JPS6283763A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口０発明の背景 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ１
Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺＮＯやＣｄＳを
樹脂バインダー（二分散させた感光体等が知られている
。　しかしながら、これらの感光体は、環境汚染性、熱
的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｔと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年（＝なっ
て提案されている。　　ａ−８ｔは、５ｔ−８ｉの結合
手が切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、
この欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在
準位が存在する。　このために、熱励起担体のホッピン
グ伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在
準位にトラップされて光導電性が悪くなっている。　そ
こで、上記欠陥を水素原子（６）で補償してＳｌｌニー
Ｈな結合させること（＝よって、ダングリングボンドを
埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
１：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０〜１０９Ω
−傭であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。　従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。　しかし他方では、可
視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少す
るため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有し
ている。 また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期（二亘
って大気や湿気に曝されること：：よる影響、コロナ放
電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定
性）；関して、これ迄十分な検討がなされていない。　
例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。　一方、ア
モルファス炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：Ｈと称す
る。）（二ついて、その製法や存在がフィロソフィカル
・マガジン（Ｐｈ１ｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　Ｍａｇａｚ
ｉｎｅ　Ｌ　Ｖｏｌ、３５　（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０
　　Ω−ｃｒｎ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号（：お
いて提案されている。　これによれば、ａ−８ｔ：Ｈ層
を電荷発生層とし、この受光面上に第１のａ−８ｉＣ：
Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２のａ−８
ｉＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の体について検討を加
えた結果、従来の感光体には次の如き欠点があることを
見出した。　即ち、光照射時！＝電荷輸送層（上記第２
のａ−８ｉＣＣＨ層）にまで光が到達すると、電荷輸送
＋＊−二光度光疲労じてキャリアをトラップする局在準
位が形成され、黒紙電位の変動、白紙電位の変動、残留
電位上昇の原因となるため、電荷輸送層へ光が到達しな
いよう（二電荷発生層の膜厚を大きくする必要があるが
、このように電荷発生層の膜厚が大となれば、電荷発生
層と電荷輸送層との界面の状態が電荷発生層中の光生成
キャリアの移動に大きく影響を与えることになる。　具
体的に言えば、電荷発生層自体は感度等の面から不純物
（例えばボロン）のドーピング量を少なめにしであるた
め、本来キャリア（ホール）が移動し；；＜いが、これ
に加えて電荷発生層の膜厚が大きくなれば所定位置へホ
ールが一層移動し：二くくなり、特に上記両層の界面状
態が悪いとホールの到達率が大きく減少してしまうと考
えられる。　しかも、両層間に存在する光学的エネルギ
ーギャップが大きいと、光照射時（＝光導電層内で発生
したキャリアが電荷発生層と電荷輸送層との間に存在す
るエネルギー障壁を充分に乗越えることができず、光感
度が不十分となってしまうことがある。　しかし、上記
光学的エネルギーギャップが小さくても（０，３ａＶ以
下でも）、上記した理由からホールの移動度が不充分と
なることは回避できない問題である。 これまでに提案されている感光体として、例えば実開昭
５７−２３５４３号、同５７−２３５４４号等のよう；
：、電荷発生層と電荷輸送層との間に、炭素量を連続変
化させた傾斜層を設けたものが知られている。　しかし
、実際（＝は、再現性よく組成を連続的に変化させるの
