JPS5874054A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5874054A JPS5874054A JP4979682A JP4979682A JPS5874054A JP S5874054 A JPS5874054 A JP S5874054A JP 4979682 A JP4979682 A JP 4979682A JP 4979682 A JP4979682 A JP 4979682A JP S5874054 A JPS5874054 A JP S5874054A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に関する０
従来、半導体素子の電極配線構造は、半導体基板に直接
金属を蒸着した構造で、比較的深いＰＮ接合には有効で
あった。近年、半導体技術の進歩によシ、非常に浅いＰ
Ｎ接合（シャロー・ジャンクション型）の製作が可能と
なシ、こＯ洩％ＡＰＮｌｌＩ会を有する半導体素子に電
極を形成する＠に、直接電極用金属を蒸着し、熱ｍ鳳を
行うと、この電極用金属が半導体中に拡ｌｋされ−にル
、談合部を突龜抜ける事故が多発する・ζ〇九め、不純
物拡散層が変化し、層抵抗が変化するとか、接金が短絡
する等０欠点を有して−え・ これらＯ欠点を補うものとして最近菖ｘｗｔ。
金属を蒸着した構造で、比較的深いＰＮ接合には有効で
あった。近年、半導体技術の進歩によシ、非常に浅いＰ
Ｎ接合（シャロー・ジャンクション型）の製作が可能と
なシ、こＯ洩％ＡＰＮｌｌＩ会を有する半導体素子に電
極を形成する＠に、直接電極用金属を蒸着し、熱ｍ鳳を
行うと、この電極用金属が半導体中に拡ｌｋされ−にル
、談合部を突龜抜ける事故が多発する・ζ〇九め、不純
物拡散層が変化し、層抵抗が変化するとか、接金が短絡
する等０欠点を有して−え・ これらＯ欠点を補うものとして最近菖ｘｗｔ。
ような電ａ配−−造の％のが長來畜れている。
すなわち、ｓ／９コン基板基板−表面に遥択的に形成さ
れ九駿化馬２をマスクとして不純物拡散層重を形成する
０さらに不純物拡散層ｓの一部を残して献化躾４を形成
し、その金画に多細晶シＶ＝・ン層を成長させ、不純物
拡散層１と同じ等電属を示す不純物を拡散層ｌＩｂ１Ｉ
ｔ化を行−１多艙晶シリツ／＠＠と不純物拡散層ｓの電
気的導Ａ會得るとともＫｌｌｌｌ化上膠虞する。その後
、駿化馬□・を一孔し、蒸着によ〕金属電ｌｋ１を形成
する。すなわち上述０多結晶シリコン２をシリ−７基板
と金属電極とＯｇＫ紘さむことによシ、シリコンへの金
属の拡散を防ごうとする意図のものであるが、ある程度
は防止できても、完全ではなく、装置において耐圧、リ
ーク等の電気的不安定性を生ずることが少なくなかった
。
れ九駿化馬２をマスクとして不純物拡散層重を形成する
０さらに不純物拡散層ｓの一部を残して献化躾４を形成
し、その金画に多細晶シＶ＝・ン層を成長させ、不純物
拡散層１と同じ等電属を示す不純物を拡散層ｌＩｂ１Ｉ
ｔ化を行−１多艙晶シリツ／＠＠と不純物拡散層ｓの電
気的導Ａ會得るとともＫｌｌｌｌ化上膠虞する。その後
、駿化馬□・を一孔し、蒸着によ〕金属電ｌｋ１を形成
する。すなわち上述０多結晶シリコン２をシリ−７基板
と金属電極とＯｇＫ紘さむことによシ、シリコンへの金
属の拡散を防ごうとする意図のものであるが、ある程度
は防止できても、完全ではなく、装置において耐圧、リ
ーク等の電気的不安定性を生ずることが少なくなかった
。
本発明は、上記欠点に鑑み、実質的に電極用金属の半導
体内への拡散を防止でき、かつ汎用性のある電極配線構
造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
体内への拡散を防止でき、かつ汎用性のある電極配線構
造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、−導竜凰の半導体基板の一主表面に形
成された逆導電型の不純物領域と、該不純物領域に接続
