JPS6237919B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237919B2 JPS6237919B2 JP56170527A JP17052781A JPS6237919B2 JP S6237919 B2 JPS6237919 B2 JP S6237919B2 JP 56170527 A JP56170527 A JP 56170527A JP 17052781 A JP17052781 A JP 17052781A JP S6237919 B2 JPS6237919 B2 JP S6237919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- insulating
- flux
- green sheet
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明はセラミツク多層回路基板の製造法に関
する。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板上に導体ペーストを印刷後、
絶縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して
多層回路を形成した後焼成して製造していたが、
この方法によると焼成の際に絶縁層は予め焼結さ
れたセラミツク基板より収縮が大であるため絶縁
層にクラツクが生じたり、反りなどが発生する欠
点があつた。 この欠点を補うため特公昭55―7957号公報、特
公昭55―24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）上に導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて
印刷法で多層回路を形成し、同時焼成する方法を
試みたが、あまり効果的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた。なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54―38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に生するクラツク、反りな
どは絶縁層の焼結不足に起因することに着目し、
絶縁ペースト中に含まれるフラツクスの成分、含
有量、融点、粒径などについて種々検討を行なつ
た結果、下層と上層とで別々の絶縁ペーストを使
用し、下層の絶縁ペーストにはグリーンシートに
含まれるフラツクスと同一のフラツクスでかつフ
ラツクスの含有量もグリーンシートに含まれるフ
ラツクスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペ
ーストを使用し、上層の絶縁ペーストには下層の
絶縁ペーストに含まれるフラツクスより低融点で
かつフラツクスの含有量も下層の絶縁ペーストに
含まれるフラツクスと同量かまたはそれ以上含有
する絶縁ペーストを使用することにより、絶縁層
の焼結不足が解消し、クラツク、反りなどのない
セラミツク多層回路基板が製造できることを見出
した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時に焼成してセラミツク多層回路基板を製造する
方法において、下層と上層とでは別々の絶縁ペー
ストを使用し、下層の絶縁ペーストにはグリーン
シートに含まれるフラツクスと同一のフラツクス
をグリーンシートに含まれるフラツクスと同量か
またはそれ以上含有する絶縁ペーストを使用し、
上層の絶縁ペーストには下層の絶縁ペーストに含
まれるフラツクスより低融点でかつフラツクスの
含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフラツク
スと同量かはまたはそれ以上含有する絶縁ペース
トを使用するセラミツク多層回路基板の製造法に
関する。 なお本発明において下層に使用される絶縁ペー
ストは基体となるグリーンシートに含まれるフラ
ツクスと同一であればその配合は何ら制限され
ず、また絶縁ペーストに含まれるフラツクスの含
有量はグリーンシートに含まれるフラツクスと同
量かまたはグリーンシートより多いことが必要で
ある。もしグリーンシートより少ない場合は絶縁
層の焼結不足を解消することはできず、本発明の
目的を達成することはできない。 上層に使用される絶縁ペーストは下層に使用さ
れる絶縁ペーストより低融点であれば良くその配
合は何ら制限されず、また絶縁ペーストに含まれ
るフラツクスの含有量は下層絶縁ペーストに含ま
れるフラツクスと同量かまたはグリーンシートよ
り多いことが必要である。もし下層用絶縁ペース
トより少ない場合は、絶縁層の焼結不足を解消す
ることはできず本発明の目的を達成することはで
きない。下層とは基体となるグリーンシート側の
一層望ましくは層数の１／２以下をさし、両面に
絶縁層を印刷する場合も同一概念である。 本発明において印刷される導体ペーストの種類
等は制限されず、また印刷される絶縁ペーストの
厚さも制限されない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスＸを3.8重量部添加し、均一に混合して原料
粉Ａとした。 この原料粉A100重量部にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂を８重量部、可塑剤とし
てフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブタノ
ール20重量部、トリクロルエチレン50重量部を添
加し、ボールミルにて均一に混合してセラミツク
スリツプとした後、テープキヤステイング法によ
り厚み0.8mmのグリーンシートを得た。 次いで前述の高純度アルミナ95重量部に前述の
フラツクスＸを５重量部添加し、均一に混合して
原料粉Ｂとし、さらに上記と同じ工程を経て絶縁
ペーストＡを得た。また上記とは別に前述の高純
度アルミナ94.5重量部に第１表に示すフラツクス
Ｙを5.5重量部添加し、均一に混合させて原料粉
Ｃとし、さらに上記と同じ工程を経て絶縁ペース
トＢを得た。 次に前述のグリーンシート上にＷ（タングステ
ン）導体ペースト（アサヒ化学製、商品名3TW
―1000）を印刷して回路を形成した後その上部に
前述の絶縁ペーストＡを30μｍの厚さに印刷し、
この工程を２回すなわち導体ペーストおよび絶縁
ペーストＡの印刷を交互に２回くり返し、さらに
その上部に絶縁ペーストＢを使用して上記と同様
に導体ペーストおよび絶縁ペーストＢの印刷を交
互に２回くり返し、４層の多層回路を形成した。
その後空気中で300℃まで50℃／時間の昇温速度
で加熱し、300℃からは水素雰囲気で30℃／時間
