JPS63177404A - 積層非晶質磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツド - Google Patents
積層非晶質磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツドInfo
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- JPS63177404A JPS63177404A JP802287A JP802287A JPS63177404A JP S63177404 A JPS63177404 A JP S63177404A JP 802287 A JP802287 A JP 802287A JP 802287 A JP802287 A JP 802287A JP S63177404 A JPS63177404 A JP S63177404A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高密度磁気記録に適する磁気ヘッド磁極に用い
る磁性膜に係シ、特に高飽和磁束密度。
る磁性膜に係シ、特に高飽和磁束密度。
高結晶化温度、低磁歪定数の特性を有する積層非晶質磁
性膜およびそれを用いた磁気ヘッドに関する。
性膜およびそれを用いた磁気ヘッドに関する。
磁気記録の高密度化、高性能化の進展は近年著しく、Ｖ
ＴＲの分野では、記録密度向上のために高保磁力テープ
が使用されるようになり、これに信号を十分に記録再生
するために高飽和磁束密度で高性能の磁性材料を用いた
磁気ヘッドの要求が高まっている。また、計算機ディス
ク用などに用いられる薄膜ヘッドにおいては、記録の高
密度化に伴って、分解能を向上するために磁極を薄膜化
する必要があシ、薄い磁極先端で磁気飽和が起こ９やす
く、このため高飽和磁束密度の磁性膜を用いた薄膜磁気
ヘッドが必要となっている。さらに、近年研究が盛んに
なυつつある垂直磁気記録用単磁極形ヘッドにおいても
記録密度向上のためには主磁極厚みを極端に薄くする必
要があるため、上述と同様に磁極先端で磁気飽和が起こ
りやすく、これを解決するために高飽和磁束密度で高性
能の磁性膜を用いた垂直磁気記録用単磁極型ヘッドが必
要となっている。
ＴＲの分野では、記録密度向上のために高保磁力テープ
が使用されるようになり、これに信号を十分に記録再生
するために高飽和磁束密度で高性能の磁性材料を用いた
磁気ヘッドの要求が高まっている。また、計算機ディス
ク用などに用いられる薄膜ヘッドにおいては、記録の高
密度化に伴って、分解能を向上するために磁極を薄膜化
する必要があシ、薄い磁極先端で磁気飽和が起こ９やす
く、このため高飽和磁束密度の磁性膜を用いた薄膜磁気
ヘッドが必要となっている。さらに、近年研究が盛んに
なυつつある垂直磁気記録用単磁極形ヘッドにおいても
記録密度向上のためには主磁極厚みを極端に薄くする必
要があるため、上述と同様に磁極先端で磁気飽和が起こ
りやすく、これを解決するために高飽和磁束密度で高性
能の磁性膜を用いた垂直磁気記録用単磁極型ヘッドが必
要となっている。
これらの磁気ヘッド用の磁性膜として、従来主にＮ１−
ｐｅ系合金膜（パーマロイ膜）が用いられて来たが、近
年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質合金ス
バンタ膜が開発されつつある。この中でも特にガラス化
元素が主に７．ｒから成る非晶質合金は、ガラス化元素
がＢ、 Ｓ ｉ、 Ｐなどのメタロイド元素からなる非
晶質合金に比較して、耐熱性、耐食性に優れておシ、磁
気ヘッド用磁性膜として優れた特性を有している。Ｚｒ
系非晶質合金は具体的にはＭａＴｂＺｒの組成式で表わ
される。ここでＭは磁気モーメントを有するＣｏ、 Ｆ
ｅ、 Ｎｉなどの少なくとも一種であシ、ＴはＭおよび
Ｚｒ以外の遷移金属元素である。このようなガラス化元
素が主に７．ｒから成る非晶質合金については特開昭５
５−１３８０４９号明細書ならびに特開昭５６−８４４
