JPS63206382A - 結晶引き上げ装置 - Google Patents
結晶引き上げ装置Info
- Publication number
- JPS63206382A JPS63206382A JP3850387A JP3850387A JPS63206382A JP S63206382 A JPS63206382 A JP S63206382A JP 3850387 A JP3850387 A JP 3850387A JP 3850387 A JP3850387 A JP 3850387A JP S63206382 A JPS63206382 A JP S63206382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ring
- holder
- crystal pulling
- stainless steel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シードホルダを引き上げるワイヤの熱膨張率よりも小な
る熱膨張率を有するリングと、このワイヤとをかしめ止
めした結晶引き上げ装置。
る熱膨張率を有するリングと、このワイヤとをかしめ止
めした結晶引き上げ装置。
本発明は、結晶引き上げ装置に係り、特にシードホルダ
の引き上げ部の改良に関するものである。
の引き上げ部の改良に関するものである。
結晶引き上げ装置において、シードを引き上げる部分の
部品の結合状態が高温のために悪くなり、シードホルダ
が引き上げ用のワイヤから離脱する障害が発生している
。
部品の結合状態が高温のために悪くなり、シードホルダ
が引き上げ用のワイヤから離脱する障害が発生している
。
以上のような状況からシードホルダと引き上げ用のワイ
ヤとの結合が高温の場合にも悪くならない結晶引き上げ
装置が要望されている。
ヤとの結合が高温の場合にも悪くならない結晶引き上げ
装置が要望されている。
従来の結晶引き上げ装置の引き上げ部は第2図に示すよ
うに、タングステンワイヤ11に嵌めたステンレスリン
グ12をかしめて、シードホルダ3を貫通する孔にタン
グステンワイヤ11を通すとステンレスリング12がシ
ードホルダ3のテーパ一部に当たり、タングステンワイ
ヤ11によってシードホルダ3を引き上げ得るようにな
っている。
うに、タングステンワイヤ11に嵌めたステンレスリン
グ12をかしめて、シードホルダ3を貫通する孔にタン
グステンワイヤ11を通すとステンレスリング12がシ
ードホルダ3のテーパ一部に当たり、タングステンワイ
ヤ11によってシードホルダ3を引き上げ得るようにな
っている。
シード5に設けた孔とシードホルダ3の孔に嵌合するピ
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
。
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
。
結晶引き上げ時には、タングステンリング2とステンレ
スワイヤ1のかしめ部は500℃程度に加熱される。
スワイヤ1のかしめ部は500℃程度に加熱される。
以上説明の従来の結晶引き上げ装置で問題となるのは、
装置稼動時にタングステンワイヤ11のステンレスリン
グ12との結合部が加熱されて500℃になり、タング
ステンよりステンレス・スチールの熱膨張率が大きいた
めに、ステンレスリング12がタングステンワイヤ11
から外れ、シードホルダ3及びシード5が落下してしま
うために、稼動を続けることが不可能になることである
。
装置稼動時にタングステンワイヤ11のステンレスリン
グ12との結合部が加熱されて500℃になり、タング
ステンよりステンレス・スチールの熱膨張率が大きいた
めに、ステンレスリング12がタングステンワイヤ11
から外れ、シードホルダ3及びシード5が落下してしま
うために、稼動を続けることが不可能になることである
。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に調達でき
る結晶引き上げ装置の提供を目的としたものである。
る結晶引き上げ装置の提供を目的としたものである。
上記問題点は、シードホルダを引き上げるワイヤの熱膨
張率よりも小なる熱膨張率を有するリングとこのワイヤ
とをかしめ止めした本発明による結晶引き上げ装置によ
って解決される。
張率よりも小なる熱膨張率を有するリングとこのワイヤ
とをかしめ止めした本発明による結晶引き上げ装置によ
って解決される。
〔作用〕
即ち本発明においては、ワイヤに、ワイヤの材料よりも
小なる熱膨張率を有する材料のリングをかしめ止めして
いるので、此の部分が高温になると常温の場合よりも結
合力が強くなり、リングがワイヤから外れて、シードホ
ルダがワイヤから離脱することがなくなる。
小なる熱膨張率を有する材料のリングをかしめ止めして
いるので、此の部分が高温になると常温の場合よりも結
合力が強くなり、リングがワイヤから外れて、シードホ
ルダがワイヤから離脱することがなくなる。
以下第1図について本発明の一実施例を説明する。
第1図においてステンレスワイヤ1とタングステンリン
グ2はかしめ止めされており、シードホルダ3を貫通す
る孔にステンレスワイヤ1を通すとタングステンリング
2がシードホルダ3のテーパ一部に当たり、ステンレス
ワイヤlによってシードホルダ3を引き上げ得るように
なっている。
グ2はかしめ止めされており、シードホルダ3を貫通す
る孔にステンレスワイヤ1を通すとタングステンリング
2がシードホルダ3のテーパ一部に当たり、ステンレス
ワイヤlによってシードホルダ3を引き上げ得るように
なっている。
シード5に設けた孔とシードホルダ3の孔に嵌合するピ
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
。
ン4によりシード5はシードホルダ3と結合されている
。
結晶引き上げ作業が始まると、タングステンリング2と
ステンレスワイヤ1のかしめ部は500 ”C程度に加
熱されるが、タングステンの熱膨張率は4.6 Xl0
−’/にであるが、ステンレス・スチールの熱膨張率は
18.4 X 10−’/ Kのために、ステンレスワ
イヤ1とタングステンリング2とは常温の場合よりも更
に強く結合され、タングステンリング2がステンレスワ
イヤ1から離脱することを防止することが可能となる。
ステンレスワイヤ1のかしめ部は500 ”C程度に加
熱されるが、タングステンの熱膨張率は4.6 Xl0
−’/にであるが、ステンレス・スチールの熱膨張率は
18.4 X 10−’/ Kのために、ステンレスワ
イヤ1とタングステンリング2とは常温の場合よりも更
に強く結合され、タングステンリング2がステンレスワ
イヤ1から離脱することを防止することが可能となる。
以上説明したように本発明によれば極めて簡単な材質の
変更により、高温時のワイヤとリングの結合力を強める
ことが可能となり、結晶引き上げ装置の円滑な稼動を可
能にする利点があり、著しい経済的及び、信顛性向上の
効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
変更により、高温時のワイヤとリングの結合力を強める
ことが可能となり、結晶引き上げ装置の円滑な稼動を可
能にする利点があり、著しい経済的及び、信顛性向上の
効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図、第2図
は従来の結晶引き上げ装置の要部を示す側断面図、 である。 図において、 1はステンレスワイヤ、 2はタングステンリング、 3はシードホルダ、 4はピン、 5はシード、
は従来の結晶引き上げ装置の要部を示す側断面図、 である。 図において、 1はステンレスワイヤ、 2はタングステンリング、 3はシードホルダ、 4はピン、 5はシード、
Claims (1)
- シードホルダ(3)を引き上げるワイヤ(1)の熱膨張
率よりも小なる熱膨張率を有するリング(2)と前記ワ
イヤ(1)とをかしめ止めしたことを特徴とする結晶引
