JPS6238877B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6238877B2 JPS6238877B2 JP57082231A JP8223182A JPS6238877B2 JP S6238877 B2 JPS6238877 B2 JP S6238877B2 JP 57082231 A JP57082231 A JP 57082231A JP 8223182 A JP8223182 A JP 8223182A JP S6238877 B2 JPS6238877 B2 JP S6238877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- flux
- conductive paste
- insulating
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明はセラミツク多層路基板の製造法に関す
る。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板に形成されたスルーホールに
導体ペーストを塗布し、さらにセラミツク基板上
に動体ペーストを印刷後、絶縁ペーストを印刷
し、これを数回くり返して多層回路を形成した後
焼成して製造していたが、この方法によると焼成
の際に絶縁層は予め焼結されたセラミツク基板よ
り収縮が大であるため絶縁層にクラツクが生じた
り、反りなどが発生する欠点があつた。 この欠点を補うため特公昭55−7957号公報、特
公昭55−24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）に形成されたスルーホールに導体ペーストを
塗布すると共にグリーンシート上に導体ペースト
と絶縁ペーストとを用いて印刷法で多層回路を形
成し、同時焼成する方法を試みたが、あまり効果
的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた、なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54−38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 また導体ペーストにフラツクス成分を多く含有
させた場合、導体ペーストに含有するフラツクス
成分の融点がグリーンシートに含有するフラツク
ス成分に比較して著しく高い場合などに回路の比
抵坑が増大する欠点があつた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク、反り
などは絶縁層の焼結不足に起因することに着目
し、導体ペーストおよび絶縁ペーストに含まれる
フラツクスの成分、含有量、融点、粒径などにつ
いて種々検討を行なつた結果、従来使用していた
導体ペーストおよび絶縁ペーストに代えてスルー
ホール部を導通させる導体ペーストに含まれるフ
ラツクスが絶縁ペーストに含まれるフラツクスと
同一で、、又回路を形成する導体ペーストに含ま
れるフラツクスが絶縁ペーストに含まれるフラツ
クスと同一で、かつその含有量がスルーホール部
を導通させる導体ペーストに含まれるフラツクス
より少ない導体ペーストを使用したところ焼結不
足が解消し、かつ回路の比抵坑の増大ががなくク
ラツク、反りなどのないセラミツク多層回路基板
が製造できることを見出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷すると
共にスルーホール部に導体ペーストを塗布し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、回路形成用導体ペースト、絶縁ペー
スト及びスルーホール部導通用導体ペーストの
各々に含有されるフラツクス成分が同一であり、
かつ回路形成用導体ペーストのフラツクス含有量
をスルーホール部導通用導体ペーストのフラツク
ス含有量より少なくしたセラミツク多層回路基板
の製造法に関する。 なお、本発明において絶縁ペーストとして使用
されるセラミツク質は何ら制限されず、アルミナ
などが一般に使用される。また本発明で使用され
るグリーンシートはその厚さ、材質、フラツクス
などに何ら制限されない。スルーホール部導通用
導体ペーストに使用されるフラツクスは絶縁ペー
ストに使用されているものと同一であれば良く、
フラツクスの含有量は20重量％以下が好ましく、
また10重量％以下であればさらに好ましい。 スルーホール部は少なくとも0.1mmの直径を有
し、その長さはほとんどの場合１mm以下であり、
回路にくらべて断面積が大きく、長さが短いため
抵坑は回路より著しく小さくなる。したがつてス
ルーホール部は回路部に比べて比抵坑の増大の影
響を受けることが小さい。 一方回路形成用導体ペーストはスルーホール部
より比抵坑が小さい方が望ましい。回路形成用導
体ペーストに使用されるフラツクスは絶縁ペース
ト及びスルーホール部導通用導電ペーストに使用
されているものと同一であれば良く、フラツクス
の含有量はスルーホール部導通用導体ペーストの
フラツクス含有量より少なくすることが必要であ
り、同一またはスルーホール部導通用導体ペース
トのフラツクス含有量より多いと焼結不足を解消
