JPS6238879B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6238879B2 JPS6238879B2 JP57088426A JP8842682A JPS6238879B2 JP S6238879 B2 JPS6238879 B2 JP S6238879B2 JP 57088426 A JP57088426 A JP 57088426A JP 8842682 A JP8842682 A JP 8842682A JP S6238879 B2 JPS6238879 B2 JP S6238879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- green sheet
- raw material
- material powder
- flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明はセラミツク多層回路基板の製造法に関
する。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板上に導体ペーストを印刷、乾
燥後絶縁ペーストを印刷、乾燥し、これを複数回
くり返して多層回路を形成した後焼成して製造し
ていたが、この方法によると焼成の際に絶縁層は
予め焼結されたセラミツク基板より収縮が大であ
るため絶縁層にクラツクが生じたり、反りなどが
発生する欠点があつた。 この欠点を補うため特公昭55−7957号公報、特
公昭55−24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）上に導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて
印刷法で多層回路を形成し、同時焼成する方法を
試みたが、あまり効果的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた。なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54−38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 さらに上記の欠点を防止するため導体ペースト
を印刷した後、これを平滑化させるためプレスで
圧着する工程をとり入れたが、クラツク、反りな
どの発生を防止することはできなかつた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク、反り
などは絶縁層の焼結不足に起因することに着目
し、絶縁ペースト中に含まれるフラツクスの成
分、含有量、融点、粒径などについて種々検討し
た結果、従来使用していた絶縁ペーストに代え
て、グリーンシートに含まれるフラツクスより低
融点のフラツクスを含み、かつグリーンシートに
含まれるセラミツク原料粉と同一材質でセラミツ
ク原料粉より平均粒径の小さいセラミツク原料粉
を含む絶縁ペーストを使用したところ焼結不足が
解消し、クラツク、反りなどのないセラミツク多
層回路基板が製造できることを見出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、グリーンシートに含まれるフラツク
スより低融点のフラツクスを含み、かつグリーン
シートに含まれるセラミツク原料粉と同一材質で
セラミツク原料粉より平均粒径の小さいセラミツ
ク原料粉を含む絶縁ペーストを使用するセラミツ
ク多層回路基板の製造法に関する。 なお本発明においてセラミツク質は何ら制限さ
れるものではなく、一般にアルミナなどが使用さ
れる。またグリーンシートの厚さ、材質などにつ
いても何ら制限されない。 絶縁ペーストはグリーンシートに含まれるフラ
ツクスより低融点のフラツクスを含有することが
必要であり、グリーンシートに含まれるフラツク
スの融点と同等又はグリーンシートに含まれるフ
ラツクスより高融点のフラツクスを含有させると
絶縁層の焼結不足を解消することはできず、本発
明の目的を達成することができない。 また絶縁ペーストに使用されるセラミツク原料
粉はグリーンシートに含まれるセラミツク原料粉
と同一材質でセラミツク原料粉より平均粒径の小
さいセラミツク原料粉を含む絶縁ペーストを使用
することが必要であり、グリーンシートに含まれ
るセラミツク原料粉と相違する材質、平均粒径が
セラミツク原料粉と同等若しくはそれ以上のセラ
ミツク原料粉を使用すると前述と同様絶縁層の焼
結不足を解消することはできず、本発明の目的を
達成することができない。 絶縁ペーストに使用されるフラツクスはグリー
ンシートに使用されるフラツクスより低温で融解
するものであればよく種類については特に制限は
ない。また融点は特に限定するものではない。 導体ペーストの種類などは何ら制限はなく、Ｗ
（タングステン）、Mo（モリブデン）、Mo−Mn
