JPS63193152A

JPS63193152A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63193152A
Application number: JP2543887A
Authority: JP
Inventors: Toshimitsu Hagiwara; 利光萩原; Haruki Tsuruta; 鶴田　治樹
Original assignee: Takasago Perfumery Industry Co; Takasago Corp
Current assignee: Takasago International Corp; Takasago Corp
Priority date: 1987-02-05
Filing date: 1987-02-05
Publication date: 1988-08-10
Also published as: JPH0469946B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電子写真感光体に関し、さらに詳しくは、導
電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を設けた電子写
真感光体において、電荷輸送層として次の一般式（【）（式中、Ｒは低級アルキル基又はフェニール基を示し、
Ｒ１は低級アルキル基、フェニール基又はベンシル基を
、Ｒ２はフェニール基を示す）で表わされるＮ−置換−
２、３、３−ト’Ｊメチルインドリン誘導体を含有する
ことを特徴とするα子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

近年、電子写真感光材料として広く知られているものに
、無機系の光導電性物質としてはセレン、硫化カドミウ
ムなどがあり、有機系の光導電性物質としては、ｙｔｅ
ｌ）−Ｎ−ビニルカルバソール、ポリビニルアンスラセ
ンをはじめ種々の物質が提案されている。

この中で、破り−Ｎ−ビニルカルバゾールは、それ自体
でフィルム形成が可能であるが可撓性が低く、電子写真
感光体としての耐久性が劣るという欠点がある。そこで
、可撓性を増すために可塑剤をもちいることが提案され
ているが、可塑剤を用いると可撓性を向上させる反面、
感度や残留電位などの電子写真特性が低下するという欠
点が現れてくる。

一方、これらの物質を用いる電子写真方式のほかに、光
導電性物質の二つの機能、すなわち、電荷担体の発生と
、発生した電荷の輸送をそれぞれ別個の有機化合物によ
り行わしめようという方式が盛んに提案されている（例
えばトリケッブス社刊行「記録材料マニュアル」第二章
感光材料）。

この方式では、電荷担体の発生と、電荷を輸送するとい
う二つの機能のそれぞれに最適な化合物を幅広く選択で
きるため、高感度のものが得られることが知られている
。この方式においては、導電性支持体の上に電荷を発生
させる化合物、すなわち電荷発生物質と、発生した電荷
を輸送させる化金物、すなわち電荷発生物質を順次積層
する必要がある。多くの場合、電荷輸送層に用いられる
化合物は低分子有機化合物であり、フィルム形成能を持
たない。そこで？リエステル樹脂、ぼす塩化ビニール樹
脂、メタクリル樹脂、？リカーボネート樹脂などの高分
子結着剤をもちいてフィルムを形成させねばならない。

電荷発生層において発生した電荷担体を速やかに輸送す
る為には電荷輸送層は均一であることが必要である。こ
こで結着剤に対する電荷輸送物質の溶解性が問題となる
。溶解性の低いものについては絹粉末として゛結着剤中
に分散せしめるが、この場合は均一なフィルムを得るこ
とが困難であシ、また溶解しても時間の経過につれて結
晶が析出する現象が生じ、電子写真性能を著しく低下せ
しめることが多い。

また、機能分離タイプの感光層を有する従来の電子写真
感光体を電子写真プロセスにしたがって繰り返し反復使
用した場合、元の帯電特性を回復する能力が低下し、感
光体の寿命を短くする欠点を有している。すなわち、帯
電暗減衰、光減衰、クリーニングという電子写真の実際
上のプロセスを多数回繰シ返すと、帯電後の表面電荷変
動、電荷保持能力の低下、光感度の低下、残留電位の上
昇などいずれか一つ又は二つ以上の光疲労現象が生じ、
電子写真の性能を著しく低下せしめるため実用上の大き
な問題となっている。

本発明者らは、上記線層を解決すべく鋭意研究をおこな
った結果、テトラハイドロキノリンカルボキシアルデヒ
ド酵導体は、電荷輸送物質として優れたものであること
を見出し、先に特許出願した（％開昭６０−１４６２４
８号）。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、更に新しく、よシ優れた物性の電荷輸送
物質の開発が望まれていた。すなわち、高分子結着剤に
対する溶解性が優れ、高感度にして残留電位が少なく、
また電子写真プロセスに従って繰返し使用しても光疲労
が少なく、耐久性に優れた電子写真感光体の提供が求め
られていた。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上記問題点を解決するため、電荷輸送物質
としてインドリン誘導体に着目して鋭意研究を行った結
果、特定のインドリン誘導体が電子写真に対する種々の
要求を満たすことを見出だし本発明を完成するに至った
。

すなわち、本発明は高分子結着剤に対して溶解性がよく
、電子写真特性の優れている前記式（Ｉ）で表されるＮ
−置換−２，３，３−ト！Ｊメチルインドリン誘導体を
電荷発生物質として含有する電子写真感光体を提供する
ものである。

