JPS6344300B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344300B2 JPS6344300B2 JP56114042A JP11404281A JPS6344300B2 JP S6344300 B2 JPS6344300 B2 JP S6344300B2 JP 56114042 A JP56114042 A JP 56114042A JP 11404281 A JP11404281 A JP 11404281A JP S6344300 B2 JPS6344300 B2 JP S6344300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- plating liquid
- plating
- mask
- mask plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はICフレームに対する金、銀等の貴金
属メツキに用いる部分メツキ装置に関する。
属メツキに用いる部分メツキ装置に関する。
従来のICフレームの部分メツキ装置としては
例えば第１図及び第２図で示すようなものがあ
る。即ち「スパージヤー」と称するメツキボツク
ス１があり、その上蓋兼用のマスク板２上にメツ
キ対象物であるICフレーム３を押圧板４の進退
動を利用して当接させるようにしてあり、上記マ
スク板２に予め開口したメツキ液噴射口５めがけ
ノズル６より図中矢印方向にメツキ液Ａを噴射し
てメツキ液噴射口５に露呈しているICフレーム
３の部分、具体的にはアイランド部分７、リード
ピン部分８及びアイランド部分の支持ピン９など
にメツキ液Ａを施すようにしている。尚ノズル６
にはアノード１０が設けてありICフレーム３は
カソード化自在としてある。
例えば第１図及び第２図で示すようなものがあ
る。即ち「スパージヤー」と称するメツキボツク
ス１があり、その上蓋兼用のマスク板２上にメツ
キ対象物であるICフレーム３を押圧板４の進退
動を利用して当接させるようにしてあり、上記マ
スク板２に予め開口したメツキ液噴射口５めがけ
ノズル６より図中矢印方向にメツキ液Ａを噴射し
てメツキ液噴射口５に露呈しているICフレーム
３の部分、具体的にはアイランド部分７、リード
ピン部分８及びアイランド部分の支持ピン９など
にメツキ液Ａを施すようにしている。尚ノズル６
にはアノード１０が設けてありICフレーム３は
カソード化自在としてある。
しかしながらこのような従来のICフレームの
部分メツキ装置にあつては、金や銀などの貴金属
を節約するためにメツキ厚さを薄くしてきたにも
かかわらずマスク板２のメツキ液噴射口５より施
されるメツキ液はアイランド部分７、リードピン
部分８及び支持ピン９をメツキすることになるの
で貴金属の節約にも限界があつた。
部分メツキ装置にあつては、金や銀などの貴金属
を節約するためにメツキ厚さを薄くしてきたにも
かかわらずマスク板２のメツキ液噴射口５より施
されるメツキ液はアイランド部分７、リードピン
部分８及び支持ピン９をメツキすることになるの
で貴金属の節約にも限界があつた。
本発明はICフレームにあつて本当にメツキが
必要であるのはワイヤボンデイングする時に要求
されるリードピン部分であること及び従来アイラ
ンド部分に貴金属メツキを施し、例えば金―シリ
コン共晶を形成させDIEボンドさせていたがアイ
ランド部分にはメツキせずとも導電性を有する接
着材の使用が可能であることに着目してなされた
ものであり、マスク板のメツキ液を施す部分の形
状構造に工夫を加えることにより金や銀などの貴
金属の節約をより一層図ろうとするものである。
必要であるのはワイヤボンデイングする時に要求
されるリードピン部分であること及び従来アイラ
ンド部分に貴金属メツキを施し、例えば金―シリ
コン共晶を形成させDIEボンドさせていたがアイ
ランド部分にはメツキせずとも導電性を有する接
着材の使用が可能であることに着目してなされた
ものであり、マスク板のメツキ液を施す部分の形
状構造に工夫を加えることにより金や銀などの貴
金属の節約をより一層図ろうとするものである。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第３図〜第４図は本発明〔第１発明〕の一実施例
を示すものである。尚以下の説明において従来と
同一乃至類似する部分は同一符号を以て示し重複
説明を省略するものとする。
第３図〜第４図は本発明〔第１発明〕の一実施例
を示すものである。尚以下の説明において従来と
同一乃至類似する部分は同一符号を以て示し重複
説明を省略するものとする。
マスク板２にはメツキ液通路２０が凹設してあ
る。このメツキ液通路２０はICフレーム３のア
イランド部分７に相応するマスク部２１を残して
その周囲に凹設されるものである。２２は区画壁
で、支持ピン９に相応する位置、サイズで形成さ
れている。第４図で示す実施例では、区画壁２２
は左右一対で形成してありメツキ液通路２０は従