し該−画表面に設けられた絶縁膜上を延在せる配線用の
逆導電型の半導体層と、該半導体層に接続せる金属電極
と−を具備し、前記金属電極と前記半導体層との接続部
は前記絶縁膜上であってか、つ前記半導体層の端部近傍
を除く中間部に位置している半導体装置にある。
成された逆導電型の不純物領域と、該不純物領域に接続
し該−画表面に設けられた絶縁膜上を延在せる配線用の
逆導電型の半導体層と、該半導体層に接続せる金属電極
と−を具備し、前記金属電極と前記半導体層との接続部
は前記絶縁膜上であってか、つ前記半導体層の端部近傍
を除く中間部に位置している半導体装置にある。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。シリコ
ン基板ｌの一表面に選択的に形成されえ酸化膜意をマス
クとして不純物層３を形成する０さらに不純物層ｓの一
部を残して酸化膜４ｔ−影成し、そＯ上から全面に半４
体層九とえば多結晶シリスン層を成長させる。この多結
晶シリコン層に対し、不純物層３と同じ導電ｆｆｉの不
純物を拡散後熱酸化を行い低抵抗とし多結晶シリコン層
５と不純物層３の電気的導通を得るとと４に酸化ｍ４Ｂ
を形成する。その後、多結晶シリ；ン層５と不純物Ｊ１
１３Ｏ接続部よシ横方肉１１ＣＭ（クロノ以上離れたと
ころでかりこのシダラフ層５の中間部の酸化膜６にフォ
ト 工、テング技術で開孔し、蒸着により金属電極１を
廖威し、所定の形状を得るｏ ｌｌｋ ｌＩ＆１をアー
イすることにヨ）多結晶シリａｙｓと０ＩＩＪ！１ｌｌ
ｔ−１１１１１にする・ 上述した金属電極１０＠＠に関しては、多艙蟲ｐｌコｙ
＠と不−物層８とＯｔａ義澤と、多数１゜ 晶Ｖｖコｙｓと金属電極１とＯＳＳ薄部重ならを−ｍ直
、＃航ζりｍｙ以上−せば熟魁鳳時の金属Ｏ拡散を防ぐ
ことがで龜るという厚層に基づ（。
ン基板ｌの一表面に選択的に形成されえ酸化膜意をマス
クとして不純物層３を形成する０さらに不純物層ｓの一
部を残して酸化膜４ｔ−影成し、そＯ上から全面に半４
体層九とえば多結晶シリスン層を成長させる。この多結
晶シリコン層に対し、不純物層３と同じ導電ｆｆｉの不
純物を拡散後熱酸化を行い低抵抗とし多結晶シリコン層
５と不純物層３の電気的導通を得るとと４に酸化ｍ４Ｂ
を形成する。その後、多結晶シリ；ン層５と不純物Ｊ１
１３Ｏ接続部よシ横方肉１１ＣＭ（クロノ以上離れたと
ころでかりこのシダラフ層５の中間部の酸化膜６にフォ
ト 工、テング技術で開孔し、蒸着により金属電極１を
廖威し、所定の形状を得るｏ ｌｌｋ ｌＩ＆１をアー
イすることにヨ）多結晶シリａｙｓと０ＩＩＪ！１ｌｌ
ｔ−１１１１１にする・ 上述した金属電極１０＠＠に関しては、多艙蟲ｐｌコｙ
＠と不−物層８とＯｔａ義澤と、多数１゜ 晶Ｖｖコｙｓと金属電極１とＯＳＳ薄部重ならを−ｍ直
、＃航ζりｍｙ以上−せば熟魁鳳時の金属Ｏ拡散を防ぐ
ことがで龜るという厚層に基づ（。
本Ｊｌｌ＠による第１０効果紘、金属電極と多結晶シリ
コンと０１絖部が不純物層Ｏ接続部から、離れてｓｐ
Ｄ 、金属電極と半導体ｔｓＩＩ［とは酸化膜を関には
さむ構造と１にうて％Ａｊｋ丸め、熱鶏履時に金属がシ
リコン基板に拡散することを完全に防げることである。
コンと０１絖部が不純物層Ｏ接続部から、離れてｓｐ
Ｄ 、金属電極と半導体ｔｓＩＩ［とは酸化膜を関には
さむ構造と１にうて％Ａｊｋ丸め、熱鶏履時に金属がシ
リコン基板に拡散することを完全に防げることである。
を丸、本発＠による＠５ｏｙＩｈ果社、酸化膜上に多結
晶シリコンが形成基れる丸め、多結晶シリコンと電極金
属ｏ＊ｍｗ＊が大金（とれ、電極金属ＯＲ切れが少な−
えめ、電気的によ倉確夷な蒙触性・安定性をもつ電極配
線構造を得ることかで１為。
晶シリコンが形成基れる丸め、多結晶シリコンと電極金
属ｏ＊ｍｗ＊が大金（とれ、電極金属ＯＲ切れが少な−
えめ、電気的によ倉確夷な蒙触性・安定性をもつ電極配
線構造を得ることかで１為。
１丸、本発＠ｏｍｓｏ勤最は、金属電極が亭尋体履Ｏ端
