JPS62183143A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62183143A JPS62183143A JP2511386A JP2511386A JPS62183143A JP S62183143 A JPS62183143 A JP S62183143A JP 2511386 A JP2511386 A JP 2511386A JP 2511386 A JP2511386 A JP 2511386A JP S62183143 A JPS62183143 A JP S62183143A
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- JP
- Japan
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- wiring
- hole
- layer
- interconnection
- upper layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 241000190020 Zelkova serrata Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000000276 sedentary effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
本発明は、特に半導体基板内において、下層領域とよ１
−配線の接続の為に作ジこｔｎた開穴部の上に形成さ扛
た配Ｉ一層の構造に関し、特に、開穴部の段差の為に配
線層の被層状態が悪くても、エレクトロマイグレーショ
ンに強く大’ＫＲｋＲすことができる配線構造を有する
半導体装置に関する。
−配線の接続の為に作ジこｔｎた開穴部の上に形成さ扛
た配Ｉ一層の構造に関し、特に、開穴部の段差の為に配
線層の被層状態が悪くても、エレクトロマイグレーショ
ンに強く大’ＫＲｋＲすことができる配線構造を有する
半導体装置に関する。
従来、この欅の半導体装１ｔは％第３図の断面口に示す
工うに、半導体基板１に形成さｎた抵抗素子２と１ｇ号
・電源用配線６の接続の為に形成さｎた開穴部４におい
て、開穴部４の上に形成された配線層と開穴部以外に形
成された配線層との厚さは等しい配線構造となっていた
。
工うに、半導体基板１に形成さｎた抵抗素子２と１ｇ号
・電源用配線６の接続の為に形成さｎた開穴部４におい
て、開穴部４の上に形成された配線層と開穴部以外に形
成された配線層との厚さは等しい配線構造となっていた
。
上述した従来の献酬構造においては、下層領域と上層配
線との接続の為に形成さｎｆＣ開穴部上の配＃＋！Ｉ−
の厚さと、開穴部以外の上層配線の厚さは等しい配線構
造となっている為に、開穴部の形成されている段差部に
おいては、配線層の開穴部段差上における被層状態（以
後、カバレジと略丁。）が悲くなっている。一般に、第
３凶の（段部自己巌厚Ｂ／平担部配線厚Ａ）ＸＩＯＣＩ
ニーカバレジ率と称する。ｆｉ常、カバレジ率に、５０
〜６０％程度となっており、開穴部の形成さｎている段
差部に２いては配線層が薄くなっている０工って、開穴
部の形成さｎている段差部に１いては、段差部以外の部
分と比較して、配線１ｖｉのカバレジ率が悪くなってい
る為に、開穴部の段差部の配線層においてはＩＩＩ流密
度が大きくなってしまい、エレクトロマイグレーション
による配線の断線等が生じてしまう為に、開穴部付近の
配線寿命ａ、開穴部以外の配線寿命に比較して著しく短
くなってしまうという欠点がある。
線との接続の為に形成さｎｆＣ開穴部上の配＃＋！Ｉ−
の厚さと、開穴部以外の上層配線の厚さは等しい配線構
造となっている為に、開穴部の形成されている段差部に
おいては、配線層の開穴部段差上における被層状態（以
後、カバレジと略丁。）が悲くなっている。一般に、第
３凶の（段部自己巌厚Ｂ／平担部配線厚Ａ）ＸＩＯＣＩ
ニーカバレジ率と称する。ｆｉ常、カバレジ率に、５０
〜６０％程度となっており、開穴部の形成さｎている段
差部に２いては配線層が薄くなっている０工って、開穴
部の形成さｎている段差部に１いては、段差部以外の部
分と比較して、配線１ｖｉのカバレジ率が悪くなってい
る為に、開穴部の段差部の配線層においてはＩＩＩ流密
度が大きくなってしまい、エレクトロマイグレーション
による配線の断線等が生じてしまう為に、開穴部付近の
配線寿命ａ、開穴部以外の配線寿命に比較して著しく短
くなってしまうという欠点がある。
さらに、自己線層を厚く破癲して自己線層における電流
容ｔｋ大きくすることに１９、エレクトロマイグレーシ
ョンには強くなるが、配線層自身を厚くする為に、上層
配線全形成する場曾に、該配線層の段差が大きくなり、
上層配線の断線の原因となってしまうという問題がおっ
た。
容ｔｋ大きくすることに１９、エレクトロマイグレーシ
ョンには強くなるが、配線層自身を厚くする為に、上層
配線全形成する場曾に、該配線層の段差が大きくなり、
上層配線の断線の原因となってしまうという問題がおっ
た。
上記問題点に対し本発明では、大電流が流れても下層領
域と上層配線の後続の為に作りこま′ｔ″Ｌ友開穴部の
段差部におけるカバレジ率の悪い部分にても断線するこ
とがないように、開穴部の上に形成さｎｆｃ配線層が、
開穴部以外に形成された配線層より厚く形成さｎている
０ 〔実施例〕 以下に、本発明の実施例全図面を用いて詳細に説明する
０ 第１図（ａｃｉｄ本発明の一実施例の部分平面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第１図（ｍ
