JPS6232827B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6232827B2
JPS6232827B2 JP56091922A JP9192281A JPS6232827B2 JP S6232827 B2 JPS6232827 B2 JP S6232827B2 JP 56091922 A JP56091922 A JP 56091922A JP 9192281 A JP9192281 A JP 9192281A JP S6232827 B2 JPS6232827 B2 JP S6232827B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
address
test
data
register
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56091922A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57205900A (en
Inventor
Tatsuo Sato
Takashi Ishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56091922A priority Critical patent/JPS57205900A/ja
Publication of JPS57205900A publication Critical patent/JPS57205900A/ja
Publication of JPS6232827B2 publication Critical patent/JPS6232827B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38Response verification devices

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリ試験方法、さらに詳しく言え
ば、複数個のアドレスを有し、各アドレスに任意
のデータの書込みおよび読出し可能なメモリの試
験方法に関する。
上記のメモリの試験に当つては、従来は、モニ
タに組込んであるテスト用のプログラムを起動さ
せるか、あるいはテスト用プログラムをメモリ内
にロードして、メモリ試験に適する任意のデータ
をメモリの各アドレスに書込みおよび読取り、書
込みデータと読取りデータを比較する等によりメ
モリを構成する各セルの正常性をチエツクしてい
た。上記の従来の方法では、メモリ内に格納され
ているプログラムやデータが破壊されるため、オ
ンラインで試験することは不可能で、オフライン
で試験しなければならない。さらにオンライン復
帰のためにプログラムやその他のデータを再ロー
ドしなければならない。
本発明は、従来の技術の上記の欠点を除き、オ
ンラインで、しかも比較的簡単な論理性および少
容量のプログラムで、上記のメモリの試験を可能
とすることを目的とする。
次に本発明を図面について説明する。
第1図は本発明の一実施例のフローチヤート、
第2図は、そのアルゴリズムを示す図である。
メモリの試験に当つては、当該メモリを支配す
る処理装置(インデツクスレジスタIXおよび2
個のレジスタA,Bを含む)を使用する。
第2図において、Mは被試験メモリ、A,Bは
それぞれレジスタ、MIXは後述するようにインデ
ツクス・レジスタ(図示してない)に格納されて
いる被試験メモリのアドレスに格納されているデ
ータを示す。なお被試験メモリMの左側に示す
a1,a2,a3……等はアドレスを示し、a1を先頭ア
ドレスとし、a2,a3……となるに従つて順次に1
ずつ増加するものとする。1つのアドレスに格納
するデータ長は図示例では8ビツトであるが、こ
れに限られるものではない。
次に本発明の一実施例を第1図および第2図を
参照して説明する。
メモリの試験に当つては、第1図のフローチヤ
ートに示すように、まず「割り込みマスク」を行
ない、被試験メモリへ他からアクセスすることを
禁止する。
次に、被試験メモリMの先頭アドレスa1を図示
しないインデツクス・レジスタIXに格納する。
ここで処理実行上メモリ試験を中断する必要があ
れば、割り込みマスクをリセツトして、メインフ
ローに戻る。
メモリ試験を中断する必要がなければインデツ
クス・レジスタIXの示すアドレス(この場合先
頭アドレスa1)に書込まれているデータを被試験
メモリから読取つてレジスタAに格納する。次
に、レジスタAの中のデータの1の補数を作りレ
ジスタBに格納し、さらにこのレジスタBの内容
を被試験メモリの上記のアドレス(この場合先頭
のアドレスa1)に書込む。このように、まずメモ
リの先頭アドレスa1に書込まれているデータをレ
ジスタAに退避させ、先頭アドレスa1にはそのデ
ータの1の補数を格納する。第2図aは、この状
態(ただし、先頭アドレスa1の内容は未だ書き替
えられていない)を示す。このとき、メモリの読
出しおよび書込みが正常に行なわれていれば、メ
モリの上記アドレスa1の各ビツトは書き替え前と
全く反転している。
次に第2図bに示すように上記メモリの書き替
えられた内容〔MIX〕とレジスタAの内容との対
応する各ビツトの排他的論理和をとる。ここにM
IXは、被試験メモリの、インデツクス・レジスタ
IXの示すアドレス(この場合先頭アドレスa1)の
内容を示す。前記のように正常に動作していれば
各ビツトは全く反転しているので、その排他的論
理和は全ビツトが1となり、さらにその結果に1
を加えれば全ビツトが0となる。
もし、メモリ障害により、上記アドレスのうち
のあるメモリ・セルが0または1にスタツクして
いれば、上記の排他的論理和をとつたとき、障害
セルに対応するビツトの部分のみ0となり、従つ
て、上記の結果に1を加えてもその結果は0とな
らない。
第1図において上記の処理を示す「レジスタA
IX+1=0」において、上記結果が0でなけ
ればNOに分岐し、「メモリ、リード・ライト・エ
ラー」と判定し、「エラー表示」を行い、プログ
ラムの進行を停止(「ウエイト」)させる。
上記の結果が0であれば第1図のフローチヤー
