JPS6331949B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6331949B2 JPS6331949B2 JP58226230A JP22623083A JPS6331949B2 JP S6331949 B2 JPS6331949 B2 JP S6331949B2 JP 58226230 A JP58226230 A JP 58226230A JP 22623083 A JP22623083 A JP 22623083A JP S6331949 B2 JPS6331949 B2 JP S6331949B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- well
- barrier layer
- gaas
- 2deg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はGaAs−AlGaAs等のヘテロ接合を用
いた高速電界効果トランジスタの高性能化に関す
るものである。
いた高速電界効果トランジスタの高性能化に関す
るものである。
従来技術
この種の高速電界効果トランジスタとしては、
ヘテロ接合の狭エネルギギヤツプ半導体側に誘起
される二次元電子ガス（2DEG）を利用する、い
わゆるHEMTがある。第１図はこのような
HEMTにおけるバンドダイヤグラムを示してお
り、１はアンドープGaAs活性層、２はAlxGa1-x
Asキヤリヤ供給層、３はアンドープAlxGa1-xAs
バリヤ層、４はシヨツトキ電極、５はイオン化し
たドナ、６はキヤリヤ供給層２中のドナによつて
供給された二次元電子である。この構造の特徴
は、ドナ５に束縛されている電子のエネルギより
もAlxGa1-xAs２および３とGaAs層１のヘテロ
接合界面に形成される三角形ポテンシヤル井戸の
方が低いエネルギ位置にあるため、ドナの電子は
この三角形ポテンシヤル井戸に落ち込み、2DEG
６を形成することにある。2DEG６は上記ヘテロ
接合界面にそつて移動する限り、きわめて高い移
動度を示す。この理由は電子（2DEG、６）とそ
の母なるドナ５が空間的にAlxGa1-xAsバリヤ層
３によつて分離されているため、電子がイオン化
したドナによる散乱をうけにくいことにある。こ
れによつて低温ながらきわめて高速のトランジス
タが製作された。
ヘテロ接合の狭エネルギギヤツプ半導体側に誘起
される二次元電子ガス（2DEG）を利用する、い
わゆるHEMTがある。第１図はこのような
HEMTにおけるバンドダイヤグラムを示してお
り、１はアンドープGaAs活性層、２はAlxGa1-x
Asキヤリヤ供給層、３はアンドープAlxGa1-xAs
バリヤ層、４はシヨツトキ電極、５はイオン化し
たドナ、６はキヤリヤ供給層２中のドナによつて
供給された二次元電子である。この構造の特徴
は、ドナ５に束縛されている電子のエネルギより
もAlxGa1-xAs２および３とGaAs層１のヘテロ
接合界面に形成される三角形ポテンシヤル井戸の
方が低いエネルギ位置にあるため、ドナの電子は
この三角形ポテンシヤル井戸に落ち込み、2DEG
６を形成することにある。2DEG６は上記ヘテロ
接合界面にそつて移動する限り、きわめて高い移
動度を示す。この理由は電子（2DEG、６）とそ
の母なるドナ５が空間的にAlxGa1-xAsバリヤ層
３によつて分離されているため、電子がイオン化
したドナによる散乱をうけにくいことにある。こ
れによつて低温ながらきわめて高速のトランジス
タが製作された。
しかしながらこの構造は以下に述べるきわめて
深刻な問題を含んでいる。
深刻な問題を含んでいる。
(i) AlxGa1-xAs２へのｎ形ドーピングが不定で
あること。一定濃度にドープできても、成長温
度、結晶純度等によつて活性化エネルギが異な
り。2DEGの濃度を設計通りに再現性よく与え
ることができない。
あること。一定濃度にドープできても、成長温
度、結晶純度等によつて活性化エネルギが異な
り。2DEGの濃度を設計通りに再現性よく与え
ることができない。
(ii) AlxGa1-xAs２へｎ形不純物をドープしたサ
ンプルは、きわめて寿命の長い光導電特性を示
す。このためトランジスタ特性が光に対してき
わめて敏感である。すなわち安定性がよくな
い。
ンプルは、きわめて寿命の長い光導電特性を示