することができないため比抵坑が増大し、本発明
の目的を達成することができない。従つてフラツ
クスの含有量はスルーホール部導通用導体ペース
トに含まれるフラツクスが20重量％以下のときは
15重量％以下が好ましく、スルーホール部導通用
導体ペーストに含まれるフラツクスが10重量％以
下のとき7.5重量％以下であればさらに好まし
い。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例１ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスを3.8重量部添加し均一に混合して原料粉Ａ
とした。この原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、トリクロルエチレン50重量部
を添加し、ボールミルにて50時間均一に混合して
セラミツクスリツプとした後、テープキヤステイ
ング法により厚さ0.8mmのグリーンシートを得
た。 一方前述のセラミツクスリツプをそのまま絶縁
ペーストとして印刷することにした。次にＷ（タ
ングステン）導体ペースト（アサヒ化学製、商品
名3TW−1000）90重量部に第１表に示すフラツ
クスを10重量部添加し、乳ばちで均一に混合して
フラツクス入り導体ペーストＡを作成した。次い
で前記とは別に前述のＷ導体ペースト95重量部に
第１表に示すフラツクスを５重量部添加し、乳ば
ちで均一に混合してフラツクス入り導体ペースト
Ｂを作成した。 次いで前述のグリーンシートに直径0.3mm
（φ）のスルーホールを形成したのち、このスル
ーホールに導体ペーストＡを塗布し、さらにグリ
ーンシートの表、裏それぞれに導体ペーストＢで
回路を形成した後、その上部に前述の絶縁ペース
トを30μｍの厚さに印刷し、この工程を表側４
回、裏側２回くり返し、６層の多層回路を形成し
た。その後空気中で300℃まで50℃／時間の昇温
速度で加熱し、300℃からは水素雰囲気中で30
℃／時間の昇温速度で1500℃まで昇温させてグリ
ーンシート、フラツクス入り導体ペースト、およ
び絶縁ペーストを同時焼成しセラミツク多層回路
基板を得た。このセラミツク多層回路基板につい
て外観を観察したが、絶縁層にクラツク及び反り
は発生しなかつた。また回路の比抵坑の増大は見
られなかつた。第１図にセラミツク多層回路基板
の絶縁層２の表面の顕微鏡写真を示す。第１図か
ら絶縁層２にクラツクが発生しないことは明らか
である。なお第１図において３は絶縁層２の下面
の導体層である。 比較例１ 実施例１で使用したグリーンシートのスルーホ
ールにＷ導体ペーストＣ（アサヒ化学製、商品名
3TW−1000）を塗布し、次いでグリーンシート
の表、裏に前記で使用した導体ペーストＣおよび
実施例１で使用した絶縁ペーストを使用して実施
例１と同様の方法により６層の多層回路を形成し
た。以下実施例１と同様の条件でグリーンシー
ト、導体ペーストおよび絶縁ペーストを同時焼成
してセラミツク多層回路基板を得た。このセラミ
ツク多層回路基板はＷ導体ペーストにフラツクス
を含有させないため比抵坑の増大は見られなかつ
たが、外観を顕微鏡で観察したところ第２図に示
すようにスルーホールの上面の絶縁層２に微小な
クラツクが発生した。なお第２図において３は絶
縁層２の下面の導体層である。
る。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板に形成されたスルーホールに
導体ペーストを塗布し、さらにセラミツク基板上
に動体ペーストを印刷後、絶縁ペーストを印刷
し、これを数回くり返して多層回路を形成した後
焼成して製造していたが、この方法によると焼成
の際に絶縁層は予め焼結されたセラミツク基板よ
り収縮が大であるため絶縁層にクラツクが生じた
り、反りなどが発生する欠点があつた。 この欠点を補うため特公昭55−7957号公報、特
公昭55−24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）に形成されたスルーホールに導体ペーストを
塗布すると共にグリーンシート上に導体ペースト
と絶縁ペーストとを用いて印刷法で多層回路を形
成し、同時焼成する方法を試みたが、あまり効果
的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた、なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54−38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 また導体ペーストにフラツクス成分を多く含有
させた場合、導体ペーストに含有するフラツクス
成分の融点がグリーンシートに含有するフラツク
ス成分に比較して著しく高い場合などに回路の比
抵坑が増大する欠点があつた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク、反り
などは絶縁層の焼結不足に起因することに着目
し、導体ペーストおよび絶縁ペーストに含まれる
フラツクスの成分、含有量、融点、粒径などにつ
いて種々検討を行なつた結果、従来使用していた
導体ペーストおよび絶縁ペーストに代えてスルー
