JPS6245065A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6245065A JPS6245065A JP60185311A JP18531185A JPS6245065A JP S6245065 A JPS6245065 A JP S6245065A JP 60185311 A JP60185311 A JP 60185311A JP 18531185 A JP18531185 A JP 18531185A JP S6245065 A JPS6245065 A JP S6245065A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- region
- forming
- emitter
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バイポーラトランジスタのエミッタをイオン
注入により形成する製造方法に関し、特に、イオン注入
に起因して発生する結晶欠陥によるリーク１１ｔ流を防
止する購造を作る製造方法に関する。
注入により形成する製造方法に関し、特に、イオン注入
に起因して発生する結晶欠陥によるリーク１１ｔ流を防
止する購造を作る製造方法に関する。
従来バイポーラトランジスタのエミッタをイオン注入で
形成し、イオン注入に起因して発生する結晶欠陥金除去
する手段として、種々のアニールおよび薄い改化模を介
してイオン注入を行う方法などがある。
形成し、イオン注入に起因して発生する結晶欠陥金除去
する手段として、種々のアニールおよび薄い改化模を介
してイオン注入を行う方法などがある。
上記した従来の技術では、イオン注入に起因する結晶欠
陥をある程度除去することが可能であるが、完全に結晶
欠陥を除去することができず、バイポーラトランジスタ
のベース、エミッタ接合に微少のリーク電流を発生させ
る欠点がめる。
陥をある程度除去することが可能であるが、完全に結晶
欠陥を除去することができず、バイポーラトランジスタ
のベース、エミッタ接合に微少のリーク電流を発生させ
る欠点がめる。
このリーク電流は、半導体の表面近傍でベース。
エミッタ接合近傍にある結晶欠陥により発生するもので
あり、ベース、エミッタ接合の空乏ノーより離才した結
晶欠陥はリーク電流には寄与しない。
あり、ベース、エミッタ接合の空乏ノーより離才した結
晶欠陥はリーク電流には寄与しない。
本発明の目的は、イオン注入に起因する半導体我面の結
晶欠陥がベース、エミッタ接合のリーク電流に影響しな
いような構造を作る製造方法を提供するものである。
晶欠陥がベース、エミッタ接合のリーク電流に影響しな
いような構造を作る製造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、第１導￥Ｌ壓の半導
体領域に反対導電型のベース領域および半導体領域上に
酸化膜を形成した後、浅い第１導電型の第２の領域を形
成すべき部分の酸化膜を除去し、窒化膜を成長し、異方
性のドライエッチにより窒化膜をエツチングし、前記酸
化膜の内側に窒化膜を残した構造を形成した後、第１導
電壓の不純物をイオン注入で打ち込み、熱処理を行って
深い第１導亀型のエミッタ領域を形成する工程と、前記
窒化膜を選択的に除去し、第１４電型の不純物を拡散し
、深い第１４電型のエミッタ領域より広く、戊い第１４
屯型の第２の領域を形成する工程とを有している。
体領域に反対導電型のベース領域および半導体領域上に
酸化膜を形成した後、浅い第１導電型の第２の領域を形
成すべき部分の酸化膜を除去し、窒化膜を成長し、異方
性のドライエッチにより窒化膜をエツチングし、前記酸
化膜の内側に窒化膜を残した構造を形成した後、第１導
電壓の不純物をイオン注入で打ち込み、熱処理を行って
深い第１導亀型のエミッタ領域を形成する工程と、前記
窒化膜を選択的に除去し、第１４電型の不純物を拡散し
、深い第１４電型のエミッタ領域より広く、戊い第１４
屯型の第２の領域を形成する工程とを有している。
次に本発明を図面を用いてより詳細に説明する。
第１図は、本発明の製造方法によって形成されるバイポ
ーラトランジスタの一実施例の断面図である。このトラ
ンジスタは第２図および第３図に示すようにして形成さ
れる。
ーラトランジスタの一実施例の断面図である。このトラ
ンジスタは第２図および第３図に示すようにして形成さ
れる。
すなわち、まず第２図に示すように、バイポーラトラン
ジスタのコレクタであるＮ型半導体領域１に、Ｐ型のベ
ース領域２を形成し、酸化膜５を設け、浅い第１導電型
の第２の領域４を形成すべき部分の酸化膜を除去し、例
えばプラズマ法により膜厚１〜２μ程度の窒化膜６を成
長させる。その後、第３図に示す様に、異方性のドライ
エッチ（例えば几ＩＥ等）によって窒化膜をエツチング
し、酸化膜５の内側に窒化膜６が残る構造を形成し、Ｎ
型不純物をイオン注入で打ち込み、熱処理を行って深い
エミッタ領域３を形成する。久に、窒化膜６をホットリ