は困難であり、また量産時には、組成を再現性よく連続
的変化させることは更に困難である。　また、感光体の
表面に表面改質層を設けたものも知られているが、単層
の表面改質層の場合には、高感度と機械的強度の点で満
足のゆく性能が得られず、上記した両層の界面でのキャ
リア注入の向上や、電荷発生層−表面改質層間のバンド
ベンディング及び接着性の向上が望まれている。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、高感度化（特（＝、低電場下での裾切
れの改善）を図り、かつまた残留電位が低く、電荷発生
層−電荷輸送層間の接着性を向上させ、機械的強度な高
めて高耐久化を可能となし、かつ表面側の機械的強度を
向上させ、画像流れ、画像ボケのない高画質を得ること
ができる感光体を提供することにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、酸素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はハロゲン化シリコンからなり、かつ周期表
第ＩＩＩａ族元素がドープされた電荷輸送層と；この電
荷輸送層上に設けられ、かつアモルファス水素化及び／
又はハロゲン化シリコンからなる電荷発生層と；前記電
荷輸送層と前記電荷発生層との間に設けられ、酸素原子
を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シ
リコンからなり、かつ酸素原子の含有量が前記電荷輸送
層よりも少ない中間層（この中間層は複数の屑からなっ
ていてよい。）と；前記電荷発生層上に設けられ、かつ
炭素原子、酸素原子及び窒素原子のうちの少なくとも１
種を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化
シリコンからなる表面保護層と（望ましくは更に、前記
電荷発生層と前記表面保護層との間（−設けられ、炭素
原子、酸素原子及び窒素原子のうちの少なくとも１種を
含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリ
コンからなり、かつシリコン原子の含有量が前記表面保
護層よりも多い中間層（この中間層は複数の層からなっ
ていてよい。）と）を有する感光体に係るものである。 本発明によれば、表面保護層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１種の原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐刷性が優れたものとなる。　また、本発明−おい
ては、電荷輸送層と電荷発生層との間に中間の組成の中
間層（特（二組成が連続的に変化しないでほぼ一定の組
成の中間層）を設けているので、光照射（二より電荷発
生層中で発生したキャリアを高い注入効率で電荷輸送層
へ注入することができ、かつそうした中間層の形成を容
易にして量産性の両立を図れる。　同時に表面保護層と
電荷発生層との間にも中間層を設けると、機械的強度と
画像ボケに対して高性能の感光体を提供でき、これによ
り、高感度、高耐久性及び高画質の感光体が得られる。 　なお、ブロッキング層を更（二股ければ、高帯電能を
実現し、実用化する上でプロセス及び現像特性に負担を
かけず、かつ一層の高画質、高耐久性が可能となる。 更（二、電荷輸送層も酸素原子を含有する上（二、周期
表第１１１ａ族元素がドープされているので、電位保持
能が良好となり、かつ光キャリアの移動度も向上する。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例（二ついて詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｔ系電子写
真感光体６９を示すものである。　この感光体６９はＡ
ｔ等のドラム状導電性支持基板４１上に、Ｐ　型ブロッ
キング層４４と、電荷輸送層４２と、中間層４７と、電
荷発生層４！１と、中間層４６と、表面保護層４５とが
積層された構造からなっている。　電荷ブロッキング層
４４は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がヘ
ビードープされかつＯを含有するアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコン（ａ−３ｉＯ：Ｈ／Ｘ）か
らなっている。　電荷輸送層４２は、周期表第１ＩＩａ
族元素（例えばホウ素）がライトドープされ、かつ０を
含有するアモルファス水素化及び／又はノ１０ゲン化シ
リコン（ａ−８ｉＯ：Ｈ／Ｘ）からなっている。　中間
層４７は、電荷輸送層４２と同様のａ−８ｉＯ：Ｈ／Ｘ
からなるが、０の含有量が電荷輸送層４２よりも少なく
なっている。　電荷発生層４６は、必要あれば周期表第
１１ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされたア
モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−
８ｔ：Ｈ／Ｘ）からなっている。　中間層４６は、Ｃ，
Ｎ及びＯの少なくとも１種を含有するアモルファス水素
化及び／又はハロゲン化シリコン（ａ−ｓｔｃ：　　・
Ｈ／Ｘ、ａ−８ｉＣＯ：Ｈ／Ｘ、ａ−８ｉＮ：Ｈ／Ｘ。 ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎｏ　：　Ｈ／Ｘ又はａ−８ｉＯ：Ｈ／
Ｘ）からなるが、表面保護層４５よりもＳｔの含有量が