ホール部を導通させる導体ペーストに含まれるフ
ラツクスが絶縁ペーストに含まれるフラツクスと
同一で、、又回路を形成する導体ペーストに含ま
れるフラツクスが絶縁ペーストに含まれるフラツ
クスと同一で、かつその含有量がスルーホール部
を導通させる導体ペーストに含まれるフラツクス
より少ない導体ペーストを使用したところ焼結不
足が解消し、かつ回路の比抵坑の増大ががなくク
ラツク、反りなどのないセラミツク多層回路基板
が製造できることを見出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷すると
共にスルーホール部に導体ペーストを塗布し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、回路形成用導体ペースト、絶縁ペー
スト及びスルーホール部導通用導体ペーストの
各々に含有されるフラツクス成分が同一であり、
かつ回路形成用導体ペーストのフラツクス含有量
をスルーホール部導通用導体ペーストのフラツク
ス含有量より少なくしたセラミツク多層回路基板
の製造法に関する。 なお、本発明において絶縁ペーストとして使用
されるセラミツク質は何ら制限されず、アルミナ
などが一般に使用される。また本発明で使用され
るグリーンシートはその厚さ、材質、フラツクス
などに何ら制限されない。スルーホール部導通用
導体ペーストに使用されるフラツクスは絶縁ペー
ストに使用されているものと同一であれば良く、
フラツクスの含有量は20重量％以下が好ましく、
また10重量％以下であればさらに好ましい。 スルーホール部は少なくとも0.1mmの直径を有
し、その長さはほとんどの場合１mm以下であり、
回路にくらべて断面積が大きく、長さが短いため
抵坑は回路より著しく小さくなる。したがつてス
ルーホール部は回路部に比べて比抵坑の増大の影
響を受けることが小さい。 一方回路形成用導体ペーストはスルーホール部
より比抵坑が小さい方が望ましい。回路形成用導
体ペーストに使用されるフラツクスは絶縁ペース
ト及びスルーホール部導通用導電ペーストに使用
されているものと同一であれば良く、フラツクス
の含有量はスルーホール部導通用導体ペーストの
フラツクス含有量より少なくすることが必要であ
り、同一またはスルーホール部導通用導体ペース
トのフラツクス含有量より多いと焼結不足を解消
することができないため比抵坑が増大し、本発明
の目的を達成することができない。従つてフラツ
クスの含有量はスルーホール部導通用導体ペース
トに含まれるフラツクスが20重量％以下のときは
15重量％以下が好ましく、スルーホール部導通用
導体ペーストに含まれるフラツクスが10重量％以
下のとき7.5重量％以下であればさらに好まし
い。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例１ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスを3.8重量部添加し均一に混合して原料粉Ａ
とした。この原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、トリクロルエチレン50重量部
を添加し、ボールミルにて50時間均一に混合して
セラミツクスリツプとした後、テープキヤステイ
ング法により厚さ0.8mmのグリーンシートを得
た。 一方前述のセラミツクスリツプをそのまま絶縁
ペーストとして印刷することにした。次にＷ（タ
ングステン）導体ペースト（アサヒ化学製、商品
名3TW−1000）90重量部に第１表に示すフラツ
クスを10重量部添加し、乳ばちで均一に混合して
フラツクス入り導体ペーストＡを作成した。次い
で前記とは別に前述のＷ導体ペースト95重量部に
第１表に示すフラツクスを５重量部添加し、乳ば
ちで均一に混合してフラツクス入り導体ペースト
Ｂを作成した。 次いで前述のグリーンシートに直径0.3mm
（φ）のスルーホールを形成したのち、このスル
ーホールに導体ペーストＡを塗布し、さらにグリ
ーンシートの表、裏それぞれに導体ペーストＢで
回路を形成した後、その上部に前述の絶縁ペース
トを30μｍの厚さに印刷し、この工程を表側４
回、裏側２回くり返し、６層の多層回路を形成し
た。その後空気中で300℃まで50℃／時間の昇温
速度で加熱し、300℃からは水素雰囲気中で30
℃／時間の昇温速度で1500℃まで昇温させてグリ
ーンシート、フラツクス入り導体ペースト、およ
び絶縁ペーストを同時焼成しセラミツク多層回路
基板を得た。このセラミツク多層回路基板につい
て外観を観察したが、絶縁層にクラツク及び反り
は発生しなかつた。また回路の比抵坑の増大は見
られなかつた。第１図にセラミツク多層回路基板
の絶縁層２の表面の顕微鏡写真を示す。第１図か
ら絶縁層２にクラツクが発生しないことは明らか
である。なお第１図において３は絶縁層２の下面
の導体層である。 比較例１ 実施例１で使用したグリーンシートのスルーホ
ールにＷ導体ペーストＣ（アサヒ化学製、商品名
3TW−1000）を塗布し、次いでグリーンシート
の表、裏に前記で使用した導体ペーストＣおよび
実施例１で使用した絶縁ペーストを使用して実施
例１と同様の方法により６層の多層回路を形成し
た。以下実施例１と同様の条件でグリーンシー
ト、導体ペーストおよび絶縁ペーストを同時焼成
