JPS6317100B2 - - Google Patents
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- JPS6317100B2 JPS6317100B2 JP16034179A JP16034179A JPS6317100B2 JP S6317100 B2 JPS6317100 B2 JP S6317100B2 JP 16034179 A JP16034179 A JP 16034179A JP 16034179 A JP16034179 A JP 16034179A JP S6317100 B2 JPS6317100 B2 JP S6317100B2
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は新規なジスアゾ化合物及びその製造法
に関する。 従来より電子写真法において、セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛などの無機光導電性材料を用
いた無機感光体が広く用いられている。「電子写
真法」とは一般に光導電性の感光体をまず暗所に
てコロナ放電等により帯電せしめ、次いで像露光
を施し露光部の電荷を選択的に放電せしめ、非露
光部に静電潜像を残し、更にこの潜像をトナー等
を用いた現像手段で可視化して画像を形成する画
像形成法の一つである。このような電子写真法に
おいて用いられる感光体に要求される基本的な特
性としては(1)暗所で適当に帯電せしめられるこ
と、(2)暗所における電荷の保持性に優れ、電荷の
放電が少ないこと、(3)光感度が大で光照射によつ
て速やかに電荷が放電すること、更には機械的強
度、可撓性に優れていること等が挙げられる。 前記従来の無機感光体はいくつかの長所を持つ
ている反面様々な欠点をも又有している。例えば
現在広く用いられているセレン感光体は前記(1)〜
(3)の条件についてはかなりの程度まで満足するも
のの、機械的強度、可撓性については満足のいく
ものではない。特に最近の電子写真法においては
様々なプロセスが採られるようになつてきたこと
から、それらのプロセスのいずれにも適合する感
光体が要求される様になつてきており、例えば形
状については可撓性のあるベルト状のものが要求
されるようになつてきているが、前記セレン感光
体は可撓性が低く、そうした形状のものとして作
成することが困難である。又セレン感光体以外の
他の無機感光体についても同様の欠点を挙げるこ
とができる。 近年、これら無機感光体の欠点を排除するため
に種々の有機光導電性材料を用いた有機電子写真
用感光体が研究・開発され、実用に供されてい
る。例えば、支持体上にポリ−N−ビニルカルバ
ゾールと2,4,7−トリニトロフルオレン−9
−オンを含有する感光層を設けた感光体(米国特
許第3484237号公報参照)ピリリウム塩系色素で
増感したポリ−N−ビニルカルバゾール含有の感
光層を設けた感光体(特公昭48−25658号公報参
照)、ジスアゾ顔料を主成分とする感光層を設け
た感光体(特開昭47−37543号公報参照)、染料と
樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感光層を
設けた感光体(特開昭47−10735号公報参照)な
どが挙げられる。これらの有機感光体は、前記無
機感光体の機械的特性及び可撓性もある程度まで
は改善したものの概して光感度が低く電子写真用
感光体としての要求を充分に満足するものではな
い。 一般に電子写真感光体の特性は用いる材料、製
造方法等により大いに左右されるが、とりわけ光
導電性材料に負うところが大である。その為、従
来より光導電性材料の研究は盛んに行なわれてお
り、本発明もこれに係るものである。 本発明の目的は、前記従来の感光体の光導電性
材料のもつ欠点を解決した、特に光導電性材料と
して有用な新規なジスアゾ化合物を提供すること
であり、更には該化合物の製造法を提供すること
である。 即ち本発明の1つは一般式 〔式中Aは
に関する。 従来より電子写真法において、セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛などの無機光導電性材料を用
いた無機感光体が広く用いられている。「電子写
真法」とは一般に光導電性の感光体をまず暗所に
てコロナ放電等により帯電せしめ、次いで像露光
を施し露光部の電荷を選択的に放電せしめ、非露
光部に静電潜像を残し、更にこの潜像をトナー等
を用いた現像手段で可視化して画像を形成する画
像形成法の一つである。このような電子写真法に
おいて用いられる感光体に要求される基本的な特
性としては(1)暗所で適当に帯電せしめられるこ
と、(2)暗所における電荷の保持性に優れ、電荷の
放電が少ないこと、(3)光感度が大で光照射によつ
て速やかに電荷が放電すること、更には機械的強
度、可撓性に優れていること等が挙げられる。 前記従来の無機感光体はいくつかの長所を持つ
ている反面様々な欠点をも又有している。例えば
現在広く用いられているセレン感光体は前記(1)〜
