JPS62291925A - 半導体ウエハ−遠心乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造プロセスに使用される半導体ウェ
ハー遠心乾燥装置に関する。

従来の技術 第３図に示すように、従来の半導体ウェハー遠心乾燥装
置では、半導体ウェハーを遠心乾燥した場合、半導体ウ
ェハー４から飛んできた付着水２は、装置内壁１に衝突
してはね返り、ミスト３となって、半導体ウェハー４に
再付着していた。

発明が解決しようとする問題点 半導体ウェハー付着水は、半導体ウェハーを遠心乾燥さ
せる場合、遠心力によって装置内壁に衝突して半導体ウ
ェハー側にはね返りミストとなり、半導体ウェハーにこ
のミストが再付着する。また、装置内の空気と高速で回
転する半導体ウェハーとの摩擦により、半導体ウェハー
上に静電気が発生し、装置内のダストが半導体ウェハー
上に吸い寄せられる。さらに、半導体ウェハーを次々に
遠心乾燥させる場合、装置内はダストによシ累積汚染さ
れていく。したがってこれらのミスト、及びダストは半
導体ウェハーの汚染の原因となる。

本発明は、従来のものがもつ以上のような問題点を解消
し、ミスト、及びダストの半導体ウェハーへの付着を軽
減させることを目的とする。

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明は次の様な構成にな
っている０即ち、本発明に係る半導体ウェハー遠心乾燥
装置は、装置内壁上部に超純水ノズルを設け、内壁上部
から内壁下部に内壁にそって望ましくは内壁全面に、半
導体ウニ・・−遠心乾燥状態を含んで常時、超純水を流
すことができるようにしている。

作用 半導体ウェハーを遠心乾燥させる場合、装置内壁上部に
設けた超純水ノズルよυ、内壁上部から内壁下部に内壁
にそって、超純水？内壁全面に流すことによって、遠心
力により半導体ウェハーから飛ば嘔れて来た付着水が装
置内壁に衝突した際、内壁上部から内壁下部に内壁にそ
って流れる超純水の上部から下部方向へのベクトル成分
により、はね返った付着水、即ちミストは装置底部方向
に飛ぶことになる。また、装置内壁にそって超純水を流
すことにより、装置内の湿度は上がることになシ、高速
で回転する半導体ウェハーを装置内の空気との摩擦によ
って半導体ウェハーに生ずる静電気を軽減することがで
き、半導体ウェハーへのダストの付着を軽減することが
できる。さらに、半導体ウェハー遠心乾燥状態を含む常
時、装置内壁にそって超純水を流すことにより、装置内
のダス）　ｆｘ装置内壁底部の排水口より、超純水と同
時に排水することができ、装置内を常にダストの数がご
くわずかな清潔な状態に保つことができる。

実施例 本発明の実施例を第１図、及び第２図を参照しながら説
明する。

本体内のキャリア３０に設置された半導体ウェハー４を
遠心乾燥させる場合、装置本体の内壁５の上部に設けた
超純水ノズル１の流出口２より超純水７を内壁上部よシ
内壁下部に内壁５にそって内壁全面に流すことによって
、回転動力機構（図示せず）によるキャリア３０の回転
にもとづく遠心力により、半導体ウェハー４から内壁６
に向って飛ばされてきた付着水１３が、内壁６に衝突し
た際、内壁上部から内壁下部に内壁６にそって流れる超
純水７の上部から下部方向へのベクトル成分１１と、遠
心力によシ牛導体ウェハー４がら内壁６に向って飛ばき
れてきた付着水１３が内壁６に衝突し、はね返った付着
水、即ちミストの内壁５から半導体ウェハー４側へのベ
クトル成分１０とを、合成したベクトル成分１２に従っ
て、ミスト１ｏは、装置底部６方向に飛んでいき、排水
口３より超純水７と共に排水される。２０は本体上部の
蓋で上部に載置される＠ また、超純水７を内壁上部から内壁下部に内壁５にそっ
て内壁全面に流すことによυ、装置内の湿度は上がるこ
とになり、装置が高速で回転することによって半導体ウ
ェハー４と装置内の空気との摩擦によって半導体ウェハ
ー４に生ずる半導体ウェハー４にダスト８を吸い寄せる
原因となる静電気を軽減することができる。さらに、半
導体ウェハー４の遠心乾燥状態を含んだ常時、超純水７
を内壁上部から内壁下部に内壁５にそって内壁全面に流
すことによシ、半導体ウェハー４を次々に遠心乾燥する
ことによって累積的に装置内に生ずるダスト８ｔｌ−超
純水と共に排水口３より排出することにより半導体ウェ
ハー４の汚染の原因となる装置内のダスト８の数が、ご
くわずかな清潔な状態に保つことができる。

従って、半導体ウェハー４の汚染の原因となるミスト１
４、及びダスト８の半導体ウェハー４への付着を軽減す
ることができる。

発明の効果 本発明による半導体ウェハー遠心乾燥装置は以上のよう
な構成よシなるものであり、装置の内壁上部に設けた超
純水ノズルよシ超純水を内壁上部から内壁下部に内壁に
そって内壁全面に、半導体ウェハー遠心乾燥状態を含ん
だ常時流すことによって、半導体ウェハーの汚染の原因
となるミスト及びダストの半導体ウェハーへの付着を軽
減することができる。従って本発明の実用的効果は大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体ウェハー遠心乾
燥装置の断面図、第２図は本発明の実施例を示す半導体
ウェハー遠心乾燥装置の一部の拡大断面図、第３図は従
来の半導体ウェハー遠心乾検装置の１！牟面図である。 １・・・・・・超純水ノズル、２・・・・・・流出口、
３・・・・・・排水口、４　、＝、＝半導体ウェハー、
６・・・・・・内壁、６・・・・・・底部、７・・・・
・・超純水、８・・・・・・ダスト、１０・・・・・・
ミストの内壁から装置中心部へのベクトル成分、１１・
・・・・・超純水の上部から下部方向へのベクトル成分
、１２・・・・・・合成ベクトル成分、１３・・・・・
・付着水、１４・・・・・・ミスト。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名８〜
　ダ　ス　ト 第１０ ｎ ：、３２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 少なくとも内壁が筒状の本体、前記本体の内壁の上部に
   ある、超純水を内壁にそって内壁面に流すことができる
   超純水ノズル、前記本体内部に設置され回転される半導
   体ウェハー、ミスト、ダスト及び超純水を排水すること
   ができる排水口を備え、前記内壁上部の超純水ノズルか
   ら内壁下部に内壁にそって内壁面に、前記半導体ウェハ
   ーの乾燥時、超純水を流すように構成した半導体ウェハ
   ー遠心乾燥装置。