JPS6267090A - ４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシラン - Google Patents
４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシランInfo
- Publication number
- JPS6267090A JPS6267090A JP60207153A JP20715385A JPS6267090A JP S6267090 A JPS6267090 A JP S6267090A JP 60207153 A JP60207153 A JP 60207153A JP 20715385 A JP20715385 A JP 20715385A JP S6267090 A JPS6267090 A JP S6267090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- page
- line
- silicone
- present
- chloromethylphenylmethyldichlorosilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
本発明は文献未載の新規な有機けい素化合物である４−
クロロメチルフェニル１ｙｔｖｖｙａ口νラン、特には
シリコーン樹脂の中間体として有用とされる新規な有機
けい素化合物としての４−グロ口メチルフェニルメチル
ジクロ口νラン１Ｊｆｆるものである。
クロロメチルフェニル１ｙｔｖｖｙａ口νラン、特には
シリコーン樹脂の中間体として有用とされる新規な有機
けい素化合物としての４−グロ口メチルフェニルメチル
ジクロ口νラン１Ｊｆｆるものである。
（従来の技術］
シリコーン樹脂の原料とされるクロロシラン類は、金属
けい素と塩化メチル、塩化ベンゼンなどの有ａ！塩素化
物とを銅触媒の存在下で反応させる。
けい素と塩化メチル、塩化ベンゼンなどの有ａ！塩素化
物とを銅触媒の存在下で反応させる。
いわゆる直接法で作られているが、これはＲＭｇＯｊ（
Ｒは１価の炭化水素基］で示されるグリニヤール試薬、
例えばＯ，Ｈ，ＭｇＯｌｏと各種のクロロシラン類、例
えばメチルトリクロロシランとの反応ＯＨ。
Ｒは１価の炭化水素基］で示されるグリニヤール試薬、
例えばＯ，Ｈ，ＭｇＯｌｏと各種のクロロシラン類、例
えばメチルトリクロロシランとの反応ＯＨ。
０、Ｈ，Ｍｇ０ｊ＋ＯＨ，８１ｏｊ、→Ｏ，Ｈ，８ｌ−
Ｏｎ。
Ｏｎ。
でも得られる。
しかして、シリコーン樹脂がこのような方法で得られた
クロロシラン類の１１１または２種以上を（共）加水分
解することによって得られることはすでによく知られて
いるところであるが、最近における電子工業を始めとす
る先端工業技術分野でのシリコーン樹脂の応用が進むに
つれて前記したような単純な構造をもつクロロシラン類
から誘導されるｉノ’Ｊコーン樹脂にはその性能面から
限界があるということが判ってきており、例えば特殊な
フォトレジスト用樹脂１；ついてはその構造の一部に分
解架橋することができろと共（：、最終的には丁ぐれた
耐熱性をもつシリコーン樹脂の出現が切望されているが
、これは従来公知のメチル系またハフェニル系のグロ口
νランからは製造できないことが本発明者らシ：よって
確認されている。
クロロシラン類の１１１または２種以上を（共）加水分
解することによって得られることはすでによく知られて
いるところであるが、最近における電子工業を始めとす
る先端工業技術分野でのシリコーン樹脂の応用が進むに
つれて前記したような単純な構造をもつクロロシラン類
から誘導されるｉノ’Ｊコーン樹脂にはその性能面から
限界があるということが判ってきており、例えば特殊な
フォトレジスト用樹脂１；ついてはその構造の一部に分
解架橋することができろと共（：、最終的には丁ぐれた
耐熱性をもつシリコーン樹脂の出現が切望されているが
、これは従来公知のメチル系またハフェニル系のグロ口
νランからは製造できないことが本発明者らシ：よって
確認されている。
（発明の構成）
本発明はこのような課題を解決することのできる文献未
載の宵機けい素化合物に関するものであり、これは式 ％式％ で示される４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口ν
ランに関する。
載の宵機けい素化合物に関するものであり、これは式 ％式％ で示される４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口ν
ランに関する。
すなわち１本発明者らはフォトレジスト用樹脂、耐熱性
変性シリコーン樹脂の開発（二ついて種々検討した結果
、これにはその出発物質とするグロ口νランを新規なも
