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPS6215845A
JPS6215845A JP60154473A JP15447385A JPS6215845A JP S6215845 A JPS6215845 A JP S6215845A JP 60154473 A JP60154473 A JP 60154473A JP 15447385 A JP15447385 A JP 15447385A JP S6215845 A JPS6215845 A JP S6215845A
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JP
Japan
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hole
recess
stage
punch
recess part
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JP60154473A
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JPH0149023B2 (ja
Inventor
Teruo Saito
輝夫 斎藤
Sugio Uchida
内田 杉雄
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP60154473A priority Critical patent/JPS6215845A/ja
Publication of JPS6215845A publication Critical patent/JPS6215845A/ja
Publication of JPH0149023B2 publication Critical patent/JPH0149023B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は特にステージ部の表面に多数の凹部を形成する
ようにしたリードフレームの製造方法に関する。
(従来の技術) LSI等の半導体デバイスに用いるリードフレームは、
例えば第5図符号50で示すように構成されている。と
ころで、半導体デバイスは多機能化、大容量化が進み、
使用するリードフレーム50におけるステージ部51も
、その面積が大きくなる傾向がある。
このように、ステージ部51の面積が太き(なると、熱
膨張によるステージ部51と封止用樹脂(モールド)間
の密着性が損なわれる問題が生ずる。つまり、ステージ
部51の素材は通常4270イ材を用いるが、熱膨張係
数は50程度であり、他方モールドにおける同係数は2
00以上に及ぶ。このためステージ部51の端側では熱
膨張によるずれ等が生じステージ部裏面とモールド間の
密着性が悪くなる。
そこで、従来においてはかかる密着性を良好にするため
第6図に示すようにステージ部51の裏面51aにくさ
び形パンチにより断面V形の凹部52−・・・を多数形
成したり、或いはハーフエッチング処理により裏面51
aの一部を化学的に欠くことにより凹部を形成していた
(発明が解決使用とする問題点) しかし、従来の製造方法は次のような問題点がある。
先ず、パンチにより打ち込む方法は第6図に示すように
、凹部52によってステージ部の裏面stbや四部52
の周りに進向による塑性変形Xが生じるとともに、反り
yが生じ平坦性を著しく損なってしまう。また、ハーフ
エツチング処理の場合は製造工程が煩雑化し、しかもコ
ストが高くなってしまう問題点がある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上述した従来の製造方法のもつ問題点を解決し
たもので、次のようなリードフレームの製造方法によっ
て達成される。 つまり、本発明に係るリードフレーム
の製造方法は、先ず、第1図Aに示すようにステージ部
1に多数の貫通孔2・・・を形成し、この後同図Cに示
すように貫通孔2・・・の一端2a側(又は両端側)か
ら当該貫通孔2よりも大径のパンチを一定深さ打ち込む
ことにより凹部3を形成し、且つ塑性変形により前記貫
通孔2・・・を閉塞するようにしたことを特徴とする。
(作用) 本発明に係る製造方法により、最初にステージ部1に貫
通孔2・・・が設けられる。一方、当該貫通孔2・・・
の一端2a側から貫通孔よりも大径のパンチを打ち込む
と、このパンチによる進向はパンチ前方に位置する貫通
孔2・・・内に入り込み、結局凹部3・・・に存在する
四部がほぼそのまま塑性変形によって貫通孔2・・・内
へ移動し、当該貫通孔2・・・を閉塞する。
S実施例) 以下には本発明をさらに具体化した好適な実施例を挙げ
、図面を参照して詳述する。
く第1実施例) 先ず、第1図を参照して第1実施例について説明する。
同図A−Cは各工程別におけるステージ部の縦断面図で
ある。
第1図Aは例えば平板状のステージ部lに表裏に盲進す
る貫通孔2・・・を形成した状態を示す。
このような貫通孔2・・・は例えば断面円形で比較的小
径に形成したパンチによるプレス成形で打ち抜かれる。
次いで、同図Bに示すように貫通孔2・・・の一端2a
側から当該貫通孔2よりも大径のパンチにより一定の深
さ打ち込み、第1凹部3aを形成する。第1凹部3aは
断面円形に形成し、貫通孔2に対し同軸的となる。なお
、第1凹部3aはあまり深くならないように考慮する。
これにより貫通孔2内に進向が入り込み、小径になるも
完全には閉塞されない(同図B参照)。
次いで、同図Cに示すように第1凹部3aから当該凹部
3aよりも小径で貫通孔2よりも大径のパンチにより一
定の深さ打ち込み、第2凹部3bを形成する。第2凹部
3bは断面円形に形成し第1凹部3bに対し同軸的とな
る。これにより、貫通孔2内にさらに進向が入り込み貫
通孔2は完全に閉塞される。
よって、第1凹部3aと第2凹部3bからなる凹部3が
形成される。この場合凹部3を形成する際に生ずる進向
は全て貫通孔2内に入り込み、他の部分に逃げることは
ない。したがってステージ部1の表裏面における平坦性
は何ら損なわれず、また、反り等の弊害は生じない。な
お、ここで貫通孔2が閉塞されるとは完全に空間が遮断
される場合は勿論であるが、製造工程上必要なペースト
等が通らないほどに実用的に支障がない程度に小径化さ
れた場合も含む概念である。
く第2実施例) 次に、第2実施例について第2図を参照して説明する。