す。このためトランジスタ特性が光に対してき
わめて敏感である。すなわち安定性がよくな
い。
(iii) AlxGa1-xAs２へのｎ形不純物のドーピング
は2DEG６の濃度を決定するが同時にシヨツト
キ電極のバイアス条件も決定してしまう。すな
わち2DEGの濃度とゲートのバイアス条件を独
立に与えることができない。これは素子設計上
きわめて不便である。
は2DEG６の濃度を決定するが同時にシヨツト
キ電極のバイアス条件も決定してしまう。すな
わち2DEGの濃度とゲートのバイアス条件を独
立に与えることができない。これは素子設計上
きわめて不便である。
なお、(ii)のAlxGa1-xAsへｎ形不純物ドープし
たサンプルについての光導電特性について特に説
明すると、室内光程度の弱い光でも光が照射され
ると2DEG（２次元ガス）濃度や移動度が大幅に
変化してしまう。またデイケイタイム（decay
time）が１〜10時間と極めて長いために問題と
なる。
たサンプルについての光導電特性について特に説
明すると、室内光程度の弱い光でも光が照射され
ると2DEG（２次元ガス）濃度や移動度が大幅に
変化してしまう。またデイケイタイム（decay
time）が１〜10時間と極めて長いために問題と
なる。
発明の目的
本発明は上記の欠点を除去し、2DEG利用のト
ランジスタが光の照射によつて動作点が変化する
ことを防止し、また2DEGの濃度を設計上再現性
良く与えられるようにし、さらに2DEGの濃度と
ゲートのバイアス条件を独立に与えることができ
るようにすることをその目的とする。
ランジスタが光の照射によつて動作点が変化する
ことを防止し、また2DEGの濃度を設計上再現性
良く与えられるようにし、さらに2DEGの濃度と
ゲートのバイアス条件を独立に与えることができ
るようにすることをその目的とする。
発明の構成及び作用
本発明は、上記目的達成のためGaAs層から
2DEGを供給するものであり、その特徴は2DEG
供給層として非対称ポテンシヤル井戸を用いるこ
とにある。
2DEGを供給するものであり、その特徴は2DEG
供給層として非対称ポテンシヤル井戸を用いるこ
とにある。
上記の問題を解決する方法として第２図に示す
ようにキヤリア供給層として超格子構造を考える
ことができる。第２図で５１は超格子層、５２は
ポテンシヤル井戸内に形成される二次元量子化準
位、５３は超格子層を形成するGaAs井戸層、５
４はAlxGa1-xAsバリヤ層である。この構造によ
つて超格子とGaAs１の間に生じる三角形ポテン
シヤル井戸に電子が集められ、2DEG６を形成す
ることが期待され実験もおこなわれた。しかしな
がら第２図に基づく実験はすべて失敗に終つた。
この理由は超格子５１のポテンシヤル井戸から三
角ポテンシヤルへのキヤリヤのしみ出しはきわめ
て小さく、電気伝導はほとんど超格子層における
それで決定してしまうためである。このような現
象が生じる根本的な理由はポテンシヤル井戸内に
準位ができ、電子が安定に存在できるためであ
る。井戸の幅を極端に狭くすれば井戸内に生じる
二次元電子準位は上昇するが、対称ポテンシヤル
井戸では準位は少なくとも一つ井戸内に形成され
るため、上記の問題を井戸の幅によつてコントロ
ールすることはできない。すなわち対称ポテンシ
ヤル井戸では電子準位が解として必ず少なくとも
１つ存在し、かつそれはポテンシヤル井戸の中に
あつて電子があふれることはない。
ようにキヤリア供給層として超格子構造を考える
ことができる。第２図で５１は超格子層、５２は
ポテンシヤル井戸内に形成される二次元量子化準
位、５３は超格子層を形成するGaAs井戸層、５
４はAlxGa1-xAsバリヤ層である。この構造によ
つて超格子とGaAs１の間に生じる三角形ポテン
シヤル井戸に電子が集められ、2DEG６を形成す
ることが期待され実験もおこなわれた。しかしな
がら第２図に基づく実験はすべて失敗に終つた。
この理由は超格子５１のポテンシヤル井戸から三
角ポテンシヤルへのキヤリヤのしみ出しはきわめ
て小さく、電気伝導はほとんど超格子層における
それで決定してしまうためである。このような現
象が生じる根本的な理由はポテンシヤル井戸内に
準位ができ、電子が安定に存在できるためであ
る。井戸の幅を極端に狭くすれば井戸内に生じる
二次元電子準位は上昇するが、対称ポテンシヤル
