JPS6283400A - 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 - Google Patents
有機金属気相成長用シリンダ−の改良法Info
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- JPS6283400A JPS6283400A JP21968085A JP21968085A JPS6283400A JP S6283400 A JPS6283400 A JP S6283400A JP 21968085 A JP21968085 A JP 21968085A JP 21968085 A JP21968085 A JP 21968085A JP S6283400 A JPS6283400 A JP S6283400A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機金属気相成長（）ｌｅｔａｌ ｏｒｇａｎ
ｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ［）ｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ以下ＨＯ−ＣＶ［）という〉にあける）１０−Ｃ
ＶＤ用シリンダーの改良法に関するものでおる。
ｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ［）ｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ以下ＨＯ−ＣＶ［）という〉にあける）１０−Ｃ
ＶＤ用シリンダーの改良法に関するものでおる。
現在、半導体レーザーの製造に当り、そのより高率化の
ためにＨＯ−ＣＶＤを行うことはよく知られている。
ためにＨＯ−ＣＶＤを行うことはよく知られている。
）１０−ＣＶ［）とは、おる有機金属化合物を高温下に
あるウェーハ上にそのガスとして送り、ウェーハ上でこ
れらのガスを反応させ、この反応により生成する化合物
の単結晶薄膜を成長させることである。
あるウェーハ上にそのガスとして送り、ウェーハ上でこ
れらのガスを反応させ、この反応により生成する化合物
の単結晶薄膜を成長させることである。
更に詳しく記せばウェーハ上に例えば
（Ｃｔ−１３）３ＧａとＡＳ）−１３のガスを高温下に
あるウェーハ上で反応させ、下記反応式（ＣＨａ）ａＧ
ａ ＋ＡＳ ）−Ｌｌ −） Ｇａ Ａｓ ＋３Ｃ
Ｈ＋によりＧａ ＡＳの単結晶薄膜を成長させる方法で
ある。
あるウェーハ上で反応させ、下記反応式（ＣＨａ）ａＧ
ａ ＋ＡＳ ）−Ｌｌ −） Ｇａ Ａｓ ＋３Ｃ
Ｈ＋によりＧａ ＡＳの単結晶薄膜を成長させる方法で
ある。
その際ドーパントとして他の有機金属化合物例えば（Ｃ
）ｌａ＞３Ｚｎを用い、ｚｎをドープすることがよく行
われている。
）ｌａ＞３Ｚｎを用い、ｚｎをドープすることがよく行
われている。
第１図にＮｏ−ＣＶ［）装置の概略図を示す。即ち、ウ
ェーハ１は加熱器２により高温に加熱されているが、そ
のウェーハ１上に前述の例ではＡｓＨａはガス状である
のでシリンダーは必要としないが、（ＣＨ３） ３ Ｇ
ａ及びドーパントとしての（Ｃ）ｆａ）３２ｒｌは液体
であるのでシリンダー７の中に貯え、その中のディップ
チューブ８を通して、不活性ガス３特に）−１ｅを流量
を制御しながら吹き込み、有機金属化合物のガス体を発
生してウェーハ上に送り、化学反応させ、その単結晶薄
膜をウェーハ上に成長させる。
ェーハ１は加熱器２により高温に加熱されているが、そ
のウェーハ１上に前述の例ではＡｓＨａはガス状である
のでシリンダーは必要としないが、（ＣＨ３） ３ Ｇ
ａ及びドーパントとしての（Ｃ）ｆａ）３２ｒｌは液体
であるのでシリンダー７の中に貯え、その中のディップ
チューブ８を通して、不活性ガス３特に）−１ｅを流量
を制御しながら吹き込み、有機金属化合物のガス体を発
生してウェーハ上に送り、化学反応させ、その単結晶薄
膜をウェーハ上に成長させる。
（発明が解決しようとする問題点）
ＮＯ−ＣＶＤニ＃ （＋Ｎ Ｔ、（ＣＨａ） ３ Ｇａ
１Ａｓ ８３等主原料ガスはガス口約２００ｍ／秒と
割合大量なのに反し、ドーパントへの不活性ガスの導入
量は通常１〜２０ｒＩｉＩｌ／分というように極めて僅
少のため、ディップ・チューブよりの気泡の発生状態は
極めて悪く、そのため一定のガス流量で流すことが困難
で、その結果ドーパントの注入量が不定となり、均一な
組成の結晶の薄膜化が得られない。
１Ａｓ ８３等主原料ガスはガス口約２００ｍ／秒と
割合大量なのに反し、ドーパントへの不活性ガスの導入
量は通常１〜２０ｒＩｉＩｌ／分というように極めて僅
少のため、ディップ・チューブよりの気泡の発生状態は
極めて悪く、そのため一定のガス流量で流すことが困難
で、その結果ドーパントの注入量が不定となり、均一な
組成の結晶の薄膜化が得られない。
（問題点を解決するための手段）
そこで本発明者らは、種々検討の結果、主原料のディッ
プ・チューブには勿論であるが、特にドーパントのディ
ップ・チューブの先端にボーラスな分散器を取付けるこ
とにより良好な）１０−ＣＶＤができることが分った。
プ・チューブには勿論であるが、特にドーパントのディ