のとする必要があること、このグロ口νランとしては上
記で示した４−クロ口メチルフェニルメチルジグロ口ν
ランが好ましい物性を示すシリコーン樹脂を与えること
を見出して本発明を完成させた。
変性シリコーン樹脂の開発（二ついて種々検討した結果
、これにはその出発物質とするグロ口νランを新規なも
のとする必要があること、このグロ口νランとしては上
記で示した４−クロ口メチルフェニルメチルジグロ口ν
ランが好ましい物性を示すシリコーン樹脂を与えること
を見出して本発明を完成させた。
本発明の４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口νラ
ンは各種の方法によって合成↑ることができるが、最も
収率のよい効率的な合成法としては、Ｐ−クロロトルエ
ンをグリニヤール反応でトリルマグネシウムクロライド
とし、ついでこれをメチルトリクロロシランと反応させ
てトリルメチルジクロロシランとしてから、これを塩化
スルフリルと反応させる方法が例示される。
ンは各種の方法によって合成↑ることができるが、最も
収率のよい効率的な合成法としては、Ｐ−クロロトルエ
ンをグリニヤール反応でトリルマグネシウムクロライド
とし、ついでこれをメチルトリクロロシランと反応させ
てトリルメチルジクロロシランとしてから、これを塩化
スルフリルと反応させる方法が例示される。
ｔ
ｊ
本発明の４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口νラ
ンは例えば４−クロロメデルフェニルトチクロ口νラン
などと共に水−トリクレン溶液中で共加水分解させると
次式 （こ＼ｌ：Ｉ、ｍ、ｎ は正の整数）で示されるシリコ
ーン樹脂とすることができ、このシリコーン樹脂は高い
ガラス転移をもつ、均一なフィルムを形成する。また、
このものは電子線などの高エネルギーＣ二対して高い感
応性を示すクロロメチル基を含み、四塩化炭素、四フッ
化炭素のガスプラズマに対して耐性のあるベンゼン環を
もっており、さらに酸素ガスプラズマに対して高い耐性
をもつシロキチン構造となっているので、高エネルギー
線用レジスト材料として使用することができる。
ンは例えば４−クロロメデルフェニルトチクロ口νラン
などと共に水−トリクレン溶液中で共加水分解させると
次式 （こ＼ｌ：Ｉ、ｍ、ｎ は正の整数）で示されるシリコ
ーン樹脂とすることができ、このシリコーン樹脂は高い
ガラス転移をもつ、均一なフィルムを形成する。また、
このものは電子線などの高エネルギーＣ二対して高い感
応性を示すクロロメチル基を含み、四塩化炭素、四フッ
化炭素のガスプラズマに対して耐性のあるベンゼン環を
もっており、さらに酸素ガスプラズマに対して高い耐性
をもつシロキチン構造となっているので、高エネルギー
線用レジスト材料として使用することができる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例
攪拌器、還流冷却器、温度計および滴下ロートを取りつ
けた５ノの四ツロ丸底フラスコに、トリルメチルジクロ
ロシラン６１６１３モル）と塩化スルフリル６０８＃（
４，５モル）とを入れて攪拌し、ａ合してから、反応系
内を窒素ガス置換し、ついで触媒としての過酸化ベンゾ
イル０．５ｇを加えて徐々に加熱して還元状態（６５〜
７０℃）に達してから５時間反応させたのち室温まで冷
却し、内容物を別の蒸留塔に移した。
けた５ノの四ツロ丸底フラスコに、トリルメチルジクロ
ロシラン６１６１３モル）と塩化スルフリル６０８＃（
４，５モル）とを入れて攪拌し、ａ合してから、反応系
内を窒素ガス置換し、ついで触媒としての過酸化ベンゾ
イル０．５ｇを加えて徐々に加熱して還元状態（６５〜
７０℃）に達してから５時間反応させたのち室温まで冷
却し、内容物を別の蒸留塔に移した。
つぎに過剰の塩化スルフリルを常圧下で加熱留去させた
後、減圧蒸留したところ、１ ｔｌＨｇの減圧下で留出
温度９１〜９２℃の留分５２１ｇが得られた。
後、減圧蒸留したところ、１ ｔｌＨｇの減圧下で留出
温度９１〜９２℃の留分５２１ｇが得られた。
このものはガスクロマトグラフィーの分析では単一成分
であることを示し、赤外吸収スペクトルでは５ｉ−ＯＨ
，特有の強い吸収が８００停 および１，２６０ｆｉ−
’ でみられ、元素分析値およびＮＭＲが （元素分析） ＯＨＱノ ８１ 分析値（％ン ３９．８ ３．７ ４４．７ １１
．９計算値（％） ４０．１ ３．８ ４４．４
１１．７（ＮＭＲ測定：δ（ｐｐｍ））（第１図参照
）Ｊｌ、０６ （８，３Ｈ８ｌ−ＯＨ）１４．５１
（ａ、 ２Ｈ００）１０ ｉ ）富 ８ ７．３９ ＜ｄ、 ２Ｈ芳香１Ｍ＞７ ７．６３
（ｄ、 ２Ｈ芳香族ンとされるものであることから