３９号明細書等に述べられている。これらのＺｒ系非晶
質合金の中でもＭがＣｏから成るｃ ｏ −ｚ ｒ系非
晶質合金は、飽和磁束密度が高く、優れた磁性材料であ
る。しかし、この非晶質合金の磁歪定数は、２〜４Ｘ１
０−’と比較的大きな値を示すため、添加元素Ｔとして
、非晶質合金の磁歪定数に負の寄与を与える、Ｖ。
ｐｅ系合金膜（パーマロイ膜）が用いられて来たが、近
年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質合金ス
バンタ膜が開発されつつある。この中でも特にガラス化
元素が主に７．ｒから成る非晶質合金は、ガラス化元素
がＢ、 Ｓ ｉ、 Ｐなどのメタロイド元素からなる非
晶質合金に比較して、耐熱性、耐食性に優れておシ、磁
気ヘッド用磁性膜として優れた特性を有している。Ｚｒ
系非晶質合金は具体的にはＭａＴｂＺｒの組成式で表わ
される。ここでＭは磁気モーメントを有するＣｏ、 Ｆ
ｅ、 Ｎｉなどの少なくとも一種であシ、ＴはＭおよび
Ｚｒ以外の遷移金属元素である。このようなガラス化元
素が主に７．ｒから成る非晶質合金については特開昭５
５−１３８０４９号明細書ならびに特開昭５６−８４４
３９号明細書等に述べられている。これらのＺｒ系非晶
質合金の中でもＭがＣｏから成るｃ ｏ −ｚ ｒ系非
晶質合金は、飽和磁束密度が高く、優れた磁性材料であ
る。しかし、この非晶質合金の磁歪定数は、２〜４Ｘ１
０−’と比較的大きな値を示すため、添加元素Ｔとして
、非晶質合金の磁歪定数に負の寄与を与える、Ｖ。
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの元素を用いることに
よシ磁歪定数がほぼ零の非晶質合金が得られる。ところ
が、これらの元素はｔＺｒに比べて非晶質形成能が小さ
いため、Ｃｏ−７，ｒ系非晶質合金のＺｒと置換してい
くと、結晶化温度は低下し、結晶化非結晶化境界が低Ｃ
ｏ＠度に移動し、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束
密度が減少するという問題点があった。
よシ磁歪定数がほぼ零の非晶質合金が得られる。ところ
が、これらの元素はｔＺｒに比べて非晶質形成能が小さ
いため、Ｃｏ−７，ｒ系非晶質合金のＺｒと置換してい
くと、結晶化温度は低下し、結晶化非結晶化境界が低Ｃ
ｏ＠度に移動し、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束
密度が減少するという問題点があった。
本発明の目的は、かかる問題を解決し、高い飽和磁束密
度を有し、熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶
質合金膜およびそれを用いた磁気ヘッドを得ることにあ
る。
度を有し、熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶
質合金膜およびそれを用いた磁気ヘッドを得ることにあ
る。
上記目的は、下記の構成をもつ積層非晶質磁性体膜を形
成することにより達成される。すなわち、第１図に示す
ように、基板１上の第１の非晶質膜を下地膜２とし、第
２の非晶質膜を主磁性膜３とした積層非晶質膜において
、第１の非晶質膜２の結晶化温度ＴＸＩが第２の非晶質
膜３の結晶化温度ＴＸ２よりも大きいとした。
成することにより達成される。すなわち、第１図に示す
ように、基板１上の第１の非晶質膜を下地膜２とし、第
２の非晶質膜を主磁性膜３とした積層非晶質膜において
、第１の非晶質膜２の結晶化温度ＴＸＩが第２の非晶質
膜３の結晶化温度ＴＸ２よりも大きいとした。
第２の非晶質膜３としては、Ｆｅ系非晶質膜、Ｃｏ系非
晶質膜のどちらでもよいが、Ｃｏ系非晶質膜の方が、よ
り効果が大きい。
晶質膜のどちらでもよいが、Ｃｏ系非晶質膜の方が、よ
り効果が大きい。
また、第１の非晶質膜２としては、非磁性膜、あるいは
、第２の非晶質膜３と異種の元素を含む強磁性膜でもよ
い。しかし、第１の非晶質膜３と、第２の非晶質膜３と
の密着性、化学安定性の観点から第１と第２の非晶質膜
