JPH04263144A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04263144A JPH04263144A JP2363391A JP2363391A JPH04263144A JP H04263144 A JPH04263144 A JP H04263144A JP 2363391 A JP2363391 A JP 2363391A JP 2363391 A JP2363391 A JP 2363391A JP H04263144 A JPH04263144 A JP H04263144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- sin
- magneto
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体、特に
、光磁気ディスクに用いられる光磁気記録媒体に関する
。
、光磁気ディスクに用いられる光磁気記録媒体に関する
。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクは、大容量ファイル
メモリの１つとして注目されている。中でも光磁気ディ
スクは、記録情報の書換えが可能であると言う利点をも
っていることから、コードデータファイルメモリを始め
、画像ファイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに研
究されている。
メモリの１つとして注目されている。中でも光磁気ディ
スクは、記録情報の書換えが可能であると言う利点をも
っていることから、コードデータファイルメモリを始め
、画像ファイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに研
究されている。
【０００３】従来の光磁気記録媒体は、記録媒体として
、ポリカーボネイト等の有機樹脂からなる基板の上にＳ
ｉＮからなる誘電体層，希土類金属と鉄族遷移金属との
組合せによって作成されるＴｂＦｅＣｏのような非晶質
磁性合金からなる記録層，保護層のためのＳｉＮからな
る誘電体層の順に成膜された三層構成、もしくはさらに
Ａｌ等の反射膜を形成した４層構成で構成されている。
、ポリカーボネイト等の有機樹脂からなる基板の上にＳ
ｉＮからなる誘電体層，希土類金属と鉄族遷移金属との
組合せによって作成されるＴｂＦｅＣｏのような非晶質
磁性合金からなる記録層，保護層のためのＳｉＮからな
る誘電体層の順に成膜された三層構成、もしくはさらに
Ａｌ等の反射膜を形成した４層構成で構成されている。
【０００４】これらを用いた光磁気ディスクは、パソコ
ンのコードデータファイルメモリ分野を始めとして、す
でに実用レベルにあり用途拡大が期待されている。
ンのコードデータファイルメモリ分野を始めとして、す
でに実用レベルにあり用途拡大が期待されている。
【０００５】用途の拡大に伴い、さらに過酷な環境下に
おいても安定に動作する高い信頼性が要求されている。
おいても安定に動作する高い信頼性が要求されている。
【０００６】当初、誘電体層であるＳｉＮはポリカーボ
ネイト基板への付着力が弱いため、高温高湿環境下では
、剥離を生じることがあった。
ネイト基板への付着力が弱いため、高温高湿環境下では
、剥離を生じることがあった。
【０００７】これに対して、ＳｉＮの膜ストレスの低減
等の改善が図られた結果、付着力が向上し、高温高湿環
境下で信頼性の高いディスクが得られることが知られて
いる。
等の改善が図られた結果、付着力が向上し、高温高湿環
境下で信頼性の高いディスクが得られることが知られて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の光磁気記録媒体は膜ストレスの低い
ＳｉＮを得るためには、ＳｉＮの成膜ガス圧が非常に狭
い範囲に限られており、ガス圧が少しでも低ガス圧側に
ずれると膜ストレスの高いＳｉＮが成膜され光磁気ディ
スク媒体に剥離が生じるという欠点がある。
うな上述した従来の光磁気記録媒体は膜ストレスの低い
ＳｉＮを得るためには、ＳｉＮの成膜ガス圧が非常に狭
い範囲に限られており、ガス圧が少しでも低ガス圧側に
ずれると膜ストレスの高いＳｉＮが成膜され光磁気ディ
スク媒体に剥離が生じるという欠点がある。
【０００９】本発明の目的は、ＳｉＮの成膜ガス圧に幅
広いマージンを持たせ、ガス圧が設定ガス圧から多少ず
れても剥離の発生のない長期保存性に優れた光磁気記録
媒体を提供することにある。
広いマージンを持たせ、ガス圧が設定ガス圧から多少ず
れても剥離の発生のない長期保存性に優れた光磁気記録
媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、有機樹脂からなる基板の上に少なくとも金属層，第
１の誘電体層，希土類金属と鉄族遷移金属との組合わせ
によって作製される非晶質磁性合金からなる記録層、さ
らに第２の誘電体層の順に成膜された光磁気記録媒体に
おいて上記第１および第２の誘電体層は、ＳｉＮからな
り、金属層が約５オングストロームから約３０オングス
トロームのＴａ薄膜からなるように構成される。
は、有機樹脂からなる基板の上に少なくとも金属層，第
１の誘電体層，希土類金属と鉄族遷移金属との組合わせ
によって作製される非晶質磁性合金からなる記録層、さ
らに第２の誘電体層の順に成膜された光磁気記録媒体に
おいて上記第１および第２の誘電体層は、ＳｉＮからな
り、金属層が約５オングストロームから約３０オングス
トロームのＴａ薄膜からなるように構成される。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【００１３】図１に示す光磁気記録媒体は、厚さ１．２
ｍｍ，直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板５上にＴ
ａ薄膜１からなる厚さ１５オングストロームの付着力強
化層と、ＳｉＮ２からなる厚さ８００オングストローム
の誘電体層と、ＴｂＦｅＣｏ３からなる厚さ７００オン
グストロームの記録層と、ＳｉＮ４からなる厚さ８００
オングストロームの誘電体層とを順に形成して構成され
る。
ｍｍ，直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板５上にＴ
ａ薄膜１からなる厚さ１５オングストロームの付着力強
化層と、ＳｉＮ２からなる厚さ８００オングストローム
の誘電体層と、ＴｂＦｅＣｏ３からなる厚さ７００オン
グストロームの記録層と、ＳｉＮ４からなる厚さ８００
オングストロームの誘電体層とを順に形成して構成され
る。
【００１４】ここではＴａ薄膜１を成膜する時間ｔを０
秒から３０秒の間で変化させた６種類の媒体サンプルＡ
〜Ｆを作製した。これを表１に示す。
秒から３０秒の間で変化させた６種類の媒体サンプルＡ
〜Ｆを作製した。これを表１に示す。
【００１５】
【００１６】Ｔａ薄膜１は、Ｔａターゲットを用いＲＦ
パワー３ＫＷ，Ａｒガス流量７０ＳＣＣＭスパッタガス
圧０．２５Ｐａで作製した。
パワー３ＫＷ，Ａｒガス流量７０ＳＣＣＭスパッタガス
圧０．２５Ｐａで作製した。
【００１７】これらの媒体サンプルにおいて、ＳｉＮ２
，４からなる誘電体層とＴｂＦｅＣｏ３からなる記録層
はすべて以下に示す同一膜構成とした。
，４からなる誘電体層とＴｂＦｅＣｏ３からなる記録層
はすべて以下に示す同一膜構成とした。
【００１８】すなわち、ＳｉＮ２，４からなる誘電体層
は、Ｓｉターゲットを用い、ＡｒとＮ２ の混合ガス（
５０％Ｎ２ ）をスパッタガスとした反応性スパッタに
よりＲＦパワー３ＫＷ，スパッタガス圧０．２５Ｐａで
作製される。
は、Ｓｉターゲットを用い、ＡｒとＮ２ の混合ガス（
５０％Ｎ２ ）をスパッタガスとした反応性スパッタに
よりＲＦパワー３ＫＷ，スパッタガス圧０．２５Ｐａで
作製される。
【００１９】また、ＴｂＦｅＣｏ３からなる記録層は、
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いＤＣパワー１．５Ｋ
Ｗ，スパッタガス圧０．０８Ｐａで作製される。
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いＤＣパワー１．５Ｋ
Ｗ，スパッタガス圧０．０８Ｐａで作製される。
【００２０】上述した６種類の媒体の各々２枚をホット
メルト法により密着貼り合わせを施した後、８０℃９０
％ＲＨの温湿度条件で３０００時間の環境試験を行った
。
メルト法により密着貼り合わせを施した後、８０℃９０
％ＲＨの温湿度条件で３０００時間の環境試験を行った
。
【００２１】その結果ポリカーボネイト基板５とＳｉＮ
２からなる誘電体層の間にＴａ薄膜１が成膜されていな
い従来構成の媒体サンプルＡには、膜の剥離が見られた
が媒体サンプルＢ〜Ｆにはなんら異常は認られなかった
。
２からなる誘電体層の間にＴａ薄膜１が成膜されていな
い従来構成の媒体サンプルＡには、膜の剥離が見られた
が媒体サンプルＢ〜Ｆにはなんら異常は認られなかった
。
【００２２】図２は、媒体サンプルＡ〜ＦのＣ／Ｎ比と
反射率を示したものである。
反射率を示したものである。
【００２３】図２から判るように、Ｔａ薄膜１の膜厚が
