JPS63119210A - 非晶質磁性膜および磁気ヘツド - Google Patents
非晶質磁性膜および磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63119210A JPS63119210A JP26372186A JP26372186A JPS63119210A JP S63119210 A JPS63119210 A JP S63119210A JP 26372186 A JP26372186 A JP 26372186A JP 26372186 A JP26372186 A JP 26372186A JP S63119210 A JPS63119210 A JP S63119210A
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- JP
- Japan
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- film
- amorphous
- magnetic
- metal base
- alloy
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- Pending
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録に適する磁気ヘッド磁極に用
いる磁性膜に係り、特に高飽和磁束密度高結晶化温度、
低磁歪定数の特性を有する非晶質残性膜およびそれを用
いた磁気ヘッドに関する。
いる磁性膜に係り、特に高飽和磁束密度高結晶化温度、
低磁歪定数の特性を有する非晶質残性膜およびそれを用
いた磁気ヘッドに関する。
磁気記録の高密度化、高性能化の進展は近年著しく、Ｖ
ＴＲの分野では、記録密度向上のために高保磁力テープ
が使用されるようになり、これに信号を十分に記録再生
するために高飽和磁束密度で高性能の磁性材料を用いた
磁気ヘッドの要求が高まっている。また、計算機ディス
ク用などに用いられる薄膜ヘッドにおいては、記録の高
密度化に伴って、分解能を向上するために磁極を薄膜化
する必要があり、薄い磁極先端では磁気飽和が起こりや
すく、なるために高飽和磁束密度の磁性膜を用いた薄膜
磁気ヘッドが必要となっている。さらに近年研究が盛ん
になりつつある垂直磁気記録用単磁極型ヘッドにおいて
も記録密度向上のためには主磁極厚みを極端に薄くする
必要があるため、上述と同様に磁極先端で磁気飽和が起
こりやすく、これを解決するために高飽和磁束密度で高
性能の磁性膜を用いた垂直磁気記録用単磁極型ヘッドが
必要となっている。
ＴＲの分野では、記録密度向上のために高保磁力テープ
が使用されるようになり、これに信号を十分に記録再生
するために高飽和磁束密度で高性能の磁性材料を用いた
磁気ヘッドの要求が高まっている。また、計算機ディス
ク用などに用いられる薄膜ヘッドにおいては、記録の高
密度化に伴って、分解能を向上するために磁極を薄膜化
する必要があり、薄い磁極先端では磁気飽和が起こりや
すく、なるために高飽和磁束密度の磁性膜を用いた薄膜
磁気ヘッドが必要となっている。さらに近年研究が盛ん
になりつつある垂直磁気記録用単磁極型ヘッドにおいて
も記録密度向上のためには主磁極厚みを極端に薄くする
必要があるため、上述と同様に磁極先端で磁気飽和が起
こりやすく、これを解決するために高飽和磁束密度で高
性能の磁性膜を用いた垂直磁気記録用単磁極型ヘッドが
必要となっている。
これらの磁気ヘッド用の磁性膜として、従来主にＮ ｉ
−Ｆ ｅ系合金膜（パーマロイ膜）が用いられてきた
が、近年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質
合金スパッタ膜が開発されつつある。この中でも特にＺ
ｒから成る非晶質合金はガラス化元素がＢ、Ｓｉ、○、
Ｐなどのメタロイド元素からなる非晶質合金に比較して
、耐熱性、耐食性に優れており、磁気ヘッド用磁性膜と
して優れた特性を有している。Ｚｒ系非晶質合金は具体
的にはＭａＴ＋、 Ｚ ｒ Ｃの組成式で表わされる。
−Ｆ ｅ系合金膜（パーマロイ膜）が用いられてきた
が、近年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質
合金スパッタ膜が開発されつつある。この中でも特にＺ
ｒから成る非晶質合金はガラス化元素がＢ、Ｓｉ、○、
Ｐなどのメタロイド元素からなる非晶質合金に比較して
、耐熱性、耐食性に優れており、磁気ヘッド用磁性膜と
して優れた特性を有している。Ｚｒ系非晶質合金は具体
的にはＭａＴ＋、 Ｚ ｒ Ｃの組成式で表わされる。
ここでＭは磁気モーメントを有するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉな
との少くとも一種であり、ＴはＭおよびＺｒ以外の遷移
金属元素である。このようなガラス化元素が主にＺｒ以
外の遷移金属元素である。このようなガラス化元素が主
にＺｒから成る非晶質合金については特開昭５５−１３
８０４９号明細書ならびに特開昭５６−８４４３９号明
細書等に述べられている。
との少くとも一種であり、ＴはＭおよびＺｒ以外の遷移
金属元素である。このようなガラス化元素が主にＺｒ以