ップ・チューブの先端にボーラスな分散器を取付けるこ
とにより良好な）１０−ＣＶＤができることが分った。
（作用）
そこで、次の試験例に記す態様で、分散器としてディッ
プフィルター（ＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲヌプロフィルタ
ー）（ヌプロ カンパニイ： ４８００イースト３４５
ストリート、ウィラウクバイ、オハイ第４４０９４
製、４８００ Ｅａｓｔ ３４５ｔｈ ５ｔｒｅｅｔ
。
プフィルター（ＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲヌプロフィルタ
ー）（ヌプロ カンパニイ： ４８００イースト３４５
ストリート、ウィラウクバイ、オハイ第４４０９４
製、４８００ Ｅａｓｔ ３４５ｔｈ ５ｔｒｅｅｔ
。
Ｗｉｌｌｏｎｏｈｂｙ、０ｈｉｏ ４４０９４）Ｓ Ｓ
−２Ｆシリーズの焼結フィルター各種を取付け、分散
器からの発泡の状態を観察した。
−２Ｆシリーズの焼結フィルター各種を取付け、分散
器からの発泡の状態を観察した。
試験１゜
第２図に示す装置を使用し、ビーカー１５中に供試液１
４としてエタノール（液温度２８℃、１、Ｏｃ、ｐ、）
（室温２９℃）を入れ、分散器１３のフィルターと
して、ＮＵＰＲＯＣｏ、’ｌＳ Ｓ −２Ｆ シリーズ
の２．７．１５．６０μのものを使用し、不活性ガス９
としてＮＺ量１０ｄ／ｍｉｎでフィルターでの気泡の発
生状況を観察した。
４としてエタノール（液温度２８℃、１、Ｏｃ、ｐ、）
（室温２９℃）を入れ、分散器１３のフィルターと
して、ＮＵＰＲＯＣｏ、’ｌＳ Ｓ −２Ｆ シリーズ
の２．７．１５．６０μのものを使用し、不活性ガス９
としてＮＺ量１０ｄ／ｍｉｎでフィルターでの気泡の発
生状況を観察した。
その結果は何れのものも発泡の状態がよいことが分った
。
。
試験２゜
試験１と同様な条件で、供試液１４のみエタノールに替
えてプロパツール（液温度２８℃、１．７６ Ｃ，ｐ）
及び同波（液温度Ｏ℃、４．６ｃ、ｐ、）で同じく発泡
の状態を観察した。その結果は試験１と大体同様で発泡
の状態は極めて良好なことが分った。
えてプロパツール（液温度２８℃、１．７６ Ｃ，ｐ）
及び同波（液温度Ｏ℃、４．６ｃ、ｐ、）で同じく発泡
の状態を観察した。その結果は試験１と大体同様で発泡
の状態は極めて良好なことが分った。
かくして、フィルターの目は、圧損等を考慮して１５〜
６０μ程度がよいことが分った。試験ではＮＵＰＲＯＦ
ＩＬＴＥＲを使用したが、これに限定されることなく、
例えばプラスチックボールフィルターでもセルポールデ
ィスクでもよく、また材質的にステンレススティールと
かセラミックス製のものでも、また繊維状のものでも、
耐久性があり、はぼ均一なボーラスなものであればよく
、１〜１００μの微細なボーラスな分散器を取付け、Ｎ
ｏ−ＣＶＤさせればよいことが分った。
６０μ程度がよいことが分った。試験ではＮＵＰＲＯＦ
ＩＬＴＥＲを使用したが、これに限定されることなく、
例えばプラスチックボールフィルターでもセルポールデ
ィスクでもよく、また材質的にステンレススティールと
かセラミックス製のものでも、また繊維状のものでも、
耐久性があり、はぼ均一なボーラスなものであればよく
、１〜１００μの微細なボーラスな分散器を取付け、Ｎ
ｏ−ＣＶＤさせればよいことが分った。
またドーパントとしてはジアルキル亜鉛、ジアルキルカ
ドミウム、ジアルキルテルル等各種の有機金属化合物が
考えられている。
ドミウム、ジアルキルテルル等各種の有機金属化合物が
考えられている。
実施例１゜
基板上に主原料として（ＣＨ３） ３ ＧａとＡｓＨ３
を、ドーパントとして（ＣＩ−１３）ｚＺｎを夫々用い
てＧａ Ａｓ ＠ｃＶＤするに際し、キャリアーガスと
してＨｅを使用してドーパントへの流量を１５ｄ／ｍｉ
ｎとし、ディップ・チューブにＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲ
Ｓ Ｓ −２Ｆシリーズ ７μと６０μのものを使用し
、）ｉｏ−ＣＶＤｕたところ良好な薄膜が得られた。し
かるに該フィルターのないものでは製膜は不均一のもの
であった。
を、ドーパントとして（ＣＩ−１３）ｚＺｎを夫々用い
てＧａ Ａｓ ＠ｃＶＤするに際し、キャリアーガスと
してＨｅを使用してドーパントへの流量を１５ｄ／ｍｉ
ｎとし、ディップ・チューブにＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲ
Ｓ Ｓ −２Ｆシリーズ ７μと６０μのものを使用し
、）ｉｏ−ＣＶＤｕたところ良好な薄膜が得られた。し
かるに該フィルターのないものでは製膜は不均一のもの
であった。
第１図は）１０−ＣＶＤ装置の概略図であり、図中１・
・・ウェーハ ２・・・加熱器 ３・・・不活性ガス ４．５．６・・・有機金属化合物
７・・・シリンダー ８・・・ディップ・チューブ第２
図は本発明法で使用した装置の要部説明図であり、図中 ９・・・不活性ガス １０・・・圧力計１１・・・フロ
ーメーター １２・・・ディップ・チューブ １３・・・分散器 １４・・・供試液 １５・・・ビー