（マンガン）などの金属粉の他にフラツクスを含
有させても何ら差しつかえない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスＸを3.8重量部添加し均一に混合して原料粉
Ａとした。 この原料粉A100重量部にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤として
フタル酸エステル４重量部、溶剤としてブタノー
ル20重量部、トリクロルエチレン50重量部を添加
し、ボールミルにて50時間均一に混合してセラミ
ツクスリツプとした後テープキヤステイング法に
より厚さ0.8mmのグリーンシートを得た。 一方平均粒径1.5μｍの高純度アルミナ（アル
ミナ純度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示す
フラツクスＹを3.8重量部添加し、均一に混合し
て原料粉Ｂとした後、上記と同様な方法でセラミ
ツクスリツプとし、これを絶縁ペーストＡとし
た。 次に前述のグリーンシートに直径0.3mm（φ）
のスルーホールを形成した後このスルーホールに
Ｗ（タングステン）導体ペースト（アサヒ化学
製、商品名3TW−1000）を塗布し、さらにグリ
ーンシートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導
体ペーストを印刷して回路を形成し、その上部に
前述の絶縁ペーストＡを30μｍの厚さに印刷し、
この工程を表側４回、裏側２回くり返し６層の多
層回路を形成した。その後空気中で300℃まで50
℃／時間の昇温速度で加熱し、300℃からは水素
雰囲気中で30℃／時間の昇温速度で1500℃まで昇
温させてグリーンシート、導体ペースト、及び絶
縁ペーストＡを同時焼成しセラミツク多層回路基
板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが絶縁層にクラツク、反りなどは発生しな
かつた。第１図にセラミツク多層回路基板の絶縁
層２の表面の顕微鏡写真を示す。第１図から絶縁
層２にクラツクが発生しないことは明らかであ
る。なお第１図において３は絶縁層の下面の導体
層である。 比較例 １ 実施例１で使用したグリーンシート上に平均粒
径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度99.5％
以上）96.2重量部に第１表に示すフラツクスＸを
3.8重量部含有させたセラミツクスリツプを絶縁
ペーストＢとして使用し、実施例１と同様な方法
で６層の多層回路を形成した後、以下実施例１と
同様の条件でグリーンシート、導体ペースト及び
絶縁ペーストＢを同時焼成してセラミツク多層回
路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を顕
微鏡等で観察したところ第２図に示すように絶縁
層２にわずかにクラツク１、反りなどが発生し
た。なお第２図において３は絶縁層２の下面の導
体層である。
する。 従来、セラミツク多層回路基板は、予め焼結さ
れたセラミツク基板上に導体ペーストを印刷、乾
燥後絶縁ペーストを印刷、乾燥し、これを複数回
くり返して多層回路を形成した後焼成して製造し
ていたが、この方法によると焼成の際に絶縁層は
予め焼結されたセラミツク基板より収縮が大であ
るため絶縁層にクラツクが生じたり、反りなどが
発生する欠点があつた。 この欠点を補うため特公昭55−7957号公報、特
公昭55−24271号公報等に示されるようにセラミ
ツクグリーンシート（以下グリーンシートとい
う）上に導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて
印刷法で多層回路を形成し、同時焼成する方法を
試みたが、あまり効果的ではなかつた。 また、フラツクスを含むグリーンシートを粉砕
した後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを
用いて上記と同様に導体ペーストと共に印刷法で
多層回路を形成し、同時焼成する方法を試みた
が、このような方法でも多層印刷した絶縁ペース
トが焼結される際に第３図に示すように絶縁層２
にクラツク１を生ずる欠点があつた。なお第３図
において３は絶縁層２の下面の導体層である。 上記の他に特公昭54−38291号公報に示される
ように仮基板上に導体ペーストとフラツクスを含
有する絶縁ペーストとを用いて印刷法で積層物を
一体に焼結せしめ、焼結時または焼結後に前記の
仮基板を積層物から取除いて積層セラミツク基板
を製造する方法があるが、この方法は、仮基板上
面の絶縁層（グリーンシートに相当する）および
他の絶縁層を形成するのに、全て同質のフラツク
スを含有する絶縁ペーストを使用するため、前述
のフラツクスを含むグリーンシートを粉砕した
後、溶剤を加えて再溶解した絶縁ペーストを用い
て導体ペーストと共に印刷法で多層回路を形成
