JPS6286728A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6286728A JPS6286728A JP22716385A JP22716385A JPS6286728A JP S6286728 A JPS6286728 A JP S6286728A JP 22716385 A JP22716385 A JP 22716385A JP 22716385 A JP22716385 A JP 22716385A JP S6286728 A JPS6286728 A JP S6286728A
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- Japan
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- chamber
- side wall
- sidewalls
- chamber sidewalls
- etching
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、チェンバー中でガスまたはイオンによりエ
ッチングを行なう反応性イオンエツチング装置などの半
導体製造装置に係シ、特にエツチングの際にチェンバー
側壁に付着した物質を取り除くことＫよυ、その側壁か
らウェハへの再付着を低減せしめた反応性イオンエツチ
ング装置に関するものである。
ッチングを行なう反応性イオンエツチング装置などの半
導体製造装置に係シ、特にエツチングの際にチェンバー
側壁に付着した物質を取り除くことＫよυ、その側壁か
らウェハへの再付着を低減せしめた反応性イオンエツチ
ング装置に関するものである。
従来、反応性イオンエツチング装置は、高精度微細化の
ための改良型として第２図に示す如く、チェンバー１中
に１対の電極３を対向配設した狭電極型と、第３図に示
す如く、チェンバー１中に２個の電極３を離間して対向
配設しその電極３間にフローティング電極６を介在した
３電極型があシ、これらはチェンバー１中で発生するプ
ラズマ流を加速させエツチング速度を早めるような構造
となっている。なお、第２図および第３図において、２
はチェンバー側壁、４は対向する電極３の片方に支持さ
れたウェハ、５はそれら電極３間に所定の電力を供給す
る電源である。
ための改良型として第２図に示す如く、チェンバー１中
に１対の電極３を対向配設した狭電極型と、第３図に示
す如く、チェンバー１中に２個の電極３を離間して対向
配設しその電極３間にフローティング電極６を介在した
３電極型があシ、これらはチェンバー１中で発生するプ
ラズマ流を加速させエツチング速度を早めるような構造
となっている。なお、第２図および第３図において、２
はチェンバー側壁、４は対向する電極３の片方に支持さ
れたウェハ、５はそれら電極３間に所定の電力を供給す
る電源である。
ところで、第２図および第３図に示す従来の構造では、
電極３間の距離を短くすることで、またフローティング
電極６によりプラズマ流がウェハ４に垂直に当たるよう
にし、さらにプラズマを同時に加速する構造となってい
る。したがって、プラズマ流の直線性とエネルギーが大
きくなシ、エツチング形状の高精度化、微細化、エツチ
ング速度の向上がもたらされた。
電極３間の距離を短くすることで、またフローティング
電極６によりプラズマ流がウェハ４に垂直に当たるよう
にし、さらにプラズマを同時に加速する構造となってい
る。したがって、プラズマ流の直線性とエネルギーが大
きくなシ、エツチング形状の高精度化、微細化、エツチ
ング速度の向上がもたらされた。
ところが、上述した従来の反応性イオンエツチング装置
では、エツチングされた物質が多く発生しゃすくなシ、
その結果、プラズマ流中で重合し、ウェハに再付着して
エツチング率を下げたシ、またチェンバー側壁に付着し
て汚染の原因になったシするという問題があった。
では、エツチングされた物質が多く発生しゃすくなシ、
その結果、プラズマ流中で重合し、ウェハに再付着して
エツチング率を下げたシ、またチェンバー側壁に付着し
て汚染の原因になったシするという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、チェンバー中でガスまたはイオンによりエ
ッチングを行なう際にエツチング率を向上させ、しかも
被エツチング物質による汚染を低減させることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
れたもので、チェンバー中でガスまたはイオンによりエ
ッチングを行なう際にエツチング率を向上させ、しかも
被エツチング物質による汚染を低減させることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、チェンバー中でガス
またはイオンによυエツチングを行なう反応性イオンエ
ツチング装置などの半流体製造装置において、前記チェ
ンバーの本体壁とチェンバー側壁を分離構造とし、その
側壁面を前記チェンバー本体壁に対して入れ替え可能に
構成された側壁部を備え、前記側壁部を駆動してその側
壁面を入れ替えるための駆動装置と、この駆動装置によ
り入れ替えられた前記側壁部の側壁面を洗浄するための
清浄化装置とを具備したものである。
またはイオンによυエツチングを行なう反応性イオンエ
ツチング装置などの半流体製造装置において、前記チェ
ンバーの本体壁とチェンバー側壁を分離構造とし、その
側壁面を前記チェンバー本体壁に対して入れ替え可能に
構成された側壁部を備え、前記側壁部を駆動してその側
壁面を入れ替えるための駆動装置と、この駆動装置によ
り入れ替えられた前記側壁部の側壁面を洗浄するための
清浄化装置とを具備したものである。
この発明においては、チェンバーの本体壁に対しチェン
バー側壁の側壁面を入れ替えてその側壁面を洗浄化する
機能を備えることにより、汚染されたチェンバー側壁を
洗浄し、稼動中の側壁からウェハへの再付着を防止する
とともに、プラズマ中の重合分子を吸着させやすくでき
る。これによって、重合した分子を取シ除き、エツチン
グ率の低下も防止し高精度化に寄与できる。
バー側壁の側壁面を入れ替えてその側壁面を洗浄化する
機能を備えることにより、汚染されたチェンバー側壁を
洗浄し、稼動中の側壁からウェハへの再付着を防止する
とともに、プラズマ中の重合分子を吸着させやすくでき
る。これによって、重合した分子を取シ除き、エツチン
グ率の低下も防止し高精度化に寄与できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第３図はこの発明の一実施例による反応性イオンエツチ
ング装置を示す概念図であシ、ここでは２枚の側壁を持
つ場合について示す。この実施例の反応性イオンエツチ
ング装置が上記した第２図。
ング装置を示す概念図であシ、ここでは２枚の側壁を持
つ場合について示す。この実施例の反応性イオンエツチ
ング装置が上記した第２図。
第３図の従来のものと異なる点は、チェンバー１を構成
するチェンバー本体壁１ａに対し、分離構造としかつ２
枚のチェンバー側壁２−１．２−２を入れ替可能に構成
された側壁部２１を移動側壁として設ける。そして、こ
の２枚のチェンバー側壁２−１．２−２をモータ等の回
転装置３１で回転駆動して入れ替えることにより、その
入れ替えられたチェンバー側２−１または２−２を洗浄
用プラン４１＆などからか−らなる洗浄化装置４１によ
り洗浄するように構成したことである。
するチェンバー本体壁１ａに対し、分離構造としかつ２
枚のチェンバー側壁２−１．２−２を入れ替可能に構成
された側壁部２１を移動側壁として設ける。そして、こ
の２枚のチェンバー側壁２−１．２−２をモータ等の回
転装置３１で回転駆動して入れ替えることにより、その
入れ替えられたチェンバー側２−１または２−２を洗浄
用プラン４１＆などからか−らなる洗浄化装置４１によ
り洗浄するように構成したことである。
このように構成された反応性イオンエツチング装置によ
れば、チェ／バ一本体壁 １ａに対し１枚のチェンバー
側壁２−ｓを結合させたチェンバー１中で通常のエツチ
ング処理を行った後、回転装置３１を回転駆動してもう
１枚のチェンバー側壁２−２を入れ替えると、使用済の
チェンバー側壁２−１は洗浄化装置４１内に入る。そし
て、前記チェンバー側壁２−２を用いてエツチング処理
が終わるまでに、使用済のチェンバー側壁２−１はプラ
ン４１ａ等で洗浄される。このようにして、エツチング
処理ごとに使用済の１枚のチェンバー側壁と未使用（洗
浄後も含む）のもう１枚のチェンバー側壁とを交互に入
れ替えることにより、エツチングの際、チェンバー側壁
に付着した物質を除去できるので、チェンバー側壁から
ウエノ・への再付着を低減することができる。これによ
って、エツチング率の向上や、汚染防止とともに高精度
化、デバイス損傷の防止に寄与できる。
れば、チェ／バ一本体壁 １ａに対し１枚のチェンバー
側壁２−ｓを結合させたチェンバー１中で通常のエツチ
ング処理を行った後、回転装置３１を回転駆動してもう
１枚のチェンバー側壁２−２を入れ替えると、使用済の
チェンバー側壁２−１は洗浄化装置４１内に入る。そし
て、前記チェンバー側壁２−２を用いてエツチング処理
が終わるまでに、使用済のチェンバー側壁２−１はプラ
ン４１ａ等で洗浄される。このようにして、エツチング
処理ごとに使用済の１枚のチェンバー側壁と未使用（洗
浄後も含む）のもう１枚のチェンバー側壁とを交互に入
れ替えることにより、エツチングの際、チェンバー側壁
に付着した物質を除去できるので、チェンバー側壁から
ウエノ・への再付着を低減することができる。これによ
って、エツチング率の向上や、汚染防止とともに高精度