してセラミツク多層回路基板を得た。このセラミ
ツク多層回路基板はＷ導体ペーストにフラツクス
を含有させないため比抵坑の増大は見られなかつ
たが、外観を顕微鏡で観察したところ第２図に示
すようにスルーホールの上面の絶縁層２に微小な
クラツクが発生した。なお第２図において３は絶
縁層２の下面の導体層である。
【表】
本発明は回路形成用導体ペースト、絶縁ペース
ト及びスルーホール部導通用導体ペーストの各々
に含有されるフラツクス成分が同一であり、かつ
回路形成用導体ペーストのフラツクス含有量をス
ルーホール部導通用導体ペーストのフラツクス含
有量より少なくしたので比抵坑が増大することが
防止でき、かつ絶縁層の焼結不足が解消され、ク
ラツク、反りなどの発生を皆無にすることができ
る。
ト及びスルーホール部導通用導体ペーストの各々
に含有されるフラツクス成分が同一であり、かつ
回路形成用導体ペーストのフラツクス含有量をス
ルーホール部導通用導体ペーストのフラツクス含
有量より少なくしたので比抵坑が増大することが
防止でき、かつ絶縁層の焼結不足が解消され、ク
ラツク、反りなどの発生を皆無にすることができ
る。
第１図は実施例で得たセラミツク多層回路基板
の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得たセ
ラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真および
第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基板
の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明、１……クラツク、２……絶縁層、
３……導体層。
の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得たセ
ラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真および
第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基板
の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明、１……クラツク、２……絶縁層、
３……導体層。
Claims (1)
- １ 導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペースト
とをセラミツクグリーンシート上に複数回印刷す
ると共にスルーホール部に導体ペーストを塗布
し、同時焼成してセラミツク多層回路基板を製造
する方法において、回路形成用導体ペースト、絶
縁ペースト及びスルーホール部導通用導体ペース
トの各々に含有されるフラツクス成分が同一であ
り、かつ回路形成用導体ペーストのフラツクス含
有量をスルーホール部導通用導体ペーストのフラ
ツクス含有量より少なくしたことを特徴とするセ
ラミツク多層回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8223182A JPS58199595A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8223182A JPS58199595A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199595A JPS58199595A (ja) | 1983-11-19 |
| JPS6238877B2 true JPS6238877B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=13768627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8223182A Granted JPS58199595A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199595A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727060B2 (ja) * | 1972-02-09 | 1982-06-08 | ||
| JPS56160705A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Metallized composition |
| JPS5782188A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-22 | Hitachi Ltd | Metallizing paste |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8223182A patent/JPS58199595A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58199595A (ja) | 1983-11-19 |
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