トにおいてYESに分岐し、レジスタAの内容を
インデツクス・レジスタIXの示すアドレス(先
頭アドレスa1)に戻す。すなわち、先にレジスタ
Aに退避させておいたデータをメモリに格納し、
被試験メモリの内容は試験前に復する。
次に、インデツクス・レジスタIXが被試験メ
モリの最終アドレスを示すか否かを判定し、最終
アドレスでなければNOに分岐し、インデツク
ス・レジスタIXの内容に1を加え、先頭アドレ
スa1の次のアドレスa2について上記の処理を行な
つて試験する。このように、上記操作を、被試験
メモリのアドレスを順次に変えて、全アドレスに
ついて行なえば、全メモリの読取りおよび書込み
試験が行われ、しかも収容されているプログラム
はデータは試験前と全く同じものが復元されてい
る。
上記において、インデツクス・レジスタIXの
内容が被試験メモリの最終アドレスであれば、す
なわち、全メモリの試験を完了すれば、YESに
分岐し、試験開始時に行なつた「割り込みマス
ク」をリセツトする。
なお、本発明においては、被試験メモリをある
アドレスまで試験終了したとき、処理装置の要求
により試験を中断して、該メモリを他に使用さ
せ、再び先頭アドレスより試験を開始させるよう
にすることができる。
本発明は、上記のように構成され、メモリに一
度試験用データを書き込むが、直ちにデータを復
元するため、一見メモリの内容は破壊されずにメ
モリ試験が可能であり、メモリ試験を行なつてい
る間、割り込み禁止としておけば、オンライン中
においてもあき時間を利用してメモリ試験が可能
であり、またパリテイ・チエツク・ビツト等をも
たない純粋のデータ・メモリに対して容易に適用
可能等の効果がある。すなわち、この種メモリを
オン・ライン中に試験が可能であり、しかも、そ
の内容が破壊されないので、試験終了後、プログ
ラムやデータを再ロードすることなく直ちに使用
し得る効果がある。
なお、本発明による試験は、比較的簡単な論理
性、少容量のプログラムで実行可能な利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のフローチヤート、
第2図は同じく本発明におけるアルゴリズムを示
す図である。 M……被試験メモリ、A,B……レジスタ、M
IX……被試験メモリのインデツクス・レジスタ
IXの示すアドレスの内容。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 各アドレスに任意のデータの書込みおよび読
    出し可能なメモリの試験に当つて、被試験メモリ
    の1つのアドレスに書込まれていたデータをレジ
    スタに退避させ、該アドレスの内容を該アドレス
    に書込んであつたデータの1の補数に書替え、該
    書替えられたデータと上記レジスタに退避させた
    データとの対応するビツトが互に反転しているこ
    とを検出して該アドレスの正常を検知後、該レジ
    スタに退避させてあつたデータを該アドレスに再
    度書込み、上記動作を上記被試験メモリの全アド
    レスに対して順次に実行することにより試験前の
    メモリの内容を、試験後復元することを特徴とす
    るメモリ試験方法。
JP56091922A 1981-06-15 1981-06-15 Testing method of memory Granted JPS57205900A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56091922A JPS57205900A (en) 1981-06-15 1981-06-15 Testing method of memory

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JP56091922A JPS57205900A (en) 1981-06-15 1981-06-15 Testing method of memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57205900A JPS57205900A (en) 1982-12-17
JPS6232827B2 true JPS6232827B2 (ja) 1987-07-16

Family

ID=14040069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56091922A Granted JPS57205900A (en) 1981-06-15 1981-06-15 Testing method of memory

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JP (1) JPS57205900A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124097A (ja) * 1982-12-28 1984-07-18 Toshiba Corp メモリ検定方法
JPS6219951A (ja) * 1985-07-17 1987-01-28 Fujitsu Ltd 半導体デイスク装置
JPS647240A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Hioki Electric Works Memory capacity discriminating method for memory card
GB2439968B (en) * 2006-07-07 2011-05-25 Advanced Risc Mach Ltd Memory testing
JP6071930B2 (ja) * 2014-03-14 2017-02-01 株式会社東芝 半導体集積回路

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Publication number Publication date
JPS57205900A (en) 1982-12-17

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