JPS63206382A - 結晶引き上げ装置 - Google Patents

結晶引き上げ装置

Info

Publication number
JPS63206382A
JPS63206382A JP3850387A JP3850387A JPS63206382A JP S63206382 A JPS63206382 A JP S63206382A JP 3850387 A JP3850387 A JP 3850387A JP 3850387 A JP3850387 A JP 3850387A JP S63206382 A JPS63206382 A JP S63206382A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
ring
holder
crystal pulling
stainless steel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3850387A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0542396B2 (ja
Inventor
Chihoko Kaneda
千穂子 金田
Tetsuo Fukuda
哲生 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3850387A priority Critical patent/JPS63206382A/ja
Publication of JPS63206382A publication Critical patent/JPS63206382A/ja
Publication of JPH0542396B2 publication Critical patent/JPH0542396B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 シードホルダを引き上げるワイヤの熱膨張率よりも小な
る熱膨張率を有するリングと、このワイヤとをかしめ止
めした結晶引き上げ装置。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶引き上げ装置に係り、特にシードホルダ
の引き上げ部の改良に関するものである。
結晶引き上げ装置において、シードを引き上げる部分の
部品の結合状態が高温のために悪くなり、シードホルダ
が引き上げ用のワイヤから離脱する障害が発生している
以上のような状況からシードホルダと引き上げ用のワイ
ヤとの結合が高温の場合にも悪くならない結晶引き上げ
装置が要望されている。
〔従来の技術〕
従来の結晶引き上げ装置の引き上げ部は第2図に示すよ
うに、タングステンワイヤ11に嵌めたステンレスリン
グ12をかしめて、シードホルダ3を貫通する孔にタン
グステンワイヤ11を通すとステンレスリング12がシ
ードホルダ3のテーパ一部に当たり、タングステンワイ
ヤ11によってシードホルダ3を引き上げ得るようにな
っている。
シード5に設けた孔とシードホルダ3の孔に嵌合するピ
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
結晶引き上げ時には、タングステンリング2とステンレ
スワイヤ1のかしめ部は500℃程度に加熱される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来の結晶引き上げ装置で問題となるのは、
装置稼動時にタングステンワイヤ11のステンレスリン
グ12との結合部が加熱されて500℃になり、タング
ステンよりステンレス・スチールの熱膨張率が大きいた
めに、ステンレスリング12がタングステンワイヤ11
から外れ、シードホルダ3及びシード5が落下してしま
うために、稼動を続けることが不可能になることである
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に調達でき
る結晶引き上げ装置の提供を目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、シードホルダを引き上げるワイヤの熱膨
張率よりも小なる熱膨張率を有するリングとこのワイヤ
とをかしめ止めした本発明による結晶引き上げ装置によ
って解決される。
〔作用〕 即ち本発明においては、ワイヤに、ワイヤの材料よりも
小なる熱膨張率を有する材料のリングをかしめ止めして
いるので、此の部分が高温になると常温の場合よりも結
合力が強くなり、リングがワイヤから外れて、シードホ
ルダがワイヤから離脱することがなくなる。
〔実施例〕
以下第1図について本発明の一実施例を説明する。
第1図においてステンレスワイヤ1とタングステンリン
グ2はかしめ止めされており、シードホルダ3を貫通す
る孔にステンレスワイヤ1を通すとタングステンリング
2がシードホルダ3のテーパ一部に当たり、ステンレス
ワイヤlによってシードホルダ3を引き上げ得るように
なっている。
シード5に設けた孔とシードホルダ3の孔に嵌合するピ
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
結晶引き上げ作業が始まると、タングステンリング2と
ステンレスワイヤ1のかしめ部は500 ”C程度に加
熱されるが、タングステンの熱膨張率は4.6 Xl0
−’/にであるが、ステンレス・スチールの熱膨張率は
18.4 X 10−’/ Kのために、ステンレスワ
イヤ1とタングステンリング2とは常温の場合よりも更
に強く結合され、タングステンリング2がステンレスワ
イヤ1から離脱することを防止することが可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば極めて簡単な材質の
変更により、高温時のワイヤとリングの結合力を強める
ことが可能となり、結晶引き上げ装置の円滑な稼動を可
能にする利点があり、著しい経済的及び、信顛性向上の
効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図、第2図
は従来の結晶引き上げ装置の要部を示す側断面図、 である。 図において、 1はステンレスワイヤ、 2はタングステンリング、 3はシードホルダ、 4はピン、 5はシード、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シードホルダ(3)を引き上げるワイヤ(1)の熱膨張
    率よりも小なる熱膨張率を有するリング(2)と前記ワ
    イヤ(1)とをかしめ止めしたことを特徴とする結晶引
    き上げ装置。
JP3850387A 1987-02-20 1987-02-20 結晶引き上げ装置 Granted JPS63206382A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3850387A JPS63206382A (ja) 1987-02-20 1987-02-20 結晶引き上げ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3850387A JPS63206382A (ja) 1987-02-20 1987-02-20 結晶引き上げ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63206382A true JPS63206382A (ja) 1988-08-25
JPH0542396B2 JPH0542396B2 (ja) 1993-06-28