は、同一の元素によって構成されることが望ましい。
、第２の非晶質膜３と異種の元素を含む強磁性膜でもよ
い。しかし、第１の非晶質膜３と、第２の非晶質膜３と
の密着性、化学安定性の観点から第１と第２の非晶質膜
は、同一の元素によって構成されることが望ましい。
また、第１の非晶質膜の膜厚は、３０Å以上あれば艮い
。しかし、第１の非晶質膜は、非磁性か、あるいは一般
に第２の非晶質膜よりも飽和磁束密度が小さい強磁性材
料である。したがって、第１の非晶質膜の膜厚を厚くす
ると、積層非晶質膜の総磁束密度は小さくなるので、第
１の非晶質膜の膜厚は、３０人〜５００人が適当である
。
。しかし、第１の非晶質膜は、非磁性か、あるいは一般
に第２の非晶質膜よりも飽和磁束密度が小さい強磁性材
料である。したがって、第１の非晶質膜の膜厚を厚くす
ると、積層非晶質膜の総磁束密度は小さくなるので、第
１の非晶質膜の膜厚は、３０人〜５００人が適当である
。
ここで、下地に設ける非晶質膜は、その上に形成する膜
の非晶質化を促進する作用をするものと考えられる。そ
れによって、下地に何も設けない場合には結晶化する膜
でも非晶質化できると考えられる。したがって、Ｃｏ系
非晶質合金の場合は。
の非晶質化を促進する作用をするものと考えられる。そ
れによって、下地に何も設けない場合には結晶化する膜
でも非晶質化できると考えられる。したがって、Ｃｏ系
非晶質合金の場合は。
非晶質の下地を設けることで、非晶質領域を高Ｃｏ濃度
側まで拡げることができ、非晶質状態で得られる最大の
飽和磁束密度が増大する。また、この飽和磁束密度の高
い積層非晶質磁性膜を磁気コアに用いた磁気ヘッドは、
磁気コア先端に大きな磁場を発生できるため、記録特性
が優れている。
側まで拡げることができ、非晶質状態で得られる最大の
飽和磁束密度が増大する。また、この飽和磁束密度の高
い積層非晶質磁性膜を磁気コアに用いた磁気ヘッドは、
磁気コア先端に大きな磁場を発生できるため、記録特性
が優れている。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第２図に、下地膜を設けずに厚さ１μｍのＣ０−Ｔａ−
’ｌ、ｒ系非晶質膜を形成した場合のＣｏＴａ Ｚ ｒ
系合金膜の特性図を示す。Ｃ０ＴａＺｒ系非晶質膜は高
周波２極スパツタ装置によってす７０５９ （米国コー
ニング社商品名）ガラス基板上に作製した。
’ｌ、ｒ系非晶質膜を形成した場合のＣｏＴａ Ｚ ｒ
系合金膜の特性図を示す。Ｃ０ＴａＺｒ系非晶質膜は高
周波２極スパツタ装置によってす７０５９ （米国コー
ニング社商品名）ガラス基板上に作製した。
Ｃｏ−’ｉ’ａ−７．ｒ膜が非晶質状態であるか否かは
、Ｘ線回折パターン、比抵抗、保磁力で確認した。
、Ｘ線回折パターン、比抵抗、保磁力で確認した。
すなわち、Ｘ線回折パターンにピークがです、比抵抗が
０．３μΩｍ以上、保磁力が１０ｅ以下の時、そのＣ０
ＴａＺｒ膜は非晶質状態であるとした。非晶質領域は、
Ｃｏ−’ｐａ系でＣｏ組成が９５ａｔ％まで、Ｃｏ−２
ｒ系でＣｏ組成が９４ａｔ％までと。
０．３μΩｍ以上、保磁力が１０ｅ以下の時、そのＣ０
ＴａＺｒ膜は非晶質状態であるとした。非晶質領域は、
Ｃｏ−’ｐａ系でＣｏ組成が９５ａｔ％まで、Ｃｏ−２
ｒ系でＣｏ組成が９４ａｔ％までと。
Ｚｒ組成が増えるにしたがって高Ｃｏ濃度側に拡ってい
る。磁歪はほぼＴａとｚｒの組成の比で決まっておシ＊
Ｔ ａ ： Ｚ ｒ ” ５ ： ３の時にＯとなっ
ている。飽和磁束密度Ｂｓは、Ｃｏ組成によって決まっ
ておシ、Ｃｏ組成が大きい６ｉ高い飽和磁束密度Ｂ８が
得られる。ヘッド材料として望ましい磁歪がＯでは、非
晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂ８は１．４’
ｌ’である。
る。磁歪はほぼＴａとｚｒの組成の比で決まっておシ＊
Ｔ ａ ： Ｚ ｒ ” ５ ： ３の時にＯとなっ
ている。飽和磁束密度Ｂｓは、Ｃｏ組成によって決まっ
ておシ、Ｃｏ組成が大きい６ｉ高い飽和磁束密度Ｂ８が
得られる。ヘッド材料として望ましい磁歪がＯでは、非
晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度Ｂ８は１．４’
ｌ’である。
第３図には、下地膜としてＣ０５ｓＴａａＺｒ７（ａｔ
％）の非晶質合金″ｆ：膜厚３０人形成した後、ｅｏＴ
ａＺｒ系非晶質甘金を膜厚せμｍ形成した時のｃｏ’ｆ
ａ７．ｒ系合金膜の特性図を示す。磁歪、飽和磁束密度
Ｂｓの組成依存性は、下地非晶質膜を設けていない場合
と変わらないが、非晶質領域は高Ｃｏ濃度側１で拡が９
、磁歪が０で非晶質状態で得らｎる最大の飽和磁束密度
Ｂｓは、１．６Ｔとなった。これは、下地膜を設けてい
ない場合よりも０．２Ｔ犬きくなっている。また同一組
成で結晶化温度を比較した場合、下地非晶質膜を設けた
時の方が２０Ｃ高くなシ、熱安定性に優れていた。
％）の非晶質合金″ｆ：膜厚３０人形成した後、ｅｏＴ
ａＺｒ系非晶質甘金を膜厚せμｍ形成した時のｃｏ’ｆ
ａ７．ｒ系合金膜の特性図を示す。磁歪、飽和磁束密度
Ｂｓの組成依存性は、下地非晶質膜を設けていない場合
と変わらないが、非晶質領域は高Ｃｏ濃度側１で拡が９
、磁歪が０で非晶質状態で得らｎる最大の飽和磁束密度
Ｂｓは、１．６Ｔとなった。これは、下地膜を設けてい
ない場合よりも０．２Ｔ犬きくなっている。また同一組
成で結晶化温度を比較した場合、下地非晶質膜を設けた
時の方が２０Ｃ高くなシ、熱安定性に優れていた。
第４図に、磁歪が０ＯＣｏＴａＺｒ系合金膜において、
非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度（以下最大飽
和磁束密度と称す）と、下地非晶質膜の膜厚との関係を
示している。下地非晶質膜の組成は、Ｃｏ ｇ５ Ｔａ
ｓ Ｚｒ７ （ａｔ％）であシ、結晶化温度は５５０Ｃ
％飽和磁束密度ＢｓはＩＴである。最大の飽和磁束密度
は、下地膜の膜厚が厚くなると大きくなるが膜厚が３０
Å以上では、飽和する。
非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度（以下最大飽
和磁束密度と称す）と、下地非晶質膜の膜厚との関係を
示している。下地非晶質膜の組成は、Ｃｏ ｇ５ Ｔａ
ｓ Ｚｒ７ （ａｔ％）であシ、結晶化温度は５５０Ｃ
％飽和磁束密度ＢｓはＩＴである。最大の飽和磁束密度
は、下地膜の膜厚が厚くなると大きくなるが膜厚が３０
Å以上では、飽和する。
第５図に、磁歪が０のＣ０ＴａＺｒ系合金膜において、
非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度と、下地非晶
質膜の結晶化温度Ｔｘとの関係を示す。下地非晶質膜の
膜厚は３０Ａである。下地非晶質膜の結晶化温度が高い
程最大飽和磁束密度は大きいが、下地非晶質膜の結晶化
温度が５５０Ｃ以上になると、飽和する。
非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度と、下地非晶
質膜の結晶化温度Ｔｘとの関係を示す。下地非晶質膜の
膜厚は３０Ａである。下地非晶質膜の結晶化温度が高い
程最大飽和磁束密度は大きいが、下地非晶質膜の結晶化
温度が５５０Ｃ以上になると、飽和する。
第１表に、第１の非晶質膜（下地膜）と第２の非晶質膜
（主磁性膜）の組み合Ｖせを種々変えた場合に、主磁性
膜の磁歪が零の時、非晶質状態で得られる最大の飽和磁
束密度と、下地を設けることによる結晶化温度の増加分
を示している。いずれの膜も高周波２極スパツタ装置に
よってす７０５９（米国コーニング社商品名）ガラス基
板上に作製した。下地膜の膜厚は３０人、主磁性膜の膜
厚は１μｍとした。いずれの組み合わせでも、下地膜を
設けることによって非晶質状態で得られる最大の飽和磁
束密度は増加し、結晶化温度も高くなり熱安定性が増し
ている。また下地膜と主磁性膜の構成元素が同一の方が
、下地を設けることによる飽和磁束密度、結晶化温度の
増加分が大きい。
（主磁性膜）の組み合Ｖせを種々変えた場合に、主磁性
膜の磁歪が零の時、非晶質状態で得られる最大の飽和磁
束密度と、下地を設けることによる結晶化温度の増加分