本発明のＮ−置換−２，３，３−）リメチルインドリン
誘導体（Ｉ）は、下に示す反応式に従いＮ−置換−２，
３，３−）リメチルインドリ／（■）のヴイールスマイ
ヤー反応によって得られるホルミル置換体（Ｉ）を１，
１−置換ヒドラシン（■）と反応せしめることにより調
製される。

（Ｉｆ）　　　　　　　　　　（Ｉ［Ｉ）Ｅ（ＩＶ）　　　　　　　　　（Ｉ）出発原料のＮ−置換−２，３，３−１リメチルインドリ
ン（旧は、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニルヒドラゾン
（（Ｖ）式中、Ｒ＝低級アルキル基）又はジフェニルヒ
ドラゾン（（■）式中、Ｒ＝フェニル基）塩とメチルイ
ソゾロビルケトンとを反応せしめてヒドラゾン（Ｖｌ）
となし、このヒドラゾンを酢酸中速流し、環化してＮ−
置換−３，３−ジメチル−２−メチレンインドリン（■
）を得、ノＱラゾウム触媒にて接触水添をおこなうこと
によシ合、成される。以下にこの反応式を略記する。

（Ｖ）　　　・　　　　　（ＶＩ）かくして得られる一般式（Ｉ）で表されるＮ−置換−２
，３，３−）リメテルインドリン誘導体は、有機光導電
体として極めて優れた性質を示す。特に電子写真感光体
の電荷輸送物質として用いた場合、高分子結着剤に対す
る浴解性が優れ、高感度にして且つ耐久性の勝れた感光
体を提供することができる。

前記一般式（Ｉ）で表されるＮ−置換−２，３゜３−ト
リメチルインドリン誘導体の代表例を次に例示する。

以下余白例示化合物：Ｍｅ　　　Ｍｅ次に、叙上のＮ−置換−２，３，３−１リメテルインド
リン誘導体（Ｉ）を用いた、本発明の電子写真感光体の
基本的な作製方法について説明するが、勿論、この例を
以て本発明の使用の態様が限定されるものではない。

本発明のインドリン誘導体（Ｉ）を含有する感光体は、
第１図の導電性支持体１の上に、電荷発生物質２を主体
とする電荷発生層３と、インドリン誘導体（Ｉ）を均一
に含有する電荷輸送層４からなる感光層５を有している
。ここでインドリン誘導体（Ｉ）は電荷輸送物質として
用いられ、結着剤と共に電荷輸送層４を形成するつ電荷輸送層４を透過した光は電荷発生層３中に分散され
た電荷発生物質２に到達し、電荷発生物質２が光減衰に
必要な電荷を発生させる。電荷輸送層４はこの電荷の注
入を受けて、その輸送を行う。ここで電荷発生物質２と
、インドリン誘導体（Ｉ）が互いに、主として可視領域
において吸収波長領域が重ならないということが必要条
件である。

これは電荷発生物質２に電荷担体を効率良く発生させる
ためには、電荷発生物質表面まで光を透過させる必要が
あるからである。本発明のインドリン誘導体（Ｉ）は可
視領域にほとんど吸収がガく、一般に可視領域の光を吸
収し電荷を発生する電荷発生物質と組み合わせた場合、
とくに有効に電荷輸送物質として働くのがその特徴であ
る。

第１図の感光体を作製するには、導電性支持体１上に電
荷発生物質２を真空蒸着するか、あるいは電荷発生物質
２の微粒子を必要に応じて結着剤を溶解した適当な溶媒
中に分散させて得た分散液を塗布、乾燥し、さらに必要
があれば、例えばノ９フ研磨などの方法によって表面仕
上げを行って膜厚を調整したのち、その上にインドリン
誘導体および結着剤を含む溶液を塗布乾燥して得られる
。

塗布は通常の手段、例えばドクターブレード、マイヤー
パーなどを用いる。

電荷発生層３の厚さは５μ以下、好ましくは２μ以下で
あり、電荷輸送層４の厚さは３〜５０μ、好ましくは５
〜２０μである。また、本発明イビ金物（Ｉ）は電荷輸
°送層４中に１０〜９０重量％、好ましくけ３０〜９０
重ｔ％配合される。

４遡性支持体１としてはアルミニウムなどの金属板又は
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは導電処理を施した紙などが用いら
れる。結着剤としては、？リエステル樹脂、？す塩化ビ
ニル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、？リスチレ
ン樹脂、？リカーボネート樹脂などが用いられるが、な
かでも？リカーボネート樹脂が好適である。