Family

ID=12527074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3850387A Granted JPS63206382A (ja) 1987-02-20 1987-02-20 結晶引き上げ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63206382A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09175894A (ja) * 1995-12-25 1997-07-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置
JPH11292686A (ja) * 1998-04-07 1999-10-26 Mitsubishi Materials Corp シードチャック
WO2000040786A1 (en) * 1998-12-28 2000-07-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for producing single crystal and pulling device
JP2006169034A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140106240A (ko) * 2013-02-26 2014-09-03 삼성에스디에스 주식회사 전원 모듈에 있어서 전압/전류의 효율 측정 시스템 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52117547U (ja) * 1976-03-02 1977-09-06

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52117547U (ja) * 1976-03-02 1977-09-06

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09175894A (ja) * 1995-12-25 1997-07-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置
EP0783047A1 (en) * 1995-12-25 1997-07-09 Shin-Etsu Handotai Company Limited Crystal Pulling Apparatus
US5833750A (en) * 1995-12-25 1998-11-10 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Crystal pulling apparatus
JPH11292686A (ja) * 1998-04-07 1999-10-26 Mitsubishi Materials Corp シードチャック
WO2000040786A1 (en) * 1998-12-28 2000-07-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for producing single crystal and pulling device
US6340391B1 (en) 1998-12-28 2002-01-22 Shin-Etsu Handotai Co. Method for producing single crystal and pulling device
JP3750525B2 (ja) * 1998-12-28 2006-03-01 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法および引上げ装置
JP2006169034A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0542396B2 (ja) 1993-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62194652A (ja) 半導体装置
SG46949A1 (en) Alloy solder connect assembly and method of connection
JPS62117346A (ja) 半導体装置
JPS63206382A (ja) 結晶引き上げ装置
JPS5423484A (en) Semiconductor integrated circuit and its manufacture
US3978518A (en) Reinforced transcalent device
JP3121382B2 (ja) 超伝導リンク及びその製造方法
JPH0426149A (ja) リードフレームおよびリードフレームと半導体素子の接続方法
JPS6476745A (en) Lead frame
JPS59177957A (ja) チツプ実装方法
JPS62136059A (ja) 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH0458573A (ja) 超電導接続方法
JPS5851920B2 (ja) ハンドウタイボウ ノ ルツボナシタイヨウユウヨウユウドウカネツコイル
DE69635128T2 (de) Stabilisierung und Isolation einer hybriden Bildebene-Matrix
JPS6049637A (ja) 半導体基板のマウント方法
JPS5831414Y2 (ja) テ−プ伸長装置
JPH01283842A (ja) 半導体装置
JPS63195189A (ja) 単結晶の製造装置
JPH07218335A (ja) 赤外線検出器
JPS6114193A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
SU857079A1 (ru) Способ получени несогласованных охватывающих спаев диэлектрика с металлами
JPH0321092B2 (ja)
JPS62224097A (ja) 光半導体装置
JPS644029A (en) Semiconductor device
JPH01270241A (ja) 半導体装置