部近傍ＫＩａ鏡す為・で紘なくその中間１１＃ＣＩＩＩ
！して％Ａ為から、＊ ７１ ｆｋ Ｏ番ｈ 技１１と
自為・す亀わちＦ−ｅような構造によ珈、半導体層０Ｊ
ｌｌｌｌｌは良とえｔｊＪＰ導体！１１［＠倫Ｏ嵩子領
櫨に接続しζＯ金属電極をＷ４嵩子領域ｔ）１１４遥電
極とすゐζ七−で自る・ １に訃、実施例では、￥９コン基板につ龜１ｌｌＩｌ―
し大が、他の半導体を使用しても同様０９に来が得られ
る・
部近傍ＫＩａ鏡す為・で紘なくその中間１１＃ＣＩＩＩ
！して％Ａ為から、＊ ７１ ｆｋ Ｏ番ｈ 技１１と
自為・す亀わちＦ−ｅような構造によ珈、半導体層０Ｊ
ｌｌｌｌｌは良とえｔｊＪＰ導体！１１［＠倫Ｏ嵩子領
櫨に接続しζＯ金属電極をＷ４嵩子領域ｔ）１１４遥電
極とすゐζ七−で自る・ １に訃、実施例では、￥９コン基板につ龜１ｌｌＩｌ―
し大が、他の半導体を使用しても同様０９に来が得られ
る・
第１園は従来Ｏ半導体素子Ｏｔ極配鎗樽遺を示すＷｔ―
閣で、亀２飄紘本発明Ｏ実−例による半導体素子０１１
１１１配線構造を示す断面図であるＯ尚、−において、
１はシリコン基板、８は歇化論、ａは不純物層、４は識
化礁、Ｓは不純物拡Ｉｋ島３と同じ尋ＩＬ臘の不純物を
含む多義１シリコン層、−紘歇化撫、７は電ｍ用金與で
ｈｈ・代息人 弁嵐士 ８鳳 費
閣で、亀２飄紘本発明Ｏ実−例による半導体素子０１１
１１１配線構造を示す断面図であるＯ尚、−において、
１はシリコン基板、８は歇化論、ａは不純物層、４は識
化礁、Ｓは不純物拡Ｉｋ島３と同じ尋ＩＬ臘の不純物を
含む多義１シリコン層、−紘歇化撫、７は電ｍ用金與で
ｈｈ・代息人 弁嵐士 ８鳳 費
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の一主表面に形成された逆導電型
の不純物領域と、・該不純物領域に接続し該−主表面に
設けられた絶縁膜上を延在せる配線用の逆導電型の半導
体層と、該半導体層に接続せる金属電極とを具備し、前
記金属電極と前記半導体層との接続部は前記絶縁膜上で
あってかつ前記半導体層の端部近傍を除く中間部に装置
していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4979682A JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4979682A JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP47086290A Division JPS4943574A (ja) | 1972-08-30 | 1972-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874054A true JPS5874054A (ja) | 1983-05-04 |
| JPS6228581B2 JPS6228581B2 (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=12841108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4979682A Granted JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183143A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP4979682A patent/JPS5874054A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183143A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6228581B2 (ja) | 1987-06-22 |
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