JPS6310824B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6310824B2 JPS6310824B2 JP9245281A JP9245281A JPS6310824B2 JP S6310824 B2 JPS6310824 B2 JP S6310824B2 JP 9245281 A JP9245281 A JP 9245281A JP 9245281 A JP9245281 A JP 9245281A JP S6310824 B2 JPS6310824 B2 JP S6310824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- film
- chromium
- protective agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路の製造工程においてホトマ
スクのマスクパターンを加工しまたは修正するに
ついて、マスク保護剤（剥離フイルム）を用いて
パターンの加工、修正をする方法に関する。
スクのマスクパターンを加工しまたは修正するに
ついて、マスク保護剤（剥離フイルム）を用いて
パターンの加工、修正をする方法に関する。
集積回路製造工程において用いるホトマスク
は、一般に10.2cm〜12.7cm（４〜５インチ）四方
の大きさのものであるが、使用時においてマスク
にピンホールなどの傷が生じていることが見出さ
れたり、または設計変更などによつてパターンの
加工、修正が必要となる場合がある。
は、一般に10.2cm〜12.7cm（４〜５インチ）四方
の大きさのものであるが、使用時においてマスク
にピンホールなどの傷が生じていることが見出さ
れたり、または設計変更などによつてパターンの
加工、修正が必要となる場合がある。
従来、かかるパターンの加工、修正は、ホトレ
ジスト膜とマスクパターン形成用のクロムの如き
金属を用いて行われている。
ジスト膜とマスクパターン形成用のクロムの如き
金属を用いて行われている。
第１図はガラス板上に作られたマスクパターン
の一部を示す平面図である。同図において、ａは
パターンの原形、ｂ，ｃはパターンにピンホール
などの傷Ａがある場合、ｄは新たなパターンＢを
追加する場合を示している。
の一部を示す平面図である。同図において、ａは
パターンの原形、ｂ，ｃはパターンにピンホール
などの傷Ａがある場合、ｄは新たなパターンＢを
追加する場合を示している。
以下、従来技術および本発明についての説明は
ｄのマスクパターン追加の場合について行う。パ
ターン修正についても追加の場合と同じ方法でな
されるからである。
ｄのマスクパターン追加の場合について行う。パ
ターン修正についても追加の場合と同じ方法でな
されるからである。
第２図は、従来技術におけるホトマスクパター
ン追加の方法を断面図で示す。同図において、マ
スクプレートであるガラス板１上にクロム（Cr）
膜によつて作られたパターン２には新たなパター
ン３を追加するものとする。そのためにはまず、
マスクパターンの上からホトレジスト膜４を塗布
し、追加パターン部分に部分露光装置を用いて部
分露光を行い（同図ａ矢印内）、しかる後マスク
プレート（ガラス板）をアルカリ溶液に浸し、露
光部分をウエツトエツチングによつて除去する。
次にクロム膜（Cr）５を蒸着またはスパツタリ
ングによつて堆積し（同図ｂ）、しかる後、アル
カリ溶液またはアセトン溶液による処理を行い不
必要なレジスト膜およびクロム膜を除去する（リ
フトオフ）（同図ｃ）。なお、同図ｃにおける追加
マスクの膜厚の違いは光に対するマスクという点
では光を遮りさえすればよいのであるから本質的
な問題ではない。
ン追加の方法を断面図で示す。同図において、マ
スクプレートであるガラス板１上にクロム（Cr）
膜によつて作られたパターン２には新たなパター
ン３を追加するものとする。そのためにはまず、
マスクパターンの上からホトレジスト膜４を塗布
し、追加パターン部分に部分露光装置を用いて部
分露光を行い（同図ａ矢印内）、しかる後マスク
プレート（ガラス板）をアルカリ溶液に浸し、露
光部分をウエツトエツチングによつて除去する。
次にクロム膜（Cr）５を蒸着またはスパツタリ
ングによつて堆積し（同図ｂ）、しかる後、アル
カリ溶液またはアセトン溶液による処理を行い不
必要なレジスト膜およびクロム膜を除去する（リ
フトオフ）（同図ｃ）。なお、同図ｃにおける追加
マスクの膜厚の違いは光に対するマスクという点
では光を遮りさえすればよいのであるから本質的
な問題ではない。
ところで、第２図ｃの段階で次にアルカリ溶液
またはアセトン溶液中にマスクプレートを浸し、
余分なレジスト膜およびクロム膜を除去する場
合、一度溶解したクロムが再びマスクプレートに
付着してしまうことが確認されている。この付着
したクロムは、第３図の１０に示す如くマスクパ
ターンを乱し、しかも水洗などで簡単にはがれな
いという問題を持つている。このようなクロムは
プレート当り数十〜数百個存在し、このクロムを
はがすのに再びエツチングまたはイオンを用いる
処理が必要となり、集積回路製造工程に余分の時
間と労力を要することになる。
またはアセトン溶液中にマスクプレートを浸し、