多くなっている。　更に、表面保護層４５は、中間層４
６と同様のａ−８ｉ　Ｃ：Ｈ／Ｘ、　ａ−８ｉ　Ｃｏ　
：Ｈ／Ｘ、　ａ−８ｉＮ：Ｈ／Ｘ、　ａ−８ｉＮｏ　：
Ｈ／Ｘ又はａ−８１０：Ｈ／Ｘからなっている。 次に上記の各層（：ついて更に詳述する。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可決なもの
である。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。　従って、帯電、光減衰の
繰返し特性が非常ζ：安定となり、長期間（例えば１力
月以上）放置しておいても良好な電位特性を再現できる
。 これに反し、ａ−８ｉ：Ｈな表面とした感光体の場合（
＝は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、
電位特性の経時変化が著しくなる。 また、層４５は表面硬度が高いため、現像、転写、クリ
ーニング等の工程（二おける耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、ｓｔ＋ｃ−ｔｏ。 ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わ
す。）としたとき１％≦〔０３６９０％、更には１０％
≦〔０３５７０％であることが望ましい。　このＣ含有
量によって比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネル
ギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び赤
外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光
はａ−８ｉ：Ｈ層（電荷発生＠）４３に到達し易くなる
。　しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。　また、Ｃ含有量が９０％を趣える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするの
がよい。 同様：：窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％≦
（Ｎ）５９０％、（更には１０％≦（Ｎ）６７０％）が
よく、０％＜

〔０〕≦７０％（更には５％≦

〔０〕≦３
０％）がよい。 また、表面層４５のＳｉ含有量は、Ｓ１＋Ｃ（又はＮ、
０）−１００％とすれば、１０〜８０％がよく、２０〜
５０％が更（二よく、２５〜４０％が最適である。 マタ、表面層４５の膜厚は４ｏｏＸ≦ｔ≦ｓｏｏ。 ＾の範囲内（特（＝４００Ｘ≦ｔ≦２０００　Ｘ）に選
択するのがよい。　即ち、その膜厚が５ｏｏｏＸを越え
る場合には、残留電位ｖ１１が高くなりすぎかつ光感度
の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体としての良好な特性を
失い易い。　また、膜厚な４００Ｘ未満とした場合（＝
は、トンネル効果によって電荷が表面上（＝帯電されな
くなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしま
う。 中間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、表面改質
層の接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。　
上記のＣ，Ｎ、０％ｓｉの含有量範囲は、中間＠４６に
も同様に適用されるが、中間層４６のＳｉ含有量は表面
層４５よりも多くなっている。　なお、この中間層は２
層以上設けることができる。 この中間層４６の膜厚は５０〜５０００Ｘとするのがよ
いが、５０００Ａを鍼えると上記したと同様の現象が生
じ易く、ｓｏＸ未満では中間層としての効果が乏しくな
る。 電荷発生＠４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化とキャリアの移動度の向上とを図
ってもよい。　その為（二は、電荷発生層を真性化して
も良い。　この場合、後述のグロー放電分解時：二（Ｂ
ｔＨａ）／（ＳｉＨ４）−０，０１〜１０容ｉ　ｐｐｍ
とするのがよく、０．０５〜５容量ｐｐｍが更（二よく
、０．０７〜３容量ｐｐｍが最適である。 また、電荷発生層は２〜１５μ溝とするのがよい。 電荷発生層４６が２μ凰未満であると光感度が充分でな
く、下層へ光が浸透し易く、また１５μ諺を越えると残
留電位が上昇し、実用上不充分である。 中間層４７は、キャリアの注入効率を高めるために設け
られるものであって、その組成としては、０．０１％≦

〔０〕≦４０％がよく、０．０１％≦（０）５２０％が
更（：よ＜、０．０１％≦（０）５１５％が最適である
。 但し、０の含有量は、電荷輸送層４２より少なく（望ま
しくは、電荷輸送層の含有量の一〜５／６）なっている
。 この中間層４７には、周期表第１１ａ族元素をライトド
ープするのがよく、例えば後述のグロー放電分解時に（
Ｂｔ山１：）／　（ｓ　ｔ　Ｈ４）　−ｏ、　１〜１０
０容量ｐｐｍとするのがよく、０．５〜５０容量ｐｐｍ
が更によく、１〜２０容量ｐｐｍが最適である。 また、中間層４７の膜厚は０．０１〜２μ屏とするのが
よいが、０．０１μ島未満だとその効果が弱く、２μ應
を越えると却って感度が低下し易くなる。 この中間層は２層以上で形成することもできる。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してもよい。　真性化の為のドープ量は