し、同時焼成する方法と同様の構造となり、絶縁
層にクラツクが生じる欠点がある。 さらに上記の欠点を防止するため導体ペースト
を印刷した後、これを平滑化させるためプレスで
圧着する工程をとり入れたが、クラツク、反りな
どの発生を防止することはできなかつた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク、反り
などは絶縁層の焼結不足に起因することに着目
し、絶縁ペースト中に含まれるフラツクスの成
分、含有量、融点、粒径などについて種々検討し
た結果、従来使用していた絶縁ペーストに代え
て、グリーンシートに含まれるフラツクスより低
融点のフラツクスを含み、かつグリーンシートに
含まれるセラミツク原料粉と同一材質でセラミツ
ク原料粉より平均粒径の小さいセラミツク原料粉
を含む絶縁ペーストを使用したところ焼結不足が
解消し、クラツク、反りなどのないセラミツク多
層回路基板が製造できることを見出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、グリーンシートに含まれるフラツク
スより低融点のフラツクスを含み、かつグリーン
シートに含まれるセラミツク原料粉と同一材質で
セラミツク原料粉より平均粒径の小さいセラミツ
ク原料粉を含む絶縁ペーストを使用するセラミツ
ク多層回路基板の製造法に関する。 なお本発明においてセラミツク質は何ら制限さ
れるものではなく、一般にアルミナなどが使用さ
れる。またグリーンシートの厚さ、材質などにつ
いても何ら制限されない。 絶縁ペーストはグリーンシートに含まれるフラ
ツクスより低融点のフラツクスを含有することが
必要であり、グリーンシートに含まれるフラツク
スの融点と同等又はグリーンシートに含まれるフ
ラツクスより高融点のフラツクスを含有させると
絶縁層の焼結不足を解消することはできず、本発
明の目的を達成することができない。 また絶縁ペーストに使用されるセラミツク原料
粉はグリーンシートに含まれるセラミツク原料粉
と同一材質でセラミツク原料粉より平均粒径の小
さいセラミツク原料粉を含む絶縁ペーストを使用
することが必要であり、グリーンシートに含まれ
るセラミツク原料粉と相違する材質、平均粒径が
セラミツク原料粉と同等若しくはそれ以上のセラ
ミツク原料粉を使用すると前述と同様絶縁層の焼
結不足を解消することはできず、本発明の目的を
達成することができない。 絶縁ペーストに使用されるフラツクスはグリー
ンシートに使用されるフラツクスより低温で融解
するものであればよく種類については特に制限は
ない。また融点は特に限定するものではない。 導体ペーストの種類などは何ら制限はなく、Ｗ
（タングステン）、Mo（モリブデン）、Mo−Mn
（マンガン）などの金属粉の他にフラツクスを含
有させても何ら差しつかえない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示すフラツ
クスＸを3.8重量部添加し均一に混合して原料粉
Ａとした。 この原料粉A100重量部にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤として
フタル酸エステル４重量部、溶剤としてブタノー
ル20重量部、トリクロルエチレン50重量部を添加
し、ボールミルにて50時間均一に混合してセラミ
ツクスリツプとした後テープキヤステイング法に
より厚さ0.8mmのグリーンシートを得た。 一方平均粒径1.5μｍの高純度アルミナ（アル
ミナ純度99.5％以上）96.2重量部に第１表に示す
フラツクスＹを3.8重量部添加し、均一に混合し
て原料粉Ｂとした後、上記と同様な方法でセラミ
ツクスリツプとし、これを絶縁ペーストＡとし
た。 次に前述のグリーンシートに直径0.3mm（φ）
のスルーホールを形成した後このスルーホールに
Ｗ（タングステン）導体ペースト（アサヒ化学
製、商品名3TW−1000）を塗布し、さらにグリ
ーンシートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導
体ペーストを印刷して回路を形成し、その上部に
前述の絶縁ペーストＡを30μｍの厚さに印刷し、
この工程を表側４回、裏側２回くり返し６層の多
層回路を形成した。その後空気中で300℃まで50
℃／時間の昇温速度で加熱し、300℃からは水素
雰囲気中で30℃／時間の昇温速度で1500℃まで昇
温させてグリーンシート、導体ペースト、及び絶
縁ペーストＡを同時焼成しセラミツク多層回路基
板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが絶縁層にクラツク、反りなどは発生しな
かつた。第１図にセラミツク多層回路基板の絶縁
層２の表面の顕微鏡写真を示す。第１図から絶縁
層２にクラツクが発生しないことは明らかであ
る。なお第１図において３は絶縁層の下面の導体
層である。 比較例 １ 実施例１で使用したグリーンシート上に平均粒