き上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3850387A JPS63206382A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 結晶引き上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3850387A JPS63206382A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 結晶引き上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206382A true JPS63206382A (ja) | 1988-08-25 |
| JPH0542396B2 JPH0542396B2 (ja) | 1993-06-28 |
Family
ID=12527074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3850387A Granted JPS63206382A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 結晶引き上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63206382A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09175894A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| JPH11292686A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Mitsubishi Materials Corp | シードチャック |
| WO2000040786A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing single crystal and pulling device |
| JP2006169034A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140106240A (ko) * | 2013-02-26 | 2014-09-03 | 삼성에스디에스 주식회사 | 전원 모듈에 있어서 전압/전류의 효율 측정 시스템 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117547U (ja) * | 1976-03-02 | 1977-09-06 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3850387A patent/JPS63206382A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117547U (ja) * | 1976-03-02 | 1977-09-06 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09175894A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| EP0783047A1 (en) * | 1995-12-25 | 1997-07-09 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Crystal Pulling Apparatus |
| US5833750A (en) * | 1995-12-25 | 1998-11-10 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Crystal pulling apparatus |
| JPH11292686A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Mitsubishi Materials Corp | シードチャック |
| WO2000040786A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing single crystal and pulling device |
| US6340391B1 (en) | 1998-12-28 | 2002-01-22 | Shin-Etsu Handotai Co. | Method for producing single crystal and pulling device |
| JP3750525B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2006-03-01 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法および引上げ装置 |
| JP2006169034A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542396B2 (ja) | 1993-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62194652A (ja) | 半導体装置 | |
| SG46949A1 (en) | Alloy solder connect assembly and method of connection | |
| JPS62117346A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63206382A (ja) | 結晶引き上げ装置 | |
| JPS5423484A (en) | Semiconductor integrated circuit and its manufacture | |
| US3978518A (en) | Reinforced transcalent device | |
| JP3121382B2 (ja) | 超伝導リンク及びその製造方法 | |
| JPH0426149A (ja) | リードフレームおよびリードフレームと半導体素子の接続方法 | |
| JPS6476745A (en) | Lead frame | |
| JPS59177957A (ja) | チツプ実装方法 | |
| JPS62136059A (ja) | 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0458573A (ja) | 超電導接続方法 | |
| JPS5851920B2 (ja) | ハンドウタイボウ ノ ルツボナシタイヨウユウヨウユウドウカネツコイル | |
| DE69635128T2 (de) | Stabilisierung und Isolation einer hybriden Bildebene-Matrix | |
| JPS6049637A (ja) | 半導体基板のマウント方法 | |
| JPS5831414Y2 (ja) | テ−プ伸長装置 | |
| JPH01283842A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63195189A (ja) | 単結晶の製造装置 | |
| JPH07218335A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPS6114193A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| SU857079A1 (ru) | Способ получени несогласованных охватывающих спаев диэлектрика с металлами | |
| JPH0321092B2 (ja) | ||
| JPS62224097A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS644029A (en) | Semiconductor device | |
| JPH01270241A (ja) | 半導体装置 |