つて前後で一対凹設された状態を呈することにな
る。メツキ液通路２０はICフレーム３のリード
ピン部分８と相応する位置、サイズのものとされ
ており、一方にメツキ液Ａの供給口２３が他方に
排出口２４がマスク板２の裏面にまで貫通形成し
てある。２５はプレート状のアノードで、一対の
メツキ液通路２０の各底部に敷設されている。
る。このメツキ液通路２０はICフレーム３のア
イランド部分７に相応するマスク部２１を残して
その周囲に凹設されるものである。２２は区画壁
で、支持ピン９に相応する位置、サイズで形成さ
れている。第４図で示す実施例では、区画壁２２
は左右一対で形成してありメツキ液通路２０は従
つて前後で一対凹設された状態を呈することにな
る。メツキ液通路２０はICフレーム３のリード
ピン部分８と相応する位置、サイズのものとされ
ており、一方にメツキ液Ａの供給口２３が他方に
排出口２４がマスク板２の裏面にまで貫通形成し
てある。２５はプレート状のアノードで、一対の
メツキ液通路２０の各底部に敷設されている。
次に作用を説明する。
ノズル６より噴射されたメツキ液Ａは供給口２
３よりメツキ液通路２０内に入りそこで充満する
とともに排出口２４よりメツキボツクス１内へ排
出・回収される。ICフレーム３は押圧板４を介
してマスク板２上へ当接せしめられており、IC
フレーム３のリードピン部分８のみがこのメツキ
液通路２０の開口部位に臨ませられて露出状態と
され、アイランド部分７及び支持ピン９の部分は
各々マスク部２１と区画壁２２とで遮蔽されメツ
キ液通路２０に対しては非露出の状態とされてい
るので、従つてメツキ液Ａはメツキ液通路２０内
を流れる間にICフレーム３のリードピン部分８
のみに触れそこが貴金属メツキされるものであ
る。
３よりメツキ液通路２０内に入りそこで充満する
とともに排出口２４よりメツキボツクス１内へ排
出・回収される。ICフレーム３は押圧板４を介
してマスク板２上へ当接せしめられており、IC
フレーム３のリードピン部分８のみがこのメツキ
液通路２０の開口部位に臨ませられて露出状態と
され、アイランド部分７及び支持ピン９の部分は
各々マスク部２１と区画壁２２とで遮蔽されメツ
キ液通路２０に対しては非露出の状態とされてい
るので、従つてメツキ液Ａはメツキ液通路２０内
を流れる間にICフレーム３のリードピン部分８
のみに触れそこが貴金属メツキされるものであ
る。
第５図イ及びロは他の実施例を示す図である。
これらの実施例は、メツキ液通路２６が１つの
区画壁２７で区画され逆Ｃ字形状のものとされて
おり、このＣ字形状に合わせたプレート状のアノ
ード２８がメツキ液通路２６の底面に設けてあり
そして１つのメツキ液の供給口２９及び排出口３
０が形成されていて〔第５図イ〕、また一対の区
画壁２２で区画された１対のメツキ液通路２０に
は各々ワイヤ状のアノード３１が配置されている
〔第５図ロ〕ほかは、先の実施例と略同様のもの
にしてある。第５図イの実施例はメツキ液通路２
６の凹設、具体的にはマスク板２の彫刻、を容易
とするものでありまた第５図ロの実施例はアノー
ド３１をワイヤ状としてその配設を容易とするも
のである。その他の構成・作用については先の実
施例と略同様につき説明を省略する。
区画壁２７で区画され逆Ｃ字形状のものとされて
おり、このＣ字形状に合わせたプレート状のアノ
ード２８がメツキ液通路２６の底面に設けてあり
そして１つのメツキ液の供給口２９及び排出口３
０が形成されていて〔第５図イ〕、また一対の区
画壁２２で区画された１対のメツキ液通路２０に
は各々ワイヤ状のアノード３１が配置されている
〔第５図ロ〕ほかは、先の実施例と略同様のもの
にしてある。第５図イの実施例はメツキ液通路２
６の凹設、具体的にはマスク板２の彫刻、を容易
とするものでありまた第５図ロの実施例はアノー
ド３１をワイヤ状としてその配設を容易とするも
のである。その他の構成・作用については先の実
施例と略同様につき説明を省略する。
第６図〜第７図は本発明〔第２発明〕の実施例
を示す図である。マスク板２にはメツキ液噴射口
３２が設けられてある。この噴射口３２はICフ
レーム３のアイランド部分７に相応するマスク部
３３を残してその周囲に形成したものであり、
ICフレーム３のリードピン部分８と相応する位
置、サイズのものにしてある。メツキ液噴射口３
２はマスク板２の表面より裏面側へかけて貫通形
成してある。マスク部３３は支持アーム３４を介
してノズル３５で支持するようにしてあり、マス
ク部３３の胴部３６にはテーパ面３７が施されそ
の全体があたかも逆角錐形状を呈し、下部３８に
は楔形状のテーパ面３９が施されている。ノズル
３５の先端にはアノード４０が配置されている。
を示す図である。マスク板２にはメツキ液噴射口
３２が設けられてある。この噴射口３２はICフ
レーム３のアイランド部分７に相応するマスク部
３３を残してその周囲に形成したものであり、
ICフレーム３のリードピン部分８と相応する位
置、サイズのものにしてある。メツキ液噴射口３
２はマスク板２の表面より裏面側へかけて貫通形