(3)の条件についてはかなりの程度まで満足するも
のの、機械的強度、可撓性については満足のいく
ものではない。特に最近の電子写真法においては
様々なプロセスが採られるようになつてきたこと
から、それらのプロセスのいずれにも適合する感
光体が要求される様になつてきており、例えば形
状については可撓性のあるベルト状のものが要求
されるようになつてきているが、前記セレン感光
体は可撓性が低く、そうした形状のものとして作
成することが困難である。又セレン感光体以外の
他の無機感光体についても同様の欠点を挙げるこ
とができる。 近年、これら無機感光体の欠点を排除するため
に種々の有機光導電性材料を用いた有機電子写真
用感光体が研究・開発され、実用に供されてい
る。例えば、支持体上にポリ−N−ビニルカルバ
ゾールと2,4,7−トリニトロフルオレン−9
−オンを含有する感光層を設けた感光体(米国特
許第3484237号公報参照)ピリリウム塩系色素で
増感したポリ−N−ビニルカルバゾール含有の感
光層を設けた感光体(特公昭48−25658号公報参
照)、ジスアゾ顔料を主成分とする感光層を設け
た感光体(特開昭47−37543号公報参照)、染料と
樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感光層を
設けた感光体(特開昭47−10735号公報参照)な
どが挙げられる。これらの有機感光体は、前記無
機感光体の機械的特性及び可撓性もある程度まで
は改善したものの概して光感度が低く電子写真用
感光体としての要求を充分に満足するものではな
い。 一般に電子写真感光体の特性は用いる材料、製
造方法等により大いに左右されるが、とりわけ光
導電性材料に負うところが大である。その為、従
来より光導電性材料の研究は盛んに行なわれてお
り、本発明もこれに係るものである。 本発明の目的は、前記従来の感光体の光導電性
材料のもつ欠点を解決した、特に光導電性材料と
して有用な新規なジスアゾ化合物を提供すること
であり、更には該化合物の製造法を提供すること
である。 即ち本発明の1つは一般式 〔式中Aは
【式】又は
【式】
(Rは水素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、
エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニトロ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及びフエニ
ル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2の整数
を表わす。)〕 で示されるジスアゾ化合物であり、また他の1つ
は 式 で示される化合物と、一般式
エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニトロ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及びフエニ
ル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2の整数
を表わす。)〕 で示されるジスアゾ化合物であり、また他の1つ
は 式 で示される化合物と、一般式
【式】又は
【式】
(式中Rは水素原子、塩素原子、臭素原子、メチ
ル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニト
ロ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及び
フエニル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2
の整数、またXは陰イオン官能基を表わす。) で示される化合物とをカツプリング反応させるこ
とを特徴とする前記一般式で示されるジスアゾ
化合物の製造方法である。 本発明の前記一般式で示されるジスアゾ化合
物は常温において有色の結晶で、新規化合物であ
る。その具体例を融点、元素分析値、赤外線吸収
スペクトルデータと共に下記表−1に示した。
ル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニト
ロ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及び
フエニル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2
の整数、またXは陰イオン官能基を表わす。) で示される化合物とをカツプリング反応させるこ
とを特徴とする前記一般式で示されるジスアゾ
化合物の製造方法である。 本発明の前記一般式で示されるジスアゾ化合
物は常温において有色の結晶で、新規化合物であ
る。その具体例を融点、元素分析値、赤外線吸収
スペクトルデータと共に下記表−1に示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明方法に従つて実際に一般式のジスアゾ
化合物を製造するには式のN,N′−ビス(2
−ヒドロキシ−3−ナフトイル)−4,4′−ジア
ミノ−3,3′−ジクロルジフエニルメタンと一般
式のナフタレンジアゾニウム塩又はベンゼンジ
アゾニウム塩誘導体とをN,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒に溶
解し、これに約−10℃〜20℃の温度で酢酸ナトリ
ウム水溶液のようなアルカリ水溶液を滴下すれば
よい。反応は5〜30分で完結し、目的とする本発
明の新規なジスアゾ化合物が得られる。なお一般
式の化合物の使用量は式の化合物1モルに対
し2〜5モル程度が適当である。また式の化合
物は例えば4,4′−ジアミノ−3,3′−ジクロル
ジフエニルメタン
化合物を製造するには式のN,N′−ビス(2
−ヒドロキシ−3−ナフトイル)−4,4′−ジア
ミノ−3,3′−ジクロルジフエニルメタンと一般
式のナフタレンジアゾニウム塩又はベンゼンジ
アゾニウム塩誘導体とをN,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒に溶
解し、これに約−10℃〜20℃の温度で酢酸ナトリ
ウム水溶液のようなアルカリ水溶液を滴下すれば
よい。反応は5〜30分で完結し、目的とする本発
明の新規なジスアゾ化合物が得られる。なお一般
式の化合物の使用量は式の化合物1モルに対
し2〜5モル程度が適当である。また式の化合
物は例えば4,4′−ジアミノ−3,3′−ジクロル
ジフエニルメタン
【式】と2−
ヒドロキシ−3−ナフトエ酸クロライド
4,4′−ジアミノ−3,3′−ジクロルジフエニ
ルメタン12.4grをジオキサン150mlに溶解した。
一方2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸クロライド
19.5grをジオオキサン100mlに溶解して、先の溶
液を加えた。さらに、ピリジン8.8grを加え、70
〜95℃にて8時間反応させた。生成した淡黄色沈
澱を取し水洗後乾燥した。 この生成物をN,N−ジメチルホルムアミド−
水の混合溶媒より再結晶を行ない、淡黄色結晶
19.7gr(収率69.5%)を得た。 融点290℃以上 元素分析 C H N Cl 計算値(%) 62.20 3.98 4.61 11.67 実測値(%) 68.96 3.70 4.72 11.46 赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)は第1図
に示す通りであり、1650cm-1、1630cm-1にアミド
基に基づく吸収帯が認められた。 実施例 2 (ジスアゾ化合物:化合物No.1の製造) 実施例1で得たN,N′−ビス(2−ヒドロキ
シ−3−ナフトイル−4,4′−ジアミノ−3,
3′−ジクロルジフエニルメタン1.52grとベンゼン
ジアゾニウム、テトラフルオロボレート0.96grと
を冷却したN,N−ジメチルホルムアミド500ml
に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gr及び水10
mlからなる溶液を室温で5分間に亘つて滴下した
後、室温で3時間撹拌した。その後生成した沈澱
を取し、水300mlで3回洗浄してからN,N−
ジメチルホルムアミド200mlで5回洗浄する。更
にアセトンで残余のN,N−ジメチルホルムアミ
ドを洗い流し、70℃で2mmHgの減圧下に乾燥し
て表1に示した化合物No.1のジスアゾ化合物1.7
g(83%)を得た。得られたジスアゾ化合物の赤
外線吸収スペクトルを第2図に示した。 実施例 3〜21 ジスアゾ化合物:化合物No.2〜14の製造 実施例2の化合物No.1のジスアゾ化合物の製造
においてジアゾニウム成分として下記表2の化合
物を用いた他は実施例2と同じ方法で表1に示し
た化合物No.2〜20のジスアゾ化合物を製造した。
ルメタン12.4grをジオキサン150mlに溶解した。
一方2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸クロライド
19.5grをジオオキサン100mlに溶解して、先の溶
液を加えた。さらに、ピリジン8.8grを加え、70
〜95℃にて8時間反応させた。生成した淡黄色沈
澱を取し水洗後乾燥した。 この生成物をN,N−ジメチルホルムアミド−
水の混合溶媒より再結晶を行ない、淡黄色結晶
19.7gr(収率69.5%)を得た。 融点290℃以上 元素分析 C H N Cl 計算値(%) 62.20 3.98 4.61 11.67 実測値(%) 68.96 3.70 4.72 11.46 赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)は第1図
に示す通りであり、1650cm-1、1630cm-1にアミド
基に基づく吸収帯が認められた。 実施例 2 (ジスアゾ化合物:化合物No.1の製造) 実施例1で得たN,N′−ビス(2−ヒドロキ
シ−3−ナフトイル−4,4′−ジアミノ−3,
3′−ジクロルジフエニルメタン1.52grとベンゼン
