JPS6232623B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6232623B2
JPS6232623B2 JP55002627A JP262780A JPS6232623B2 JP S6232623 B2 JPS6232623 B2 JP S6232623B2 JP 55002627 A JP55002627 A JP 55002627A JP 262780 A JP262780 A JP 262780A JP S6232623 B2 JPS6232623 B2 JP S6232623B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
tab
cutting
frame
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55002627A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56100456A (en
Inventor
Masachika Masuda
Hajime Murakami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP262780A priority Critical patent/JPS56100456A/ja
Publication of JPS56100456A publication Critical patent/JPS56100456A/ja
Publication of JPS6232623B2 publication Critical patent/JPS6232623B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • H10W70/424Cross-sectional shapes

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に用いられるリードフレー
ムの改良に関し、特に半導体装置の製造工程にお
いて、パツケージ完了後のリードフレーム切断工
程の作業を容易にしかつその仕上りを向上するこ
とができるリードフレームに関するものである。
一般に、リードフレームを使用する半導体装置
では、半導体ペレツトを固着支持するためのタブ
をタブリードにて懸吊支持させながら複数本のリ
ードと共に一体にリードフレームとして形成し、
ペレツト付け、ワイヤ付け更にレジン等によるモ
ールド封止を行なつた後に、前述のタブリードを
切断してパツケージをフレームから切離すように
している。
例えば、第1図にフラツトパツケージ型の半導
体装置に使用するリードフレームを示すように、
リードフレーム1の略中央には方形のタブ2を配
置する一方、その周囲にはダム3にて互に連結し
た複数本のリード4を配設し、前記タブ2はその
四隅部に設けたタブリード5にてフレーム6に懸
吊支持し、リード4はダム3両端をフレーム6に
支持させている。そして、前記タブ2には図外の
半導体ペレツトを固着し、このペレツトと前記各
リード4とにワイヤを接続した後、同図の破線A
の様にレジンモールドを施してパツケージ7を形
成し、その後ダム3等の切断と共にタブリード5
を切断してフレーム6からパツケージ7を切離し
ているのである。図中、8はタブリード5の切断
箇所を指し、ここには切断を容易ならしめるハー
フノツチ(第2図)9が施されるのが普通であ
る。
ところで、この種のリードフレームの製造に
は、従来からマスク及びエツチング剤を用いてコ
バール等の板材をエツチング成形する所謂エツチ
ング方法が採られている。この方法によれば、微
細な部分の成形を比較的容易に行なうことができ
るという利点を有する反面、エツチング工程が繁
雑でかつエツチング液を使用するためにコスト高
になるという欠点がある。このため、近年ではプ
レス打抜によりリードフレームを成形する方法を
採用してコストの低減化を図つている。このプレ
ス打抜法によれば、近年のプレス技術の向上に伴
なつてリードフレームの微細部の成形もエツチン
グ法に劣らず行なうことができ、しかも低コスト
にできるという利点がある。
しかしながら、このプレス打抜法では、前述し
たようにタブリードの切断を容易に行なわせるた
めのハーフノツチ(厚さ方向の溝)をタブリード
の前記切断箇所に形成する場合、厚さ方向の製造
管理が比較的困難なことから、深いハーフノツチ
を形成することが難かしいという問題が生じてい
る。即ち、通常では0.15mm程度の厚さの板材に約
0.07mm程度の深さのハーフノツチが望まれるので
あるが、プレス打抜法ではダイスとポンチ間にこ
の程度の間隙を高精度に管理させることは極めて
難かしく、従つてハーフノツチが過大となつてタ
ブリードを切断してしまうことを防止するため
に、結局ハーフノツチを浅めに形成せざるを得な
いことになる。
ところが、ハーフノツチが浅いと、切断用パン
チを切断箇所に衝接してもハーフノツチ部での応
力集中が生じ難く、このためタブリードの切断力
がパツケージにも影響してパツケージの四隅部に
応力が作用する。したがつて、特にモールド厚の
小さいフラツトパツケージではパツケージの四隅
部が割れ易くなり、これを防ぐための切断力の調
整等その切断作用を困難なものにしていると共
に、半導体装置としての外観を著しく損なうとい
う問題が生じているのが実情である。
したがつて本発明の目的は、プレス打抜にて形
成するリードフレームにおいてタブリードでの切
断を容易にして、その切断作業を容易にすると共
に、パツケージ四隅部の破損を防止して外観の低
下を防止することができるリードフレームを提供
することを目的としている。
この目的を達成するために本発明のリードフレ
ームは、タブを懸吊支持するタブリードの切断箇
所のタブリード巾を狭少に形成することにより、
少ない切断力での切断を可能にしたことを特徴と
するものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第3図は本発明のリードフレームを示し、その
要部拡大図及び断面図を第4図及び第5図に示
す。図において、12はリードフレーム11の略
中央に配設した略方形のタブ、14はこのタブ1
2の周囲に配設した複数本のリードであり、この
リード14はダム13及び連結片20によつて相
互に連結され、ダム13を介してリードフレーム
11の外周を形成するフレーム16に連結してい