井戸では準位は少なくとも一つ井戸内に形成され
るため、上記の問題を井戸の幅によつてコントロ
ールすることはできない。すなわち対称ポテンシ
ヤル井戸では電子準位が解として必ず少なくとも
１つ存在し、かつそれはポテンシヤル井戸の中に
あつて電子があふれることはない。
これらの問題をすべて解決する方法としてここ
に提案する発明は、非対称ポテンシヤル井戸から
キヤリヤを供給する方法である。第３図は対称形
ポテンシヤル井戸図ａと非対称形ポテンシヤル井
戸図ｂの比較を示したもので、図ａにおいて１０
１はGaAs井戸層、１０２はAlxGa1-xAsバリヤ
層、１０３は電子準位である。１０１の幅（Lz）
を小さくすると１０３の準位は上昇するが井戸か
ら準位が外に出ることはない。一方図ｂにおいて
１０４は高い方のバリヤ層、１０５は低い方のバ
リヤ層、１０６はGaAs井戸層、１０９は電子準
位である。図に示したように非対称ポテンシヤル
井戸ではLzを小さくすると電子準位は容易に井
戸の外に出てしまう。本発明はこの特徴を積極的
に利用したものである。
に提案する発明は、非対称ポテンシヤル井戸から
キヤリヤを供給する方法である。第３図は対称形
ポテンシヤル井戸図ａと非対称形ポテンシヤル井
戸図ｂの比較を示したもので、図ａにおいて１０
１はGaAs井戸層、１０２はAlxGa1-xAsバリヤ
層、１０３は電子準位である。１０１の幅（Lz）
を小さくすると１０３の準位は上昇するが井戸か
ら準位が外に出ることはない。一方図ｂにおいて
１０４は高い方のバリヤ層、１０５は低い方のバ
リヤ層、１０６はGaAs井戸層、１０９は電子準
位である。図に示したように非対称ポテンシヤル
井戸ではLzを小さくすると電子準位は容易に井
戸の外に出てしまう。本発明はこの特徴を積極的
に利用したものである。
第４図は本発明の一実施例で、１０７は
AlxGa1-xAsアンドープバリヤ層、１０８は
GaAs井戸層、１０９は非対称ポテンシヤル井戸
構造のために井戸を飛び出してしまつた電子準
位、１１０はAlyGa1-yAs（ｘ＜ｙ）層である。
上記のAlxGa1-xAsアンドープバリヤ層１０７
は、第４図に示されるように、そのエネルギギヤ
ツプがAlyGa1-yAs層１１０のエネルギギヤツプ
よりも小さく、かつ、GaAs井戸層１０８のエネ
ルギギヤツプよりも大きくなされることによつて
非対称ポテンシヤル井戸構造が形成されている。
この構造では、GaAs井戸層１０８に生じる最低
量子準位が、その幅Lzを減少させると共に上昇
しついに低い方のバリヤ層１０７の伝導帯に一致
してしまう。そのような状況ではドナ５の電子は
すべて三角ポテンシヤルに集められる2DEG６を
形成する。このような状況が生じるに必要なLz
の大きさはｘ＝0.2、ｙ＝0.4の場合Lz30Åであ
る。第４図の構造によれば電子６はGaAs井戸層
１０８から供給されるため、ドーピングの問題、
光導電現象に基づく不安定性の問題は全くない。
その上AlyGa1-yAs層１１０のドーピングは、６
の2DEGの濃度とは全く独立におこなえるから素
子設計上の自由度、それによるメリツトはきわめ
て大である。
AlxGa1-xAsアンドープバリヤ層、１０８は
GaAs井戸層、１０９は非対称ポテンシヤル井戸
構造のために井戸を飛び出してしまつた電子準
位、１１０はAlyGa1-yAs（ｘ＜ｙ）層である。
上記のAlxGa1-xAsアンドープバリヤ層１０７
は、第４図に示されるように、そのエネルギギヤ
ツプがAlyGa1-yAs層１１０のエネルギギヤツプ
よりも小さく、かつ、GaAs井戸層１０８のエネ
ルギギヤツプよりも大きくなされることによつて
非対称ポテンシヤル井戸構造が形成されている。
この構造では、GaAs井戸層１０８に生じる最低
量子準位が、その幅Lzを減少させると共に上昇
しついに低い方のバリヤ層１０７の伝導帯に一致
してしまう。そのような状況ではドナ５の電子は
すべて三角ポテンシヤルに集められる2DEG６を
形成する。このような状況が生じるに必要なLz
の大きさはｘ＝0.2、ｙ＝0.4の場合Lz30Åであ
る。第４図の構造によれば電子６はGaAs井戸層
１０８から供給されるため、ドーピングの問題、
光導電現象に基づく不安定性の問題は全くない。
その上AlyGa1-yAs層１１０のドーピングは、６
の2DEGの濃度とは全く独立におこなえるから素
