JPS6291904A - 光フアイバユニツト - Google Patents

光フアイバユニツト

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JPS6291904A
JPS6291904A JP60231056A JP23105685A JPS6291904A JP S6291904 A JPS6291904 A JP S6291904A JP 60231056 A JP60231056 A JP 60231056A JP 23105685 A JP23105685 A JP 23105685A JP S6291904 A JPS6291904 A JP S6291904A
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JP
Japan
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optical fiber
tensile strength
layer
coated
urethane resin
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JP60231056A
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JPH052203B2 (ja
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Yasushi Funaki
舟木 靖
Akira Mochizuki
望月 章
Shigeru Koizumi
茂 小泉
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OCC Corp
Original Assignee
OCC Corp
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Publication date
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Publication of JPH052203B2 publication Critical patent/JPH052203B2/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光ファイバユニントにかかわり、特に、海
底光ケーブルの通信線路として有用な光ファイバユニッ
トに関するものである。
〔従来の技術〕
長距離間の通信り段として利用される海底光ケーブルは
、伝送情報を多くするために、通常、複数本の光ファイ
バをユニット化した光ファイバユニットが中心部に配置
されている。
第7図(a)は従来のかかる光ファイバユニントの断面
構造の−・例を示したもので、10は中心部に配置され
ている中心抗張力線(鋼線)で、紫外線(UV)硬化型
のウレタン系樹脂層10aで被覆されている。20a、
20b、20c。
20d 、20e 、20fは鋼線10の外周に撚られ
ている光ファイバで、この光ファイバ20a〜20fの
各々には、保護被覆として光ファイバ心線21の外周に
UV硬化ウレタン系樹脂層22゜UV硬化エポキシ系樹
脂層23.ナイロン層24で順次被覆されている(光フ
ァイバ20b〜20fについては図示を省略している)
。そして、この光ファイバ20a〜20f相互の空隙部
にはUV硬化ウレタン系樹脂からなるユニット充実材3
0が充填されている。
なお、ユニット充実材30の内層側30aは、低ヤング
率、外周側30bは高ヤング率のUV硬化ウレタン系樹
脂とされている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような光ファイバユニットは前記3層の保1;へ被
覆によって光ファイバ20a〜20fが保護されており
、光ファイバユニット全体は、充実材30によって保護
されることになるが、以下に示すような欠点もみられる
(1)光ファイ/< 20 a〜20fの製造工程にお
いて、熱硬化樹脂、あるいはUV硬化樹脂の被覆と、ナ
イロン被覆が別工程になるのでコストアップを招き、ま
た、ナイロンを被覆することによって光ファイバ20a
〜20fの径が大きくなり、その結果ユニット全体の径
も太きくなるので高密度集合に適さない。
(2)UV硬化ウレタン系の樹脂が被覆されている中心
抗張力線10の外表面に光ファイバ20a〜20fを撚
り合わせると、撚り合わせ時、あるいは後丁程の熱の影
響により抗張力線に被覆されているUV硬化ウレタン樹
脂が軟らかくなり、そのため抗張力線の外表面に撚り合
わせた光ファイバが喰い込んで光ファイバ心線にうねり
が発生し易くなり、その結果、マイクロペンドによる損
失増が起こり易い。
そこで、前記(1)、(2)の問題を改良したものとし
て第7図(b)に示すような中心抗張力線10の外表面
に撚り合わせた光ファイバ20a〜20fの2次被覆と
されているナイロン層24を省略した外径0.4mmの
光ファイバを撚り合わせた構造が提案されているが、光
ファイバの1次被覆層であるUV硬化ウレタン系樹脂ま
たはUV硬化エポキシ系樹脂と空隙部に充填するUV硬
化ウレタン系樹脂が接着するので、端末作業等でユニッ
