JPS63308357A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS63308357A JPS63308357A JP14435387A JP14435387A JPS63308357A JP S63308357 A JPS63308357 A JP S63308357A JP 14435387 A JP14435387 A JP 14435387A JP 14435387 A JP14435387 A JP 14435387A JP S63308357 A JPS63308357 A JP S63308357A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- aluminum
- lead frame
- stage
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置用リードフレームに関する。
（従来の技術およびその問題点）
樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのステージ部
に半導体素子を固着し、半導体素子と内部リードとをワ
イヤボンディングした後、半導体素子等を樹脂封止して
形成される。近年、半導体素子の高集積化によって、半
導体素子のサイズが大型化しており、これにともない半
導体素子を固着するリードフレームのステージ部が必然
的に大きくなってきている。一方、半導体装置の外形を
なす樹脂封止部はサイズが規制されているので、ステー
ジ部が大型になることにより、ステージ部の周側面が樹
脂封止部の外側面に近接する結果となる。
に半導体素子を固着し、半導体素子と内部リードとをワ
イヤボンディングした後、半導体素子等を樹脂封止して
形成される。近年、半導体素子の高集積化によって、半
導体素子のサイズが大型化しており、これにともない半
導体素子を固着するリードフレームのステージ部が必然
的に大きくなってきている。一方、半導体装置の外形を
なす樹脂封止部はサイズが規制されているので、ステー
ジ部が大型になることにより、ステージ部の周側面が樹
脂封止部の外側面に近接する結果となる。
このように、ステージ部が外方に張り出してきたため、
これらのリードフレームを使用して樹脂封止した後、外
部リード部にはんだ被覆等を施す加熱処理の際に、樹脂
封止部の裏面（半導体素子が固着されていない側）の樹
脂が割れるという問題点が生じている。
これらのリードフレームを使用して樹脂封止した後、外
部リード部にはんだ被覆等を施す加熱処理の際に、樹脂
封止部の裏面（半導体素子が固着されていない側）の樹
脂が割れるという問題点が生じている。
この樹脂割れの原因は、樹脂封止に使用される樹脂その
ものに吸湿性があることと、鋼材、鉄−ニッケル合金材
等を基材としたリードフレームの内部リード部と、封止
樹脂との界面を伝すって、樹脂封止部内に空気中などの
水分が侵入することとにより１、この樹脂封止部内にと
りこまれた水分が、外部リード部へのはんだ被覆等の加
熱処理の工程で、加熱されて急激に膨張することによる
。
ものに吸湿性があることと、鋼材、鉄−ニッケル合金材
等を基材としたリードフレームの内部リード部と、封止
樹脂との界面を伝すって、樹脂封止部内に空気中などの
水分が侵入することとにより１、この樹脂封止部内にと
りこまれた水分が、外部リード部へのはんだ被覆等の加
熱処理の工程で、加熱されて急激に膨張することによる
。
この樹脂割れは、上述したようにステージ部が大型にな
り、樹脂封止部の外側面にステージ部がより近接して、
内部リード部の樹脂封止部外側面からの距離が短くなり
水分の侵入経路が短くなるとともに、樹脂封止部の外側
面近傍に応力が集中しやすい構造となってきたため、さ
らに顕著にあられれてきた問題点である。
り、樹脂封止部の外側面にステージ部がより近接して、
内部リード部の樹脂封止部外側面からの距離が短くなり
水分の侵入経路が短くなるとともに、樹脂封止部の外側
面近傍に応力が集中しやすい構造となってきたため、さ
らに顕著にあられれてきた問題点である。
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、樹脂封止後の加熱処
理の際に、樹脂封止部の樹脂割れを防止することができ
る半導体装置用リードフレームを提供するにある。
であり、その目的とするところは、樹脂封止後の加熱処
理の際に、樹脂封止部の樹脂割れを防止することができ
る半導体装置用リードフレームを提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。
すなおち、半導体素子が固着されるステージ部と、前記
半導体素子とワイヤボンディングされる内部リード部ど
、該内部リード部から延長される外部リード部とを有す
る半導体装置用リードフレームにおいて、少なくとも前
記ステージ部の裏面（半導体素子を固着しない側）にア
ルミニウムを被覆したことを特徴とする。
半導体素子とワイヤボンディングされる内部リード部ど
、該内部リード部から延長される外部リード部とを有す
る半導体装置用リードフレームにおいて、少なくとも前
記ステージ部の裏面（半導体素子を固着しない側）にア
ルミニウムを被覆したことを特徴とする。
（作用）
次に１作用について説明する。
ステージ部の裏面にアルミニウムを被覆したことにより
、封止樹脂とステージ部の裏面との接着性、密着性が向
上する。この結果、アルミニウム被覆と樹脂との界面に
水分が侵入することを抑えることができるので、樹脂中
にとりこまれる水分量が減少し、樹脂割れの発生を防止
することができる。
、封止樹脂とステージ部の裏面との接着性、密着性が向
上する。この結果、アルミニウム被覆と樹脂との界面に
水分が侵入することを抑えることができるので、樹脂中
にとりこまれる水分量が減少し、樹脂割れの発生を防止
することができる。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
〔第１実施例〕
第１図は本発明に係る半導体装置用リードフレームの実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
図で１０は半導体素子が固着されるステージ部、１２は
前記ステージ部１０の周囲に配設される内部リード部で
ある。１４は前記内部リード部１２から延長される外部
リード部で、この外部リード部１４の外端部側は細幅に
形成される。この細幅に形成された外端部側は、樹脂封
止後にはんだなどが被覆される９図中で破線は樹脂によ
って封止される樹脂封止領域を示す。
前記ステージ部１０の周囲に配設される内部リード部で
ある。１４は前記内部リード部１２から延長される外部
リード部で、この外部リード部１４の外端部側は細幅に
形成される。この細幅に形成された外端部側は、樹脂封
止後にはんだなどが被覆される９図中で破線は樹脂によ