化、デバイス損傷の防止に寄与できる。
なお、上記実施例では２枚のチェンバー側壁をもつ場合
について示したが、３枚以上のチェンバー側壁をもつ場
合、あるいはチェンバー断面積の２倍以上の面積をもつ
側壁の場合についても同様に適用できる。また、上記実
施例では反応性イオンエッチング装置について示したが
、チェンバー中でガスまたはイオンによりエッチングを
行うプラズマエツチング装置のすべてに適用できること
は勿論である。
について示したが、３枚以上のチェンバー側壁をもつ場
合、あるいはチェンバー断面積の２倍以上の面積をもつ
側壁の場合についても同様に適用できる。また、上記実
施例では反応性イオンエッチング装置について示したが
、チェンバー中でガスまたはイオンによりエッチングを
行うプラズマエツチング装置のすべてに適用できること
は勿論である。
以上のようにこの発明によれば、チェンバー側壁を入れ
替えて洗浄するように構成することにより、エツチング
の際にチェンバー側壁に付着した物質を取シ除くことが
できるので、その側壁からウェハへの再付着を低減でき
る。これによって従来の装置よシ精度の高いエツチング
が可能となシ、汚染防止とともに高精度化、デバイス損
傷の防止が図れる効果がある。
替えて洗浄するように構成することにより、エツチング
の際にチェンバー側壁に付着した物質を取シ除くことが
できるので、その側壁からウェハへの再付着を低減でき
る。これによって従来の装置よシ精度の高いエツチング
が可能となシ、汚染防止とともに高精度化、デバイス損
傷の防止が図れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による反応性イオンエツチ
ング装置の概念図、第２図は従来の狭電極製反応性イオ
ンエツチング装置の概略図、第３図は従来の３に種型反
応性イオンエツチング装置の概略図である０ １・・・・チェンバー、１ａ・・・・チェンバー本体壁
、２−１．２−２・・・・チェンバー（Ｉｎ、２１・・
・・側壁部、３１・・・・回転装置、４１・・鳴・洗浄
化装置、４１ｍ・・・・洗浄用ブランＯ
ング装置の概念図、第２図は従来の狭電極製反応性イオ
ンエツチング装置の概略図、第３図は従来の３に種型反
応性イオンエツチング装置の概略図である０ １・・・・チェンバー、１ａ・・・・チェンバー本体壁
、２−１．２−２・・・・チェンバー（Ｉｎ、２１・・
・・側壁部、３１・・・・回転装置、４１・・鳴・洗浄
化装置、４１ｍ・・・・洗浄用ブランＯ
Claims (2)
- （１）チェンバー中でガスまたはイオンによりエッチン
グを行なう反応性イオンエッチング装置などの半導体製
造装置において、前記チェンバーの本体壁とチェンバー
側壁を分離構造とし、その側壁面を前記チェンバー本体
壁に対して入れ替え可能に構成された側壁部を備え、前
記側壁部を駆動してその側壁面を入れ替えるための駆動
装置と、この駆動装置により入れ替えられた前記側壁部
の側壁面を洗浄するための清浄化装置とを具備したこと
を特徴とする半導体製造装置。 - （２）側壁部は、チェンバー側壁を２枚以上、またはチ
ェンバー断面積の２倍以上の面積をもつ側壁構造を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716385A JPS6286728A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716385A JPS6286728A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286728A true JPS6286728A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16856477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22716385A Pending JPS6286728A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727609B1 (ko) | 2005-09-12 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기물 진공 증착 장치 |
-
1985
- 1985-10-12 JP JP22716385A patent/JPS6286728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727609B1 (ko) | 2005-09-12 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기물 진공 증착 장치 |
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