JPS63210025A - ＩｎＧａＺｎ↓２ＭｇＯ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＧａＺｎ↓２ＭｇＯ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63210025A JPS63210025A JP4115487A JP4115487A JPS63210025A JP S63210025 A JPS63210025 A JP S63210025A JP 4115487 A JP4115487 A JP 4115487A JP 4115487 A JP4115487 A JP 4115487A JP S63210025 A JPS63210025 A JP S63210025A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用な新規化
合物であるＩｎＧａＺｎｚＭｇＯａで示される六方晶系
の層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
合物であるＩｎＧａＺｎｚＭｇＯａで示される六方晶系
の層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ’°Ｆｅ”０．）、Ｆｅ”０ （ｎは整数
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦ１３ｚ０４．Ｙｂ＊Ｆｅ３０ｔ、 Ｙｂ、Ｆｅｎ
０＋ｏ及びＹｂａＦｅｓＯ＋３の六方晶系としての格子
定数、ＹｂＯ，、、層、 Ｆｅｄ、、。
０＋ｏ及びＹｂａＦｅｓＯ＋３の六方晶系としての格子
定数、ＹｂＯ，、、層、 Ｆｅｄ、、。
層、 Ｆ＋３ｚＯｚ、 ｓ層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通りである。
を示すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して’
ＩｂＦｅＯ３がｎモル（ｎ＝１，２．３−）モルの割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
ＩｂＦｅＯ３がｎモル（ｎ＝１，２．３−）モルの割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
発明の目的
本発明は前記（ＹｂＦｅＯ，） １ｌＦｅＯの化学式に
おいて、ｎ＝１／３に相当し、ｙｂ”の代わりに１ ｎ
３ ＋を、Ｆｅ”の代わりにＧａ１を、Ｆｅ”＋の代
わりに（２Ｚｎ”＋Ｍｇ”つを置きかえられた新規化合
物を提供するにある。
おいて、ｎ＝１／３に相当し、ｙｂ”の代わりに１ ｎ
３ ＋を、Ｆｅ”の代わりにＧａ１を、Ｆｅ”＋の代
わりに（２Ｚｎ”＋Ｍｇ”つを置きかえられた新規化合
物を提供するにある。
発明の構成
本発明の化合物はＩｎＧａＺｎ、ＭｇＯ，で示され、イ
オン結晶モデルでは、Ｉｎ”（Ｇａ”、Ｚｎ”）Ｚｎ”
Ｍｇｔ＋６．ｔ−とじて記述され、その構造はＩｎＯ＋
、ｓ層； （、Ｇａ。
オン結晶モデルでは、Ｉｎ”（Ｇａ”、Ｚｎ”）Ｚｎ”
Ｍｇｔ＋６．ｔ−とじて記述され、その構造はＩｎＯ＋
、ｓ層； （、Ｇａ。
Ｚｎ） ０＊、ｓｊｉ、 ＭｇＯ層およびＺｎＯ層の積
層によって形成されており、著しい構造異方性を持って
いることがその特徴の一つである。
層によって形成されており、著しい構造異方性を持って
いることがその特徴の一つである。
Ｚｎ”の半数はＧａ ＊と共に（Ｇａ＋ Ｚｎ） Ｏｓ
、ｓ層を作り、残りのＺｎ”＋の半数はＺｎＯ層を作り
、Ｍ ｇ ！ ＋はＭｇ０１１５を作っている。六方晶
系としての格子定数は以下の通りである。
、ｓ層を作り、残りのＺｎ”＋の半数はＺｎＯ層を作り
、Ｍ ｇ ！ ＋はＭｇ０１１５を作っている。六方晶
系としての格子定数は以下の通りである。
ａ −３，２９４±０．００１ （人）ｃ ＝４１．２
１ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
Ｊ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計算
値を示す〕およびＸ線に対する相対反射強度（１％）を
表−２に示す。
１ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
Ｊ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計算
値を示す〕およびＸ線に対する相対反射強度（１％）を
表−２に示す。
この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒材料とし
て有用なものである。
て有用なものである。
蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比
で１対１対２対１になるように混合して、該混合物を６
００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいは
インジウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及
びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比
で１対１対２対１になるように混合して、該混合物を６
００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいは
インジウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及
びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。また、光機能材料。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。また、光機能材料。
半導体材料として用いる場合には不純物の混入をきらう
ので、純度の高い物が好ましい、この原料をそのままあ
るいはアルコール類もしくはアセトンと共に十分混合す
る。
ので、純度の高い物が好ましい、この原料をそのままあ
るいはアルコール類もしくはアセトンと共に十分混合す
る。
これらの混合割合は、Ｉｎ、 Ｇａ、 Ｚｎ及びＭｇの
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中もしくはＩ
ｎ及びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
、加熱終了後θ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが分かった。
ｎ及びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
、加熱終了後θ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが分かった。
その結晶構造は層状構造であり、Ｉｎ０１．ｓ層＋（Ｇ
ａ＋Ｚｎ） ０□、２層、 ＺｎＯ層及びＭｇＯ層の積
み重ねによって形成されている。
ａ＋Ｚｎ） ０□、２層、 ＺｎＯ層及びＭｇＯ層の積
み重ねによって形成されている。
実施例
純度９９．９９％以上のＩｎ、０．粉末、純度９９．９
９％以上のＧａｚｅｓ粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間部
合し、、平均粒径数μ調の微粉状混合物を得た。
９％以上のＧａｚｅｓ粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間部
合し、、平均粒径数μ調の微粉状混合物を得た。
この混合物を白金管内に封入し、１４５０℃に設定され
た炉内に入れ、５日間加熱し、その後試料を炉外にとり
だし、室温まで急速に冷却した。
た炉内に入れ、５日間加熱し、その後試料を炉外にとり
だし、室温まで急速に冷却した。
得られた試料は、ＩｎＧａＺｎｌＭｇＯ，の単−相であ
り、粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相
対反射強度を測定した。その結果は表−２の通りであっ
た。
り、粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相
対反射強度を測定した。その結果は表−２の通りであっ
た。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．２４９ ±０．００１ （人）ｃ ＝４１
．２１ ±０．０１ （入）より算出した面間隔（
ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
．２１ ±０．０１ （入）より算出した面間隔（
ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよく一敗している。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供 −する。
新規化合物を提供 −する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長潮 高
信 雄 ｉ；
信 雄 ｉ；
Claims (2)
- （１）ＩｎＧａＺｎ＿２ＭｇＯ＿６で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物。 - （２）金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
インジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対２対１になるように混合して、該混合
物を６００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中ある
いはインジウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜
鉛及びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元され
ない程度の還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＩ
ｎＧａＺｎ＿２ＭｇＯ＿６で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115487A JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115487A JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210025A true JPS63210025A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244261B2 JPH0244261B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115487A Expired - Lifetime JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244261B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056927A1 (fr) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Compose lamellaire hexagonal a base d'oxyde d'indium-zinc et son procede de production |
| US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115487A patent/JPH0244261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056927A1 (fr) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Compose lamellaire hexagonal a base d'oxyde d'indium-zinc et son procede de production |
| US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244261B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |