JPS63144547A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63144547A JPS63144547A JP29382186A JP29382186A JPS63144547A JP S63144547 A JPS63144547 A JP S63144547A JP 29382186 A JP29382186 A JP 29382186A JP 29382186 A JP29382186 A JP 29382186A JP S63144547 A JPS63144547 A JP S63144547A
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- silicon substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にアルミニウ
ム配線の形成方法に関する。
ム配線の形成方法に関する。
従来半導体装置のアルミニウム配線の形成方法としては
、主に真空蒸着法が用いられている。
、主に真空蒸着法が用いられている。
第３図は、アルミニウム配線を真空蒸着法で形成した場
合の一例の断面図である。
合の一例の断面図である。
シリコン基板２１上に熱酸化により酸化膜２３を形成し
、コンタクト穴を形成する。その後不純物拡散層２２を
形成する。し゛かる後配線金属であるアルミニウム２５
を真空蒸着法により被覆させパターニングしてアルミニ
ウム配線を形成する。
、コンタクト穴を形成する。その後不純物拡散層２２を
形成する。し゛かる後配線金属であるアルミニウム２５
を真空蒸着法により被覆させパターニングしてアルミニ
ウム配線を形成する。
上述した従来のアルミニウム配線の形成方法では、蒸着
時コンタクト穴の段差によるシャドウィング効果により
、コンタクト穴内部のステップカバリッジが悪化し、段
部のアルミニウム膜が薄く形成されはなはだしい場合に
は、断線を引き起すという欠点がある。
時コンタクト穴の段差によるシャドウィング効果により
、コンタクト穴内部のステップカバリッジが悪化し、段
部のアルミニウム膜が薄く形成されはなはだしい場合に
は、断線を引き起すという欠点がある。
本発明の目的は断線の発生しないアルミニウム配線を有
する半導体装置の製造方法を提供することにある。
する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置上に形成
された絶縁膜上にアルミニウム配線を形成する半導体装
置の製造方法であって、前記アルミニウム配線は、液状
のアルミニウムを半導体ウェハ上に滴下し、半導体ウェ
ハを回転させて平坦なアルミニウム膜を形成したのちこ
のアルミニウム膜をパターニングして形成するものであ
る。
された絶縁膜上にアルミニウム配線を形成する半導体装
置の製造方法であって、前記アルミニウム配線は、液状
のアルミニウムを半導体ウェハ上に滴下し、半導体ウェ
ハを回転させて平坦なアルミニウム膜を形成したのちこ
のアルミニウム膜をパターニングして形成するものであ
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板（ウェハ
）１上に酸化膜を形成したのち、この酸化膜３にコンタ
クト穴を設け、不純物を導入してシリコン基板１表面に
不純物拡散層２を設ける。
）１上に酸化膜を形成したのち、この酸化膜３にコンタ
クト穴を設け、不純物を導入してシリコン基板１表面に
不純物拡散層２を設ける。
続いてコンタクト穴部にパリアルメタルである窒化チタ
ン膜４を形成する。
ン膜４を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように約７００℃に加熱された
液状のアルミニウム５を酸化［３上に滴下する。
液状のアルミニウム５を酸化［３上に滴下する。
次に第１図（ｃ）に示すように、シリコン基板（ウェハ
）１を回転させアルミニウム５を平坦化したのち、バタ
ーニングしてアルミニウム配線５Ａを形成する。
）１を回転させアルミニウム５を平坦化したのち、バタ
ーニングしてアルミニウム配線５Ａを形成する。
このようにして形成されたアルミニウム配線５Ａは、コ
ンタクト穴部分においても平坦化されているため、従来
のように薄く形成されて断線を生じることはなくなる。
ンタクト穴部分においても平坦化されているため、従来
のように薄く形成されて断線を生じることはなくなる。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
第２図（ａ）は２層目金属であるアルミニウムを被覆す
る直前の断面図であり、シリコン基板１１上には酸化ｐ
Ａ１３、一層目金属であるモリブデン層１６及び眉間絶
縁膜であるプラズマ窒化膜１７が形成されている。
る直前の断面図であり、シリコン基板１１上には酸化ｐ
Ａ１３、一層目金属であるモリブデン層１６及び眉間絶
縁膜であるプラズマ窒化膜１７が形成されている。
次に第２図（Ｉ））に示すように、約７００℃に加熱さ
れた液状のアルミニウム１５を窒化膜１７上に滴下する
。
れた液状のアルミニウム１５を窒化膜１７上に滴下する
。
次に第２図（Ｃ）に示すようにシリコン基板（ウェハ）
を回転させ、アルミニウム１５が平坦になった状態で温
度を下げ、パターニングしてアルミニウム配線１５Ａを
形成する。この第′２の実施例では一層目配線材料とし
てモリブデンを使用している為、約７００℃に加熱した
アルミニウムを滴下しても一層目配線に影響を及ぼさな
いという利点がある。
を回転させ、アルミニウム１５が平坦になった状態で温
度を下げ、パターニングしてアルミニウム配線１５Ａを
形成する。この第′２の実施例では一層目配線材料とし
てモリブデンを使用している為、約７００℃に加熱した
アルミニウムを滴下しても一層目配線に影響を及ぼさな
いという利点がある。
以上説明したように本発明は、液状のアルミニウムを半
導体ウェハ上に滴下し、半導体ウェハを回転させて平坦
化されたアルミニウム膜を形成したのちバターニングし
てアルミニウム配線を形成するため、従来の製造方法に
おけるシャドウィング効果がなくなり、断線の生じない
アルミニウム配線を有する半導体装置が得られる効果が
ある。
導体ウェハ上に滴下し、半導体ウェハを回転させて平坦
化されたアルミニウム膜を形成したのちバターニングし
てアルミニウム配線を形成するため、従来の製造方法に
おけるシャドウィング効果がなくなり、断線の生じない
アルミニウム配線を有する半導体装置が得られる効果が
ある。
第１ ’７ （ａ ） 〜（ｃ ）及び第２図（ａ ）
〜（ｃ ）は本発明の第１及び第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図、第３図
は従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図
である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，２２・
・・・・・不純物拡散層、３，１３．２３・・・・・・
酸化膜、４・・・・・・窒化チタン膜、５．１５，２５
．・・・・・・アルミニウム、１６・・・・・・モリブ
デン層、１７・・・・・・窒化膜。 千２ Ｗ 翳３ 図
〜（ｃ ）は本発明の第１及び第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図、第３図
は従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図
である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，２２・
・・・・・不純物拡散層、３，１３．２３・・・・・・
酸化膜、４・・・・・・窒化チタン膜、５．１５，２５
．・・・・・・アルミニウム、１６・・・・・・モリブ
デン層、１７・・・・・・窒化膜。 千２ Ｗ 翳３ 図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜上にアルミニウム配線
を形成する半導体装置の製造方法において、前記アルミ
ニウム配線は、液状のアルミニウムを半導体ウェハ上に
滴下し、半導体ウェハを回転させて平坦なアルミニウム
膜を形成したのち該アルミニウム膜をパターニングして
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29382186A JPS63144547A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29382186A JPS63144547A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144547A true JPS63144547A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17799592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29382186A Pending JPS63144547A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144547A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223118A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60225425A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29382186A patent/JPS63144547A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223118A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60225425A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造装置 |
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