、（Ｂ　ｔＨｅ　）　ＡＢＩ　Ｈ４）　＝　０．１〜１
００容量ｐｐｍがよく、０．５〜５０容量ｐｐｍが更に
よく、１〜２０容量ｐｐｍが最適である。　電荷輸送層
の膜厚は５〜５０μ篤とするのがよく、電荷発生層４３
よりも厚くするのがよい。　また、電荷輸送層４２の組
成は、０．５％≦

〔０〕≦４０％がよく、好ましくは０
．７％≦

〔０〕≦２０％であり、０．８％≦〔０３５１
５％が最適である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため（
ユは、周期表第１Ｏａ族元素（例えばポロン）をグロー
放電分解でドープしてＰ型（更にはＰ＋型）化する。　
　ドーピング量は、例えばＣＢ、　Ｉ（、）／（Ｓｔａ
、）雪１０〜１０，０００容量ｐｐｍがよく、１００〜
５０００容量ｐｐｍが更によく、５００〜３０００容量
ｐｐｍが最適である。 また、電荷ブロッキング層４４の組成は０．５％≦〔０
〕≦４０％がよく、更（二０．７％≦

〔０〕≦２０％が
よく、０．８％≦

〔０〕≦１５％が最適である。 また、ブロッキング層４４の膜厚は０．０１〜１０μ篤
がよい。　　０．０１μ露未満であるとブロッキング効
果が弱く、また１０μ露を越えると電荷輸送能が悪くな
り易い。 なお、上記の各層は水素又はハロゲン（例えばフッ素）
を含有することが必要である。　特に。 電荷発生層４６中の水素含有量は、ダングリングボンド
を補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために
必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望ましい
。　この含有量範囲は表面改質層４５、中間層４６．４
７、ブロッキング層４４及び電荷輸送層４２も同様であ
る。　また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ
型化のためにポロン以外にもＡｔ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔ等
の周期表茅［ｌａ族元素を使用できる。 次（＝、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法
及びその装置（グロー放電装置）を第２図（二ついて説
明する。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るよう（ニなっている。 　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合
物の供給源、６６はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、
６４はＮ。 等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、６８は各
流量計である。　このグロー放電装置において、まず支
持体である例えばＡｔ基板４１の表面を清浄化した後：
二真空槽５２内；：配置し、真空槽５２内のガス圧１０
　　Ｔｏｒｒとなるよう（；調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）（；加熱保持する。　次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈ４又は
ガス状シリコン化合物、Ｎ、　、Ｏ，等を適宜真空槽５
２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．
５６ＭＨｚ　）を印加する。　これによって、上記各反
応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し
、Ｐ　型ａ−ｓｉｏ：ａ、を型ＳｌＯ：Ｈ，ｉ型ＳｉＯ
：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈ
を上記の層４４．４２．４７．４６．４６．４５として
基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して
）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するため（二は、上記したＨ
のかわりに、或いはＨと併用してハロゲン原子、例えば
フッ素をＳｉＦ４等の形で導入し、ａ−８ｉ：、Ｆ％ａ
−８ｔ　：Ｈ：Ｆ、ａ−８ＩＮ：Ｆ。 ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８１０：Ｆ、ａ−８ｉＯ：Ｈ
：Ｆ等とすることもできる。　この場合のフッ素量はｏ
、ｓ〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法Ｃ二よるもの
であるが、これ以外（：もスパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願
人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｔ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｔ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０　　
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０−５Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った