電荷発生物質２としては、例えばセレン、硫化カドミウ
ムなどの無機材料及び例えばＣＩピグメントブルー２５
（カラーインデックスＣｌ２１１８０）、ＣＩピグメン
トレッド４１　（ＣＩ２１２００）、ＣＩアシッドレッ
ド５２　（Ｃｌ４５１００）、ＣＩベーシックレッド（
ＣＩ４５２１０）などのアゾ系顔料；ＣＩぎグメントプ
ル−１６（ＣＩ７４１００）などの７タロシアニン系顔
料；Ｃ■ノ署ノットブラウン５ＣＩ７３４１０）、ＣＩ
パットダイ（ＣＩ７３０３０）などのインジゴ系顔料；
アルゴスカーレットＲ゛（バイエル社製）、インダンス
レンスカーレットＲ（バイエル社ａ）などのペリレン系
顔料、さらにはクロロシアンブルーすなわち４．４’−
Ｃ（３゜３’−ジクロロ−４，４′−ピフエニリレン）
ビスＣアゾ）〕−〕ビスー３−ヒドロキシー２−ナフタ
ニリドメチルスクアリウムすなわち２．４−ビス−（２
−メチル−４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−シ
クロプタゾエンゾイリウム−１，３−ジオレート、ヒド
ロキシスクアリウムすなわち２．４−ビス−（２−ヒド
ロキシ−４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−シク
ロプタゾエンゾイリウム−１，３−ジオレートなどの有
機顔料が用いられる。

〔実施例〕

次に合成例及び実施例を以て本発明の詳細な説明する。

合成例−１Ｎ、３．３−　）ジメチル−２−メチレンインドリン（
（■）式中、Ｒ＝メチル）２８２をインゾロぎルアルコ
ール１００−に加え、５％Ｐｄ−Ｃ０１５２を触媒とし
て室温にて水素添加を行った（初圧３０匂／−）。蒸留
して、沸点８５℃／４ａｓ　Ｈｙの目的化合物２６．２
Ｆ（理論収率９２．５％）を得た。このものの赤外吸収
（ＩＲ）スペクトル（ｎｅａｔ）を第２図に示した。ま
たこのものの４００ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ
ｌ３）は次の通シである。

δＩ）ｐｍ　：１．０１（３Ｈ，ｓ）、１．１８　（３
Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．６Ｈ２）、１．２８（３Ｈ，Ｓ）
、２．７０（３Ｈ，Ｓ）、′２．．８７（ＩＨ，ｑ、Ｊ
＝６．６Ｈｚ）、６．５１（ＩＨ。

ｄ　、　Ｊ＝７．８Ｈｚ　）、６．７２　（ＩＨ、ｄｄ
　、　Ｊ＝７．４゜７．７Ｈ１）、７．０２　（ＩＨ、
ｄ　、　Ｊ＝７．７Ｈｚ　）、７．０９（ＩＨ，ｄｄ、
Ｊ＝７．４，７．８Ｈｚ）合成例−２ジメチルホルムアルデヒド（以下ＤＭＦという）１４．
６Ｆ、ジクロルエタン１００　ｍｌに５〜１０℃にてオ
キシ塩化リン３０．７　ｔを滴加し、グイルスマイヤー
試薬を調製した。２４．５　ＰのＮ　、　２　、３゜３
−テトラメチルインドリン（２ａ）のジクロルエタン溶
液５０　ｍｌを１０〜２０℃で滴加した後、５０℃にて
４時間反応せしめた。その後、５０ｔの酢酸ソーダを水
３００−に浴かした水浴液を加え、５５℃にて１時間攪
拌し別水分解した。油分を分液し、水洗したる後蒸留し
て沸点１４２℃／１、５　ｔｘｘＨｙの目的化合物２３
．５５’（理論収率８２．７％）を得た。このもののＩ
Ｒスペクトル（ｎｅａｔ）を第３図に示した。またこの
ものの４００ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３　
）は次の通ｐである。

δＩ）ｐｍ：１．０７　（３Ｈ，ｓ　）、１．１９　（
３Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．６Ｈｚ）、１．３０（３Ｈ，ｓ
）、２．８２（３Ｈ，ｓ）、３．２２（ＩＨ，ｑ、Ｊ＝
６．６Ｈｚ）、６．４３（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８、ＩＨｚ）
、７．５３　（Ｉ　Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝１．５Ｈｚ　）、
７．５７（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝１．７，８．１Ｈｚ）、１
０．００ｆｌＨ。

Ｓ）合成例−３ラゾンの合成（例示化合物−１）Ｎ、２，３，３−テトラメチル−５−ホルミルインドリ
ン４２、ゾンエニルヒドラゾン塩酸塩４．５ｔ、エタノ
ール２０ｙｒｌにピリシン１．６２を加え、２時間還流
下に攪拌したる後、室温まで冷却した。生成した結晶を
濾過し、この結晶をベンゼンに沼かしシリカゲルクロマ
トを通し黄色のバンドを分取した。これを濃縮し、エタ
ノールから再結晶して、融点１６２〜３℃の結Ｊ％　５
．　ＯＳ’　（理論収率６８．８％）を得た。このもの
のＩＲスペクトル（ＫＢｒ）を第４図に示した。またこ
のものの４００　ＭＨｚのＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ２
３）は次の通υである。