外の遷移金属元素である。このようなガラス化元素が主
にＺｒから成る非晶質合金については特開昭５５−１３
８０４９号明細書ならびに特開昭５６−８４４３９号明
細書等に述べられている。
これらのＺｒ系非晶質合金の中でもＭがＣｏから成るＣ
ｏ −Ｚ ｒ系非晶質合金は、飽和磁束密度が高く、
優れた磁性材料である。しかし、この非晶質合金の磁歪
定数は、２〜４Ｘ１０ Ｂと比較的大きな値を示すため
、添加元素Ｔとして、非晶質合金の磁歪定数に負の寄与
を与えるＶ、Ｎｂ。
ｏ −Ｚ ｒ系非晶質合金は、飽和磁束密度が高く、
優れた磁性材料である。しかし、この非晶質合金の磁歪
定数は、２〜４Ｘ１０ Ｂと比較的大きな値を示すため
、添加元素Ｔとして、非晶質合金の磁歪定数に負の寄与
を与えるＶ、Ｎｂ。
Ｔ ａ ＋ Ｃｒ ｔ Ｍ ｏ ＋ Ｗなどの元素を用
いることにより磁歪定数がほぼ零の非晶質合金が得られ
る。
いることにより磁歪定数がほぼ零の非晶質合金が得られ
る。
ところが、これらの元素は、Ｚｒに比べて非晶質形成能
が小さいため、Ｃｏ −Ｚ ｒ系非晶質合金のＺｒと置
換していくと、結晶化温度が下がり、熱的安定性が低下
する。また、結晶化非晶質化境界が低Ｃｏ濃度に移動し
、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度が減少する
という問題点があった。
が小さいため、Ｃｏ −Ｚ ｒ系非晶質合金のＺｒと置
換していくと、結晶化温度が下がり、熱的安定性が低下
する。また、結晶化非晶質化境界が低Ｃｏ濃度に移動し
、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度が減少する
という問題点があった。
本発明の目的は、かかる問題を解決し、高い飽和磁束密
度を有し、熱的安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非
晶質合金膜およびそれを用いた磁気ヘッドを得ることに
ある。
度を有し、熱的安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非
晶質合金膜およびそれを用いた磁気ヘッドを得ることに
ある。
上記目的は、第１図に示すようにＣｏ系非晶質合金膜３
と基板１との間に金属下地膜２を設けることにより達成
される。金属下地膜２としては、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ
、Ｍｏのいずれか一種の単金属、または二種以上の合金
からなることが望ましい。また、化学式がＣｏａＺ ｒ
ｂＴｃ （Ｔ＝ Ｚ ｒ ｔＴａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ・
・・）で与えられる非晶質膜では、化学安定性の点から
、金属下地膜は、Ｃ。
と基板１との間に金属下地膜２を設けることにより達成
される。金属下地膜２としては、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ
、Ｍｏのいずれか一種の単金属、または二種以上の合金
からなることが望ましい。また、化学式がＣｏａＺ ｒ
ｂＴｃ （Ｔ＝ Ｚ ｒ ｔＴａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ・
・・）で与えられる非晶質膜では、化学安定性の点から
、金属下地膜は、Ｃ。
系非晶質合金のＣｏ以外の添加元素のうち少なくとも一
種の単金属、または二種以上の合金から構成されている
ことが望ましい。その中で最も望ましいのは、Ｃｏ系合
金の非晶質形成能が最も高いＺｒである。
種の単金属、または二種以上の合金から構成されている
ことが望ましい。その中で最も望ましいのは、Ｃｏ系合
金の非晶質形成能が最も高いＺｒである。
金属下地膜２の膜厚は、３０Å以上であれば良い。しか
し金属下地膜２は非磁性であるため、金属下地膜の膜厚
を厚くすると、磁性膜３の総磁束密度は小さくなる。そ
こで金属下地膜の膜厚は、３０Å以上、５００Å以下が
望ましい。
し金属下地膜２は非磁性であるため、金属下地膜の膜厚
を厚くすると、磁性膜３の総磁束密度は小さくなる。そ
こで金属下地膜の膜厚は、３０Å以上、５００Å以下が
望ましい。
ここで金属下地膜は、その上に形成する磁性膜の非晶質
化を、促進する。すなわち、非晶膜形成時に、金属下地
膜を構成する金属原子が非晶質膜中を拡散し合金化して
、基板との界面近傍に、結晶化温度の高い層を形成する
。この新しく形成された層が、非晶質膜の結晶化を抑制
しているものと思われる。したがって、金属下地膜とし
ては、Ｃｏ金属を非晶質化し、結晶化温度の比較的高い
合金を形成できるような元素が望ましい。以上のことか
ら、Ｃｏ系非晶質合金の場合は、金属下地膜を設けるこ
とで、非晶質領域が高Ｃｏ濃度側まで拡がり、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度が増大する。また、こ
の飽和磁束密度の高い非晶質残性膜を磁気コアに用いた
磁気ヘッドは。
化を、促進する。すなわち、非晶膜形成時に、金属下地
膜を構成する金属原子が非晶質膜中を拡散し合金化して
、基板との界面近傍に、結晶化温度の高い層を形成する
。この新しく形成された層が、非晶質膜の結晶化を抑制
