JPS63148492A - リフレツシユ制御方式 - Google Patents
リフレツシユ制御方式Info
- Publication number
- JPS63148492A JPS63148492A JP61294146A JP29414686A JPS63148492A JP S63148492 A JPS63148492 A JP S63148492A JP 61294146 A JP61294146 A JP 61294146A JP 29414686 A JP29414686 A JP 29414686A JP S63148492 A JPS63148492 A JP S63148492A
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- JP
- Japan
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- memory
- refresh
- memory block
- request signal
- refresh request
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術(第4図、第5図)
発明が解決しようとする問題点
問題点を解決するための手段(第1図)作用
実施例(第2図、第3図)
発明の効果
〔概要〕
複数のメモリ・ブロックから構成されるダイナミック・
メモリをリフレッシュ制御するに際し、各メモリ・ブロ
ックに対し、リフレッシュ信号を直列に供給することに
より、ダイナミック・メモリのリフレッシュに要するピ
ーク電流を低い値にすること。
メモリをリフレッシュ制御するに際し、各メモリ・ブロ
ックに対し、リフレッシュ信号を直列に供給することに
より、ダイナミック・メモリのリフレッシュに要するピ
ーク電流を低い値にすること。
この発明は、ダイナミック・メモリを使用したメモリ・
システムのリフレッシュ制御方式に係り、特に複数のブ
ロックに分割されるダイナミック・メモリのピーク電流
を小さくしてリフレッシュ可能にしたものである。
システムのリフレッシュ制御方式に係り、特に複数のブ
ロックに分割されるダイナミック・メモリのピーク電流
を小さくしてリフレッシュ可能にしたものである。
電子計算機の高性能化に代表されるように、電子装置の
高性能化に併い、具備されるメモリのサイズが大きくな
ってきている。ダイナミック・メモリは大容量であるが
比較的安価であり、このような要求に良く合致する。し
かし、ダイナミック・メモリは、使用に際して周知のよ
うに一定時間毎にリフレッシュが必要であり、メモリ・
サイズの大型化に併い、リフレッシュのために必要とす
る電流が大きくなっており、この点の改良がまたれてい
る。
高性能化に併い、具備されるメモリのサイズが大きくな
ってきている。ダイナミック・メモリは大容量であるが
比較的安価であり、このような要求に良く合致する。し
かし、ダイナミック・メモリは、使用に際して周知のよ
うに一定時間毎にリフレッシュが必要であり、メモリ・
サイズの大型化に併い、リフレッシュのために必要とす
る電流が大きくなっており、この点の改良がまたれてい
る。
第4図は、従来のダイナミック・メモリのリフレッシュ
制御方式を説明するための図である。図において、40
はCPU等を含む制御部でり、バス49を介して複数の
ブロックに分けられたメモU 41.42・・−1及び
ディスク制御装置45、回線制御部46等の各種アダプ
タが接続されている。
制御方式を説明するための図である。図において、40
はCPU等を含む制御部でり、バス49を介して複数の
ブロックに分けられたメモU 41.42・・−1及び
ディスク制御装置45、回線制御部46等の各種アダプ
タが接続されている。
そして、各メモリ・ブロック41.42・・・・・には
、リフレッシュ要求線48により所定時間毎にリフレッ
シュ要求信号が供給され、各メモリ・ブロック41.4
2−が同時にリフレッシュされていた。
、リフレッシュ要求線48により所定時間毎にリフレッ
シュ要求信号が供給され、各メモリ・ブロック41.4
2−が同時にリフレッシュされていた。
第5図は、このようなシステムにおける全消費電力を表
したものである。第5図から明らかなように、t、 S
j!のメモリ・リフレッシュ時に各メモリ・ブロックを
リフレッシュするに必要な電力の合計値P”を含む消費