δｐｐｍ：１．０４　（３Ｈ，ｓ　）、１．１８　（３
Ｈ，ｄ　、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、Ｌ　３１　（３Ｈ、ｓ　
）　、２−７１　（３Ｈ＋　ｓ　）、２．９４　（ＩＨ
，Ｑ　、Ｊ＝６．５Ｈｚ　）、６．４２（ＩＨ，ｄ　、
Ｊ＝８．１Ｈｚ　）　、７．１３〜７．２４　（８Ｈ、
ｒｎ　）、７．３７〜７．４２（５Ｈ，ｍ）合成例−４一カルゴアルデヒド＝Ｎ′−メチル−Ｎ′−フェニルヒ
ドラゾンの合成（例示化合物−２）Ｎ、２，３．３−テ
トラメチル−５−ホルミルインドリン２．０３ｔ、フェ
ニルメチルヒドラゾン１、２２　Ｆをエタノール２０ｍ
に溶かし、酢酸０．１２を加えて還流下に４時間攪拌を
行った。合成例−３と同様にして濃縮、精製を行い融点
８６〜７℃の結晶１．８２　Ｆ　（理論収率５６．０％
）を得た。

このもののＩＲスペクトル（ＫＢｒ）を第５図に示した
。またこのものの４００　ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（
ＣＤＣ４５）は次の通シである。

δｐｐｍ：１．０６（３Ｈ，ｓ）、１．１９　（３Ｈ、
ｄ　、　Ｊ　〜６．５Ｈｚ）、１．３３（３Ｈ，ｓ）、
２．７３（３Ｈ，ｓ）、２．９５（ＩＨ，ｑ　、Ｊ＝６
．５Ｈｚ　）、３．３８（３Ｈ，ｓ）、６、４８　（Ｉ
　Ｈ、ｄ　、　Ｊ　〜８．０　Ｈｚ　）　、６．８６〜
６．９０（Ｉ　Ｈ、ｍ　）　、７．２９〜７．３７　（
５Ｈ、ｍ　）　、７．４８〜７．５１　（２Ｈ、ｍ　）合成例−５（（■）式中、Ｒ＝インゾロビル）の合成乾燥ベンゼン
８〇−中に５０％ＮａＨ９，６ＳＪを分散させ、これに
フェニルヒドラゾン１９．４　ｔのペンゼア２０−の溶
液を１５分をかけて摘加した後、徐々に６０℃まで加熱
する。水素ガスが発生し、１時間反応させるとガスの発
生が止まった。

これに、インゾロビルプロミド２７ｆを６０℃で２０分
を賛して滴加し、３時間還流した。その後、メタノール
を加えて分解したる後水中に注入した。

ベンゼンにて２回抽出後ベンゼン層を水洗し無水炭酸ソ
ーダにて乾燥し、減圧蒸留して沸点１２６〜１２８℃／
　２０　ｙＨｙの目的化合物２３．６　Ｓ’　（理論収
率８７．４％）を得た。純度は９３．４％であった。

合成例−６５００ｍｌの液体アンモニア中に一片のＦｅ（Ｎｏり３
・９Ｈ２０を加えた。ナトリウム６．９２を少量づつく
わえた後、フェニルヒドラゾン２７２を１０分間かけて
加えた。１時間後、イソプロピルプロミド４０．６・２
を４０分を要して滴加した。２時間後、ドライアイス−
アセトンバスを除き放置した。翌日、エーテル１００−
を加えて攪拌し、分液してエーテル層を取り、エーテル
層は水洗後無水炭酸ソーダにて乾燥したるのち、減圧蒸
留して沸点１２３−１２６℃／　２０　ｍＨｙの目的化
合物３２．２１（理論収率８５．９％）を得た。純度は
９８％であった。

合成例−フイソプロピルメチルケトン３５．５　を及びＮ−フェニ
ル−Ｎ−インゾロビルヒドラゾン３１９に、イソプロピ
ルアルコール１００−を加え、４時間還流下に攪拌′し
た。えた油分を減圧下に精留して沸点９８−１００℃／
　５　ｘｕａＨｙの目的化合物４０．７ｆ（理論収率９
０．３％）を得た。

合成例−８Ｎ−イソプロピル−２−メチレン−３，３−ジイソゾロ
ビルメチルケトンのＮ−フェニル−Ｎ−イソプロピルヒ
ドラゾン３２．２９を酢酸３００ｍｅ中で１時間還流し
た。酢酸を減圧下に留去し、その残渣に苛性ソーダ水溶
液を加えベンゼンにて２回抽出した。ベンゼン層を水洗
し、硫酸マグネシウムにて乾燥した後、この油を減圧蒸
留して沸点１０２〜１０３℃／　５　ｗｓＨｙの目的化
合物２４．２２（理論収率７０．７％）を得た。このも
ののＩＲスペクトル（ｎｅａ　ｔ　）を第６図に示した
。またこのものの４００　ＭＨｚのＮＭＲスペクトル（
ＣＤＣｌ２）は次の通シである。

