JPS6258680B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6258680B2 JPS6258680B2 JP57211638A JP21163882A JPS6258680B2 JP S6258680 B2 JPS6258680 B2 JP S6258680B2 JP 57211638 A JP57211638 A JP 57211638A JP 21163882 A JP21163882 A JP 21163882A JP S6258680 B2 JPS6258680 B2 JP S6258680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- ceramic
- multilayer circuit
- insulating paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明はセラミツク多層回路基板の製造法に関
する。 従来セラミツク多層回路基板は、予め焼結され
たセラミツク基板上に導体ペーストを印刷後、絶
縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して多
層回路を形成した後焼成して製造していたが、こ
の方法によると予め焼結されたセラミツク基板の
焼成収縮率とセラミツクグリーンシート（以下グ
リーンシートという）の焼成収縮率が異なるため
絶縁層にクラツクが生じたり、反りなどが発生す
る欠点があつた。 この欠点を補うためグリーンシート上に前述の
ごとく導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて多
層回路を形成し、同時焼成する方法が試みられた
が、この方法でも多層印刷した絶縁ペーストが焼
成される際にクラツクが発生するという欠点があ
つた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク反りな
どは絶縁層の焼結不足に起因することに着目し、
種々検付を行なつた結果、従来使用していた絶縁
ペーストに代えて、絶縁ペーストを構成するセラ
ミツク質粉体にグリーンシートを構成するセラミ
ツク質粉体より粒径の小さい粉体を使用したとこ
ろ焼結不足が解消し、クラツク、反りなどのない
セラミツク多層回路基板が製造できることを見い
出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、絶縁ペーストを構成するセラミツク
質粉体にグリーンシートを構成するセラミツク質
粉体より粒径の小さい粉体を使用するセラミツク
多層回路基板の製造法に関する。 本発明において使用されるセラミツク質粉体の
材質は何ら制限はなく、例えばアルミナが多く使
用される。またグリーンシートは厚さ、材質、フ
ラツクスなど何ら制限はない。 本発明において使用する導体ペーストの材質、
配合などは何ら制限されずまた印刷厚さなども何
ら制限はない。 絶縁ペーストを構成するセラミツク質粉体はグ
リーンシートを構成するセラミツク質粉体より粒
径の小さいことが必要であり、グリーンシートと
同等若しくはそれ以上の粒径のセラミツク質粉体
を使用すると前述と同様絶縁層の焼結不足を解消
することはできず、本発明の目的を達成すること
ができない。絶縁ペーストを構成するセラミツク
質粉体とグリーンシートを構成するセラミツク質
粉体との粒径の差については特に制限はないが、
その差が0.2μｍさらに好ましくは0.3μｍ以上で
あることが望ましい。また絶縁ペーストを構成す
るセラミツク質粉体はグリーンシートを構成する
セラミツク質粉体と同材質のものが望ましいが、
本発明では絶縁ペーストにコーデイライト、ムラ
イトなどを添加してもさしつかえない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツク
スを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ａとし
た。 また上記とは別に平均粒径1.7μｍの高純度ア
ルミナ（アルミナ純度99.5％以上）96重量部に第
１表に示すフラツクスを４重量部添加し均一に混
合して原料粉Ｂとした。 次に前述の原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、トリクロルエチレン50重量部
を添加し、ボールミルにて50時間均一に混合して
セラミツクスリツプとした後テープキヤステイン
グ法により厚さ0.8mmのグリーンシートを得た。 また上記で得た原料粉B100重量部にバインダ
ーとしてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可
塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤とし
てブタノール20重量部、パークロルエチレン40重
量部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混
合して絶縁ペースト１とした。 次いで前述のグリーンシートに直径0.3mmのス
ルーホールを形成した後このスルーホールにＷ
（タングステン）導体ペースト（アサヒ化学製、
商品名3TW―1000）を充填し、さらにグリーン
シートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導体ペ
ーストを印刷して回路を形成し、その上部に前述
の絶縁ペースト１を70±10μｍの厚さに印刷し、
この工程を表側４回、裏側２回くり返し６層の多
層回路を形成し、さらに量外側にメタライズ端子
を印刷した。その後空気中で200℃まで50℃／時
間昇温し、200℃で５時間保持した後200℃からは
水素雰囲気中で30℃／時間の昇温速度で1500℃ま
で昇温させて焼成しセラミツク多層回路基板を得
た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁膜にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。
する。 従来セラミツク多層回路基板は、予め焼結され
たセラミツク基板上に導体ペーストを印刷後、絶
縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して多
層回路を形成した後焼成して製造していたが、こ
の方法によると予め焼結されたセラミツク基板の
焼成収縮率とセラミツクグリーンシート（以下グ
リーンシートという）の焼成収縮率が異なるため
絶縁層にクラツクが生じたり、反りなどが発生す
る欠点があつた。 この欠点を補うためグリーンシート上に前述の
ごとく導体ペーストと絶縁ペーストとを用いて多
層回路を形成し、同時焼成する方法が試みられた
が、この方法でも多層印刷した絶縁ペーストが焼