を示している。いずれの膜も高周波２極スパツタ装置に
よってす７０５９（米国コーニング社商品名）ガラス基
板上に作製した。下地膜の膜厚は３０人、主磁性膜の膜
厚は１μｍとした。いずれの組み合わせでも、下地膜を
設けることによって非晶質状態で得られる最大の飽和磁
束密度は増加し、結晶化温度も高くなり熱安定性が増し
ている。また下地膜と主磁性膜の構成元素が同一の方が
、下地を設けることによる飽和磁束密度、結晶化温度の
増加分が大きい。
次に、下地非晶質膜として膜厚が３０人のＣｏ５５ Ｔ
ａ ｓ Ｚｒ ｓ （ａ ｔ ％） 非晶５Ｋｋ用イ、
主磁性膜としてＢｇ＝１．５ＴのＣｏ ｇ２ ’ｆ’ａ
５ Ｚｒ３合金膜を用いた積層非晶質磁性膜を磁極と
する第６図に示す断面構造の薄膜磁気ヘッドを公知の薄
膜形成加工技術によって作製した。この薄膜ヘッドは、
Ａｔ ｚ Ｏｓ Ｔ ｉＣ、Ａｔｚ ＯｓあるいはＺ
ｒ ０２などからなる非磁性基板１、積層非晶質磁性膜
の下部磁極４ 、Ａｔｚ０３．５ｉＯｚなどからなるギ
ャップ層５、Ｃｕ、Ａｔｅどからなる導体コイル８、ポ
リイミド系樹脂、５ｉＯｚなどからなる絶縁層６、積層
非晶質膜からなる上部磁極７によって構成されている。
ａ ｓ Ｚｒ ｓ （ａ ｔ ％） 非晶５Ｋｋ用イ、
主磁性膜としてＢｇ＝１．５ＴのＣｏ ｇ２ ’ｆ’ａ
５ Ｚｒ３合金膜を用いた積層非晶質磁性膜を磁極と
する第６図に示す断面構造の薄膜磁気ヘッドを公知の薄
膜形成加工技術によって作製した。この薄膜ヘッドは、
Ａｔ ｚ Ｏｓ Ｔ ｉＣ、Ａｔｚ ＯｓあるいはＺ
ｒ ０２などからなる非磁性基板１、積層非晶質磁性膜
の下部磁極４ 、Ａｔｚ０３．５ｉＯｚなどからなるギ
ャップ層５、Ｃｕ、Ａｔｅどからなる導体コイル８、ポ
リイミド系樹脂、５ｉＯｚなどからなる絶縁層６、積層
非晶質膜からなる上部磁極７によって構成されている。
この第６図に示す構造の薄膜磁気ヘッドと、下地層のな
い薄膜磁気ヘッドとを作製して、再生出力を調べた。下
地膜の有る薄膜磁気ヘッドの再生出力は、下地が無い場
合に比べて、約１０倍太きかった。このことは、以下の
原因によると考える。つまり、主磁性膜の飽和磁束密度
が１．５Ｔの場合、下地の有る主磁性膜は非晶質状態で
軟磁気特性が優れているのに対し、下地の無い主磁性膜
は結晶質状態で軟磁気特性が極めて悪いためである。
い薄膜磁気ヘッドとを作製して、再生出力を調べた。下
地膜の有る薄膜磁気ヘッドの再生出力は、下地が無い場
合に比べて、約１０倍太きかった。このことは、以下の
原因によると考える。つまり、主磁性膜の飽和磁束密度
が１．５Ｔの場合、下地の有る主磁性膜は非晶質状態で
軟磁気特性が優れているのに対し、下地の無い主磁性膜
は結晶質状態で軟磁気特性が極めて悪いためである。
本発明によれば、高い飽和磁束密度を有し、結晶化温度
が高く熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶質合
金膜が得られ、それを用いることで、高飽和磁束密度で
軟磁気特性の優れた磁極をもつ磁気ヘッドが得られる。
が高く熱安定性にすぐれ、磁歪定数がほぼ零の非晶質合
金膜が得られ、それを用いることで、高飽和磁束密度で
軟磁気特性の優れた磁極をもつ磁気ヘッドが得られる。
第１図は本発明の積層非晶質磁性体膜の断面図１第２図
は非晶質下地膜を設けない場合のＣｏ′ｒａｚｒ合金膜
の特性図、第３図は非晶質下地膜を設けた場合のＣ０Ｔ
ａＺｒ合金膜の特性図、第４図はｃｏ’ｆａ７．ｒ系合
金膜において下地非晶質膜の膜厚と、非晶質状態で得ら
れる最大の飽和磁束密度との関係を示す図、第５図はＣ
０ＴａＺｒ系合金膜において、下地非晶質膜の結晶化益
度と、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度との関
係を示す図、第６図は本発明の積層非晶質磁性膜を磁極
に用いた薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。 ’ｆ、 ｒ Ｏ Ｚ ６ 図 ７１Ｌ橘梯基沃 第 ４ 図 Ｏ２０ｄθ ６θ ３θ 非５Ｌ￥２５全Ｉ）生ガ更っ１促し々４（Ａ）第 ５