δｐｐｍ：１．３２（６Ｈ，ｓ　）、１．４３　（３Ｈ
，ｄ　、Ｊ　＝７．１Ｈｚ）、３．８５（ＩＨ，ｓ）、
３．９４（ＩＨ，ｓ）、４．１４（ＩＨ，ｍ）、６−６
９〜６，７５　（２Ｈ＋　ｍ）　、７０５〜７、０９　
（２Ｈ、ｍ　）合成例−９凡こ」二乙二２コも≧二」−１１ユ」ニニエ」２安ｉ水
／ンドリン（（■）式中、Ｒ＝イソゾロビル）の合成Ｎ−インプロピル−２−メチレン−ａ　、　Ａ　−ｙメ
チルインドリン１０ｆｔ−イソゾロビルアルコール５０
−に溶かし、５％Ｐｄ−Ｃ触媒０．５ｔを加えて、初圧
３　Ｑ　Ｋｇ／ｃｍ”　％室温にて攪拌を１夜行い、水
添した。触媒を濾別し、この油を減圧蒸留して沸点１０
２℃／４藺Ｈｆの目的化合物９．２　ｆ　（理論収率９
１％）を得た。このもののＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）
を第７図に示した。またこのものの４００ＭＨ２のＮＭ
Ｒスペクトル（ＣＤＣｔｓ　）は次の通りである。

δｐｐｍ　：　Ｌ　０５　（３Ｈ＋　ｓ　）　、１−１
５　（３Ｈｔ　ｄ　＋　Ｊ　〜６．５　Ｈｚ　）、１．
２１　（３Ｈ，ｓ　）、λ２２　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ　
〜６．６Ｈｚ）、１．３０（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝７．０Ｈｚ
）、３．２７（ＩＨ，ｑ。

Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．６７　（ＩＨ、七重線、　Ｊ＝
６．９　Ｈｚ　）、６．５２　（ＬＨ，ｄ　、Ｊ　＝７
．９Ｈｚ　）、６．６２（ＩＨ。

ｄｄｗＪ＝７．３−７．４Ｈｚ）、６．９７（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、７．０１（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．
８，７．３Ｈｚ）合成例−１０Ｎ−イソプロピル−２，３，３−トリメチル−ＤＭＦ７
．３？とオキシ塩化リン１５．４Ｆ、１゜２−ジクロル
エタン１００　ｍｌからグイルスマイヤー試薬を調製し
、Ｎ−インプロピル−２，３，３＝トリメチルインドリ
ン８．１２　ｔを作用させ、合成例−２と同様に操作し
て８．７８　Ｆの油状物を得た。浴温１３０℃／　１　
ｍＨｙ、このもののＩＲスペクトル（ｎｅａ　ｔ　）を
第８図に示した。またこのものの４００　ＭＨｚのＮＭ
Ｒスペクトル（ＣＤＣ２３）は次の通シでおる。

δりＩ）ｍ：１．１６（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、
１．１７（３Ｈ，ｓ）、１．２２（３Ｈ，ｓ）、１．３
１　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．９Ｈｚ）、１．３７（３
Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）、３．５３（ＩＨ，ｑ。

Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．８１（ＩＨ，七重線、Ｊ＝６．
９Ｈｚ）、６．４５　（Ｉ　Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝８．２
Ｈｚ　）、７．５０（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝１．４Ｈ２）、７．５２　（ＬＨ、ｄｄ　、　Ｊ＝
１．６　、８．２Ｈｚ　）　、９．６５　（Ｉ　Ｈ＋　
ｓ　）合成例−１１Ｎ−イソゾロビル−２，３，３−）ジメチルインドリン
−５−カルゴアルデヒドーＮ’　、　Ｎ’−ジフェニル
ヒドラゾンの合成（例示化合物−５）Ｎ−イソプロピル
−２，３，３−トリメチル−５−ホルミルインドリン１
．５７２、ジフェニルヒドラゾン塩酸塩１．５Ｆ、エタ
ノール１０−にビリシン０．５９　ｆｔ加え、２時間還
流した。その後室温まで放冷し、生成した結晶を濾別し
、合成例−３と同様に操作した後、エタノールより再結
晶して、融点１１９〜１２０℃の結晶１．５６２（理論
収率５７．８％）を得た。このもののＩＲ／ｌ、ベクト
ル（ＫＢｒ）を第９図に示した。またこのものの４００
ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ２）は次の通りで
ちる。