子設計上の自由度、それによるメリツトはきわめ
て大である。
第５図は本発明の他の実施例で、２００は
GaAs井戸層１０８のほぼ中央付近の単原子面上
にドーピングをおこなつた場合のものである。三
角形ポテンシヤルに1012／cm2程度の2DEGを誘起
するにはドーピングは単原子層の0.1％程度で十
分であるから、結晶の品質をそこなうことなくこ
の程度のドーピングは可能である。
GaAs井戸層１０８のほぼ中央付近の単原子面上
にドーピングをおこなつた場合のものである。三
角形ポテンシヤルに1012／cm2程度の2DEGを誘起
するにはドーピングは単原子層の0.1％程度で十
分であるから、結晶の品質をそこなうことなくこ
の程度のドーピングは可能である。
この方法を用いることにより、第４図の実施例
の場合に結晶成長中にわずかに生じる不純物の
AlyGa1-yAs層への拡散は完全に阻止され、きわ
めて安定性のよい電界効果トランジスタを形成す
ることができた。それはGaAs層だけに、例えば
Si等をドープしようとしても、通常結晶成長中に
Si等がわずかに拡散するので、GaAs層のみなら
ず両側のAlyGa1-yAs層及びAlxGa1-xAs層へも
Si等が入つてしまい、素子特性が不安定になるこ
とがある。これに対して、この実施例ではSi等を
単原子層にドープしその両外のGaAs層で拡散を
防止し、Siドープ層の外側に完全にGaAsのAlを
含まない領域をもたせ、AlとSiが共存する層か
出来ることにより素子特性が不安定になることを
防いでいる。
の場合に結晶成長中にわずかに生じる不純物の
AlyGa1-yAs層への拡散は完全に阻止され、きわ
めて安定性のよい電界効果トランジスタを形成す
ることができた。それはGaAs層だけに、例えば
Si等をドープしようとしても、通常結晶成長中に
Si等がわずかに拡散するので、GaAs層のみなら
ず両側のAlyGa1-yAs層及びAlxGa1-xAs層へも
Si等が入つてしまい、素子特性が不安定になるこ
とがある。これに対して、この実施例ではSi等を
単原子層にドープしその両外のGaAs層で拡散を
防止し、Siドープ層の外側に完全にGaAsのAlを
含まない領域をもたせ、AlとSiが共存する層か
出来ることにより素子特性が不安定になることを
防いでいる。
以下に、具体的な数値を示してより具体的な実
施例を示す。本発明の高速電界効果トランジスタ
の実施例を第６図に示している（なお、説明上図
の各部の寸法は正確ではない）。
施例を示す。本発明の高速電界効果トランジスタ
の実施例を第６図に示している（なお、説明上図
の各部の寸法は正確ではない）。
図において絶縁性GaAs基板結晶２００上に、
GaAsバツフア層２０１（アンドープ、厚さ〜1μ
ｍ）、GaAs活性層１（アンドープ、厚さ〜1μ
ｍ）、AlxGa1-xAsバリヤ層１０７（アンドープ、
厚さ30〜150Å）、GaAs井戸層１０８（Ｎタイ
プ、ｎ0.5〜５×1018／cm3、厚さ10〜30Å）、
AlyGa1-yAs１１０（アンドープまたはＮタイ
プ、厚さ100〜1000Å）を順次成長させ（ただし
０＜ｘ＜ｙ≦１）、このウエハの表面にSn−Inま
たはAn−Inなどの合金を付着させ、シンタリン
グにおいてソースおよびドレイン電極２１０，２
２０を形成しその間にシヨツトキ電極２３０を設
け、電界効果トランジスタが形成されている。シ
ンタ層３１０及び３２０は、AlxGa1-xAsバリヤ
層１０７をぬけて少なくとも下の2DEG６の層に
達している。本発明においてGaAs井戸層１０８
のＮ形ドーパントとして、Si、Ge、Sn等が用い
られる。但し、Snは拡散し易いので注意が必要
である。
GaAsバツフア層２０１（アンドープ、厚さ〜1μ
ｍ）、GaAs活性層１（アンドープ、厚さ〜1μ
ｍ）、AlxGa1-xAsバリヤ層１０７（アンドープ、
厚さ30〜150Å）、GaAs井戸層１０８（Ｎタイ
プ、ｎ0.5〜５×1018／cm3、厚さ10〜30Å）、
AlyGa1-yAs１１０（アンドープまたはＮタイ
プ、厚さ100〜1000Å）を順次成長させ（ただし
０＜ｘ＜ｙ≦１）、このウエハの表面にSn−Inま
たはAn−Inなどの合金を付着させ、シンタリン
グにおいてソースおよびドレイン電極２１０，２
２０を形成しその間にシヨツトキ電極２３０を設
け、電界効果トランジスタが形成されている。シ
