JPS628417B2 - - Google Patents

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JPS628417B2
JPS628417B2 JP59130233A JP13023384A JPS628417B2 JP S628417 B2 JPS628417 B2 JP S628417B2 JP 59130233 A JP59130233 A JP 59130233A JP 13023384 A JP13023384 A JP 13023384A JP S628417 B2 JPS628417 B2 JP S628417B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
ruthenium
reaction
catalyst
bisphosphonium
Prior art date
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Expired
Application number
JP59130233A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6110520A (ja
Inventor
Masato Tanaka
Teruyuki Hayashi
Toshiaki Kobayashi
Toshasu Sakakura
Kojiro Kawabata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP59130233A priority Critical patent/JPS6110520A/ja
Publication of JPS6110520A publication Critical patent/JPS6110520A/ja
Publication of JPS628417B2 publication Critical patent/JPS628417B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はRu化合物の触媒存在下に合成ガスを
反応させ、含酸素化合物を製造する方法に関す
る。更に詳しくは陽電荷を分子内に2個有するビ
スホスホニウム塩添加物の存在下に当該反応を実
施することを特徴とする効率的な含酸素化合物の
製造方法に関する。 従来のエチレン、プロピレン等を原料とする石
油化学技術によらず、重質油、石炭等の多様な原
料から製造しうる合成ガスからエタノールやエチ
レングリコールを製造するいわゆるC1化学技術
は、将来の化学産業の一翼を担うものと期待さ
れ、そのための触媒開発が競つて行われている。
ルテニウム触媒を用いて合成ガスから含酸素化合
物を製造する方法は種々提案されており、ハロゲ
ン含有ホスホニウム塩類が有効な添加物であるこ
とも公知である。即ち特開昭58−29728号公報に
おいて、(C6H54PCl、(C6H53CH3PI、Et4PIの
存在下にRu触媒を用いて合成ガスを反応させ、
エタノール、エチレングリコールなどの得る方法
が開示されている。また特開昭57−82327号公報
は、トリプロピルホスフインオキシドを溶媒に用
いて、(CH34PCl・Br、又はIを添加物として加
える方法を開示している。更にJ.F.KniftonはRu
触媒−酸化炭素を水素で還元し、含酸素化合物の
酢酸エステルを得る反応に於ても、種々のホスホ
ニウム塩添加物が有効であることを報告してい
る。しかしこれらホスホニウム塩類は、添加量が
少いと活性向上効果が小さく、含酸素化合物を有
利に生成しないため、高価なホスホニウム塩を
Ruに対し大過剰に用いる必要があり、工業的に
有利な方法とは言えない。 本発明者らは、従来技術に於けるかかる欠点を
回避するため、ホスホニウム塩の構造に関し鋭意
研究の結果、前記一般式()で表わされるビス
ホスホニウム塩を添加物として使用する場合に
は、これに対応するモノホスホニウム塩に比べて
高い活性が発現されるという新規な現象を見出
し、この知見に基づき本発明を完成させるに至つ
た。即ち、本発明によればRu触媒存在下ビスホ
スホニウム塩を添加物に用いる合成ガスからの効
率的なC2−含酸素化合物の製造法が提供され
る。 本発明の方法に於て触媒として使用するRu化
合物としては、ルテニウムカルボニル誘導体又は
合成ガス加圧の反応条件下でルテニウムカルボニ
ル誘導体を形成しうるものであればいかなるもの
でも使用しうる。このようなルテニウム化合物に
は種々のルテニウム錯体、ルテニウムの無機又は
有機塩類、酸化物などが含まれる。好適なルテニ
ウム化合物としてRu3(CO)12,Ru(CO)5,Ru
(CO)3(PPh32,Ru(CO)3Cl2,Ru
(CO)3Br2,Ru(CO)3I2,Cs〔Ru(CO)3Cl3〕,
PPN〔HRu3(CO)11〕,PPN〔HRu(CO)4〕,
(1,3,5−シクロオクタトリエン)(1,5−
シクロオクタジエン)ルテニウム、RuCl2
(CO)2(PPh32,〔Ru(CO)3Cl2o,RuCl3
RuBr3,RuI3,Ru(OAc)3,Ru(acac)3,Ru
(NO33,RuO2,RuO4などを例示することがで
きる。また反応系中でルテニウムカルボニルを形
成しうる微粉末状又はコロイド状ルテニウム金属
も使用することができる。ルテニウム触媒の使用
量は溶媒10mlに対しルテニウム金属あたり10-7
1g原子、好ましくは10-5〜10-2g原子の範囲か
ら選択される。 本発明に用いる一般式()で表わされるビス
ホスホニウム塩の有機基Rには特段の制限がなく
メチル、エチル、ブチル、フエニル、ベンジル、
シクロヘキシルなどが例示される。また同一般式
()のAで示される2価の有機基は、2個のリ
ン原子間の炭素数があまりにも多いとモノホスホ
ニウム塩との比較に於て活性向上効果が小さくな
るから、炭素数がC12以下の炭化水素鎖で2個の
リン原子を結合させるものが好ましい。なお、こ
こでいう炭素鎖とは2個のリン原子を結合してい