電力の最大値P2をとることがわかる。
したものである。第5図から明らかなように、t、 S
j!のメモリ・リフレッシュ時に各メモリ・ブロックを
リフレッシュするに必要な電力の合計値P”を含む消費
電力の最大値P2をとることがわかる。
上述のような従来例において、メモリの容量が増えてそ
のブロックの数が増大すると、メモリ・リフレッシュに
併なう消費電力が大きくなり、そのため電源容量を大き
くする必要が生じ、システム全体のコストを上げてしま
うという問題点を生じている。
のブロックの数が増大すると、メモリ・リフレッシュに
併なう消費電力が大きくなり、そのため電源容量を大き
くする必要が生じ、システム全体のコストを上げてしま
うという問題点を生じている。
この発明は、このような点に鑑みてなされたものであり
、ダイナミック・メモリのリフレッシュに必要とされる
電流を比較的低い値に抑えることができるダイナミック
・メモリのリフレッシュ制御方式を提供すことを目的と
する。
、ダイナミック・メモリのリフレッシュに必要とされる
電流を比較的低い値に抑えることができるダイナミック
・メモリのリフレッシュ制御方式を提供すことを目的と
する。
第1図は、この発明の原理を示すためのブロック図であ
る。
る。
図において、10はCPU等を含む制御部であり、バス
15を介して複数個のメモリ・ブロック1.2−・・−
nが接続され、また、その外、ディスク制御部、回線制
御部等の各種アダプタ17が接続されている。制御部1
0からのメモリ・リフレッシュ要求信号は、リフレッシ
ュ要求信号m16を介して、まずメモリ・ブロック1に
入力され、メモリ・ブロック1をリフレッシュする。メ
モリ・ブロック1では、リフレッシュ終了後火のメモリ
・ブロック2に対し、リフレッシュ要求信号を出力する
。メモリ・ブロック2は、このリフレッシュ要求信号を
受けてメモリ・ブロック2をリフレッシュする。このよ
うにして以下、順次メモリ・ブロック3.4−とリフレ
ッシュすることになる。
15を介して複数個のメモリ・ブロック1.2−・・−
nが接続され、また、その外、ディスク制御部、回線制
御部等の各種アダプタ17が接続されている。制御部1
0からのメモリ・リフレッシュ要求信号は、リフレッシ
ュ要求信号m16を介して、まずメモリ・ブロック1に
入力され、メモリ・ブロック1をリフレッシュする。メ
モリ・ブロック1では、リフレッシュ終了後火のメモリ
・ブロック2に対し、リフレッシュ要求信号を出力する
。メモリ・ブロック2は、このリフレッシュ要求信号を
受けてメモリ・ブロック2をリフレッシュする。このよ
うにして以下、順次メモリ・ブロック3.4−とリフレ
ッシュすることになる。
以上述べたように、この発明では、メモリを複数のブロ
ックに分け、各ブロックを時間をずらせて順次リフレッ
シュしているため、リフレッシュに要求される電流は時
間的に分散される形となり、電源として、小容量のもの
ですむことになる。
ックに分け、各ブロックを時間をずらせて順次リフレッ
シュしているため、リフレッシュに要求される電流は時
間的に分散される形となり、電源として、小容量のもの
ですむことになる。
以下、第2図、第3図を用いて、こ発明の一実施例を説
明する。第2図は、第1図に示した発明の原理図のうち
、特にメモリ!ブロック部分を詳細に示したものであり
、第1図と同じ部分については、同じ番号を付与しであ
る。
明する。第2図は、第1図に示した発明の原理図のうち
、特にメモリ!ブロック部分を詳細に示したものであり
、第1図と同じ部分については、同じ番号を付与しであ
る。
CPU等を含む、制御部10には、バス15を介して、
複数のメモリ・ブロック1.2が接続されており、各メ
モリ・ブロックには、リフレッシュ要求信号線16が直
列的に接続されている。
複数のメモリ・ブロック1.2が接続されており、各メ
モリ・ブロックには、リフレッシュ要求信号線16が直
列的に接続されている。
各メモリ・ブロック1.2内には、競合制御部13.2
3、バス制御部11.21、リフレッシュ制御部12.
22が設けられており、前記バス15、リフレッシュ要
求信号線16はまず、競合制御部13.23に入力され
ている。また、バス制御部11.21、リフレッシュ制
御部12.22、競合制御部13.23にはブロックC
LKが入力されており、このブロックに同期して各部が
動作する。
3、バス制御部11.21、リフレッシュ制御部12.