成される際にクラツクが発生するという欠点があ
つた。 本発明はかかる欠点のないセラミツク多層回路
基板の製造法を提供することを目的とするもので
ある。 本発明者らは絶縁層に発生するクラツク反りな
どは絶縁層の焼結不足に起因することに着目し、
種々検付を行なつた結果、従来使用していた絶縁
ペーストに代えて、絶縁ペーストを構成するセラ
ミツク質粉体にグリーンシートを構成するセラミ
ツク質粉体より粒径の小さい粉体を使用したとこ
ろ焼結不足が解消し、クラツク、反りなどのない
セラミツク多層回路基板が製造できることを見い
出した。 本発明は導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペ
ーストとをグリーンシート上に複数回印刷し、同
時焼成してセラミツク多層回路基板を製造する方
法において、絶縁ペーストを構成するセラミツク
質粉体にグリーンシートを構成するセラミツク質
粉体より粒径の小さい粉体を使用するセラミツク
多層回路基板の製造法に関する。 本発明において使用されるセラミツク質粉体の
材質は何ら制限はなく、例えばアルミナが多く使
用される。またグリーンシートは厚さ、材質、フ
ラツクスなど何ら制限はない。 本発明において使用する導体ペーストの材質、
配合などは何ら制限されずまた印刷厚さなども何
ら制限はない。 絶縁ペーストを構成するセラミツク質粉体はグ
リーンシートを構成するセラミツク質粉体より粒
径の小さいことが必要であり、グリーンシートと
同等若しくはそれ以上の粒径のセラミツク質粉体
を使用すると前述と同様絶縁層の焼結不足を解消
することはできず、本発明の目的を達成すること
ができない。絶縁ペーストを構成するセラミツク
質粉体とグリーンシートを構成するセラミツク質
粉体との粒径の差については特に制限はないが、
その差が0.2μｍさらに好ましくは0.3μｍ以上で
あることが望ましい。また絶縁ペーストを構成す
るセラミツク質粉体はグリーンシートを構成する
セラミツク質粉体と同材質のものが望ましいが、
本発明では絶縁ペーストにコーデイライト、ムラ
イトなどを添加してもさしつかえない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純
度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツク
スを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ａとし
た。 また上記とは別に平均粒径1.7μｍの高純度ア
ルミナ（アルミナ純度99.5％以上）96重量部に第
１表に示すフラツクスを４重量部添加し均一に混
合して原料粉Ｂとした。 次に前述の原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、トリクロルエチレン50重量部
を添加し、ボールミルにて50時間均一に混合して
セラミツクスリツプとした後テープキヤステイン
グ法により厚さ0.8mmのグリーンシートを得た。 また上記で得た原料粉B100重量部にバインダ
ーとしてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可
塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤とし
てブタノール20重量部、パークロルエチレン40重
量部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混
合して絶縁ペースト１とした。 次いで前述のグリーンシートに直径0.3mmのス
ルーホールを形成した後このスルーホールにＷ
（タングステン）導体ペースト（アサヒ化学製、
商品名3TW―1000）を充填し、さらにグリーン
シートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導体ペ
ーストを印刷して回路を形成し、その上部に前述
の絶縁ペースト１を70±10μｍの厚さに印刷し、
この工程を表側４回、裏側２回くり返し６層の多
層回路を形成し、さらに量外側にメタライズ端子
を印刷した。その後空気中で200℃まで50℃／時
間昇温し、200℃で５時間保持した後200℃からは
水素雰囲気中で30℃／時間の昇温速度で1500℃ま
で昇温させて焼成しセラミツク多層回路基板を得
た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁膜にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。
【表】
実施例 ２
平均粒径1.5μｍの高純度アルミナ（アルミナ
純度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツ
クスを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｃと
した。次にこの原料粉C100重量部にバインダー
としてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑
剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤として
ブタノール20重量部、パークロルエチレン40重量
部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合
して絶縁ペースト２とした。次にこの絶縁ペース
ト２を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに使
用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつて
セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 実施例 ３ 実施例１で得た原料粉B100重量部にコーデイ
ライト15重量部、バインダーとしてポリビニルブ
チラール樹脂８重量部、可塑性としてフタル酸エ
ステル４重量部、溶剤としてブタノール20重量
部、パークロルエチレン40重量部を添加し、ボー
ルミルにて100時間均一に混合して絶縁ペースト
３とした。次にこの絶縁ペースト３を実施例１に
示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は
実施例１と同様の方法によつてセラミツク多層回
路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 実施例 ４ 実施例２で得た原料粉C100重量部にムライト
20重量部、バインダーとしてポリビニルブチラー
ル樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル
４重量部、溶剤としてブタール20重量部、パーク