ンタ層３１０及び３２０は、AlxGa1-xAsバリヤ
層１０７をぬけて少なくとも下の2DEG６の層に
達している。本発明においてGaAs井戸層１０８
のＮ形ドーパントとして、Si、Ge、Sn等が用い
られる。但し、Snは拡散し易いので注意が必要
である。
上記実施例において、GaAs井戸層の厚さ10〜
30Å（約５〜10原子層）の全体にわたつて一様に
ドーピングを施すことなく、井戸のほぼ中央部の
一原子面内のみに0.001〜0.1％原子層のシートド
ーピングをおこなうことは、前述のように好まし
い実施例の１つである。なお、この場合、必ずし
も単原子層のみにドーピングすることに限らず、
中央近くの２〜３層にドーピングする等しても良
く、要はドーパントの拡散の防止にある。
30Å（約５〜10原子層）の全体にわたつて一様に
ドーピングを施すことなく、井戸のほぼ中央部の
一原子面内のみに0.001〜0.1％原子層のシートド
ーピングをおこなうことは、前述のように好まし
い実施例の１つである。なお、この場合、必ずし
も単原子層のみにドーピングすることに限らず、
中央近くの２〜３層にドーピングする等しても良
く、要はドーパントの拡散の防止にある。
本発明は前記のごとく、０＜ｘ＜ｙ≦１におい
て非対称ポテンシヤル井戸が形成され、GaAs井
戸層の巾Lzが10〜30Åが実施範囲であるが、特
に0.2≦ｘ＜ｙ≦0.6においてFETの良好な室温動
作が期待される。
て非対称ポテンシヤル井戸が形成され、GaAs井
戸層の巾Lzが10〜30Åが実施範囲であるが、特
に0.2≦ｘ＜ｙ≦0.6においてFETの良好な室温動
作が期待される。
本発明により得られる素子の特性として次の２
点が注目される。
点が注目される。
(i) 低温（77K）で室内光程度の光の照射に対し
て動作点が安定に保たれる（変化することがな
い）。
て動作点が安定に保たれる（変化することがな
い）。
(ii) AlyGa1-yAs層１１０のドーピング濃度を低
くした場合には、室温にてFET動作に寄与す
る電流はチヤンネル内の電子流のみであり、そ
の他の寄生的電流成分は皆無とすることができ
る。
くした場合には、室温にてFET動作に寄与す
る電流はチヤンネル内の電子流のみであり、そ
の他の寄生的電流成分は皆無とすることができ
る。
なお、上記においてGaAs−GaAlAsについて
示したが、本発明は二次元電子ガス供給体として
の非対称ポテンシヤル構造を形成するヘテロ接合
一般に適用されるのは明白である。
示したが、本発明は二次元電子ガス供給体として
の非対称ポテンシヤル構造を形成するヘテロ接合
一般に適用されるのは明白である。
発明の効果
以上述べたように2DEGの供給源として従来の
AlGaAsではなく、本発明では非対称GaAsポテ
ンシヤル井戸を用いることによりGaAsから供給
することができ、かつ2DEGの濃度とAlyGa1-y
As層１１０のドーピングを独立に決定すること
が可能になるため、以下の利点を生ずる。
AlGaAsではなく、本発明では非対称GaAsポテ
ンシヤル井戸を用いることによりGaAsから供給
することができ、かつ2DEGの濃度とAlyGa1-y
As層１１０のドーピングを独立に決定すること
が可能になるため、以下の利点を生ずる。
(i) ドーピングの再現性向上（2DEG供給のため
の） (ii) 光導電現象が消滅するため、安定性の向上 (iii) 2DEGの濃度とAlyGa1-yAs層のドーピング
を独立に調整できるのでIC等設計の自由度の
向上
の） (ii) 光導電現象が消滅するため、安定性の向上 (iii) 2DEGの濃度とAlyGa1-yAs層のドーピング
を独立に調整できるのでIC等設計の自由度の
向上
第１図は従来のHEMTのバンド図、第２図は
従来の改良案のHEMTのバンド図、第３図ａ，
ｂはそれぞれ対称ポテンシヤル井戸と非対称ポテ
ンシヤル井戸の比較図、第４図及び第５図はそれ
ぞれ本発明の第１及び第２のバンド図、第６図は
本発明の実施例の断面図。 （主な符号）、１……GaAs活性層、２……
AlGaAsキヤリヤ供給層、３……バリヤ層、４…
…シヨツトキ電極、５……イオン化したドナ、６
……二次元電子ガス、１０７……非対称ポテンシ
ヤル井戸の低い方のバリヤ、１０８……非対称ポ
テンシヤル井戸（GaAs）、１０９……電子準位、
１１０……AlyGa1-yAs層、２００……シートド