成してある。マスク部３３は支持アーム３４を介
してノズル３５で支持するようにしてあり、マス
ク部３３の胴部３６にはテーパ面３７が施されそ
の全体があたかも逆角錐形状を呈し、下部３８に
は楔形状のテーパ面３９が施されている。ノズル
３５の先端にはアノード４０が配置されている。
次に作用を説明する。
ノズル３５より噴射されたメツキ液Ａは下部３
８のテーパ面３９及び胴部３６のテーパ面３７に
沿つて液抵抗を殆ど受けずにメツキ液噴射口３２
に到りそこで露呈されているICフレーム３のリ
ードピン部分８に触れそこに貴金属メツキを施す
ものである。リードピン部分８に衝突した後メツ
キ液Ａはメツキボツクス１内へ回収される。
８のテーパ面３９及び胴部３６のテーパ面３７に
沿つて液抵抗を殆ど受けずにメツキ液噴射口３２
に到りそこで露呈されているICフレーム３のリ
ードピン部分８に触れそこに貴金属メツキを施す
ものである。リードピン部分８に衝突した後メツ
キ液Ａはメツキボツクス１内へ回収される。
尚その他の構成作用については第１発明（第３
図〜第４図）と略同様につき説明を省略する。
図〜第４図）と略同様につき説明を省略する。
以上説明してきた如く、本発明によれば、その
構成を、メツキ対象物であるICフレームを当接
させるマスク板に、ICフレームのアイランド部
分に相応するマスク部を残してその周囲にICフ
レームのリードピン部分と相応するメツキ液通路
を凹設し、このメツキ液通路にメツキ液の供給及
び排出口を設け且つアノードを配し、ノズルより
メツキ液を噴射して施すものとし〔第１発明〕、
またメツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液噴射口を
設け、アノードを配したノズルよりメツキ液を噴
射して施すICフレームの部分メツキ液装置にお
いて、上記マスク部が支持アームを介してノズル
に支持されているものとし〔第２発明〕たので、
ICフレームに施される金、銀などの貴金属メツ
キはICフレームのリードピン部分にのみに主に
施されることとなり上記マスク部の存在により
ICフレームのアイランド部分にはメツキ液が触
れず従つて従来アイランド部分をもメツキしてい
たのに比べその分貴金属の節約を図ることができ
る。そしてリードピン部分のみを貴金属メツキす
るに際し、メツキ液は、供給口より入りメツキ液
通路内に充満し次いで排出口から迅速に回収され
〔第１発明〕、またマスク板に貫通形成してあるメ
ツキ液噴射口めがけて噴射され且つ迅速に回収さ
れ〔第２発明〕るので高品質で効率のよい部分メ
ツキを、ICフレームのメツキを必要とする部分
即ち「ワイヤボンデイング時にメツキの施されて
いることが要求される部分」としてのリードピン
部分に、施すことができるという効果がある。
構成を、メツキ対象物であるICフレームを当接
させるマスク板に、ICフレームのアイランド部
分に相応するマスク部を残してその周囲にICフ
レームのリードピン部分と相応するメツキ液通路
を凹設し、このメツキ液通路にメツキ液の供給及
び排出口を設け且つアノードを配し、ノズルより
メツキ液を噴射して施すものとし〔第１発明〕、
またメツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液噴射口を
設け、アノードを配したノズルよりメツキ液を噴
射して施すICフレームの部分メツキ液装置にお
いて、上記マスク部が支持アームを介してノズル
に支持されているものとし〔第２発明〕たので、
ICフレームに施される金、銀などの貴金属メツ
キはICフレームのリードピン部分にのみに主に
施されることとなり上記マスク部の存在により
ICフレームのアイランド部分にはメツキ液が触
れず従つて従来アイランド部分をもメツキしてい
たのに比べその分貴金属の節約を図ることができ
る。そしてリードピン部分のみを貴金属メツキす
るに際し、メツキ液は、供給口より入りメツキ液
通路内に充満し次いで排出口から迅速に回収され
〔第１発明〕、またマスク板に貫通形成してあるメ
ツキ液噴射口めがけて噴射され且つ迅速に回収さ
れ〔第２発明〕るので高品質で効率のよい部分メ
ツキを、ICフレームのメツキを必要とする部分
即ち「ワイヤボンデイング時にメツキの施されて
いることが要求される部分」としてのリードピン
部分に、施すことができるという効果がある。
第１図はICフレームの部分メツキ装置の従来
例を示す概略断面図、第２図は第１図のマスク板
とICフレームの相対位置関係を示す部分拡大斜
視図、第３図は本発明〔第１発明〕の一実施例を
示す拡大概略断面図、第４図はマスク板とICフ
レームの相対位置関係を示す部分拡大斜視図、第
５図イ，ロは第１発明の他の実施例を各々示すメ
ツキ液通路の拡大斜視図、第６図は本発明〔第２
発明〕の一実施例を示す概略断面図、第７図はマ
スク部の部分拡大斜視図である。 １……メツキボツクス、２……マスク板、３…
…ICフレーム、４……押圧板、５，３２……メ
ツキ液噴射口、６，３５……ノズル、７……アイ
ランド部分、８……リドピン部分、９……支持ピ