δｐｐｍ：１．１１　（３Ｈ、ｓ　）、１．１５（３Ｈ
，ｄ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１゜２４　（３Ｈ、ｄ　、　
Ｊ＝６．９Ｈｚ　）、１．２５　（３Ｈ、ｓ）、１．３
０　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．９Ｈｚ）、３．３４　（
ＩＨ、ｍ）、３．７０（ＩＨ，ｍ）、６．４２（ＬＨ，
ｍ）、７．１２〜７．１９（８Ｈ，ｍ）、７．３７〜７
．４１　（５Ｈ、ｍ　）合成例−１２Ｎ−イソゾロビル−２，３，３−トリメチルインドリン
−５−カルボアルデヒド＝Ｎ′−メチル・　−Ｎ′−フ
ェニルヒドラゾンの合成（例示化合物Ｎ−イソプロピル
−２，３，３−トリメチル−５−ホルミルインドリン２
．０３Ｆ、７二；ルメチルヒドラゾン１．２２　ｔをエ
タノール３０ｍ／に加え、酢酸０．１２を加えて４時間
還流下に、攪拌した。

濃縮後、合成例−３と同様にして処理し、エタノールよ
り２回再結晶して、融点７７〜８℃の結晶１、２２　Ｆ
　（理論収率５５．８％）を得た。このもののＩＲスペ
クトル（ｘＢｒ）を第１０図に示した。

またこのものの４００　ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（ｃ
Ｄｃｔ、　）は次の通りである。

δｐｐｍ：１．１２（３Ｈ，ｓ）、１．１６　（３Ｈ、
ｄ　、　Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．２６（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、１．２７　（３１Ｈ、ｓ）、１．３２　
（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．９Ｈｚ）、３．３４〜３．３
７　（４Ｈ、ｍ　）、３．６８−３．７４（ＩＨ，ｍ）
、６．４８（ＩＨ。

ｄ　、　Ｊ＝８．２Ｈｚ　）、６．８５〜６．８８（Ｉ
Ｈ，ｍ）、７．２３〜７．３６（５Ｈ，ｍ）、７．４４
（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ　）、７．５０　（ＩＨ、
ｓ　）合成例−１３Ｎ−フェニル−２−メチレン−３，３−ゾメチ成Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン塩酸塩５５．　Ｉ　Ｓ’
、メチルイソゾロビルケトン２２ノ、ビリシン２０２を
ベンゼン３００　ｎｊｌに加え、還流下に攪拌し、共沸
脱水させた。５時間で水４　ｍｌの生成がみられた。不
溶分をデカントして除き、減圧下に蒸留して沸点１４５
〜１５０℃／　３　ｐｕＨｙの油分４３．１９を得た。

この油分を酢酸２００−に加え５時間還流した。酢酸を
減圧留去したる後、苛性ソーダ水溶液で中和し、ベンゼ
ンにて抽出した。ベンゼン層は水洗し、蒸留して沸点１
２５〜１３０℃／１ｆｆｉＪＨｆの粗油３３？を得た。

ガスクロマトグラフ分析の結果、２ビークを示し、主ピ
ーク（７８，３％）は本目的化合物であり、残シの１５
．３％は副反応物ジフェニルアミンであった。シリカゲ
ルクロマトグラフにて生成し、目的化合物１５．１　？
　（理論収率２５．４％）を得た。このもののＩＲスペ
クトル（ｎｅａｔ）を第１１図に示した。またこのもの
の４００　ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｔ３）は
次の通シである。

δＩ）Ｉ）ｍ：１．４５　（６Ｈ、ｓ　）、３．８７（
ＩＨ，ｓ）、３．９５（Ｌ　Ｈ＋　ｓ　）　、６−４７
　（Ｉ　Ｈ−ｄ　＋　Ｊ　＝ｚ８　Ｈｚ　）、６−８１
　（Ｉ　Ｈ＋　ｄ　ｄ　、Ｊ　＝７．４　＋　７６　Ｈ
ｚ　）　、７０３（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．４，７．８Ｈ
ｚ）、７．１６（ＩＨ。

ｄ　、Ｊ　”　７．６　Ｈｚ　）　、７．３２〜７．３
８　（３Ｈ９ｍ　）、７．４６〜７．５０（２Ｈ，ｍ）合成例−１４Ｎ−７二二ルー２−メチレン−３，３−ジメチルインド
リン８，６ｔをメタノール５０　ｍｌに刃口え、５％Ｐ
ｄ−Ｃ触媒０．５２を加えて、２００＃ｌ／！のオート
クレーブにいれた。初圧３０　Ｋ４／ｃｍ　、室温にて
２０時間水添を行った。触媒を濾別して目的化合物８．
５３　ｆを得た。