しているものと思われる。したがって、金属下地膜とし
ては、Ｃｏ金属を非晶質化し、結晶化温度の比較的高い
合金を形成できるような元素が望ましい。以上のことか
ら、Ｃｏ系非晶質合金の場合は、金属下地膜を設けるこ
とで、非晶質領域が高Ｃｏ濃度側まで拡がり、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度が増大する。また、こ
の飽和磁束密度の高い非晶質残性膜を磁気コアに用いた
磁気ヘッドは。
磁気コア先端に大きな磁場を発生できるため、記録特性
が優れている。
が優れている。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
第２図に、金属下地膜を設けずに厚さ１μｍのＣｏ −
Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜を形成した場合の特性図を示
す。Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ系合金膜は高周波２極スパツタ装
置によって３７０５９ （米国コーニング社商品名）ガ
ラス基板上に作製した。Ｃｏ−Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金
膜が非晶質状態であるか否かは、Ｘ線回折パターン、比
抵抗、保磁力で確認した。
Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜を形成した場合の特性図を示
す。Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ系合金膜は高周波２極スパツタ装
置によって３７０５９ （米国コーニング社商品名）ガ
ラス基板上に作製した。Ｃｏ−Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金
膜が非晶質状態であるか否かは、Ｘ線回折パターン、比
抵抗、保磁力で確認した。
すなわち、Ｘ線回折パターンにピークがです、比抵抗が
０．３μΩｍ以上、保磁力が１０ｅ 以下の時、そのＣ
ｏ Ｔ ａ Ｚ ｒ系合金膜は非晶質状態であるとした
。非晶質領域は、Ｇ ｏ −Ｔ ａ系でＣｏ組成が８５
ａｔ％まで、Ｃｏ−Ｚｒ系でＣｏ組成が９４ ａ、ｔ％
までと、Ｚｒ組成が増えるにしたがって高Ｃｏ濃度側に
拡っている。磁歪はほぼＴａとＺｒの組成の比で決まっ
ており、Ｔａ ： Ｚｒ＝＝５：３の時にＯとなってい
る。飽和磁束密度Ｂｓは、Ｃｏ組成によって決まってお
り、Ｃｏ組成が大きい程高い飽和磁束密度Ｂｓが得られ
る。ヘッド材料として望ましい磁歪がＯでは、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂｓは１．４７である
。
０．３μΩｍ以上、保磁力が１０ｅ 以下の時、そのＣ
ｏ Ｔ ａ Ｚ ｒ系合金膜は非晶質状態であるとした
。非晶質領域は、Ｇ ｏ −Ｔ ａ系でＣｏ組成が８５
ａｔ％まで、Ｃｏ−Ｚｒ系でＣｏ組成が９４ ａ、ｔ％
までと、Ｚｒ組成が増えるにしたがって高Ｃｏ濃度側に
拡っている。磁歪はほぼＴａとＺｒの組成の比で決まっ
ており、Ｔａ ： Ｚｒ＝＝５：３の時にＯとなってい
る。飽和磁束密度Ｂｓは、Ｃｏ組成によって決まってお
り、Ｃｏ組成が大きい程高い飽和磁束密度Ｂｓが得られ
る。ヘッド材料として望ましい磁歪がＯでは、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂｓは１．４７である
。
第３図には、Ｚｒの金属下地膜を膜厚３０人形成した後
、Ｇ ｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜を膜厚１μｍ形
成した時の特性図を示す。磁歪、飽和磁束密度Ｂｓの組
成依存性は、金属下地膜を設けていない場合と変わらな
いが、非晶質領域は高Ｃｏ濃度側まで拡がり、磁歪がＯ
で非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂｓは、１
．６Ｔとなった。
、Ｇ ｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜を膜厚１μｍ形
成した時の特性図を示す。磁歪、飽和磁束密度Ｂｓの組
成依存性は、金属下地膜を設けていない場合と変わらな
いが、非晶質領域は高Ｃｏ濃度側まで拡がり、磁歪がＯ
で非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂｓは、１
．６Ｔとなった。
これは、金属下地膜を設けていない場合よりも０．２Ｔ
大きくなっている。また、同一組成で結晶化温度を比較
した場合、金属下地膜を設けた時の方が２０℃高くなり
、熱安定性に優れていた。
大きくなっている。また、同一組成で結晶化温度を比較
した場合、金属下地膜を設けた時の方が２０℃高くなり
、熱安定性に優れていた。
第４図に、磁歪が０のＧ ｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合
金膜において非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度