ｌ。
域と上層配線の後続の為に作りこま′ｔ″Ｌ友開穴部の
段差部におけるカバレジ率の悪い部分にても断線するこ
とがないように、開穴部の上に形成さｎｆｃ配線層が、
開穴部以外に形成された配線層より厚く形成さｎている
０ 〔実施例〕 以下に、本発明の実施例全図面を用いて詳細に説明する
０ 第１図（ａｃｉｄ本発明の一実施例の部分平面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第１図（ｍ
ｌ。
（ｂ）において、半導体基板１に、公知の方法にニジ抵
抗素子２ｙ＆：形成し、その後、抵抗素子２の上の絶縁
膜３に公知の方法により下層領域である抵抗素子と上層
配線と全接続する為の開穴部４？！−形成する。その後
、公知の方法に工９開穴部４とその周辺のみに部分的に
補強用配線ｔｔｉ５ｗ形成する０その後、上層配線用金
属全全面に被着し、所望のパター／形状に公知の方法に
工り加工し、上層配Ｎｊ６を形成する。
抗素子２ｙ＆：形成し、その後、抵抗素子２の上の絶縁
膜３に公知の方法により下層領域である抵抗素子と上層
配線と全接続する為の開穴部４？！−形成する。その後
、公知の方法に工９開穴部４とその周辺のみに部分的に
補強用配線ｔｔｉ５ｗ形成する０その後、上層配線用金
属全全面に被着し、所望のパター／形状に公知の方法に
工り加工し、上層配Ｎｊ６を形成する。
このようにして形成さｆ′Ｌ７を配線構造をもつ本発明
の半尋体装直では、下層領域と上層配線の接続の為に作
りこまｎた開穴部の上に補強用配線層５が形成さｎｌさ
らに、上層配線が形成さｎた構造となっている為に、開
穴部の段差により通常はカバレジ率が悪くなっている部
分においても補強用配線５が形成さｎている為に、開穴
部の段差部配線において電流密度が大きくなってしまう
という工つなことは発生せず、開穴部付近の配線寿命は
。
の半尋体装直では、下層領域と上層配線の接続の為に作
りこまｎた開穴部の上に補強用配線層５が形成さｎｌさ
らに、上層配線が形成さｎた構造となっている為に、開
穴部の段差により通常はカバレジ率が悪くなっている部
分においても補強用配線５が形成さｎている為に、開穴
部の段差部配線において電流密度が大きくなってしまう
という工つなことは発生せず、開穴部付近の配線寿命は
。
開穴部以外の配線寿命と比較しても著しく短くなってし
まうという工つな従来問題となっていた工うな現象は生
じない。又、開穴部周辺のみの配線層を厚く形成し几構
造となっている為に配線層自身を厚くした場曾に発生す
る上層配線の断線といっｔような問題が生じない。ま友
、配一層自身の配線層を大きくせずとも下層領域と上層
配線の接続の為に作りこまれた開穴部の段差部において
゛電流密度が大きくなるということはなく、エレクトロ
マイグレーションに強い配線構造となる。
まうという工つな従来問題となっていた工うな現象は生
じない。又、開穴部周辺のみの配線層を厚く形成し几構
造となっている為に配線層自身を厚くした場曾に発生す
る上層配線の断線といっｔような問題が生じない。ま友
、配一層自身の配線層を大きくせずとも下層領域と上層
配線の接続の為に作りこまれた開穴部の段差部において
゛電流密度が大きくなるということはなく、エレクトロ
マイグレーションに強い配線構造となる。
第２図は本発明の他の実施例の要部断面図である。第２
図において、半導体基板ｌに、公知の方法により抵抗素
子２を形成し、その後、絶縁膜３に公知の方法に＝９下
層領域でおる抵抗素子と上層である上層配線と全接続す
る為の開穴ｓ４會形成する。その後、配線用金属ケ全面
に被着し、所望のパターン形状に公知の方法にニジ刀ロ
エし上層配線６を形成する。その後、上層配線６の上に
層間絶縁膜７として、たとえばプラズマ窒化膜等會被着
し、上層配線６とさらにその上の配線との接続の為に１
層間絶縁膜として形成されているプラズマ窒化１１＃７
に公知の方法にＬり接続用の開穴部を形成する。尚、同
時に上層配線６において抵抗素子２との接続の為に形成
された開穴部４０段差部におけるカバレジ率の悪い部分
の直上にも補強配線用開穴部８を形成する。その後、上
層配置！Ｊ’に形成するのと同時に補強用配Ｍ９にカバ
レジ率の悪い部分に被着し本発明の構造の配線構造とな
る。
図において、半導体基板ｌに、公知の方法により抵抗素
子２を形成し、その後、絶縁膜３に公知の方法に＝９下
層領域でおる抵抗素子と上層である上層配線と全接続す
る為の開穴ｓ４會形成する。その後、配線用金属ケ全面
に被着し、所望のパターン形状に公知の方法にニジ刀ロ
エし上層配線６を形成する。その後、上層配線６の上に
層間絶縁膜７として、たとえばプラズマ窒化膜等會被着
し、上層配線６とさらにその上の配線との接続の為に１
層間絶縁膜として形成されているプラズマ窒化１１＃７
に公知の方法にＬり接続用の開穴部を形成する。尚、同
時に上層配線６において抵抗素子２との接続の為に形成
された開穴部４０段差部におけるカバレジ率の悪い部分
の直上にも補強配線用開穴部８を形成する。その後、上
層配置！Ｊ’に形成するのと同時に補強用配Ｍ９にカバ
レジ率の悪い部分に被着し本発明の構造の配線構造とな
る。
本発明の実施例に工ｔば、第３図の従来例かられかる工
うに、抵抗素子２との接続の為に形成さｆした開穴部４
の段差部におけるカバレジ率の悪い部分には、上層配線
を形成するのと全く凹一工程にて、補強用配線９を形成
している為に、段差部の配線のステップカバレジが悪い
部分において電流密度が大きくなるということになく、
エレクトロマイグレーションに強い配線構造となる。又
、補強用量ｇ！は、上層配線を形成するのと全く同一工