トを解体する時に、光ファイバ同志が容易に分離されな
いという問題がある。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、伝送損失が小さく、かつ、端末作業が容易になる光
ファイバユニットを提供することを目的としてなされた
ものである。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す光ファイバユニット
の断面構造を示したもので、1は鋼線等の表面にシリコ
ンプライマ一層1aが約1gm程度の厚みで塗布されて
いる中心抗張力線、2a〜2fは前記中心抗張力線1の
外周辺に巻回されている光ファイバで、前述したように
UV硬化ウレタン系樹脂またはUV硬化エポキシ系樹脂
が被覆されているものである。
3は前記光ファイバ2a〜2fの空隙部に充填されてい
るUV硬化型のシリコン、4はUVrrg!化型のシリ
コン3を充填された光ファイバ心線集合体の外表面を被
覆する低ヤング率、例えば7 Kg/mm2のUV硬化
ウレタン樹脂からなる第1の充実層、5は同じ<UV硬
化エポキシ樹脂からなる高ヤング率、例えば40 Kg
/ mm2からなる第2の充実層である。
この発明の光ファイバユニットは上述したように従来の
光ファイ/へ(第7図)と比較して、中心抗張力線1の
表面に薄いシリコンプライマ一層la (AP−133
,APZ−6601(11本ユニカ製品))が約1gm
の厚みで塗布されており、ユニット充実材として被覆さ
れているUV硬化ウレタン系樹脂と光ファイバとの!A
#性を良くするために光ファイバに2次被覆として施さ
れていたす・fロン層24が省略されている。
したがって、光ファイバ2a〜2fの外径は約0.4m
m、中心抗張力線1の外径は0.45mmと小径となっ
ている。
中心抗張力線1と光ファイバ2a〜2fの密着力はUV
硬化型のシリコン3に依存することになるが、シリコン
プライマ一層1aが塗布されている中心抗張力線1とU
V硬化型のシリコン3との密着力は、従来のUV硬化型
ウレタン系の樹脂を用いた場合並みに高くなり、その結
果、中心抗張力線1と光ファイバ2a〜2fの間にずれ
か発生するおそれがなくなる。
なお、密着力の大きさは実験によると中心抗張力線1に
シリコンプライマ一層が被覆されている時は、約40g
/mmとなり、シリコンプライマ一層laがないときの
密着力約4g/nonに比較して1桁以−ヒ高くなって
いる。
この密着力の向りは、中心抗張力線1の表面状m、すな
わち、銅、亜鉛、錫等がメッキされているときや全くメ
、キが施されていない場合でもほぼ同一である。
また、充填材として使用されているUV硬化型の樹脂が
シリコンとされていると光ファイバの1次被覆層である
UV硬化ウレタン系樹脂またはUV硬化エポキシ系樹脂
との剥離性が良いため光ファイバ2a〜2fの口出し作
業で、1本ずつ分離し易くなり、端末作業が容易になる
さらに、第1の充実層4として低ヤング率のUV硬化型
のウレタン系樹脂のうち1〜10Kg/ma+;’のも
のを使用し、第2の充実層5として高ヤング率のUV硬
化型のウレタン系樹脂のうち30〜70 Kg/ mm
2のものを使用すると、後述する実験データに示すよう
に温度および側圧に対して伝送損失の増加がもっとも少
なくなる。
これは、−・般的には第1の低ヤング率のUV硬化樹脂
によって、温度変化による収縮9曲げ応力を緩和し、第
2の高ヤング−+lのUV硬化樹脂によって側圧による
光ファイバの伝送損失を軽減するものである。
第2図(a)、(b)は第1.および第2の充実層4.
5のヤング率E (Kg/mm2)に対して、温度およ
び側圧を変化したとき伝送損失の最大f〆1の傾向を示
すグラフで、実VjAは温度を変化(−30’〜+60
°)させたときの伝送損失の増加傾向を示し、点線Bは
温度を−・定にしたときの側圧変化によって伝送損失が
増加する傾向を示したものである。この図から理解でき
るように第1の充実層4、及び第2の充実層5はヤング
率Eが1〜10 Kg/ mm2.及び30〜70Kg
/r11c12の間で伝送損失の増加が殆どなくなる。
第3図(a)、(b)は同じく第1.第2の充実層4,
5の外径寸法DI、D;l と心線撚りLり径DOの比
PI、P2によって前記温度特性と側圧変化による伝送
損失の増加傾向を示すもので、実線Aは温度変化による
伝送損失の増加傾向を示し、点線Bは側圧の変化に対し
て伝送損失が増加する傾向を示している。
この図から、伝送損失の増加傾向は第1.第2の充実層
4,5の外径寸法にも依存していることが理解されるが
、′:51の充実層4の場合はD+ /DOが1.2〜
1.5の場合にもっとも伝送損失の増加が少なくなり、
第2の充実層5の寸法は、D2/Doが1.5〜2の範
囲で伝送損失の増加が少なくなることが判明した。
なお、第3図(a)、(b)のデータは充実層4のヤン
グ−44Eを7 Kg/ ma+2.充実層5のヤング
率Eを40 Kg/ rarrr2 としたものである
第4図はこの発明の他の実施例を示す光ファイバユニッ
トの断面構造を示L7たもので、第1図と同様に、■は
外ff1.2mmのシリコンプライマ一層1aが塗布さ
れている中心抗張力線、2a〜2見は12本撚り合わせ
た光ファイ/へで、前述したようにUV硬化型の樹脂を