ロルエチレン40重量部を添加し、ボールミルにて
100時間均一に混合して絶縁ペースト４とした。
次にこの絶縁ペースト４を実施例１に示す絶縁ペ
ースト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と
同様の方法によつてセラミツク多層回路基板を得
た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 比較例 １ 実施例１の原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、パークロルエチレン40重量部
を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合し
て絶縁ペースト５とした。次いでこの絶縁ペース
ト５を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに使
用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつて
セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したところ絶縁層にマイクロクラツクが発生し
た。 比較例 ２ 平均粒径2.5μｍの高純度アルミナ（アルミナ
純度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツ
クスを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｄと
した。次にこの原料粉D100重量部にバインダー
としてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑
剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤として
ブタノール20重量部、パークロルエチレン40重量
部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合
して絶縁ペースト６とした。次いでこの絶縁ペー
スト６を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに
使用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつ
てセラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したところ絶縁層にクラツク、反りなどが発生
した。 以上の実施例および比較例において、高純度ア
ルミナをボールミルで100時間混合しても粒径の
変化は見られなかつた。 本発明は絶縁ペーストを構成するセラミツク質
粉体にグリーンシートを構成するセラミツク質粉
体より粒径の小さい粉体を使用するので、絶縁層
の焼結不足が解消されクラツク、反りなどの発生
のないセラミツク多層回路基板を製造することが
できる。
純度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツ
クスを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｃと
した。次にこの原料粉C100重量部にバインダー
としてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑
剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤として
ブタノール20重量部、パークロルエチレン40重量
部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合
して絶縁ペースト２とした。次にこの絶縁ペース
ト２を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに使
用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつて
セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 実施例 ３ 実施例１で得た原料粉B100重量部にコーデイ
ライト15重量部、バインダーとしてポリビニルブ
チラール樹脂８重量部、可塑性としてフタル酸エ
ステル４重量部、溶剤としてブタノール20重量
部、パークロルエチレン40重量部を添加し、ボー
ルミルにて100時間均一に混合して絶縁ペースト
３とした。次にこの絶縁ペースト３を実施例１に
示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は
実施例１と同様の方法によつてセラミツク多層回
路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 実施例 ４ 実施例２で得た原料粉C100重量部にムライト
20重量部、バインダーとしてポリビニルブチラー
ル樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル
４重量部、溶剤としてブタール20重量部、パーク
ロルエチレン40重量部を添加し、ボールミルにて
100時間均一に混合して絶縁ペースト４とした。
次にこの絶縁ペースト４を実施例１に示す絶縁ペ
ースト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と
同様の方法によつてセラミツク多層回路基板を得
た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したが、絶縁層にクラツク、反りなどは発生し
なかつた。 比較例 １ 実施例１の原料粉A100重量部にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤
としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール20重量部、パークロルエチレン40重量部
を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合し
て絶縁ペースト５とした。次いでこの絶縁ペース
ト５を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに使
用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつて
セラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したところ絶縁層にマイクロクラツクが発生し
た。 比較例 ２ 平均粒径2.5μｍの高純度アルミナ（アルミナ
純度99.5％以上）96重量部に第１表に示すフラツ