22が設けられており、前記バス15、リフレッシュ要
求信号線16はまず、競合制御部13.23に入力され
ている。また、バス制御部11.21、リフレッシュ制
御部12.22、競合制御部13.23にはブロックC
LKが入力されており、このブロックに同期して各部が
動作する。
制御部10内には、リフレッシュ・カウンタ14が設け
られ、リフレッシュ要求信号の発生を制御する。
られ、リフレッシュ要求信号の発生を制御する。
各メモリ・ブロック内の競合制御部13.23は、バス
15からのバスアクセスと、リフレッシュ要求線16か
らのリフレッシュ要求信号とが同時に入力された場合の
競合判定を行うもので、通常、バスアクセスの方を優先
する。
15からのバスアクセスと、リフレッシュ要求線16か
らのリフレッシュ要求信号とが同時に入力された場合の
競合判定を行うもので、通常、バスアクセスの方を優先
する。
なお、説明の都合上、リフレッシュ要求信号線16をバ
ス15と別個のものとして扱っているが、通常は、リフ
レッシュ要求信号線16を含めてバスを構成していても
良いことはいうまでもない。
ス15と別個のものとして扱っているが、通常は、リフ
レッシュ要求信号線16を含めてバスを構成していても
良いことはいうまでもない。
以下、動作を説明する。
制御部10でリフレッシュ要求が発生すると、このリフ
レッシュ要求信号は、まず、メモリ・ブロック1の競合
制御部13に入力される。
レッシュ要求信号は、まず、メモリ・ブロック1の競合
制御部13に入力される。
ここで、リフレッシュ要求とバス15のバスアクセスと
の競合判定が行われ、バスアクセスがなくリフレッシュ
要求がとおると、リフレッシュ制御部12は、メモリ・
ブロック1をリフレッシュする。このリフレッシュ制御
部12は、さらに、メモリ・ブロック1のリフレッシュ
処理を終了後、次のメモリ・ブロック2に対し、リフレ
ッシュ要求信号を出力する。
の競合判定が行われ、バスアクセスがなくリフレッシュ
要求がとおると、リフレッシュ制御部12は、メモリ・
ブロック1をリフレッシュする。このリフレッシュ制御
部12は、さらに、メモリ・ブロック1のリフレッシュ
処理を終了後、次のメモリ・ブロック2に対し、リフレ
ッシュ要求信号を出力する。
メモリ・ブロック2は、メモリ・ブロック1からのリフ
レッシュ要求信号を受け、メモリ・ブロック1と同様に
動作して、メモリ・ブロック2をリフレッシュする。以
後の動作は、メモリ・ブロック1と同様であり、メモリ
・ブロック2のリフレッシュ終了後、次のメモリ・ブロ
ックに対し、リフレッシュ要求信号を出力する。
レッシュ要求信号を受け、メモリ・ブロック1と同様に
動作して、メモリ・ブロック2をリフレッシュする。以
後の動作は、メモリ・ブロック1と同様であり、メモリ
・ブロック2のリフレッシュ終了後、次のメモリ・ブロ
ックに対し、リフレッシュ要求信号を出力する。
以下、順次メモリ・ブロックをリフレッシュすることに
なる。
なる。
第3図は、この動作に併う、消費電力の様子を示すもの
であるa t、において、リフレッシュ要求が出される
とまず、メモリ・ブロック1のみをリフレッシュするに
必要な電力P′を含む電力P1が消費される。メモリ・
ブロック1のリフレッシュが終了すると、今度は、t2
において、メモリ・ブロック2のリフレッシュがスター
トする。
であるa t、において、リフレッシュ要求が出される
とまず、メモリ・ブロック1のみをリフレッシュするに
必要な電力P′を含む電力P1が消費される。メモリ・
ブロック1のリフレッシュが終了すると、今度は、t2
において、メモリ・ブロック2のリフレッシュがスター
トする。
この時の消費電力も、前述のメモリ・ブロック1のリフ
レッシュ時と同じ、PIであることがわかる。以下順次
メモリ・ブロックのリフレッシュが行われる。
レッシュ時と同じ、PIであることがわかる。以下順次
メモリ・ブロックのリフレッシュが行われる。
さらに、メモリ・ブロック1の再度のリフレッシュが必
要となる時点t4になると、制御部10から再度リフレ
ッシュ要求信号が出され、前述の動作をくり返すことに
なる。
要となる時点t4になると、制御部10から再度リフレ
ッシュ要求信号が出され、前述の動作をくり返すことに
なる。
図からも明らかなように、全消費電力P+ は、1つの
メモリ・ブロックのリフレッシュに必要な消費電力P′
のみが加えられた量であり、第5図の全てのメモリ・ブ
ロックのリフレッシュに必要な消費電力P ”が加算さ
れたP2より少ない。
メモリ・ブロックのリフレッシュに必要な消費電力P′
のみが加えられた量であり、第5図の全てのメモリ・ブ
ロックのリフレッシュに必要な消費電力P ”が加算さ
れたP2より少ない。
なお、前記の如く、リフレッシュ要求信号をある時限を