、次式 で示される構造をもつものであることが確認された・ 応用例 ４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口νラン１４１
１．４−クロロメチルフェニルトリクロロシラン５２Ｊ
’およびメチルトリクロロシラン３０ＩＩをトリクロロ
エチレン５００Ｉｉに溶解したものを水２００ＩＩＣ入
れたフラスコ中に、攪拌しつ１５０〜７０℃で約２時間
かけて滴下したのち、トリクロロエチレン層を分離し、
中和、水洗後トリクロロエチレンを留去し、１４０〜１
５０℃で８時間重合してからキシレン１５０＃を加えた
ところ、フェニル基を５０％含有する粘度２００ｏＢの
５０％シリコーンフェス溶液が得られた。
であることを示し、赤外吸収スペクトルでは５ｉ−ＯＨ
，特有の強い吸収が８００停 および１，２６０ｆｉ−
’ でみられ、元素分析値およびＮＭＲが （元素分析） ＯＨＱノ ８１ 分析値（％ン ３９．８ ３．７ ４４．７ １１
．９計算値（％） ４０．１ ３．８ ４４．４
１１．７（ＮＭＲ測定：δ（ｐｐｍ））（第１図参照
）Ｊｌ、０６ （８，３Ｈ８ｌ−ＯＨ）１４．５１
（ａ、 ２Ｈ００）１０ ｉ ）富 ８ ７．３９ ＜ｄ、 ２Ｈ芳香１Ｍ＞７ ７．６３
（ｄ、 ２Ｈ芳香族ンとされるものであることから
、次式 で示される構造をもつものであることが確認された・ 応用例 ４−グロ口メチルフェニルメチルジクロ口νラン１４１
１．４−クロロメチルフェニルトリクロロシラン５２Ｊ
’およびメチルトリクロロシラン３０ＩＩをトリクロロ
エチレン５００Ｉｉに溶解したものを水２００ＩＩＣ入
れたフラスコ中に、攪拌しつ１５０〜７０℃で約２時間
かけて滴下したのち、トリクロロエチレン層を分離し、
中和、水洗後トリクロロエチレンを留去し、１４０〜１
５０℃で８時間重合してからキシレン１５０＃を加えた
ところ、フェニル基を５０％含有する粘度２００ｏＢの
５０％シリコーンフェス溶液が得られた。
つぎにこのようにして得たシリフーン樹脂をシリコンウ
ェーへ上に厚さ約０．５μｍになるように塗布し、１５
０℃で３０分間焼付けしたのち２０に’／の電子線照射
を行なったところ、このものは十分な感度を示した。な
お、この塗膜についてはこれを酸素、四フッ化炭素を用
いた反応性イオンでエツチングしたときのエツチング速
度を測定したところ、つぎの第１表１＝示したとおりの
結果が得られた。
ェーへ上に厚さ約０．５μｍになるように塗布し、１５
０℃で３０分間焼付けしたのち２０に’／の電子線照射
を行なったところ、このものは十分な感度を示した。な
お、この塗膜についてはこれを酸素、四フッ化炭素を用
いた反応性イオンでエツチングしたときのエツチング速
度を測定したところ、つぎの第１表１＝示したとおりの
結果が得られた。
第 １ 表
第１因は本発明の実施例で得られた４−クロロメチルフ
ェニルメｆＡ／シクａａシランのＮＭＲ分析結果を示し
たもので挑る。 特許出願人 信越化学工業株式会社 手続補正書 昭和６０年１０月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ・４゛１
、事件の表示 昭和６０年特許願第２０７１５３号 ２、発明の名称 ４−クロロメチルフェニルメチルジクロロシラン３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 、 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代
理人 ５、補正命令の日付 「自発」 １）明細書１８５頁２行の「ｏａ ５ｉＯｊＪ を［○
Ｈ，５ｉＯ１，Ｊと補正する。 ２）明細書１Ｆ！５頁８行の化学式を下記のとおりに補
正する。 「 コ 」 ３）明細薔第６頁２行の「ガラス転移」を「ガラス転移
点」と補正する。 ４）明細薔纂６頁１８行の「還元」を「還流」と補正す
る。 ５）明細Ｉ！Ｆ第７頁２行の「別の」を削除する。 ６】明細書１８７頁１６行の「（第１図参照］」を削除
する。 ７）明細書第９頁５行の ａＨ。 Ｏ！○Ｈ−Ｑｓｔ−ｃｊを ０Ｈ，」 ’ ＯＨ。 Ｏｊ ＯＨｚ −ｅ Ｓ ｉ −Ｏｊ と補正する
〇０１」 ８）明細書第９頁５行の「樹脂」を「ワニス」と補正す
る。 以上
ェニルメｆＡ／シクａａシランのＮＭＲ分析結果を示し
たもので挑る。 特許出願人 信越化学工業株式会社 手続補正書 昭和６０年１０月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ・４゛１
、事件の表示 昭和６０年特許願第２０７１５３号 ２、発明の名称 ４−クロロメチルフェニルメチルジクロロシラン３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 、 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代
理人 ５、補正命令の日付 「自発」 １）明細書１８５頁２行の「ｏａ ５ｉＯｊＪ を［○
Ｈ，５ｉＯ１，Ｊと補正する。 ２）明細書１Ｆ！５頁８行の化学式を下記のとおりに補
正する。 「 コ 」 ３）明細薔第６頁２行の「ガラス転移」を「ガラス転移
点」と補正する。 ４）明細薔纂６頁１８行の「還元」を「還流」と補正す
る。 ５）明細Ｉ！Ｆ第７頁２行の「別の」を削除する。 ６】明細書１８７頁１６行の「（第１図参照］」を削除
する。 ７）明細書第９頁５行の ａＨ。 Ｏ！○Ｈ−Ｑｓｔ−ｃｊを ０Ｈ，」 ’ ＯＨ。 Ｏｊ ＯＨｚ −ｅ Ｓ ｉ −Ｏｊ と補正する
〇０１」 ８）明細書第９頁５行の「樹脂」を「ワニス」と補正す
る。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される４−クロロメチルフェニルメチルジクロロシ
ラン
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207153A JPS6267090A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | ４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシラン |
| US06/909,101 US4659852A (en) | 1985-09-19 | 1986-09-18 | 4-chloromethylphenyl methyl dichlorosilane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207153A JPS6267090A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | ４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシラン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267090A true JPS6267090A (ja) | 1987-03-26 |
Family
ID=16535096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207153A Pending JPS6267090A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | ４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシラン |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4659852A (ja) |
| JP (1) | JPS6267090A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162560A (en) * | 1991-02-15 | 1992-11-10 | Dow Corning Corporation | Olefinic and acetylenic azasilacyclopentanes |
| DE4134977A1 (de) * | 1991-10-23 | 1993-04-29 | Huels Chemische Werke Ag | 2-methyl-3-chlorpropyl-cyclohexyldichlorsilan und verfahren zu dessen herstellung |
| US5449801A (en) * | 1993-07-14 | 1995-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Reactive distillation process for free radical halogenation |
| US7758763B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma for resist removal and facet control of underlying features |
| WO2008073906A2 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Dry photoresist stripping process and apparatus |