（以下最大飽和磁束密度と称す）と、金属下地膜の膜厚
との関係を示している。金属下地膜はＺｒである最大飽
和磁束密度は、金属下地膜の膜厚が厚くなると大きくな
るが、膜厚が３０Å以上では飽和する。
金膜において非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度
（以下最大飽和磁束密度と称す）と、金属下地膜の膜厚
との関係を示している。金属下地膜はＺｒである最大飽
和磁束密度は、金属下地膜の膜厚が厚くなると大きくな
るが、膜厚が３０Å以上では飽和する。
実施例２
第１表に、金属下地膜とＣｏ系合金膜の組み合せを種々
変えた場合に、Ｃｏ系合金膜の磁歪が零の時、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度と、金属下地膜を設け
ることによる結晶化温度の増加分を示している。いずれ
の膜も高周波２極スパツタ装置によって３７０５９ （
米国コーニング社商品名）ガラス基板上に作成した。金
属下地膜の膜厚は３０人、Ｃｏ系合金膜の膜厚は１μｍ
とした。いずれの組み合せでも、金属下地膜を設けるこ
とによって、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度
は増加し、結晶化温度も高くなり熱安定性が増している
。また、金属下地膜がＣｏ系合金膜のＣｏ以外の添加元
素の少くとも１つと一致する方が、金属下地膜を設ける
ことによる飽和磁束密度、結晶化温度の増加分が大きい
。なかでも、Ｚｒの金属下地膜の時に、最も効果が大き
い。
変えた場合に、Ｃｏ系合金膜の磁歪が零の時、非晶質状
態で得られる最大の飽和磁束密度と、金属下地膜を設け
ることによる結晶化温度の増加分を示している。いずれ
の膜も高周波２極スパツタ装置によって３７０５９ （
米国コーニング社商品名）ガラス基板上に作成した。金
属下地膜の膜厚は３０人、Ｃｏ系合金膜の膜厚は１μｍ
とした。いずれの組み合せでも、金属下地膜を設けるこ
とによって、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度
は増加し、結晶化温度も高くなり熱安定性が増している
。また、金属下地膜がＣｏ系合金膜のＣｏ以外の添加元
素の少くとも１つと一致する方が、金属下地膜を設ける
ことによる飽和磁束密度、結晶化温度の増加分が大きい
。なかでも、Ｚｒの金属下地膜の時に、最も効果が大き
い。
第１表
実施例３
次に、金属下地膜として膜厚が３０人のＺｒを用い、Ｃ
ｏ系合金磁性膜として飽和磁束密度Ｂｓ＝１．５Ｔ の
Ｃｏｘ２Ｔａ５Ｚｒｓ合金膜を用いた非晶質残性膜を磁
極とする第５図に示す如き断面構造を有する薄膜磁気ヘ
ッドを薄膜形成加工技術によって作製した。この薄膜ヘ
ッドは、Ａｆ１２０５゜Ｔ ｉ Ｃ，Ａ Ｑ２０８ある
いはＺｒＯ２などからなる非磁性基板１１、金属下地膜
を設けた非晶質残性膜ノ下部磁極１２、Ａ Ｑ ｘｏ８
＋ Ｓ ｉ Ｃ２などからなるギャップ層１４、Ｃｕ、
ＡΩなどからなる導体コイル１６、ポリイミド系樹脂、
５ｉＯｚなどからなる絶縁層１５、金属下地膜を設けた
非晶質残性膜からなる上部磁極１３によって構成されて
いる。
ｏ系合金磁性膜として飽和磁束密度Ｂｓ＝１．５Ｔ の
Ｃｏｘ２Ｔａ５Ｚｒｓ合金膜を用いた非晶質残性膜を磁
極とする第５図に示す如き断面構造を有する薄膜磁気ヘ
ッドを薄膜形成加工技術によって作製した。この薄膜ヘ
ッドは、Ａｆ１２０５゜Ｔ ｉ Ｃ，Ａ Ｑ２０８ある
いはＺｒＯ２などからなる非磁性基板１１、金属下地膜
を設けた非晶質残性膜ノ下部磁極１２、Ａ Ｑ ｘｏ８
＋ Ｓ ｉ Ｃ２などからなるギャップ層１４、Ｃｕ、
ＡΩなどからなる導体コイル１６、ポリイミド系樹脂、
５ｉＯｚなどからなる絶縁層１５、金属下地膜を設けた
非晶質残性膜からなる上部磁極１３によって構成されて
いる。
この第５図に示す構造の薄膜磁気ヘッドと、金属下地膜
のない磁極をもつ薄膜磁気ヘッドとを作製して、再生出
力を比べたところ、金属下地膜の有る本発明の薄膜磁気
ヘッドの再生出方は、金属下地膜が無い場合に比べて、
約１０倍大きがった。
のない磁極をもつ薄膜磁気ヘッドとを作製して、再生出
力を比べたところ、金属下地膜の有る本発明の薄膜磁気
ヘッドの再生出方は、金属下地膜が無い場合に比べて、
約１０倍大きがった。
このことは、Ｃｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜の飽和
磁束密度が１゜５Ｔの場合、金属下地膜が有る膜では、
非晶質状態で軟磁気特性が優れているのに対し、金属下
地膜が無い膜では、結晶質状態で軟磁気特性が極めて悪
いためである。
磁束密度が１゜５Ｔの場合、金属下地膜が有る膜では、
非晶質状態で軟磁気特性が優れているのに対し、金属下
地膜が無い膜では、結晶質状態で軟磁気特性が極めて悪
いためである。
本発明によれば、高い飽和磁束密度を有し、結晶化温度
が高く熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶質合
金膜が得られ、それを用いることで、高飽和磁束密度で
軟磁気特性の優れた磁極をもつ磁気ヘッドが得られる。
が高く熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶質合