る最短の炭素鎖をさすものである。またこの炭素
鎖には側鎖又は各種官能基が結合していても、何
ら本発明の方法の実施を妨げるものではない。好
適なビスホスホニウム塩には、例えばPh3P
(CH2oPPh3・2X(nは1≦n≦12の正の整数
を、XはCl,Br又はIを示す)、Bu3P
(CH3oPBu3・2X(n及びXは前記と同じ)、
【式】(Xは前記と同じ)、
【式】(Xは前記と同じ)など が含まれる。これらビスホスホニウム塩の使用量
は、これに含まれるリン原子とルテニウム触媒に
含まれるルテニウム原子の比P/Ruに換算して
0.5以上であり、好適範囲は1≦P/R≦100であ
る。 本発明の方法による反応は100゜〜350℃、好ま
しくは150〜300℃の温度で実施される。また合成
ガスの圧力は50〜2000気圧又はそれ以上であり、
好ましくは100〜1000気圧の範囲であり、そのガ
ス組成はH2の分圧が高いと反応活性は高まるが
メタン等の副生成物も増す傾向にあるから、活性
と選択率を統合して決定されるべきであるが、通
常CO/H2=5〜1/10の間に設定され、好適範囲
は2〜1/5である。 本発明に用いられる溶媒は、合成ガスからの含
酸素化合物合成に従来から用いられている溶媒類
を含め各種のものが好適に使用することが出来
る。これらを例示するとテトラヒドロフラン、ジ
グライム、テトラグライム等のエーテル類、酢酸
エチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル類、
ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、
N−イソプイピルピロリドン、テトラメチル尿
素、ジメチルイミダゾリジノンなどのアミド又は
尿素類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素類、トリプロピルホスフインオキシ
ド、トリブチルホスフインオキシド、ヘキサメチ
ルホスホリツクトリアミドなどのホスフインオキ
シド類、アセトニトリル、スルホラン等を挙げる
ことが出来る。 本発明によつて得られるC2−含酸素化合物に
は、エタノール、エチレングリコールなどが含ま
れ、これらは反応溶液の蒸留又は抽出など通常用
いられる方法で容易に分離することができる。 次に本発明の実施態様を、実施例によつて更に
具体的に説明する。 実施例 1 内容積40mlのハステロイC製ミクロボンベに、
Ru3(CO)12をRu原子あたり0.1mg−atom、
(C6H53P−(CH22−P(C6H53・2Brをリン原
子に換算して0.2mg−atom仕込み、N−イソプロ
ピルピロリドン10mlを溶媒に用いて、室温で
300atmの合成ガス(CO/H2=1)を圧入して
230℃で3時間反応させた結果以下の反応成績を
得た。 エタノール生成量 1.321mmol エチレングリコール生成量 0.61mmol 比較例 1 (C6H53P(n−C4H9)Brを(C6H53P−
(CH22−P(C6H53・2Brに代えて用いた以外は
実施例1と同様に反応させた場合の反応成績は エタノール生成量 0.42mmol エチレングリコール生成量 0.27mmol にすぎなかつた。 実施例 2〜 (C6H53P−(CH22−P(C6H53・2Brの代り
に種々のビスホスホニウム塩を用いて実施例1と
同様に反応させた結果を第1表に示した。
【表】 実施例 6 (C6H53P−(CH22−P(C6H53・2Brの代り
に(n−C4H93P−(CH22−P(n−C4H93
2Brを用いるほかは実施例1と同様に反応させた
ところ、エタノールが0.47mmol生成した。 比較例 2 (n−C4H94PBrを(n−C4H93P−(CH22
P(n−C4H93・2Brの代りに用いた実施例6と
同様に反応させたことろ、エタノールの生成量は
0.27mmolにすぎなかつた。 実施例 7 (C6H53P−(CH22−P(C6H53・2Brに代え
て(C6H52(CH3)P−CH2−P(CH3
(C6H52・2Brを用いたほかは実施例1と同様に
反応させたところ、エタノールとエチレングリコ
ールがそれぞれ7.3mmol及び1.1mmol生成した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Ru化合物を触媒に用いて一酸化炭素を水素
    と反応させるにあたり、一般式 () R3P−A−PR3・2X () (Rはアルキル基、シクロアルキル基、アリー
    ル基、アラルキル基からなる群から選ばれる有機
    基を示し、3個のRは互に同じでも異つていても
    よくAは分岐を有してもよいアルキレン基、シク
    ロアルキレン基、フエニレン基、アラルキレン基
    からなる群から選ばれる2価の有機基を示し、X
    はハロゲン原子を示す) で表されるビスホスホニウム塩の存在下に当該反
    応を実施することを特徴とするC2−含酸素化合
    物の製造方法。 2 一酸化炭素と水素の分圧比が1:20〜10:1
    の間にあり、全圧が100〜2000気圧であり、反応
    温度が150℃〜300℃の間である特許請求の範囲第
    1項記載の方法。 3 ビスホスホニウム塩をルテニウム触媒中のル
    テニウム量に対して0.5mol/g−atom以上の比
    で添加する特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 ビスホスホニウム塩のハロゲン原子Xが塩
    素、臭素又は沃素である特許請求の範囲第1項記
    載の方法。
JP59130233A 1984-06-25 1984-06-25 含酸素化合物の製造法 Granted JPS6110520A (ja)

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JPS6110520A JPS6110520A (ja) 1986-01-18
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