の昇温速度で1500℃まで昇温させてグリーンシー
ト、導体ペーストおよび絶縁ペーストＡ，Ｂを同
時焼成し、セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したがクラツクおよび反りは発生しなかつた。
第１図にセラミツク多層回路基板の絶縁層２の表
面の顕微鏡写真を示す。第１図から絶縁層２にク
ラツクが発生しないことは明らかである。なお第
１図において３は絶縁層２の下面の導体層であ
る。 比較例 １ 実施例１で使用したグリーンシート上に実施例
１で使用した導体ペーストを印刷して回路を形成
した後その上部に第１表に示すフラツクスＸを
3.8重量部含有するセラミツクスリツプを絶縁ペ
ーストとしたものを30μｍの厚さに印刷しこの工
程を４回くり返して４層の多層回を形成した後、
以下実施例１と同様の条件でグリーンシート、導
体ペーストおよび絶縁ペーストを同時焼成してセ
ラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を顕
微鏡写真で観察したところ第２図に示すように絶
縁層２に微少なクラツク１が発生した。なお第２
図において３は絶縁層２の下面の導体層である。
する。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板上に導体ペーストを印刷後、
絶縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して
多層回路を形成した後焼成して製造していたが、
この方法によると焼成の際に絶縁層は予め焼結さ
れたセラミツク基板より収縮が大であるため絶縁
層にクラツクが生じたり、反りなどが発生する欠
点があつた。 この欠点を補うため特公昭55―7957号公報、特
公昭55―24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）上に導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて
印刷法で多層回路を形成し、同時焼成する方法を
試みたが、あまり効果的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた。なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54―38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に生するクラツク、反りな
どは絶縁層の焼結不足に起因することに着目し、
絶縁ペースト中に含まれるフラツクスの成分、含
有量、融点、粒径などについて種々検討を行なつ
た結果、下層と上層とで別々の絶縁ペーストを使
用し、下層の絶縁ペーストにはグリーンシートに
含まれるフラツクスと同一のフラツクスでかつフ
ラツクスの含有量もグリーンシートに含まれるフ
ラツクスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペ
ーストを使用し、上層の絶縁ペーストには下層の
絶縁ペーストに含まれるフラツクスより低融点で
かつフラツクスの含有量も下層の絶縁ペーストに
含まれるフラツクスと同量かまたはそれ以上含有
する絶縁ペーストを使用することにより、絶縁層
の焼結不足が解消し、クラツク、反りなどのない
セラミツク多層回路基板が製造できることを見出
した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時に焼成してセラミツク多層回路基板を製造する
方法において、下層と上層とでは別々の絶縁ペー
ストを使用し、下層の絶縁ペーストにはグリーン
シートに含まれるフラツクスと同一のフラツクス
をグリーンシートに含まれるフラツクスと同量か
またはそれ以上含有する絶縁ペーストを使用し、
上層の絶縁ペーストには下層の絶縁ペーストに含
まれるフラツクスより低融点でかつフラツクスの
含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフラツク
スと同量かはまたはそれ以上含有する絶縁ペース
トを使用するセラミツク多層回路基板の製造法に
関する。 なお本発明において下層に使用される絶縁ペー
ストは基体となるグリーンシートに含まれるフラ
ツクスと同一であればその配合は何ら制限され
ず、また絶縁ペーストに含まれるフラツクスの含
有量はグリーンシートに含まれるフラツクスと同
量かまたはグリーンシートより多いことが必要で
ある。もしグリーンシートより少ない場合は絶縁
層の焼結不足を解消することはできず、本発明の
目的を達成することはできない。 上層に使用される絶縁ペーストは下層に使用さ
れる絶縁ペーストより低融点であれば良くその配
合は何ら制限されず、また絶縁ペーストに含まれ
るフラツクスの含有量は下層絶縁ペーストに含ま
れるフラツクスと同量かまたはグリーンシートよ
り多いことが必要である。もし下層用絶縁ペース
トより少ない場合は、絶縁層の焼結不足を解消す
ることはできず本発明の目的を達成することはで
きない。下層とは基体となるグリーンシート側の
一層望ましくは層数の１／２以下をさし、両面に
絶縁層を印刷する場合も同一概念である。 本発明において印刷される導体ペーストの種類
等は制限されず、また印刷される絶縁ペーストの
厚さも制限されない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスＸを3.8重量部添加し、均一に混合して原料
粉Ａとした。 この原料粉A100重量部にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂を８重量部、可塑剤とし
てフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブタノ
ール20重量部、トリクロルエチレン50重量部を添
加し、ボールミルにて均一に混合してセラミツク
スリツプとした後、テープキヤステイング法によ
り厚み0.8mmのグリーンシートを得た。 次いで前述の高純度アルミナ95重量部に前述の
フラツクスＸを５重量部添加し、均一に混合して
原料粉Ｂとし、さらに上記と同じ工程を経て絶縁
ペーストＡを得た。また上記とは別に前述の高純
度アルミナ94.5重量部に第１表に示すフラツクス
Ｙを5.5重量部添加し、均一に混合させて原料粉
Ｃとし、さらに上記と同じ工程を経て絶縁ペース
トＢを得た。 次に前述のグリーンシート上にＷ（タングステ
ン）導体ペースト（アサヒ化学製、商品名3TW
―1000）を印刷して回路を形成した後その上部に
前述の絶縁ペーストＡを30μｍの厚さに印刷し、
この工程を２回すなわち導体ペーストおよび絶縁
ペーストＡの印刷を交互に２回くり返し、さらに
その上部に絶縁ペーストＢを使用して上記と同様