る。また、タブ12はその四隅部をタブリード1
5にて前記フレーム16に連結し、このタブリー
ド15によつてタブ12を懸吊支持している。前
記タブ12、タブリード15、リード14、ダム
13、連結片20及びフレーム16はコバールや
42アロイ等の金属板をプレス打抜により形成し
ていることは言うまでもない。
そして、前記タブリード15には、後工程にお
いてレジンモールドにて形成するパツケージ17
の四隅に略相当する切断箇所18に、第5図に示
すようにリードフレームの板厚方向に形成した溝
からなるハーフノツチ19を形成すると共に、第
4図に示すようにタブリードの巾方向に切欠き2
1を形成してその切断箇所のリード巾を狭少に構
成しているのである。前記ハーフノツチ19及び
切欠き21はリードフレームのプレス打抜時に同
時に形成することは勿論である。また、前記ハー
フノツチ19は、プレス打抜時にタブリード15
を切断してしまうことのないようにその形成深さ
に若干の安全率をみておくことは必要で、このた
めにハーフノツチ19の深さが好ましい深さより
も浅くなることは止むを得ない。更に、ハーフノ
ツチ19の断面形状は一般的にはV溝形状が使用
される。一方、切欠き21はその平面形状が特に
限定されるものではなく、本実施例のようにタブ
リードの片側に形成した方形の形状の外に、V形
状でもよくあるいはタブリードの両側に形成して
もよい。いずれにせよ、前記ハーフノツチ19と
この切欠き21とが協働してタブリード切断箇所
18の断面積を低減し、強度的に弱い箇所を形成
することになる。
以上の構成のリードフレーム11では、タブ1
2に半導体ペレツト(図示せず)を固着した後
に、ペレツトと各リード14とをワイヤにて接続
し、しかる後に破線Aの範囲にレジンモールドを
施してパツケージ17を形成する。そして、最初
にダム13や連結片(リード14の先端側の部位
を含むこともある)20を切断し、最後に切断箇
所18においてタブリード15を切断してパツケ
ージ17をフレーム16から切離すのである。
このとき、タブリードの切断に際してはパンチ
を用いてせん断するのであるが、切断箇所18は
ハーフノツチ19と切欠き21の協働によつてせ
ん断力に対しては比較的弱い構造とされているた
め、前記せん断力がそれ程大きくなくとも切断箇
所は容易に切断されることになる。換言すれば、
ハーフノツチを深く形成した場合と同程度あるい
はそれ以下の力でも切断が可能になる。したがつ
て、切断作業では切断力を種々調整する必要がな
く作業が容易になると共に、パツケージへの切断
力の影響を防止してパツケージの破損を防止し、
外観の向上を図ることができるのである。
なお、本発明は、例えばデユアルインライン型
のリードフレームにも同様にして適用できるが、
前記実施例のようにリード数が特に多いフラツト
パツケージ型に有効である。
以上の説明のように本発明のリードフレーム
は、プレス打抜にて形成するリードフレームのタ
ブを懸吊するタブリードの切断箇所のリード巾を
狭少に形成しているので、タブリードの切断に要
する力を低減でき、これにより切断作業を容易な
ものにすると共に、パツケージの破損を防止して
外観を良好なものにできる等の効果を奏するので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリードフレームの平面図、第2
図は第1図の−線に沿う拡大断面図、第3図
は本発明のリードフレームの平面図、第4図は切
断箇所の拡大図、第5図は第4図の―線断面
図である。 11…リードフレーム、12…タブ、13…ダ
ム、14…リード、15…タブリード、16…フ
レーム、17…パツケージ、18…切断箇所、1
9…ハーフノツチ、20…連結片、21…切欠
き。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数のリードと共にタブを一体的に形成し、
    かつこのタブをタブリードにてフレームに懸吊支
    持してなるリードフレームにおいて、パツケージ
    の完了後に切断する前記タブリードの切断箇所の
    リード巾を狭少に形成したことを特徴とするリー
    ドフレーム。 2 前記タブリードの切断箇所は、少なくとも一
    側に切欠きを形成していることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のリードフレーム。 3 前記タブリードの切断箇所には、ハーフノツ
    チを形成していることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項又は第2項記載のリードフレーム。
JP262780A 1980-01-16 1980-01-16 Lead frame Granted JPS56100456A (en)

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JP262780A JPS56100456A (en) 1980-01-16 1980-01-16 Lead frame

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JP262780A JPS56100456A (en) 1980-01-16 1980-01-16 Lead frame

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JPS56100456A JPS56100456A (en) 1981-08-12
JPS6232623B2 true JPS6232623B2 (ja) 1987-07-15

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JP262780A Granted JPS56100456A (en) 1980-01-16 1980-01-16 Lead frame

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JPS62254456A (ja) * 1986-04-26 1987-11-06 Yamada Seisakusho:Kk リ−ドフレ−ム
JP6357415B2 (ja) * 2014-12-26 2018-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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