ン酸等の手段で窒化膜６を選択的に除去し、Ｎ型不純物
を約８００″Ｃ！程度の低温で拡散し、浅い第１導電型
の第２の領域を形成する。この結果、第１図に示した構
造が得られる。
ジスタのコレクタであるＮ型半導体領域１に、Ｐ型のベ
ース領域２を形成し、酸化膜５を設け、浅い第１導電型
の第２の領域４を形成すべき部分の酸化膜を除去し、例
えばプラズマ法により膜厚１〜２μ程度の窒化膜６を成
長させる。その後、第３図に示す様に、異方性のドライ
エッチ（例えば几ＩＥ等）によって窒化膜をエツチング
し、酸化膜５の内側に窒化膜６が残る構造を形成し、Ｎ
型不純物をイオン注入で打ち込み、熱処理を行って深い
エミッタ領域３を形成する。久に、窒化膜６をホットリ
ン酸等の手段で窒化膜６を選択的に除去し、Ｎ型不純物
を約８００″Ｃ！程度の低温で拡散し、浅い第１導電型
の第２の領域を形成する。この結果、第１図に示した構
造が得られる。
以上、詳細に説明したように、本発明の製造方法により
イオン注入による深いエミッタ領域と、拡散による浅い
エミッタ領域を持つ構造を形成することにより、イオン
注入に起因して発生する結晶欠陥がバイポーラトランジ
スタのエミッタ、ベース接合より離され、エミッタ、ベ
ース接合のリーク電流を防止できる効果がある。
イオン注入による深いエミッタ領域と、拡散による浅い
エミッタ領域を持つ構造を形成することにより、イオン
注入に起因して発生する結晶欠陥がバイポーラトランジ
スタのエミッタ、ベース接合より離され、エミッタ、ベ
ース接合のリーク電流を防止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるトランジスタの断面図
、第２図および第３図は、製造工程途中の断面図である
。 １・・・・・・Ｎ型半導体領域、２・・・・・・ベース
領域（Ｐ型）、３・・・・・・イオン注入で形成される
深いエミッタ領域、４・・・・・・浅い第１導電型の第
２の領域、５・・・・・・酸化膜、６・・・・・・窒化
膜。 、５（２−二′二・・・・・、 代理人 弁理士 内 原 日１・ ・第２ 図
、第２図および第３図は、製造工程途中の断面図である
。 １・・・・・・Ｎ型半導体領域、２・・・・・・ベース
領域（Ｐ型）、３・・・・・・イオン注入で形成される
深いエミッタ領域、４・・・・・・浅い第１導電型の第
２の領域、５・・・・・・酸化膜、６・・・・・・窒化
膜。 、５（２−二′二・・・・・、 代理人 弁理士 内 原 日１・ ・第２ 図
Claims (1)
- コレクタ領域にベース領域を形成し、このベース領域の
一部を除いて第１の絶縁膜を形成する工程と、前記ベー
ス領域の一部および前記第１の絶縁膜を覆うように第２
の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を選択的
エッチングして前記第１の絶縁膜の内側に部分的に前記
第２の絶縁膜を残す工程と、前記第１の絶縁膜および残
った第２の絶縁膜をマスクに不純物をイオン注入してエ
ミッタ領域を形成する工程と前記残った第２の絶縁膜を
除去し、不純物を拡散して前記エミッタ領域よりも広く
かつ浅い領域を形成する工程とを有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185311A JPS6245065A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185311A JPS6245065A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245065A true JPS6245065A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16168628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185311A Pending JPS6245065A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181933A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
| JP2006196550A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60185311A patent/JPS6245065A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181933A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
| JP2006196550A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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