カー第１図 手続補正書輸力 昭和６０年１１月１３日 持訂庁艮官 宇ｒイ万兎ａＵＳ 殿 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第２１９６８０号２、発明の名称 有機金属気相成長用シリンダーの改良法（東曹京橋ビル
） 名 称 有限会社 東洋ストラフ７−・ケミカル明
細囚の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 １、明細書箱２頁１２行目および１９行目にｒ （ＣＨ
：ｌ） ３ ＺｎＪとアルヲｒ （ＣＨ３） ２２ｎＪ
と夫々訂正。 ２、同第３頁７行目に ｒ２００ｍｌ／秒」とあるを ｒ２００ｄ／分」と訂正。 ３、同第４頁５行目に 「ウイラウクバイ」と必るを 「【クィラウフバイ」と削正。 ４、同頁７行目に ｒＷｉｌｌｏｎｑｈｂｙ ｊと必るを ｒ Ｗ ｉ ｌ １ｏｕｃ＋ｈｂｙ ｊと訂正。
・・ウェーハ ２・・・加熱器 ３・・・不活性ガス ４．５．６・・・有機金属化合物
７・・・シリンダー ８・・・ディップ・チューブ第２
図は本発明法で使用した装置の要部説明図であり、図中 ９・・・不活性ガス １０・・・圧力計１１・・・フロ
ーメーター １２・・・ディップ・チューブ １３・・・分散器 １４・・・供試液 １５・・・ビー
カー第１図 手続補正書輸力 昭和６０年１１月１３日 持訂庁艮官 宇ｒイ万兎ａＵＳ 殿 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第２１９６８０号２、発明の名称 有機金属気相成長用シリンダーの改良法（東曹京橋ビル
） 名 称 有限会社 東洋ストラフ７−・ケミカル明
細囚の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 １、明細書箱２頁１２行目および１９行目にｒ （ＣＨ
：ｌ） ３ ＺｎＪとアルヲｒ （ＣＨ３） ２２ｎＪ
と夫々訂正。 ２、同第３頁７行目に ｒ２００ｍｌ／秒」とあるを ｒ２００ｄ／分」と訂正。 ３、同第４頁５行目に 「ウイラウクバイ」と必るを 「【クィラウフバイ」と削正。 ４、同頁７行目に ｒＷｉｌｌｏｎｑｈｂｙ ｊと必るを ｒ Ｗ ｉ ｌ １ｏｕｃ＋ｈｂｙ ｊと訂正。
Claims (1)
- （１）有機金属気相成長用シリンダーにおいて、そのド
ーパントのディップ・チューブの下部に１〜１００μの
ボーラスな分散器を取付けることを特徴とする有機金属
気相成長用シリンダーの改良法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21968085A JPS6283400A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21968085A JPS6283400A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283400A true JPS6283400A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16739289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21968085A Pending JPS6283400A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283400A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| JP2008150709A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Air Products & Chemicals Inc | 高真空、大流量バブリング容器用の撥ねよけおよび導入部拡散器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131973A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属の気化方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21968085A patent/JPS6283400A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131973A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属の気化方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5755885A (en) * | 1989-09-19 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| JP2008150709A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Air Products & Chemicals Inc | 高真空、大流量バブリング容器用の撥ねよけおよび導入部拡散器 |
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