| WO2008073954A2 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Wet photoresist stripping process and apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2803638A (en) * | 1954-08-18 | 1957-08-20 | Gen Electric | Method for preparing chlorophenylchlorosilanes |
| DE1242615B (de) * | 1965-11-20 | 1967-06-22 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Methyl-(brommethyl)-chlorsilanen |
| GB1406356A (en) * | 1973-01-31 | 1975-09-17 | Ici Ltd | Process for producing halogenated silicon compounds |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60207153A patent/JPS6267090A/ja active Pending
-
1986
- 1986-09-18 US US06/909,101 patent/US4659852A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| H.OBSHCH.KHIM=1963 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4659852A (en) | 1987-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jang et al. | Synthesis and cationic photopolymerization of epoxy‐functional siloxane monomers and oligomers | |
| JP2902269B2 (ja) | オキセタン化合物 | |
| JPS61203122A (ja) | 硬化性組成物 | |
| JPH02115190A (ja) | 含フッ素有機ケイ素化合物 | |
| JPS6267090A (ja) | ４−クロロメチルフエニルメチルジクロロシラン | |
| JPH09183782A (ja) | 紫外線及び電子ビーム硬化性のプロペニルエーテルシリコーン系剥離組成物 | |
| JPH0291085A (ja) | ジオルガノハロゲノシランの製造方法 | |
| JPH01305094A (ja) | ω−シリルアルキニルシラン化合物およびその製造方法 | |
| JPS63101427A (ja) | アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン | |
| US4707557A (en) | 1,1-dichloro-1,2,2-trimethyl-2-phenyldisilane and method for producing the same | |
| JPS60108841A (ja) | 感光性耐熱材料 | |
| US4997899A (en) | Process for preparing organometallic high polymer | |
| Ye et al. | Synthesis and cationic photopolymerization of phenyl epoxy-silicone monomers | |
| JPS63192791A (ja) | 有機けい素化合物 | |
| US5997637A (en) | Method of producing a semiconducting material | |
| JPS6312637A (ja) | １，２，２−トリメチル−１−フエニルポリジシランおよびその製造方法 | |
| JPH026487A (ja) | ジ（ω−アルケニル）ジシラザン化合物 | |
| US2559340A (en) | Trimethylisothiocyanatosilane | |
| JPS61229886A (ja) | 有機ケイ素化合物 | |
| JPH0211589A (ja) | 含フッ素有機ケイ素化合物 | |
| JPS59213728A (ja) | シリコ−ン化合物の製造法 | |
| JPH036232A (ja) | 新規な重合体およびその用途 | |
| JPS58152891A (ja) | 新規エチニレンポリシラン系化合物およびその製造方法 | |
| JPH05247065A (ja) | 有機けい素化合物およびその製造方法 | |
| JPH0188A (ja) | ジクロロシラン類の製造方法 |