JPS631648B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、異極関係にある一対の磁極により、
磁気デイスク上で均一かつ高い配向度の磁気デイ
スク媒体を得ることが可能な磁気デイスク配向装
置に関するものである。

従来、磁気デイスク媒体は、出力、分解能、前
歴および雑音等に対する電磁変換特性を向上させ
るため、塗膜中の磁性粉の長軸方向をデイスク円
周方向に向けるように配向を行なつている。

磁気デイスク媒体の配向は、磁気テープの場合
と異なり、樹脂が熱硬化性であること、基板の形
状が円形であること等から困難な点が多い。

磁気デイスク媒体中の磁性粉を配向する装置と
して、第１図ａに示すように、複数個の同極をデ
イスク２を挟んで互いに対向させ、特に異極間磁
極の先端を細くして、互いに接近させることによ
り、有効磁束を形成させる方法および装置が従来
より提案されている。第１図ｂは、第１図ａの装
置の上部断面図である。第１図ａ，ｂにおいて、
１はコイル、２はデイスク（アルミ基板）、３は
漏洩磁場、４はコア、５は配向磁場である。

しかし、第１図による方法では、漏洩磁場３の
強さが大きく、配向度があまり高くとれない。ま
た、漏洩磁場３を皆無にするためには、きわめて
高度な技術が要求される。

一般に、第１図ａのような機構では、磁気デイ
スクがこの配向装置に入るときと出るときに互い
にＮ、Ｓ極が反転する漏洩磁場（反転磁場）が発
生し、この漏洩磁場の強さが大の場合には、磁性
粉の向きを変える。

第２図は、配向磁場と漏洩磁場の強さが等しい
場合のデイスク一周におけるコーテイング膜厚分
布図である。

配向磁場と漏洩磁場の強さが等しい場合には、
第２図に示すように、膜厚の厚い部分と薄い部分
が周期的に現れる。そして、配向時の回転数を速
くすると周期は短かくなり、遅くすると周期は長
くなる。これを肉眼で観察すると、デイスク直径
方向に幅を持つ濃淡模様が明確に見られる。これ
は、磁気デイスク特有のものであり、デイスクが
回転するので、漏洩磁場が磁性粉の向きを変える
際、磁性粉が円周方向に移動し、何度も同一磁性
中を通過するため、密度が異なつてくる現象であ
る。一周で磁性粉の密度が異なり、膜厚が1μｍ
程度異なつてくると、コンタクト・スタート・ス
トツプ式ヘツドは使用できず、デイスク媒体とし
ては使用できない。漏洩磁場の強さが配向磁場の
強さの1/2以下では問題は起きていない。従つて、
漏洩磁場の強さはできる限り弱くするのが好まし
い。

この目的のため、本発明者は、特願昭52−
158434号において、第３図に示すような改良され
た磁気デイスク配向装置を提案した。

第３図は先に提案した配向装置の上面断面図で
ある。この配向装置における正面の断面形状は、
第１図ａに示すように従来と同一であるが、配向
装置を構成する永久磁石（コア４）の平面形状は
第３図に示すような扇形磁石を用いる。即ち、デ
イスク２の回転方向に対して漏洩磁場が発生する
磁極の稜の方向７を、デイスク２の直径方向と一
致させる。

第１図ｂに示すような平面形状が矩形の永久磁
石の場合には、漏洩磁場が発生する磁極の稜の方
向とデイスクの直径方向とが約45度の角度で交差
するので、配向磁場５で配向された磁性粉が漏洩
磁場により45度の方向に曲げられることになる。
これに対して、第３図に示すように、漏洩磁場の
発生方向７とデイスク２の直径方向とを一致させ
た形状の永久磁石を用いると、配向磁場５で配向
された磁性粉は漏洩磁場により向きを変更される
が、デイスク２の円周方向にNS極を反転される
ため、磁性粉が円周方向に移動しにくくなり、デ
イスク円周上の密度は均一化される。

しかしながら、先の提案では漏洩磁場の方向に
よる影響を小さくすることはできても、殆ど無視
しえるまで皆無とすることは原理的に不可能であ
つた。特に、磁気デイスクの高密度記録が要求さ
れるに伴い、更に配向度が高くなるよう要求され
ている。

本発明は、漏洩磁場の方向による影響を皆無と
することが可能な磁気デイスク配向装置を提供す
ることを目的とする。

この目的の達成のため、発明の磁気デイスク配
向装置は、異極関係にある一対の磁極を具え、該
一対の磁極の一端による磁場方向が配向すべき磁
気デイスクの円周方向となるように該磁気デイス
クに対し設け、該磁気デイスクを回転させ該磁場
により磁気デイスクを配向せしめる磁気デイスク
配向装置において、該磁極の他端からの漏洩磁場
が該磁気デイスクの円周方向となるように該一対
の磁極に近接して磁路形成体を設けたことを特徴
とする。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

第４図は本発明の実施例の上面図であり、８′
は一対の磁極、９は円板状の磁気デイスク、１２
は磁路形成体を示す。

第３図との相違点は、磁極８，８′の形成され
ていない磁気デイスク９上に磁路形成体１２をそ
の円周方向に沿つて設けたことにある。この磁路
形成体１２は強磁性体であることが好ましく、例
えば鉄板で構成される。磁路形成体１２により漏
洩磁場１４，１５は磁気デイスク９の円周方向に
沿つた方向に規制され、漏洩磁場１４，１５の方
向により影響を受けない。

但し、漏洩磁場１４，１５の方向と配向磁場１
３の方向とは磁気デイスク回転方向に対し、反転
しているため、漏洩磁場１４，１５の強さを配向
磁場１３の強さの1/3以下とすることが好ましい。

本実施例では配向磁場の強さ2000Oe、漏洩磁
場の強さ700Oeである。

このような本発明の構成によれば、配向度は下
記の如くとなる。

磁性粉としてγFe₂O₃の針状粒子を用い、アル
ミナを撹拌のためのボールとして使用した磁性塗
膜を形成した場合、本発明の構成による配向度
（角形比Br／Bs）は、0.90となり、これは静置配
向度（磁気デイスクを静置し、磁石により一部の
みを配向したこの一部の配向値であり、漏洩磁場
の影響を一切受けない）と同一である。

尚、第３図の構成による配向度は0.75であつ
た。

以上説明したように、本発明によれば、一対の
磁極の他に、この磁極の他端による漏洩磁場の方
向が磁気デイスクの円周方向となるように磁路形
成体を配置したので、漏洩磁場を皆無とすること
ができ、漏洩磁場による磁気デイスクの配向への
悪影響をなくすことが可能となるため、配向度が
向上し、極めて高性能の磁気デイスクを得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気デイスクの配向装置構成
図、第２図は従来の構成によるコーテイング膜厚
分布図、第３図は先の提案による磁気デイスク配
向装置構成図、第４図は本発明の実施例構成図を
夫々示す。 図中、１はコイル、２，９はデイスク、３，１
１，１４，１５は漏洩磁場、４はコア、５，１
０，１３は配向磁場、１２は磁路形成体を夫々示
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 異極関係にある一対の磁極を具え、該一対の
   磁極の一端による磁場方向が配向すべき磁気デイ
   スクの円周方向となるように該磁気デイスクに対
   し設け、該磁気デイスクを回転させ該磁場により
   磁気デイスクを配向せしめる磁気デイスク配向装
   置において、 該磁極の他端からの漏洩磁場が該磁気デイスク
   の円周方向となるように該一対の磁極に近接して
   磁路形成体を設けたことを特徴とする磁気デイス
   ク配向装置。