程にて形成することができる為に、補強用配線？形成す
る為の工程追刀口がなく非常に実用的である０ 〔発明の効果〕 以上説明した工うに本発明は、下層領域と上層配線層の
接続の為に絶縁膜に開穴さｎた部分における配線層の開
穴部段差のカバレジ率の患い部分においては補強用配線
が形成さｎている為に、従来構造で問題になった開穴部
段差のカバレジ率の惑い部分にてエレクトロマイグレー
シ冒ンによる断線等の問題が発生せず、又、開穴部付近
のみに補強用配線層全形放している為に、上層配線が厚
くする必要はなく、上層配線層の段差が大きくなるとい
うことはない、よって上層配線が断線するという問題は
発生しないとい９効来がある。
うに、抵抗素子２との接続の為に形成さｆした開穴部４
の段差部におけるカバレジ率の悪い部分には、上層配線
を形成するのと全く凹一工程にて、補強用配線９を形成
している為に、段差部の配線のステップカバレジが悪い
部分において電流密度が大きくなるということになく、
エレクトロマイグレーションに強い配線構造となる。又
、補強用量ｇ！は、上層配線を形成するのと全く同一工
程にて形成することができる為に、補強用配線？形成す
る為の工程追刀口がなく非常に実用的である０ 〔発明の効果〕 以上説明した工うに本発明は、下層領域と上層配線層の
接続の為に絶縁膜に開穴さｎた部分における配線層の開
穴部段差のカバレジ率の患い部分においては補強用配線
が形成さｎている為に、従来構造で問題になった開穴部
段差のカバレジ率の惑い部分にてエレクトロマイグレー
シ冒ンによる断線等の問題が発生せず、又、開穴部付近
のみに補強用配線層全形放している為に、上層配線が厚
くする必要はなく、上層配線層の段差が大きくなるとい
うことはない、よって上層配線が断線するという問題は
発生しないとい９効来がある。
第１図（ａ）は本発明の一笑施例の部分平面凶、同図（
ｂ）は同図（ａ＞のＡ−Ａ断面図、第２図に本発明の他
の実施例の装部断面図、第３図に従来の半導体装置の装
部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・抵抗素子、
３・・・・・・絶縁膜、４，８・・・・・・開穴部、５
，９・・団・開穴部補強配線層、６・・・・・・上層配
線、７・・・・・・層間絶縁膜。 代理人 弁理士 内 原 町臼
ｂ）は同図（ａ＞のＡ−Ａ断面図、第２図に本発明の他
の実施例の装部断面図、第３図に従来の半導体装置の装
部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・抵抗素子、
３・・・・・・絶縁膜、４，８・・・・・・開穴部、５
，９・・団・開穴部補強配線層、６・・・・・・上層配
線、７・・・・・・層間絶縁膜。 代理人 弁理士 内 原 町臼
Claims (1)
- 半導体基板に形成された下層領域と、この下層領域上の
絶縁膜に設けられた開穴部の配線層を通して前記絶縁膜
上の上層配線と接続された配線構造を有する半導体装置
において、前記開穴部の配線層の厚さが、前記開穴部以
外の前記上層配線よりも厚く形成されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2511386A JPS62183143A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2511386A JPS62183143A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183143A true JPS62183143A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12156872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2511386A Pending JPS62183143A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183143A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671992A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-15 | Suwa Seikosha Kk | Multilayer wiring contact hole structure |
| JPS5874054A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-05-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2511386A patent/JPS62183143A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671992A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-15 | Suwa Seikosha Kk | Multilayer wiring contact hole structure |
| JPS5874054A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-05-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
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