４５オングストロームの媒体サンプルＦはＣ／Ｎ比が他
に比べ低く、反射率も低い。従ってＲ／Ｗ特性も考慮す
ると、Ｔａ薄膜１の膜厚の範囲は、約５オングストロー
ムから約３０オングストロームが好ましい。
４５オングストロームの媒体サンプルＦはＣ／Ｎ比が他
に比べ低く、反射率も低い。従ってＲ／Ｗ特性も考慮す
ると、Ｔａ薄膜１の膜厚の範囲は、約５オングストロー
ムから約３０オングストロームが好ましい。
【００２４】次に、図１に示す光磁気記録媒体において
、誘電体層のＳｉＮ２の成膜ガス圧を０．１Ｐａから０
．４Ｐａの範囲で変化させＳｉＮ２の膜ストレスの異な
る５種類の媒体サンプルＧ〜Ｋを作製し、ホットメルト
法により密着貼り合わせを施した後８０℃９０％ＲＨの
温湿度条件で３０００時間の環境試験を行った。これを
表２に示す。
、誘電体層のＳｉＮ２の成膜ガス圧を０．１Ｐａから０
．４Ｐａの範囲で変化させＳｉＮ２の膜ストレスの異な
る５種類の媒体サンプルＧ〜Ｋを作製し、ホットメルト
法により密着貼り合わせを施した後８０℃９０％ＲＨの
温湿度条件で３０００時間の環境試験を行った。これを
表２に示す。
【００２５】
【００２６】その結果、媒体サンプルＧ〜Ｋの５種類は
サンプル全てに剥離の発生は認られなかった。
サンプル全てに剥離の発生は認られなかった。
【００２７】なお、媒体構成としては上述のものに限定
されるものではなく、ＳｉＮ４からなる誘電体層の上に
、さらにＡｌ合金等の反射膜を形成した媒体構成に対し
ても同様の効果があることは言うまでもない。
されるものではなく、ＳｉＮ４からなる誘電体層の上に
、さらにＡｌ合金等の反射膜を形成した媒体構成に対し
ても同様の効果があることは言うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、樹脂基板と
誘電体層との間にＴａ薄膜を成膜することにより、付着
力を強化できるため、耐剥離性を向上できるので信頼性
を高めうるという効果がある。
誘電体層との間にＴａ薄膜を成膜することにより、付着
力を強化できるため、耐剥離性を向上できるので信頼性
を高めうるという効果がある。
【００２９】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図
【図２】図１に
示す実施例の特性図
示す実施例の特性図
１ Ｔａ薄膜
２ ＳｉＮ
３ ＴｂＦｅＣｏ
４ ＳｉＮ
５ ポリカーボネイト基板
Claims (1)
- 【請求項１】 有機樹脂からなる基板と、前記基板の
上に形成された膜厚が約５オングストロームから３０オ
ングストロームのＴａ薄膜からなる付着力強化層と、前
記付着力強化層の上に形成されたＳｉＮからなる第１の
誘電体層と、前記第１の誘電体層の上に形成された希土
類金属と鉄族遷移金属との組み合わせによって作製され
る非晶質磁性合金からなる記録層と、前記記録層の上に
形成されたＳｉＮからなる第２の誘電体層とを含むこと
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363391A JPH04263144A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363391A JPH04263144A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263144A true JPH04263144A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12115987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2363391A Pending JPH04263144A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108265272A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2363391A patent/JPH04263144A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108265272A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用 |
| CN108265272B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-11-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |