JPS6278852A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6278852A JPS6278852A JP21836285A JP21836285A JPS6278852A JP S6278852 A JPS6278852 A JP S6278852A JP 21836285 A JP21836285 A JP 21836285A JP 21836285 A JP21836285 A JP 21836285A JP S6278852 A JPS6278852 A JP S6278852A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に導電層間の
絶縁膜の形成方法に関する。
絶縁膜の形成方法に関する。
従来、導電ｆ−間に絶縁膜を形成するには、下層の導電
層表面に熱酸化法により絶縁膜を形成し、その上に上層
の導電層を形成していた。
層表面に熱酸化法により絶縁膜を形成し、その上に上層
の導電層を形成していた。
上述した従来の絶縁膜の形成方法は、工程数は少いもの
の、均一な膜厚の絶縁膜を得るのが大変難しく、特に絶
縁膜上に設け、所定形状に加工した下層の導電層の端部
の側壁で絶縁膜の膜厚が薄くなり、下地の絶縁膜と接す
る境界部分で絶縁膜の膜質が一様でないために絶縁性が
劣化する。十分な絶縁性を得るために、絶縁膜の膜厚を
厚くするには、熱酸化前の下層導電層の膜厚も厚くする
必要があり平坦性が悪くなる。また、形成され、る絶縁
膜表面は、熱酸化前の下層の導電層表面にくらべて凹凸
が増したものとなシ、後工程での加工を難しくする点が
ある。
の、均一な膜厚の絶縁膜を得るのが大変難しく、特に絶
縁膜上に設け、所定形状に加工した下層の導電層の端部
の側壁で絶縁膜の膜厚が薄くなり、下地の絶縁膜と接す
る境界部分で絶縁膜の膜質が一様でないために絶縁性が
劣化する。十分な絶縁性を得るために、絶縁膜の膜厚を
厚くするには、熱酸化前の下層導電層の膜厚も厚くする
必要があり平坦性が悪くなる。また、形成され、る絶縁
膜表面は、熱酸化前の下層の導電層表面にくらべて凹凸
が増したものとなシ、後工程での加工を難しくする点が
ある。
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜を有する半導
体基板の一主面の所定領域に第１の導電膜とその上に第
１の酸化膜と酸化阻止膜が交互に積層する多層膜を形成
する工程と、全面に多結晶シリコン膜を形成する工程と
、前記多結晶シリコン膜を酸化性雰囲気中で全てシリコ
ン酸化膜に変換すると共に前記第１の導電膜と前記シリ
コン酸化膜の界面に第１の導電膜の酸化膜からなる第２
の酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を全て
エツチング除去する工程と、前記第２の酸化膜を介して
前記第１の導電膜と電気的に絶縁する第２の導電膜を形
成する工程を含むことを特徴とする。
体基板の一主面の所定領域に第１の導電膜とその上に第
１の酸化膜と酸化阻止膜が交互に積層する多層膜を形成
する工程と、全面に多結晶シリコン膜を形成する工程と
、前記多結晶シリコン膜を酸化性雰囲気中で全てシリコ
ン酸化膜に変換すると共に前記第１の導電膜と前記シリ
コン酸化膜の界面に第１の導電膜の酸化膜からなる第２
の酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を全て
エツチング除去する工程と、前記第２の酸化膜を介して
前記第１の導電膜と電気的に絶縁する第２の導電膜を形
成する工程を含むことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の工程順縦断
面図である。シリコン酸化膜２を有するシリコン基板１
上に気相成長法によってポリシリコン膜３を堆積した後
、これにリン（Ｐ）等の不純物を含有せしめて良導電膜
とする。ポリシリコン膜３表面に熱酸化法によシシリコ
ン酸化膜４を形成し、さらにその上に気相成長法によシ
リコン９化膜５を形成する。ここで、シリコン酸化膜２
はシリコン基板１とポリシリコン膜３間を絶縁している
（第１図（ａ））。次に、シリコン窒化膜５とシリコン
酸化膜４及びポリシリコン膜３からなる３層膜の所望領
域以外の領域を写真食刻法によシエッチング除去しく第
１図（ｂ） ） 、続いて全面にポリシリコン膜６を堆
積する（第１図（Ｃ））。次に、熱酸化法によりポリシ
リコン膜６を全てシリコン酸化膜７に変え、さらに熱酸
化を継続し、ポリシリコン膜３の側面を酸化する。ポリ
シリコン膜３は含有するリンによる増速効果のためシリ
コン基板１よシ速く酸化されるが、この酸化はポリシリ
コン膜３の側面に限られ、シリコン窒化膜５で酸化が阻
止された上面には及ばない（第１図（ｄ））。次に、全
面を等方性のウェットエツチング液でエツチング除去し
てゆき、シリコン基板工に接するシリコン酸化膜２及び
７を全てエツチング除去し、ポリシリコン膜３の側面に
シリコン酸化膜７が残る状態で止める（第１図（ｅ））
。最後に、露出したシリコン基板１表面に熱酸化法によ
シシリコン酸化膜８を所望の厚さに形成した後、上層の
導電層として、気相成長法でポリシリコン膜９を堆積し
、リンを含有せしめて良導電膜とし写真食刻法により所
望領域以外の領域をエツチング除去する（第１図（ｆ）
）。
面図である。シリコン酸化膜２を有するシリコン基板１
上に気相成長法によってポリシリコン膜３を堆積した後
、これにリン（Ｐ）等の不純物を含有せしめて良導電膜
とする。ポリシリコン膜３表面に熱酸化法によシシリコ
ン酸化膜４を形成し、さらにその上に気相成長法によシ
リコン９化膜５を形成する。ここで、シリコン酸化膜２
はシリコン基板１とポリシリコン膜３間を絶縁している
（第１図（ａ））。次に、シリコン窒化膜５とシリコン
酸化膜４及びポリシリコン膜３からなる３層膜の所望領
域以外の領域を写真食刻法によシエッチング除去しく第
１図（ｂ） ） 、続いて全面にポリシリコン膜６を堆
積する（第１図（Ｃ））。次に、熱酸化法によりポリシ
リコン膜６を全てシリコン酸化膜７に変え、さらに熱酸
化を継続し、ポリシリコン膜３の側面を酸化する。ポリ
シリコン膜３は含有するリンによる増速効果のためシリ
コン基板１よシ速く酸化されるが、この酸化はポリシリ
コン膜３の側面に限られ、シリコン窒化膜５で酸化が阻
止された上面には及ばない（第１図（ｄ））。次に、全
面を等方性のウェットエツチング液でエツチング除去し
てゆき、シリコン基板工に接するシリコン酸化膜２及び
７を全てエツチング除去し、ポリシリコン膜３の側面に
シリコン酸化膜７が残る状態で止める（第１図（ｅ））
。最後に、露出したシリコン基板１表面に熱酸化法によ
シシリコン酸化膜８を所望の厚さに形成した後、上層の
導電層として、気相成長法でポリシリコン膜９を堆積し
、リンを含有せしめて良導電膜とし写真食刻法により所
望領域以外の領域をエツチング除去する（第１図（ｆ）
）。
本実施例によれば、ポリシリコン膜３の側面でシリコン
酸化膜７の膜厚が特に不均一な個所はなく、シリコン酸
化膜の膜質も一様であシ、かつポリシリコン膜３もさほ
ど酸化されないのでシリコン酸化膜７の膜厚を薄くする
ことができる。また、ポリシリコン膜６の熱酸化によシ
ボリシリコン膜３に鋭角の縁辺部や角部が残らないので
絶縁性は十分確保される。
酸化膜７の膜厚が特に不均一な個所はなく、シリコン酸
化膜の膜質も一様であシ、かつポリシリコン膜３もさほ
ど酸化されないのでシリコン酸化膜７の膜厚を薄くする
ことができる。また、ポリシリコン膜６の熱酸化によシ
ボリシリコン膜３に鋭角の縁辺部や角部が残らないので
絶縁性は十分確保される。
第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の他の実施例の工程順
縦断面図である。シリコン酸化膜２上にシリコン窒化膜
１０が積層された絶縁膜を有するシリコン基板１上に、
前記実施例と同様にしてポリシリコン膜３とシリコン酸
化膜４及びシリコン窒化膜５を形成し更に１ シリコン
窒化膜５の上に１シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜
１３を順次気相成長法によりて堆積し、この５層膜を所
定形状に加工する。この時、ポリクリコン膜３に対して
シリコン酸化膜及び窒化膜を選択的にエツチング除去す
る等方性のプラズマエツチングでまずシリコン窒化膜１
３、シリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜５及びシリコ
ン酸化膜４の６膜を順次エツチング除去した後、異方性
のプラズマエツチングでポリシリコン膜３をエツチング
除去する。次に、全面にポリシリコン膜６を堆積する（
第２図（ａ））。
縦断面図である。シリコン酸化膜２上にシリコン窒化膜
１０が積層された絶縁膜を有するシリコン基板１上に、
前記実施例と同様にしてポリシリコン膜３とシリコン酸
化膜４及びシリコン窒化膜５を形成し更に１ シリコン
窒化膜５の上に１シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜
１３を順次気相成長法によりて堆積し、この５層膜を所
定形状に加工する。この時、ポリクリコン膜３に対して
シリコン酸化膜及び窒化膜を選択的にエツチング除去す
る等方性のプラズマエツチングでまずシリコン窒化膜１
３、シリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜５及びシリコ
ン酸化膜４の６膜を順次エツチング除去した後、異方性
のプラズマエツチングでポリシリコン膜３をエツチング
除去する。次に、全面にポリシリコン膜６を堆積する（
第２図（ａ））。
次にポリシリコン膜６を熱酸化し全てシリコン酸化膜７
に変え（第２図世））、続いて、シリコン窒化膜１０上
及びシリコン窒化膜１３上のシリコン酸化膜７を等方性
のウェットエツチングで除去し、ポリシリコン膜３の側
面にのみシリコン酸化膜７を残す（第２図（Ｃ））。次
に、表面に露出しているシリコン９化膜１０及び１３と
その直下にあるシリコン酸化膜２及び１２を順次エツチ
ング除去し（第２図（ｄ） ） 、次いで熱酸化法によ
シリコン基板表面にシリコン酸化膜８を形成した後、所
定形状のポリシリコン膜９を形成する（第２図（ｅ））
。
に変え（第２図世））、続いて、シリコン窒化膜１０上
及びシリコン窒化膜１３上のシリコン酸化膜７を等方性
のウェットエツチングで除去し、ポリシリコン膜３の側
面にのみシリコン酸化膜７を残す（第２図（Ｃ））。次
に、表面に露出しているシリコン９化膜１０及び１３と
その直下にあるシリコン酸化膜２及び１２を順次エツチ
ング除去し（第２図（ｄ） ） 、次いで熱酸化法によ
シリコン基板表面にシリコン酸化膜８を形成した後、所
定形状のポリシリコン膜９を形成する（第２図（ｅ））
。
本実施列では、シリコン基板表面はシリコン窒化膜１０
で覆われているので前記実施例と異なシ酸化されない。
で覆われているので前記実施例と異なシ酸化されない。
また、シリコン窒化［１０をエツチング除去する際、ポ
リシリコン膜３の上面はシリコン窒化膜が２層あるので
、エツチング時のオーバエツチングによってポリシリコ
ン膜上面の絶縁膜が過度に除去されてしまうことが防げ