金膜が得られ、それを用いることで、高飽和磁束密度で
軟磁気特性の優れた磁極をもつ磁気ヘッドが得られる。
第１図は本発明の金属下地膜を設けた非晶質残性膜の断
面図、第２図は、金属下地膜を設けない場合のＧ ｏ
−Ｔ ａ −Ｚ ｒ合金膜の特性図、第３図は、金属下
地膜を設けた場合のＣｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ合金膜の
特性図、第４図は、Ｃｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜
において、金属下地膜の膜厚と、非晶状態で得られる最
大の飽和磁束密度との関係を示す図、第５図は、本発明
の金属下地膜を設けた非晶質残性膜を磁極に用いた薄膜
磁気ヘッドを示す断面図である。
面図、第２図は、金属下地膜を設けない場合のＧ ｏ
−Ｔ ａ −Ｚ ｒ合金膜の特性図、第３図は、金属下
地膜を設けた場合のＣｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ合金膜の
特性図、第４図は、Ｃｏ −Ｔ ａ −Ｚ ｒ系合金膜
において、金属下地膜の膜厚と、非晶状態で得られる最
大の飽和磁束密度との関係を示す図、第５図は、本発明
の金属下地膜を設けた非晶質残性膜を磁極に用いた薄膜
磁気ヘッドを示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃｏを主成分とするＣｏ系非晶質合金膜において、
基板との間に金属下地膜を設けることを特徴とする非晶
質磁性膜。 ２、前記金属下地膜がＺｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ単金
属、または二種以上の合金からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の非晶質磁性膜。 ３、前記金属下地膜が、その上に形成する前記Ｃｏ系非
晶質合金膜のＣｏを除く添加元素の少くとも１種からな
る金属または２種以上の合金からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第２項記載の非晶質磁性膜
。 ４、前記金属下地膜が、Ｚｒであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第３項記載の非晶質磁性膜。 ５、前記金属下地膜の膜厚が３０Å以上５００Å以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４
項記載の非晶質磁性膜。 ６、Ｃｏを主成分とするＣｏ系非晶質合金膜において、
基板との間に金属下地膜を設けた非晶質残性膜を磁極と
して有することを特徴とする磁気ヘッド。 ７、前記金属下地膜がＺｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏの単
金属、または二種以上の合金からなることを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372186A JPS63119210A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 非晶質磁性膜および磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372186A JPS63119210A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 非晶質磁性膜および磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119210A true JPS63119210A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17393385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26372186A Pending JPS63119210A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 非晶質磁性膜および磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203308A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Nec Home Electron Ltd | 磁性薄膜積層体 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26372186A patent/JPS63119210A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203308A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Nec Home Electron Ltd | 磁性薄膜積層体 |
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