図
は非晶質下地膜を設けない場合のＣｏ′ｒａｚｒ合金膜
の特性図、第３図は非晶質下地膜を設けた場合のＣ０Ｔ
ａＺｒ合金膜の特性図、第４図はｃｏ’ｆａ７．ｒ系合
金膜において下地非晶質膜の膜厚と、非晶質状態で得ら
れる最大の飽和磁束密度との関係を示す図、第５図はＣ
０ＴａＺｒ系合金膜において、下地非晶質膜の結晶化益
度と、非晶質状態で得られる最大の飽和磁束密度との関
係を示す図、第６図は本発明の積層非晶質磁性膜を磁極
に用いた薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。 ’ｆ、 ｒ Ｏ Ｚ ６ 図 ７１Ｌ橘梯基沃 第 ４ 図 Ｏ２０ｄθ ６θ ３θ 非５Ｌ￥２５全Ｉ）生ガ更っ１促し々４（Ａ）第 ５
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の非晶質膜を下地膜とし、第２の非晶質膜を主
磁性膜とした複合非晶質膜において、第１の非晶質膜の
結晶化温度Ｔ＿ｘ＿１が第２の非晶質膜の結晶化温度Ｔ
＿ｘ＿２よりも大きいことを特徴とする積層非晶質磁性
膜。 ２、前記第２の非晶質膜がＣｏを主成分とする膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層非晶
質磁性膜。 ３、前記第１の非晶質膜と第２の非晶質膜の主成分が、
同一の元素によつて構成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第２項記載の積層非晶質磁性
膜。 ４、前記第１の非晶質膜の膜厚が３０Å以上５００Å以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項記載の積層非晶質磁性膜。 ５、前記第１の非晶質膜の結晶化温度が、５５０℃以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
４項記載の積層非晶質磁性膜。 ６、第１の非晶質膜を下地膜とし、第２の非晶質膜を主
磁性膜とした複合非晶質膜を用いた磁気ヘッドにおいて
、第１の非晶質膜の結晶化温度Ｔ＿ｘ＿１が第２の非晶
質膜の結晶化温度Ｔ＿ｘ＿２よりも大きいことを特徴と
する積層非晶質磁性膜を用いた磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP802287A JPS63177404A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 積層非晶質磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP802287A JPS63177404A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 積層非晶質磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177404A true JPS63177404A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11681709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP802287A Pending JPS63177404A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 積層非晶質磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177404A (ja) |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP802287A patent/JPS63177404A/ja active Pending
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