余分なレジスト膜およびクロム膜を除去する場
合、一度溶解したクロムが再びマスクプレートに
付着してしまうことが確認されている。この付着
したクロムは、第３図の１０に示す如くマスクパ
ターンを乱し、しかも水洗などで簡単にはがれな
いという問題を持つている。このようなクロムは
プレート当り数十〜数百個存在し、このクロムを
はがすのに再びエツチングまたはイオンを用いる
処理が必要となり、集積回路製造工程に余分の時
間と労力を要することになる。
本発明の目的は上述したマスクパターンの加
工、修正工程におけるクロム再付着の問題を解決
するにあり、本願の発明者はかかる問題を解決す
べく、レジスト膜を使用せず、しかもクロム膜を
アルカリ溶液などで溶解する工程を必要としない
マスクパターン追加修正方法を開発した。すなわ
ち、従来技術におけるレジスト膜のかわりに酢酸
ビニルなどで構成されるストリツパーフイルム
（マスク保護剤としての剥離フイルム）を塗布し、
該剥離フイルムに対し、追加するパターン位置に
窓開けし、しかる後クロム膜を塗布する。不必要
なクロム膜の除去は剥離フイルムをはがすことに
よつて簡単に行うことができる。
工、修正工程におけるクロム再付着の問題を解決
するにあり、本願の発明者はかかる問題を解決す
べく、レジスト膜を使用せず、しかもクロム膜を
アルカリ溶液などで溶解する工程を必要としない
マスクパターン追加修正方法を開発した。すなわ
ち、従来技術におけるレジスト膜のかわりに酢酸
ビニルなどで構成されるストリツパーフイルム
（マスク保護剤としての剥離フイルム）を塗布し、
該剥離フイルムに対し、追加するパターン位置に
窓開けし、しかる後クロム膜を塗布する。不必要
なクロム膜の除去は剥離フイルムをはがすことに
よつて簡単に行うことができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第４図は、本発明の方法の実施工程におけるマ
スクプレートの要部を示す図である。同図ａにお
いて、マスクプレート（ガラス板）１上にマスク
パターンとしてクロム２が塗布されている。いま
３で示される位置にマスクパターンを追加する場
合を考える。先ず、酢酸ビニル系の材料で作られ
ている剥離フイルム（マスク保護剤）１１を100
〔μｍ〕の厚さに塗布する（同図ａ）。次に、図に
矢印で示すレーザ照射によつてパターン追加位置
に窓開けを行う。このときのレーザの照射エネル
ギーは、剥離フイルムだけが除去できる程度のも
のであれば十分であり、用いるレーザはネオジ
ム・アルゴン（Nd−Ar）レーザである。次に蒸
着またはスパツタリングでクロムを800〔Å〕の厚
さに塗布しクロム膜５を形成する（同図ｂ）。し
かる後、剥離フイルムをはがすと同図ｃのように
目的とするパターンが追加されたマスクパターン
が完成する。
スクプレートの要部を示す図である。同図ａにお
いて、マスクプレート（ガラス板）１上にマスク
パターンとしてクロム２が塗布されている。いま
３で示される位置にマスクパターンを追加する場
合を考える。先ず、酢酸ビニル系の材料で作られ
ている剥離フイルム（マスク保護剤）１１を100
〔μｍ〕の厚さに塗布する（同図ａ）。次に、図に
矢印で示すレーザ照射によつてパターン追加位置
に窓開けを行う。このときのレーザの照射エネル
ギーは、剥離フイルムだけが除去できる程度のも
のであれば十分であり、用いるレーザはネオジ
ム・アルゴン（Nd−Ar）レーザである。次に蒸
着またはスパツタリングでクロムを800〔Å〕の厚
さに塗布しクロム膜５を形成する（同図ｂ）。し
かる後、剥離フイルムをはがすと同図ｃのように
目的とするパターンが追加されたマスクパターン
が完成する。
剥離フイルムのはがれ方は次のようにして簡単
に行うことができる。すなわち同図ｂにおいて、
塗布されたクロム膜５は、その厚さが、マスクプ
レート１の端部でうすくなつている。このことを
利用して、その部分に粘着テープなどを当て、そ
れをはがすことによつて剥離フイルムも一諸には
がすことができる。しかも、クロムとガラスとの
接着性が強いため、剥離フイルムをはがす時にク
ロムのマスクパターンが同時にはがれることはな
い。その結果、同図ｃのようなマスクパターンの
追加が可能となる。また追加されたマスクパター
ン部分の上面は、剥離フイルムをはがすときに、
乱されるが光を遮るマスクとしての機能には影響
はない。
に行うことができる。すなわち同図ｂにおいて、
塗布されたクロム膜５は、その厚さが、マスクプ
レート１の端部でうすくなつている。このことを
利用して、その部分に粘着テープなどを当て、そ
れをはがすことによつて剥離フイルムも一諸には
がすことができる。しかも、クロムとガラスとの
接着性が強いため、剥離フイルムをはがす時にク
ロムのマスクパターンが同時にはがれることはな
い。その結果、同図ｃのようなマスクパターンの
追加が可能となる。また追加されたマスクパター
ン部分の上面は、剥離フイルムをはがすときに、
乱されるが光を遮るマスクとしての機能には影響
はない。
以上に説明した如く、本発明の方法によれば、
ウエツトエツチングによる従来方法のようにエツ
チング処理時にアルカリ溶液に一度溶解したクロ
ムが再びマスクプレートに付着し、それを取除く
処理をする必要もなく、マスクパターンを追加修