同図A、Bは各工程におけるステージ部の縦断面図であ
る。
第2図Aは第1図Aと同じであり、貫通孔2・・・を形
成した状態を示す。
このように形成したステージ部1は第2図Bに示すよう
に、貫通孔2の一端2a側から当該貫通孔2よりも大径
のパンチにより一定の深さだけ打ち込む。この場合、−
回の打ち込みにより凹部3を形成し、これにより貫通孔
2を閉塞する。つまり、第2実施例と第1実施例の異な
る点は第1実施例が2段階の打ち込みにより凹部3の形
成及び貫通孔2の閉塞を達成しているのに対し、第2実
施例は一回(1段階)の打ち込みのみで凹部3の形成と
貫通孔2の閉塞を達成している点が異なる。
なお、このため打ち込み深さ及び凹部3の径を適宜選択
する。
〈第3実施例〉 次に、第3実施例について第3図を参照して説明する。
同図A、Bは各工程におけるステージ部の縦断面図であ
る。
第3図Aは第1図Aと同じであり、貫通孔2・・・を形
成した状態を示す。
このように形成したステージ部1は第3図に示すように
貫通孔2の両端2a及び2b側から当該貫通孔2よりも
大径のパンチにより夫々一定の深さだけ打ち込み凹部3
C13d間に挟まれた貫通孔2を閉塞する。各凹部3C
と3dの深さは略同じであり、且つ第2実施例における
凹部3の略半分程度とする。第3実施例は貫通孔2の両
端側から一回(1段階)の打ち込みを行う場合を示すも
ので、その他第1実施例のように2段階の打ち込みを両
側から行っても勿論よい。
第4図は上述した第1実施例から第3実施例における凹
部3の形成位置を示し、例えば熱膨張係数の違いによる
部材間のずれが大きいステージ部1の外側周りに亘って
形成することが望ましい。
このように凹部3を形成することにより、そ−ルドは凹
部3内に浸入し固化する。したがって、膨張時において
もモールドは凹部3に係止しモールドとステージ部の相
対的ずれは生ぜず両者の密着性はきわめて高くなる。
以上、実施例について詳細に説明したが、本発明はこの
ような実施例に限定されるものではない。
例えば凹部3を形成するための打ち込み段階数は何段階
でもよい。また凹部3の形成位置はステージ部1の任意
の位置でよい。その他細部の形状、寸法、手法、数量、
素材等において、本発明め楕     j神を逸脱しな
い範囲で任意に実施できる。
(発明の効果) このように、本発明に係るリードフレームの製造方法は
、ステージ部に複数の貫通孔を形成し。
この後貫通孔の一端側又は両端側から当該貫通孔よりも
大径のパンチを一定深さ打ち込むことにより凹部を形成
し、且つ塑性変形により前記貫通孔を閉塞するようにし
たため凹部形成時に生ずる進向がステージ部の表面に表
れることはなく、しかも反りは生じない。これによりス
テージ部の平坦性を何ら損なうことなく凹部を形成でき
る。また、凹部は筒状に形成できるため、従来の■状ノ
ツチに比べ膨張に伴う相対的ずれを確実に防止でき、前
記平坦性維持と併せて格段と密着性向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図A−Cは本発明の第1実施例に係る各工程別にお
けるステージ部の縦断面図、第2図A。 Bは本発明の第2実施例に係る各工程別におけるステー
ジ部の縦断面図、第3図A、 Bは本発明の第3実施例
に係る各工程別におけるステージ部の縦断面図、第4図
は本発明により製造されたステージ部の底面図、第5図
はリードフレームを示す底面図、第6図は従来方法によ
って製造されたステージ部の縦断面図。 尚図面中、1・・・ステージ部、 2・・・貫通孔、 
2a・・・一端、 3・・・凹部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ステージ部の表面に多数の凹部を形成するようにし
    たリードフレームの製造方法において、前記ステージ部
    に複数の貫通孔を形成し、この貫通孔の一端側又は両端
    側から当該貫通孔よりも大径のパンチを一定深さ打ち込
    むことによりも前記凹部を形成し、且つ塑性変形により
    前記貫通孔を閉塞することを特徴とするリードフレーム
    の製造方法。 2、前記パンチは順次小径となる二以上のパンチを用い
    て、複数段階の打ち込みを行うようにしことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載のリードフレームの製造方
    法。
JP60154473A 1985-07-12 1985-07-12 リ−ドフレ−ムの製造方法 Granted JPS6215845A (ja)

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JPS6215845A true JPS6215845A (ja) 1987-01-24
JPH0149023B2 JPH0149023B2 (ja) 1989-10-23

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63224245A (ja) * 1987-03-13 1988-09-19 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム並びに半導体装置
JPH03125466A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Hitachi Cable Ltd リードフレーム用溝成形加工法
US5371943A (en) * 1991-10-29 1994-12-13 Rohm Co., Ltd. Method of making a lead frame
EP1073116A3 (en) * 1999-07-09 2002-03-27 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Lead frame and semiconductor device
USRE37690E1 (en) 1987-02-25 2002-05-07 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device

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JPH0149023B2 (ja) 1989-10-23

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