ン、１０，２５，２８，３１，４０……アノー
ド、２０，２６……メツキ液通路、２１，３３…
…マスク部、２２，２７……区画壁、２３，２９
……供給口、２４，３０……排出口、３４……支
持アーム、３６……胴部、３７，３９……テーパ
面、３８……下部、Ａ……メツキ液。
例を示す概略断面図、第２図は第１図のマスク板
とICフレームの相対位置関係を示す部分拡大斜
視図、第３図は本発明〔第１発明〕の一実施例を
示す拡大概略断面図、第４図はマスク板とICフ
レームの相対位置関係を示す部分拡大斜視図、第
５図イ，ロは第１発明の他の実施例を各々示すメ
ツキ液通路の拡大斜視図、第６図は本発明〔第２
発明〕の一実施例を示す概略断面図、第７図はマ
スク部の部分拡大斜視図である。 １……メツキボツクス、２……マスク板、３…
…ICフレーム、４……押圧板、５，３２……メ
ツキ液噴射口、６，３５……ノズル、７……アイ
ランド部分、８……リドピン部分、９……支持ピ
ン、１０，２５，２８，３１，４０……アノー
ド、２０，２６……メツキ液通路、２１，３３…
…マスク部、２２，２７……区画壁、２３，２９
……供給口、２４，３０……排出口、３４……支
持アーム、３６……胴部、３７，３９……テーパ
面、３８……下部、Ａ……メツキ液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液通路を凹
設し、このメツキ液通路にメツキ液の供給及び排
出口を設け且つアノードを配し、ノズルよりメツ
キ液を噴射して施すアノードの部分メツキ装置。 ２ メツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液噴射開口
を設け、アノードを配したノズルよりメツキ液を
噴射して施すICフレームの部分メツキ装置にお
いて、 上記マスク部が支持アームを介してノズルに支
持されていることを特徴とするICフレームの部
分メツキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Ｉｃフレ−ムの部分メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Ｉｃフレ−ムの部分メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815244A JPS5815244A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS6344300B2 true JPS6344300B2 (ja) | 1988-09-05 |
Family
ID=14627568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114042A Granted JPS5815244A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Ｉｃフレ−ムの部分メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433799A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Sample holding circuit |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353957A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムのスポツトめつき方法 |
| JPH02133949A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームのスポットめっき方法 |
| KR930006493B1 (ko) * | 1991-09-27 | 1993-07-16 | 장관순 | 탭핑머시인겸 드릴링머시인의 자동이송장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210987A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating device |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP56114042A patent/JPS5815244A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433799A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Sample holding circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5815244A (ja) | 1983-01-28 |
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