被覆し、外径か略0.4mmに形成されている。3はU
V硬化型のシリコン、4.5はヤング率がそれぞれ7 
Kg/ mm2 。
40 Kg/ mad’ とされているUV硬化型樹脂
の充実層で、それぞれ、その外径が2.6n+mφ、3
.211+1φとなるようにしたものである。
なお、前記話験のために加える側圧は第5図に示すよう
に光ファイ/へユニフトPを1100r11の台板S[
二で折り返し、その6t→端に発光源LED 、おヨヒ
ハワーメータPMを接続したIL アルミ板Aの七から
20Kgステップで錘りWを0〜200Kgの範囲で加
え、伝送損失の変化を測定するようにしたものである。
また、温度特性は光ファイ/ヘユニッ)Pを恒温槽に収
納し、温度を第6図のように、−30〜60°に変化さ
せたときの伝送損失の変化を411定したもので、この
ときの伝送損失の増加は一点鎖線で示すようにきわめて
小さいものである。
〔発明の効果〕
以に説明したように、この発明の光ファイバユニントは
中心抗・玉力線にシリコンブライマーを塗71jシ、か
つUV硬化型シリコンを充填材として使用するとともに
、第1の充実層のヤング率を1〜10 Kg/ mm2
.第2の充実層のヤング率を20〜70 Kg/ mm
2 に設定することによって、マイクロベンディングが
少なく、かつ、温度、側圧の変動によっても伝送損失の
増加も少ないという効果を発揮することができる。また
、集合された光ファイバの分離が容易になるので端末に
おける「I出し作業が容易になり、側圧の影響が少ない
ため海底光ケーブルに採用したときに曲げ耐力が向上す
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の−・実施例を示す光ファイバユニッ
トの断面図、第2図(a)、(b)は第1゜第2の充実
層のヤング率と温度変化および側圧変化に対応する伝送
損失の増加傾向を示すグラフ、第3図(a)、(b)は
充実層の径と、光ファイバ集合体の撚りにかり径の比P
 、 、 P 2 と温度変化および側圧変化に対応す
る伝送損失の増加傾向を示すグラフ、第4図はこの発明
の他の実施例を示す光ファイバユニントの断面図、第5
図は側圧を変化するときの実験の概要図、第6図は温度
変化のヒートサイクルを示すグラフ、第7図(a)。 (b)はいずれも従来の光ファイバユニントを示す断面
図である。 図中、1は中心抗張力線、1aはシリコンプライマ一層
、2a〜2文は光ファイノヘ、3はU1便化型のシリコ
ン、4,5は第1.第2の充実層を示す。 第5図 第6図 (Qノ 第 ヘーDI/D。 (b) 2図 P2−02/D。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面にシリコンプライマーを塗布した中心抗張力
    線の外表面に紫外線硬化型の樹脂で被覆された複数本の
    光ファイバを撚り合わせ、前記中心抗張力線と、前記複
    数本の光ファイバとの空隙部、および複数本の光ファイ
    バ相互の空隙部に紫外線硬化型シリコン樹脂を充填して
    円形断面の光ファイバ線集合体を形成するとともに、前
    記光ファイバ線集合体の外周にヤング率が1〜10Kg
    /mm^2、および30〜70Kg/mm^2の第1、
    第2の充実層として紫外線硬化型樹脂を被覆したことを
    特徴とする光ファイバユニット。
  2. (2)前記第1、第2の充実層の外径が前記光ファイバ
    線集合体の外径に対して、それぞれ1.2〜1.5倍、
    および1.5〜2.0倍に設定されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第(1)項記載の光ファイバユニッ
    ト。
JP60231056A 1985-10-18 1985-10-18 光フアイバユニツト Granted JPS6291904A (ja)

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JP60231056A JPS6291904A (ja) 1985-10-18 1985-10-18 光フアイバユニツト

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JPS6291904A true JPS6291904A (ja) 1987-04-27
JPH052203B2 JPH052203B2 (ja) 1993-01-12

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JP (1) JPS6291904A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02126109U (ja) * 1989-03-27 1990-10-17
JPH02126110U (ja) * 1989-03-27 1990-10-17

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JPH02126109U (ja) * 1989-03-27 1990-10-17
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