合成例−１５Ｎ−フェニル−２，３，３−トリメチル−５−Ｎ−７二
モルー２　、３　、３−　トＩＪメチルインドリン８．
４ｔをＤＭＦ　１０　ｔ、オキシ塩化リン１５．３ｆ、
１，２−ジクロルエタンから調製したヴイルスマイヤー
試楽と反応させ、シリカゲルカラムクロマト精製して、
目的化合物６．５ｆを得た。このもののＩＲスペクトル
（ｎｅａｔ）を第１２図に示した。またこのものの４０
０　ＭＨｚのＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｔｓ）は次の通
シである。

δｐＩ）ｍ：１．１６　（３Ｈ，ｄ　、Ｊ＝６．５Ｈｚ
　）、１．２１（３Ｈ，ｓ）、１．４０（３Ｈ，ｓ）、
２．９９（ＩＨ，Ｑ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、６．６３（Ｉ
Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、７．２１〜７．２６（３Ｈ
，ｍ）、７．４１＝７．４５（２Ｈ，ｍ）、７．５０（
ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝１．６，８．２Ｈｚ）、７．６４（Ｉ
Ｈ。

ｄ　、　Ｊ＝１．６Ｈｚ　）合成例−１６リンー５−カルボアルデヒドメチルフェニルヒドラジン
の合成（例示化合物−９）Ｎ−フェニル−２，３，３−トリメチル−５−ホルミル
インドリン１．４Ｍ、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルヒドラ
ゾン０．６９　Ｐ　’ｉエタノール２０−に加え、酢酸
３滴を加え、３時間還流下に攪拌した。

その後５℃に冷却し、生成した結晶を濾別した。

これをアセトニトリルよシ再結晶して、融点１３１℃の
結晶１．７４　ｔ　（理論収率７１．４％）を得た。

このもののＩＲスペクトル（ＫＢｒ）を第１３図に示し
た。またこのものの４００　ＭＨ２のＮＭＲスペクトル
（ＣＤＣｔ、　）は次の通りである。

δｐｐｍ：１．１８　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝６．５Ｉ
（ｚ　）、１．２２（３Ｈ，ｓ）、１．３９（３Ｈ，Ｓ
）、３．３７（３Ｈ，ｓ）、３．８６（ＩＨ，ｑ、Ｊ＝
６．５Ｈｚ）、６．６９（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）
、６．９１〜６．９６（ＩＨ，ｍ）、７．１４〜７．１
９（ＩＨ，ｍ）、７．２３〜７．４０（９Ｈ，ｍ）、７
．５０（ＬＨ，ｓ）、７．５６（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝１．６
Ｈｚ）合成例−１７ニルヒドラゾンの合成（例示化合物−８）Ｎ−フェニル
−２，３，３−）リフチル−５−ホルミルインドリン１
．５９Ｆ、ゾフェニルヒトラゾン塩酸塩１．３３　ｔを
エタノール２０ｍｇに加え、ピリシン０．８２を加え、
３時間還流下に攪拌した。

その後冷却し、生成した結晶を濾別し、２．３７２の結
晶を得た。これをシリカゲルショートカラムを通したる
後、エタノール−酢酸エチルよシ再結晶して、融点１６
８℃の結晶２．．２７ｆ（理論収率８７、８％）を得た
。このもののＩＲスペクトル（ＫＢｒ）を第１４図に示
した。またこのものの４００　ＭＨｚのＮＭＲスペクト
ル（ＣＤＣｌ３　）は次の通シである。

δｐｐｍ：１．１６　（３Ｈ、ｄ　、　Ｊ＝６．５Ｈｚ
　）、１．２０　（３Ｈ、ｓ）、１．３７（３Ｈ，Ｓ）
、３．８６（ＬＨ，ｂｓ）、６．６６（Ｉ１（、ｄ　、
　Ｊ＝８．２Ｈｚ　）、７．１２〜７．２４　（Ｉ１Ｈ
。

ｍ）、７．３５〜７．４２（６Ｈ，ｍ）、７．５０（Ｉ
Ｈ，ｄ。

Ｊ　＝　１．７　Ｈｚ　）合成例−１８リン−５−カルボアルデヒド−Ｎ′−フェニル−Ｎ′−
ベンシルヒドラゾンの合成（例示化合物−Ｎ−フェニル
−２，３，３−トリ、メチル−５−ホルミルインドリン
２．０？、Ｎ−フェニル−Ｎ−ペンシルヒドラゾン塩酸
塩１．８２をエタノール４０ゴに加え、ビリシン１．０
２を加え、合成例−１７と同様に処理して、融点１５１
℃の結晶２，４２（理論収率７１゜５％）を得た。この
もののＩＲスペクトル（ＫＢｒ）を第１５図に示した。

またこのものの４００　ＭＨ２のＮＭＲスペクトル（Ｃ
ＤＣｔｓ）は次の通りである。

δｐｐｍ：１．１６（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１
．２０（３Ｈ，ｓ）、１．３７（３Ｈ，ｓ）、３．８４
　（ＩＨ、Ｑ　、　Ｊ＝６．５Ｈｚ）、５．１５（２Ｈ
，ｓ）、６．６６　（ＬＨ、ｄ　、　Ｊ＝８．２Ｈｚ）
、６、８７〜６．９１　（Ｉ　Ｈ、ｍ　）　、７．０７
〜７．１１　（Ｌ　Ｈ。

