JPS62492B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS62492B2
JPS62492B2 JP365179A JP365179A JPS62492B2 JP S62492 B2 JPS62492 B2 JP S62492B2 JP 365179 A JP365179 A JP 365179A JP 365179 A JP365179 A JP 365179A JP S62492 B2 JPS62492 B2 JP S62492B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
resist layer
layer
resist
manufacturing
Prior art date
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Expired
Application number
JP365179A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5595951A (en
Inventor
Akira Morishige
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5595951A publication Critical patent/JPS5595951A/ja
Publication of JPS62492B2 publication Critical patent/JPS62492B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はホトリソグラフイによるホトマスクの
製造方法に関する。
一般に、半導体や金属や絶縁物等の基板又は薄
膜に所要のパターンを形成するため、不要部分を
光学的及び化学的手段によつて除去する技術、所
謂ホトリソグラフイにおいて、前記基板又は薄膜
表面にレジスト層を膜成し、所要部分を保護する
レジストパターンを作るに際して使用するホトマ
スクには、レジストパターンと逆のパターンを具
備せしめたネガ形マスク及びレジストパターンと
同じパターンを具備せしめたポジ形マスクがあ
り、何れも一つのマスター・マスクから複写して
作られる。
従つてネガ形コピー・マスクの製造にはネガ用
レジスト剤を使用し、ポジ形コピー・マスクの製
造にはポジ用レジスト剤を使用しなければなら
ず、レジスト剤を使い分ける煩わしさがあつた。
本発明の目的は上記煩わしたを除去することで
あり、この目的はマスク原板にマスター・マスク
のパターンを複写する第１次露光工程と露光レジ
スト層を着色する印刷工程と第二露光工程とレジ
スト層現像工程とメタル層エツチング工程を含む
ことを特徴としたホトマスクの製造方法を提供し
て達成される。
以下図面を用いて本発明を説明する。
図は本発明の一実施例におけるホトマスク製造
工程説明図であり、以下工程順に従つて説明す
る。
ａ図は第一次露光工程であり、基板１例えばガ
ラス基板にメタル層２、例えばクロームをスパツ
タリング又は蒸着して膜成し、その上にポジ用レ
ジスト層３を形成してなるマスク原板４とマスタ
ー・マスク５を重ねて露光する。即ち、マスタ
ー・マスク５の開口部に露光するレジスト層３′
に感光し、該感光レジスト層３′は、広く知られ
ている如く、マイナスにコロナ帯電される。
ｂ図は前記感光帯電レジスト層３′表面を着色
する印刷工程である。
即ち、第一次露光後のレジスト層３全面には、
プラスに荷電したインク例えばクローム等の有色
磁性粉又は顔粉等を混合した着色磁性粉を散布
し、適当角度傾けるなどして、帯電レジスト層
３′上のインク６以外を除去する。然る後、必要
に応じて適宜温度例えば100℃程度に加熱して、
レジスト層３′上のインク６を定着させる。
ｃ図は第二次露光工程を示す。この際、前記イ
ンク６は光を遮り帯電レジスト層３′を保護する
がその他のレジスト層３を感光させる。
ｄはレジスト層３の現像工程であり、従来手法
によつて行なわれる。その結果、インク６に覆わ
れた帯電レジスト層３′以外のレジスト層３は溶
解除去される。
ｅはメタル層２のエツチング工程であり、従来
手法によつて行なわれる。その結果、帯電レジス
ト層３′に覆われたメタル層２′以外のメタル層２
は溶解除去される。
ｆ図は残置されたインク６及び帯電レジスト層
３′の除去工程を示す。
以上の工程を経てネガ形コピー・マスクが完成
する。
以上説明したように、本発明によるホトマスク
は、ポジ用レジスト剤を使用したマスク原板を使
用して、ネガ形コピー・マスクを作製することが
でき、従来ポジ用及びネガ用レジスト剤を使い分
けていた煩わしさから解放された効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例におけるホトマスク製造
工程説明図。 １……基板、２，２′……メタル層、３，３′…
…レジスト層、４……マスク原板、５……マスタ
ー・マスク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ マスター・マスクを用いてネガ形コピー・マ
    スクを製造する方法において、基板上に、順次、
    メタル層とポジ用レジスト層を形成したマスク原
    板に、前記マスター・マスクのパターンを複写す
    る第一次露光工程と露光レジスト層を着色する印
    刷工程と第二次露光工程とレジスト層現像工程と
    メタル層エツチング工程を含むことを特徴とした
    ホトマスクの製造方法。
JP365179A 1979-01-16 1979-01-16 Production of photo mask Granted JPS5595951A (en)

Priority Applications (1)

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JP365179A JPS5595951A (en) 1979-01-16 1979-01-16 Production of photo mask

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JP365179A JPS5595951A (en) 1979-01-16 1979-01-16 Production of photo mask

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Publication Number Publication Date
JPS5595951A JPS5595951A (en) 1980-07-21
JPS62492B2 true JPS62492B2 (ja) 1987-01-08

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ID=11563369

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JPS5595951A (en) 1980-07-21

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