径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度99.5％
以上）96.2重量部に第１表に示すフラツクスＸを
3.8重量部含有させたセラミツクスリツプを絶縁
ペーストＢとして使用し、実施例１と同様な方法
で６層の多層回路を形成した後、以下実施例１と
同様の条件でグリーンシート、導体ペースト及び
絶縁ペーストＢを同時焼成してセラミツク多層回
路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を顕
微鏡等で観察したところ第２図に示すように絶縁
層２にわずかにクラツク１、反りなどが発生し
た。なお第２図において３は絶縁層２の下面の導
体層である。
【表】
本発明は、グリーンシートに含まれるフラツク
スより低融点のフラツクスを含み、かつグリーン
シートに含まれるセラミツク原料粉と同一材質で
セラミツク原料粉より平均粒径の小さいセラミツ
ク原料粉を含む絶縁ペーストを使用するので、絶
縁層の焼結不足が解消されクラツク、反りなどの
発生のないセラミツク多層回路基板を製造するこ
とができる。
スより低融点のフラツクスを含み、かつグリーン
シートに含まれるセラミツク原料粉と同一材質で
セラミツク原料粉より平均粒径の小さいセラミツ
ク原料粉を含む絶縁ペーストを使用するので、絶
縁層の焼結不足が解消されクラツク、反りなどの
発生のないセラミツク多層回路基板を製造するこ
とができる。
第１図は、実施例で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得た
セラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真およ
び第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明、１……クラツク、２……絶縁層、
３……導体層。
板の表面の顕微鏡写真、第２図は、比較例で得た
セラミツク多層回路基板の表面の顕微鏡写真およ
び第３図は、従来法で得たセラミツク多層回路基
板の表面の顕微鏡写真である。 符号の説明、１……クラツク、２……絶縁層、
３……導体層。
Claims (1)
- １ 導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペースト
とをセラミツクグリーンシート上に複数回印刷
し、同時焼成してセラミツク多層回路基板を製造
する方法において、セラミツクグリーンシートに
含まれるフラツクスより低融点のフラツクスを含
み、かつセラミツクグリーンシートに含まれるセ
ラミツク原料粉と同一材質でセラミツク原料粉よ
り平均粒径の小さいセラミツク原料粉を含む絶縁
ペーストを使用することを特徴とするセラミツク
多層回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8842682A JPS58204598A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8842682A JPS58204598A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204598A JPS58204598A (ja) | 1983-11-29 |
| JPS6238879B2 true JPS6238879B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=13942452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8842682A Granted JPS58204598A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204598A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727060B2 (ja) * | 1972-02-09 | 1982-06-08 | ||
| JPS5730317B2 (ja) * | 1973-11-05 | 1982-06-28 | ||
| JPS56160705A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Metallized composition |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP8842682A patent/JPS58204598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58204598A (ja) | 1983-11-29 |
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