正することができ集積回路製造工程の効率を向上
することができる。
ウエツトエツチングによる従来方法のようにエツ
チング処理時にアルカリ溶液に一度溶解したクロ
ムが再びマスクプレートに付着し、それを取除く
処理をする必要もなく、マスクパターンを追加修
正することができ集積回路製造工程の効率を向上
することができる。
なお、以上の説明において剥離フイルムの窓開
きにはレーザ照射を行つたが、かかる窓開きはそ
の他のエネルギー線を用いても行うことができ
る。また、マスク保護剤としては酢酸ビニル系の
材料を用いたが、その他の接着性のある材料を用
いてもよい。従つて、本発明の適用範囲は上記記
載の特定の処理または材料を用いる場合に限定さ
れるものではなく、その他の処理、材料を用いる
場合にも適用可能である。
きにはレーザ照射を行つたが、かかる窓開きはそ
の他のエネルギー線を用いても行うことができ
る。また、マスク保護剤としては酢酸ビニル系の
材料を用いたが、その他の接着性のある材料を用
いてもよい。従つて、本発明の適用範囲は上記記
載の特定の処理または材料を用いる場合に限定さ
れるものではなく、その他の処理、材料を用いる
場合にも適用可能である。
第１図はマスクプレート上のマスクパターンを
示す平面図、第２図は従来方法におけるマスクパ
ターン追加修正工程におけるマスクプレート要部
の断面図、第３図はマスクプレート上にクロムの
破片が付着した状態を示す断面図、第４図は本発
明の方法におけるマスクパターン追加修正の順を
追つた工程におけるマスク要部の断面図である。 １……マスクプレート（ガラス板）、２……ク
ロム膜、３……マスクパターン追加位置、３′…
…追加クロム膜、４……レジスト膜、５……クロ
ム膜、１０……付着クロム膜、１１……フイル
ム。
示す平面図、第２図は従来方法におけるマスクパ
ターン追加修正工程におけるマスクプレート要部
の断面図、第３図はマスクプレート上にクロムの
破片が付着した状態を示す断面図、第４図は本発
明の方法におけるマスクパターン追加修正の順を
追つた工程におけるマスク要部の断面図である。 １……マスクプレート（ガラス板）、２……ク
ロム膜、３……マスクパターン追加位置、３′…
…追加クロム膜、４……レジスト膜、５……クロ
ム膜、１０……付着クロム膜、１１……フイル
ム。
Claims (1)
- １ 集積回路製造工程におけるホトマスクのマス
クパターンを加工しまたは修正する方法におい
て、該パターンの形成されたマスクプレート上に
酢酸ビニルなどで構成されるマスク保護剤（接着
剤）を塗布する工程、該マスク保護剤のパターン
修正位置に相当する部分をエネルギー線加工によ
り窓開きする工程、保護剤上にクロム（Cr）を
蒸着またはスパツタリングなどで塗布し、しかる
後、マスク保護剤をマスクプレート表面よりはが
す工程から成ることを特徴とするパターン加工
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245281A JPS57207337A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Pattern machining method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245281A JPS57207337A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Pattern machining method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57207337A JPS57207337A (en) | 1982-12-20 |
| JPS6310824B2 true JPS6310824B2 (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=14054786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245281A Granted JPS57207337A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Pattern machining method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57207337A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2877838B2 (ja) * | 1989-06-06 | 1999-04-05 | 大日本印刷株式会社 | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 |
-
1981
- 1981-06-16 JP JP9245281A patent/JPS57207337A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57207337A (en) | 1982-12-20 |
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