ーピング、２３０……シヨツトキ電極（Al、Pt
等）。
従来の改良案のHEMTのバンド図、第３図ａ，
ｂはそれぞれ対称ポテンシヤル井戸と非対称ポテ
ンシヤル井戸の比較図、第４図及び第５図はそれ
ぞれ本発明の第１及び第２のバンド図、第６図は
本発明の実施例の断面図。 （主な符号）、１……GaAs活性層、２……
AlGaAsキヤリヤ供給層、３……バリヤ層、４…
…シヨツトキ電極、５……イオン化したドナ、６
……二次元電子ガス、１０７……非対称ポテンシ
ヤル井戸の低い方のバリヤ、１０８……非対称ポ
テンシヤル井戸（GaAs）、１０９……電子準位、
１１０……AlyGa1-yAs層、２００……シートド
ーピング、２３０……シヨツトキ電極（Al、Pt
等）。
Claims (1)
- １ 不純物をドープした領域と、キヤリヤの走行
する領域を空間的に分離した構造を持つ電界効果
トランジスタにおいて、少なくとも第一のエネル
ギギヤツプを持つ第一のバリヤ層と、この層の一
面に隣接した、第一のバリヤ層よりもエネルギギ
ヤツプの小さい井戸層と、さらにこの井戸層に隣
接した、上記第一のバリヤ層より小さく、かつ上
記井戸層よりも大きいエネルギギヤツプを持つ第
二のバリヤ層と、上記第二のバリヤ層にさらに隣
接し、２次元電子ガスを形成するための活性層を
備え、井戸内に形成される電子の量子準位のうち
最低のエネルギを持つものが、上記第二のバリヤ
層における伝導帯のエネルギに一致する値以上の
値となるように上記井戸層の幅を設定し、かつこ
の井戸層のみにｎ形不純物をドープしたことを特
徴とする高速電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226230A JPS60117680A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 高速電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226230A JPS60117680A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 高速電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117680A JPS60117680A (ja) | 1985-06-25 |
| JPS6331949B2 true JPS6331949B2 (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=16841931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226230A Granted JPS60117680A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 高速電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117680A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4882609A (en) * | 1984-11-19 | 1989-11-21 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafter E.V. | Semiconductor devices with at least one monoatomic layer of doping atoms |
| JPS6242569A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | 電界効果型トランジスタ |
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-
1983
- 1983-11-29 JP JP58226230A patent/JPS60117680A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117680A (ja) | 1985-06-25 |
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