ジアゾニウム、テトラフルオロボレート0.96grと
を冷却したN,N−ジメチルホルムアミド500ml
に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gr及び水10
mlからなる溶液を室温で5分間に亘つて滴下した
後、室温で3時間撹拌した。その後生成した沈澱
を取し、水300mlで3回洗浄してからN,N−
ジメチルホルムアミド200mlで5回洗浄する。更
にアセトンで残余のN,N−ジメチルホルムアミ
ドを洗い流し、70℃で2mmHgの減圧下に乾燥し
て表1に示した化合物No.1のジスアゾ化合物1.7
g(83%)を得た。得られたジスアゾ化合物の赤
外線吸収スペクトルを第2図に示した。 実施例 3〜21 ジスアゾ化合物:化合物No.2〜14の製造 実施例2の化合物No.1のジスアゾ化合物の製造
においてジアゾニウム成分として下記表2の化合
物を用いた他は実施例2と同じ方法で表1に示し
た化合物No.2〜20のジスアゾ化合物を製造した。
【表】
【表】
第1図は実施例1で得たN,N′−ビス(2−
ヒドロキシ−3−ナフトイル−4,4′−ジアミノ
−3,3′−ジクロルジフエニルメタンの赤外線吸
収スペクトルであり、第2図は実施例2で得た本
発明の新規ジスアゾ化合物の赤外線吸収スペクト
ルである。
ヒドロキシ−3−ナフトイル−4,4′−ジアミノ
−3,3′−ジクロルジフエニルメタンの赤外線吸
収スペクトルであり、第2図は実施例2で得た本
発明の新規ジスアゾ化合物の赤外線吸収スペクト
ルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中Aは【式】又は【式】 (Rは水素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、
エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニトロ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及びフエニ
ル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2の整数
を表わす。)〕 で示されるジスアゾ化合物。 2 式 で示される化合物と、一般式 【式】又は【式】 (式中Rは水素原子、塩素原子、臭素原子、メチ
ル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ニト
ロ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及び
フエニル基よりなる群から選ばれ、nは1又は2
の整数、またXは陰イオン官能基を表わす。) で示される化合物とをカツプリング反応させるこ
とを特徴とする一般式 〔式中Aは【式】又は【式】 (R、nは前述の通り)〕 で示されるジスアゾ化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16034179A JPS5682846A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Novel disazo compound and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16034179A JPS5682846A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Novel disazo compound and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5682846A JPS5682846A (en) | 1981-07-06 |
| JPS6317100B2 true JPS6317100B2 (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=15712881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16034179A Granted JPS5682846A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Novel disazo compound and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5682846A (ja) |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP16034179A patent/JPS5682846A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5682846A (en) | 1981-07-06 |
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