。　次いで、ＳｉＨ４とＯ，、Ｂ、Ｈ，からなる反応ガ
スを導入し、流量比１：１：１：（１，５×１０　）の
（Ａｒ＋Ｓ　ｉ　Ｈ４＋０．＋Ｂ、Ｈ６）混合ガスをグ
ロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機能を
担うＰ　型のａ−８ｉＯ：Ｈ層４４と、ａ−８ｉＯ：Ｈ
電荷輸送層（但、（ＢｔＨｓ：ｌ／Ｃ８ｉ　Ｈ４）＝１
０容ｔｐｐｍ、　（０）−１０％）４２、ａ−８ｉＯ：
Ｈ中間層（但、（Ｂｔ　Ｈａ）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ）
　＝　９　ＰＰｍ、

〔０〕−５％）４７を６μ鳳／ｈｒ
の堆積速度で順次所定厚さく：製膜した。　引き続き、
Ｏｌを供給停止し、ＳｉＨ，及びＢ、Ｈ，を放電分解し
、厚さ５μ簿のａ−３ｉ：Ｈ層（但、（ＢｚＨｅ：ｌ／
　（Ｓ　ｉ　Ｈａ）　−０，１容量ｐｐｍ）４３を形成
した。　引続いて、Ｏｌを供給してグロー放電分解し、
ａ−３ｉＯ：Ｈ中間層（但、〔Ｏ〕−２０％）４６を形
成し、更にａ−８１０：Ｈ表面保護層（但、（０）＝４
０％）４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 　比較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成を第３図にまとめた。 　そして、これらの各感光体を使用して各種のテストを
次のよう：二行なった。 Ｏテスト条件 ・Ｕ−Ｂｉｘ１６００ＭＲ（小西六写真工業社製）を以
下のように改造した機械を用いた。 １）ダイクロイックミラー（光伸光学社製）により像露
光、波長のうち６２０　ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカット。 ２）帯電極への流れ込み電流は長野愛知社製、ＴＲ−Ｎ
５型高圧電源から出力。 ・測定環境：　室温　２０℃、泪対湿変５０％。 Ｏ測定条件 ・感光層中の元素含有量の測定は、以下の条件でＡＥＳ
　（Ａｕｇｅｒ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｐｅｃｔｒｏｓ
ｃｏｐｙ　）分析を行った。 １）測定Ｐａ：パーキンエルマ社ｍ　　ＰＨＩ　φ−６
００型　ＡＥＳ分析装置。 ２）感度係数：　ＰＨＩ社オージェハンドブック記載の
値使用。 ３）測定方法：３ＫＮの加速電圧、ビーム電流０．１μ
Ａの電子ビーム照射時の オージェ電子を測定。 ３ＫＶの加速電圧、ビーム電流 ０．１２μＡのＡｒスパッタにより 膜厚方向の分布を求めた。 ・ｖｗ：　上記Ｕ−Ｂｉ：ｃ１６００ＭＲ改造機で、感
光体ドラムを１２時間暗順応後で像露光直前で感光体の
表面電位がｓｓｏ　ｖとなるようにセットし、２．７　
ｔｕｘｅｓｅｃの像露光を行った直後の感光体の表面電
位 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧ、！ｌｏＧ社製）
にて測定）。 ・帯電能：感光体流れ込み電流１５０μＡ１露光なしの
条件で３６０　ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定し
た現像直前の 表面電位。 画像ポケ：Ｘ５．５ポイント英字がつぶれて判読できな
い。 ○鮮明な細線再現性。 耐久性：×茄万コピーで傷の発生が多い。 ０２０万コピー中、傷の発生なし。 △傷の発生１〜１０ケ所。 結果を第３図にまとめて示した。　この結果から、本発
明に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。 更１：、本発明に基く感光体として、下記表（：示す如
く、表面側の中間層を２層で構成したものを作成した。 　この感光体の電子写真性能はやはり良好であった（Ｅ
ｇ、ｏｐｔは光学的エネルギーギャップ）。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものでありて、 第１図はａ−８ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は各感光
体の特性を示す表 である。 なお、図面に示された符号において、 ６９・・・・・・・・・・・・ａ−８１系感光体４１・
・・・・・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・
・・・電荷輸送層 ４６・・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・
・・・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化シリコンからなり、かつ周期表第IIIａ族元
   素がドープされた電荷輸送層と；この電荷輸送層上に設
   けられ、かつアモルファス水素化及び／又はハロゲン化
   シリコンからなる電荷発生層と；前記電荷輸送層と前記
   電荷発生層との間に設けられ、酸素原子を含有するアモ
   ルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからなり
   、かつ酸素原子の含有量が前記電荷輸送層よりも少ない
   中間層と；前記電荷発生層上に設けられ、かつ炭素原子
   、酸素原子及び窒素原子のうちの少なくとも１種を含有
   するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる表面保護層とを有する感光体。