に導体ペーストおよび絶縁ペーストＢの印刷を交
互に２回くり返し、４層の多層回路を形成した。
その後空気中で300℃まで50℃／時間の昇温速度
で加熱し、300℃からは水素雰囲気で30℃／時間
の昇温速度で1500℃まで昇温させてグリーンシー
ト、導体ペーストおよび絶縁ペーストＡ，Ｂを同
時焼成し、セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したがクラツクおよび反りは発生しなかつた。
第１図にセラミツク多層回路基板の絶縁層２の表
面の顕微鏡写真を示す。第１図から絶縁層２にク
ラツクが発生しないことは明らかである。なお第
１図において３は絶縁層２の下面の導体層であ
る。 比較例 １ 実施例１で使用したグリーンシート上に実施例
１で使用した導体ペーストを印刷して回路を形成
した後その上部に第１表に示すフラツクスＸを
3.8重量部含有するセラミツクスリツプを絶縁ペ
ーストとしたものを30μｍの厚さに印刷しこの工
程を４回くり返して４層の多層回を形成した後、
以下実施例１と同様の条件でグリーンシート、導
体ペーストおよび絶縁ペーストを同時焼成してセ
ラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を顕
微鏡写真で観察したところ第２図に示すように絶
縁層２に微少なクラツク１が発生した。なお第２
図において３は絶縁層２の下面の導体層である。
【表】
本発明は絶縁層を形成する絶縁ペーストを下層
と上層で使いわけ、下層の絶縁ペーストにはグリ
ーンシートに含まれるフラツクスと同一のフラツ
クスをグリーンシートに含まれるフラツクスと同
量かまたはそれ以上含有する絶縁ペーストを使用
し、上層の絶縁ペーストには下層の絶縁ペースト
に含まれるフラツクスより低融点でかつフラツク
スの含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフラ
ツクスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペー
ストを使用するので絶縁層を十分に焼結すること
ができ、クラツク、反りなどの発生を皆無にする
ことができる。
と上層で使いわけ、下層の絶縁ペーストにはグリ
ーンシートに含まれるフラツクスと同一のフラツ
クスをグリーンシートに含まれるフラツクスと同
量かまたはそれ以上含有する絶縁ペーストを使用
し、上層の絶縁ペーストには下層の絶縁ペースト
に含まれるフラツクスより低融点でかつフラツク
スの含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフラ
ツクスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペー
ストを使用するので絶縁層を十分に焼結すること
ができ、クラツク、反りなどの発生を皆無にする
ことができる。
第１図は、実施例で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得た
セラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真およ
び第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明 １…クラツク、２…絶縁層、３…導
体層。
板の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得た
セラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真およ
び第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明 １…クラツク、２…絶縁層、３…導
体層。
Claims (1)
- １ 導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペースト
とをセラミツクグリーンシート上に複数回印刷
し、同時に焼成してセラミツク多層回路基板を製
造する方法において、下層と上層とでは別々の絶
縁ペーストを使用し、下層の絶縁ペーストにはセ
ラミツクグリーンシートに含まれるフラツクスと
同一のフラツクスをセラミツクグリーンシートに
含まれるフラツクスと同量かまたはそれ以上含有
する絶縁ペーストを使用し、上層の絶縁ペースト
には下層の絶縁ペーストに含まれるフラツクスよ
り低融点でかつフラツクスの含有量も下層の絶縁
ペーストに含まれるフラツクスと同量かまたはそ
れ以上含有する絶縁ペーストを使用することを特
徴とするセラミツク多層回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17052781A JPS5871694A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17052781A JPS5871694A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871694A JPS5871694A (ja) | 1983-04-28 |
| JPS6237919B2 true JPS6237919B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=15906582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17052781A Granted JPS5871694A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871694A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727060B2 (ja) * | 1972-02-09 | 1982-06-08 | ||
| JPS5730317B2 (ja) * | 1973-11-05 | 1982-06-28 | ||
| JPS5696794A (en) * | 1979-12-29 | 1981-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Metalizing composition |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP17052781A patent/JPS5871694A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5871694A (ja) | 1983-04-28 |
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