ｍ）、７．１５〜７．３７（Ｉ５Ｈ，ｍ）、７．５０（
ＩＨ。

ｄ　、　Ｊ＝１．６Ｈｚ　）実施例１゜電荷発生物質としてのクロルシアンブルー（ＣＢＤ）又
はフタロシアニン（Ｐｃ　）　０．２　？を、？リカー
ゲネート樹脂（三菱瓦斯化学株式会社製「ニーピロンＥ
−２０００Ｊ）を５チ含有するジクロルエタン溶液４２
に混ぜ、ジクロルエタン２０ｍをくわえたのち、振動ミ
ルを用いて１μ以下に粉砕して電荷担体発生顔料の分散
液を作った。

これをアルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレ
ー）（ＰＥＴ）フィルム上に、マイヤーバーを用いて塗
布し、４５℃で乾燥して、約１μの厚さに電荷担体発生
層を作った。この電荷担体発生層の上に、５重ｔ％のポ
リカーボネート（ニーピロンＥ−２０００）のジクロル
エタン溶液に５重量％の本発明の電荷発生物質を溶解せ
しめた電荷輸送層塗布液をドクターブレードを用いて、
乾燥時膜厚約１５μになるように塗布し、４５〜６０℃
にて４時間乾燥した。かくして得られた電子写真感光体
フィルム（本発明品１〜１４）を静電複写紙試験装置（
ＳＰ−４２８型；川口を機製作所＃）をもちｈて表面電
位の変動を測定した。

前記感光体を、−６ＫＶのコロナ放電を５秒間行って帯
電せしめ、表面電位Ｖ。（単位−ボルト）を測定し、こ
れを暗所で５秒間保持した後、タングステンランプによ
り照度５ルツクスの光を照射し、表面電位を１／２及び
１／６に減衰させるに必要な蕗光量すなわち、半減露光
ｉＥ１／２（ルックス・秒）及びＥ　１／６　（ルック
ス・秒）、さらに照度５ルツクスの光を２０秒間照射後
の表ＵｆＪ電位ＶＲ２０（ボルト）を求めた。この結果
を表−１に示す。また、同じ電子感光体フィルムについ
て１０．０００ルツクスの光を３秒間照射し、除電後、
上記測定を繰り返すサイクルを２００回行ったときの各
測定値を表−２に示した。

以下余白表−１表−２〔発明の効果〕本発明のＮ−置換−２、３、３−）　ＩＪメチルインド
トリ紡導体は電子写真感光体の材料と・して有用な性質
、例えば勝れた静電荷保持能力を有する。

しかして本発明化合物を用いた電子写真感光体は、高感
度にして残留電位が少なく、繰返し使用しても光疲労が
少なく、耐久性に勝れているなどの電子写真プロセスの
分野で最も要求されている特性を具備し、工業的に有利
なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図
である。第２図及び第３図は、それぞれＮ、２，３．３−テトラ
メチルインドリン及びＮ、２，３．３−テトラメチル−
５−ホルミルインドリンのＩＲスペクトルを示す図面で
ある。第４図及び第５図は、それぞれ例示化合物−１及び例示
化合物−２のＩＲスペク上ルを示す図面である。第６図、第７図及び第８図は、それぞれＮ−イソゾロぎ
ルー２−メチレン−３，３−ジメチルインドリン、Ｎ−
イソプロピル−２，３，３−）ジメチルインドリン及び
Ｎ−インゾロぎルー２，３゜３−トリメチル−５−ホル
ミルインドリンのＩＲスペクトルを示す図面である。第９図及び第１０図は、それぞれ例示化合物−５及び例
示化合物−６のＩＲスペクトルを示す図面である。第１１図及び第１２図は、それぞれＮ−フェニル−２−
メチレン−３，３−ジメチルインドリン及びＮ−フェニ
ル−２，３，３−トリメチル−５−ホルミルインドリン
のＩＲスペクトルを示す図面である。第１３図、第１４図及び第１５図は、それぞれ例示化合
物−９、例示化合物−８及び例示化合物−１０のＩＲス
ペクトルを示す図面である。以上第１図

Claims

【特許請求の範囲】１、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を設けた
電子写真感光体において、電荷輸送層として次の一般式
（ I ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒは低級アルキル基又はフェニール基を示し、
Ｒ＿１は低級アルキル基、フェニール基又はベンジル基
を、Ｒ＿２はフェニール基を示す）で表わされるＮ−置
換−２，３，３−トリメチルインドリン誘導体を含有す
ることを特徴とする電子写真感光体。