って封止される樹脂封止領域を示す。
この実施例では上述した樹脂封止領域である破線内の裏
面（半導体素子を固着しない側）にのみ。
面（半導体素子を固着しない側）にのみ。
めっき、クラッド、あるいは蒸着によってアルミニウム
被膜を形成している０図の破線から外側にある部分の外
部リード部は、そのまま基材が露出する。
被膜を形成している０図の破線から外側にある部分の外
部リード部は、そのまま基材が露出する。
このように、ステージ部１０を内部リード部１２および
ステージサポートパー１８の裏面にアルミニウムを被覆
することにより、アルミニウムが加熱に対して安定であ
り、樹脂との接着性、密着性が良好であることから、封
止用樹脂がリードフレームの内部リード部、ステージ部
等の裏面に密着されて接合される。この結果、アルミニ
ウム被膜と樹脂との界面に侵入する水分を抑えることが
でき、はんだ被覆等の加熱処理の際に水分が膨張して発
生する樹脂割れを防止することができる。
ステージサポートパー１８の裏面にアルミニウムを被覆
することにより、アルミニウムが加熱に対して安定であ
り、樹脂との接着性、密着性が良好であることから、封
止用樹脂がリードフレームの内部リード部、ステージ部
等の裏面に密着されて接合される。この結果、アルミニ
ウム被膜と樹脂との界面に侵入する水分を抑えることが
でき、はんだ被覆等の加熱処理の際に水分が膨張して発
生する樹脂割れを防止することができる。
この実施例においては、リードフレームの樹脂封止領域
の裏面のみにアルミニウムを被覆しているが、これは、
樹脂割れが樹脂封止部の裏面に生じているためであり、
このようにリードフレームの樹脂封止領域内の少なくと
も裏面をアルミニウムで被覆することによって樹脂割れ
を起こさないリードフレームを提供することができる。
の裏面のみにアルミニウムを被覆しているが、これは、
樹脂割れが樹脂封止部の裏面に生じているためであり、
このようにリードフレームの樹脂封止領域内の少なくと
も裏面をアルミニウムで被覆することによって樹脂割れ
を起こさないリードフレームを提供することができる。
もちろん、リードフレームの樹脂封止領域の表面側にも
必要に応じてアルミニウムを被覆してもよい。
必要に応じてアルミニウムを被覆してもよい。
内部リード部１２の内部リード先端部１６の表側の面に
は、ワイヤボンディングのため通常、銀あるいは金めつ
きを施している。
は、ワイヤボンディングのため通常、銀あるいは金めつ
きを施している。
〔第２実施例〕
上記実施例においては、第１図の破線内の裏面にアルミ
ニウムを被覆したが、ステージ部１０の裏面のみにアル
ミニウムを被覆することにより。
ニウムを被覆したが、ステージ部１０の裏面のみにアル
ミニウムを被覆することにより。
封止用樹脂とステージ部との密着性が良好となり、樹脂
割れの発生を低減させることができる。
割れの発生を低減させることができる。
〔第３実施例〕
この実施例では第１図の外部リード部１４の細′ 幅
部の内側の範囲（１点鎖線で示す）内の両面にアルミニ
ウムをめっき、クラッド、あるいは蒸着により被覆して
、封止樹脂とリードフレームとの密着性をさらに向上さ
せ、樹脂封止後の加熱処理で樹脂割れが生じることを防
止するものである。
部の内側の範囲（１点鎖線で示す）内の両面にアルミニ
ウムをめっき、クラッド、あるいは蒸着により被覆して
、封止樹脂とリードフレームとの密着性をさらに向上さ
せ、樹脂封止後の加熱処理で樹脂割れが生じることを防
止するものである。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが１本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが１本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
（発明の効果）
本発明によれば、上述したように、リードフレームの少
なくともステージ部の裏面にアルミニウムを被覆したこ
とにより、封止樹脂との密着性が良好になり、はんだ被
覆等の加熱処理の際に樹脂割れが生じることを防止する
ことができるという著効を奏する。
なくともステージ部の裏面にアルミニウムを被覆したこ
とにより、封止樹脂との密着性が良好になり、はんだ被
覆等の加熱処理の際に樹脂割れが生じることを防止する
ことができるという著効を奏する。
第１図は本発明に係る半導体装置用リードフレームの一
実施例を示す平面図である。 １０・・・ステージ部、 １２・・・内部リード部、
１４・・・外部リード部、 １６・・・内部リード先端部、 １８・・・ステージサポートバー。
実施例を示す平面図である。 １０・・・ステージ部、 １２・・・内部リード部、
１４・・・外部リード部、 １６・・・内部リード先端部、 １８・・・ステージサポートバー。
Claims (1)
- １、半導体素子が固着されるステージ部と、前記半導体
素子とワイヤボンディングされる内部リード部と、該内
部リード部から延長される外部リード部とを有する半導
体装置用リードフレームにおいて、少なくとも前記ステ
ージ部の裏面にアルミニウムを被覆したことを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14435387A JPS63308357A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14435387A JPS63308357A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308357A true JPS63308357A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15360132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14435387A Pending JPS63308357A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275598A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Nippon Steel Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14435387A patent/JPS63308357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275598A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Nippon Steel Corp | 半導体装置 |
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