おいて出力するため、リフレッシュ制御部12.22に
は限時回路が設けられている。
おいて出力するため、リフレッシュ制御部12.22に
は限時回路が設けられている。
以上述べたとおり、この発明によれば、メモリのリフレ
ッシュに必要とされる電力が、分散された形となるため
、必要とする電流のピーク値が低くおさえられることと
なり、必要とする電源が小容量のものですむ。従って、
全体のコストを低くおさえることができる。
ッシュに必要とされる電力が、分散された形となるため
、必要とする電流のピーク値が低くおさえられることと
なり、必要とする電源が小容量のものですむ。従って、
全体のコストを低くおさえることができる。
第1図は、この発明の原理図であり、
第2図は、この発明の実施例を示す図であり、第3図は
、この発明のりフレッシュ消費電力特性図であり、 第4図は、従来例を示す図であり、 第5図は、従来例のリフレッシュ消費電力特性図である
。 1.2・・・n−・・−°−・メモリ・ブロック10・
・・・・・−・制御部、 11.21・・−・・−・バス制御部、12.22・・
・・・・・・リフレッシュ制御部、13.23・・・・
・・・・競合制御部、14・・・・・・−リフレッシュ
・カウンタ、15−・・・・・・・バス、 16・・・・・・−リフレッシュ要求信号線。
、この発明のりフレッシュ消費電力特性図であり、 第4図は、従来例を示す図であり、 第5図は、従来例のリフレッシュ消費電力特性図である
。 1.2・・・n−・・−°−・メモリ・ブロック10・
・・・・・−・制御部、 11.21・・−・・−・バス制御部、12.22・・
・・・・・・リフレッシュ制御部、13.23・・・・
・・・・競合制御部、14・・・・・・−リフレッシュ
・カウンタ、15−・・・・・・・バス、 16・・・・・・−リフレッシュ要求信号線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ダイナミック・メモリを使用したメモリ・システムにお
いて、 ダイナミック・メモリを複数のメモリ・ブロック(1、
2・・・・・n)に分けるとともに、各メモリ・ブロッ
ク(1、2・・・・・n)を直列に接続するメモリ・リ
フレッシュ要求信号線(16)を設け、 メモリ・リフレッシュ要求信号を各メモリ・ブロックに
直列に経由するように供給し、各メモリ・ブロックを順
次リフレッシュするようにしたことを特徴とするリフレ
ッシュ制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294146A JPS63148492A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | リフレツシユ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294146A JPS63148492A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | リフレツシユ制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148492A true JPS63148492A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17803907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294146A Pending JPS63148492A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | リフレツシユ制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148492A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715311A3 (en) * | 1989-05-08 | 1996-09-18 | Hitachi Maxell | Semiconductor memory device |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP61294146A patent/JPS63148492A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715311A3 (en) * | 1989-05-08 | 1996-09-18 | Hitachi Maxell | Semiconductor memory device |
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