る利点がある。
リシリコン膜３の上面はシリコン窒化膜が２層あるので
、エツチング時のオーバエツチングによってポリシリコ
ン膜上面の絶縁膜が過度に除去されてしまうことが防げ
る利点がある。
以上説明したように本発明は、下層導電膜パターン側面
に接し基板全面を覆うポリシリコン膜を全てシリコン酸
化膜に変え、さらに下層導電膜パターン側面とシリコン
酸化膜の接触する界面に下層導電膜の酸化膜を形成し、
前記シリコン酸化膜は全て除去し下層導電膜の酸化膜を
介して下層導電膜と電気的に絶縁した上層導電膜を形成
する。
に接し基板全面を覆うポリシリコン膜を全てシリコン酸
化膜に変え、さらに下層導電膜パターン側面とシリコン
酸化膜の接触する界面に下層導電膜の酸化膜を形成し、
前記シリコン酸化膜は全て除去し下層導電膜の酸化膜を
介して下層導電膜と電気的に絶縁した上層導電膜を形成
する。
これＫよシ、絶縁性に優れ、素子の平坦化及び微細化に
適した絶縁膜を形成することができる。
適した絶縁膜を形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の工程順縦断
面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例の工
程順縦断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２，４，７，８，１１．
１２・・・・・・シリコン酸化膜、３，６，９・・・・
・・ポリシリコン膜、５．１０．１３・・・・・・シリ
コン窒化膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７″゛コ・−一。
面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例の工
程順縦断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２，４，７，８，１１．
１２・・・・・・シリコン酸化膜、３，６，９・・・・
・・ポリシリコン膜、５．１０．１３・・・・・・シリ
コン窒化膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７″゛コ・−一。
Claims (1)
- 絶縁膜を有する半導体基板の一主面の所定領域に第１の
導電膜とその上に第１の酸化膜と酸化阻止膜が交互に積
層する多層膜を形成する工程と、全面に多結晶シリコン
膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜を酸化性雰
囲気中で全てシリコン酸化膜に変換すると共に前記第１
の導電膜と前記シリコン酸化膜の界面に第１の導電膜の
酸化膜からなる第２の酸化膜を形成する工程と、前記シ
リコン酸化膜を全てエッチング除去する工程と、前記第
２の酸化膜を介して前記第１の導電膜と電気的に絶縁す
る第２の導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218362A JPH0799745B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218362A JPH0799745B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278852A true JPS6278852A (ja) | 1987-04-11 |
| JPH0799745B2 JPH0799745B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=16718695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60218362A Expired - Lifetime JPH0799745B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799745B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020113390A (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | 株式会社東海理化電機製作所 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694767A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS57211251A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60218362A patent/JPH0799745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694767A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS57211251A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020113390A (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | 株式会社東海理化電機製作所 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799745B2 (ja) | 1995-10-25 |
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