クスを４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｄと
した。次にこの原料粉D100重量部にバインダー
としてポリビニルブチラール樹脂８重量部、可塑
剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤として
ブタノール20重量部、パークロルエチレン40重量
部を添加し、ボールミルにて100時間均一に混合
して絶縁ペースト６とした。次いでこの絶縁ペー
スト６を実施例１に示す絶縁ペースト１の替りに
使用し、それ以外は実施例１と同様の方法によつ
てセラミツク多層回路基板を得た。 このセラミツク多層回路基板について外観を観
察したところ絶縁層にクラツク、反りなどが発生
した。 以上の実施例および比較例において、高純度ア
ルミナをボールミルで100時間混合しても粒径の
変化は見られなかつた。 本発明は絶縁ペーストを構成するセラミツク質
粉体にグリーンシートを構成するセラミツク質粉
体より粒径の小さい粉体を使用するので、絶縁層
の焼結不足が解消されクラツク、反りなどの発生
のないセラミツク多層回路基板を製造することが
できる。
Claims (1)
- １ 導体ペーストとセラミツク質の絶縁ペースト
とをセラミツクグリーンシート上に複数回印刷
し、同時焼成してセラミツク多層回路基板を製造
する方法において、絶縁ペーストを構成するセラ
ミツク質粉体にセラミツクグリンシートを構成す
るセラミツク質粉体より粒径の小さい粉体を使用
することを特徴とするセラミツク多層回路基板の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163882A JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163882A JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101896A JPS59101896A (ja) | 1984-06-12 |
| JPS6258680B2 true JPS6258680B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=16609085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21163882A Granted JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379986U (ja) * | 1989-12-01 | 1991-08-15 | ||
| JP2998206B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-01-11 | コクヨ株式会社 | リングとじ具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196599A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727060B2 (ja) * | 1972-02-09 | 1982-06-08 | ||
| US4340635A (en) * | 1980-12-15 | 1982-07-20 | Coors Porcelain Company | Ceramic substrate for fine-line electrical circuitry |
-
1982
- 1982-12-02 JP JP21163882A patent/JPS59101896A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379986U (ja) * | 1989-12-01 | 1991-08-15 | ||
| JP2998206B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-01-11 | コクヨ株式会社 | リングとじ具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59101896A (ja) | 1984-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4109377A (en) | Method for preparing a multilayer ceramic | |
| JPS59101896A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JP2938931B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JPH035075B2 (ja) | ||
| JPS5871693A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPS5871694A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPH06172017A (ja) | セラミツクス基板用グリーンシート及びセラミツクス基板 | |
| JPS6237917B2 (ja) | ||
| JPS5871696A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPH02122598A (ja) | セラミック多層配線基板とその製造方法 | |
| JPS6238879B2 (ja) | ||
| JPS63109050A (ja) | セラミツク基板 | |
| JPH0289387A (ja) | 銅導体ペーストと多層セラミックス基板 | |
| JPS63137497A (ja) | セラミツク配線回路板の製法 | |
| JPH0521958A (ja) | 多層配線基板の積層体及びその製造方法 | |
| JPH0294595A (ja) | 多層セラミツクス基板の製造方法 | |
| JPS6255319B2 (ja) | ||
| JPS58199595A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPS6150395A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPS59132194A (ja) | セラミツクの製造法 | |
| KR20090009157A (ko) | 그린시트 | |
| JPS5871695A (ja) | セラミツク多層回路基板の製造法 | |
| JPS6117656B2 (ja) | ||
| JPS5998594A (ja) | セラミツク配線板の製造法 | |
| JPS6323394A (ja) | 複合焼結体の製造法 |