JPS6346606B2 - - Google Patents
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- JPS6346606B2 JPS6346606B2 JP55006666A JP666680A JPS6346606B2 JP S6346606 B2 JPS6346606 B2 JP S6346606B2 JP 55006666 A JP55006666 A JP 55006666A JP 666680 A JP666680 A JP 666680A JP S6346606 B2 JPS6346606 B2 JP S6346606B2
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- Japan
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- capacitor
- signal
- transistor
- terminal
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H15/00—Transversal filters
- H03H15/02—Transversal filters using analogue shift registers
Landscapes
- Processing Of Color Television Signals (AREA)
- Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送素子(CTD)、例えばBBD
を用いたトランスバーサルフイルタに関し、特に
帯域除去フイルタを構成した場合に良好な特性が
得られるにしたものである。
を用いたトランスバーサルフイルタに関し、特に
帯域除去フイルタを構成した場合に良好な特性が
得られるにしたものである。
BBDは一般に第1図に示すように構成される。
図において、入力端子1がnpn形のトランジスタ
2のベースに接続され、このトランジスタ2のコ
レクタが電源端子4に接続され、エミツタが定電
流源3を通じて接地される。このトランジスタ2
のエミツタが逆方向のダイオード5を通じてコン
デンサC0の一端に接続され、このコンデンサC0
を通じてクロツク端子6に接続される。またコン
デンサC0の一端がnpn形のトランジスタQ1のエミ
ツタに接続され、このトランジスタQ1のコレク
タが次段のnpn形のトランジスタQ2のエミツタに
接続され、以下同様にnpn形トランジスタQ2〜Qo
(nは正の整数)のコレクタとエミツタとが順次
接続される。これらのトランジスタQ1〜Qo-1の
コレクタとベースとの間にそれぞれコンデンサ
C1〜Co-1が接続される。なお、コンデンサC1−
Co-1の容量値は全てコンデンサC0に等しく、Cと
する。さらに奇数番目のトランジスタQ1,Q3…
のベースがクロツク端子7を通じて駆動回路8に
接続され、偶数番目のトランジスタQ2,Q4…の
ベースがクロツク端子6を通じて駆動回路8に接
続される。
図において、入力端子1がnpn形のトランジスタ
2のベースに接続され、このトランジスタ2のコ
レクタが電源端子4に接続され、エミツタが定電
流源3を通じて接地される。このトランジスタ2
のエミツタが逆方向のダイオード5を通じてコン
デンサC0の一端に接続され、このコンデンサC0
を通じてクロツク端子6に接続される。またコン
デンサC0の一端がnpn形のトランジスタQ1のエミ
ツタに接続され、このトランジスタQ1のコレク
タが次段のnpn形のトランジスタQ2のエミツタに
接続され、以下同様にnpn形トランジスタQ2〜Qo
(nは正の整数)のコレクタとエミツタとが順次
接続される。これらのトランジスタQ1〜Qo-1の
コレクタとベースとの間にそれぞれコンデンサ
C1〜Co-1が接続される。なお、コンデンサC1−
Co-1の容量値は全てコンデンサC0に等しく、Cと
する。さらに奇数番目のトランジスタQ1,Q3…
のベースがクロツク端子7を通じて駆動回路8に
接続され、偶数番目のトランジスタQ2,Q4…の
ベースがクロツク端子6を通じて駆動回路8に接
続される。
そしてクロツク端子6,7には、それぞれ第2
図A,Bに示すようにVDCとVDC+VPの電位を取
り、デユーテイー比が50%で、互いに逆極性にな
るクロツク信号φ1,φ2が供給される。なお電圧
VPは、電源端子4に供給される電源電圧VCCに対
して、 VCC>VDC+2VP とされる。
図A,Bに示すようにVDCとVDC+VPの電位を取
り、デユーテイー比が50%で、互いに逆極性にな
るクロツク信号φ1,φ2が供給される。なお電圧
VPは、電源端子4に供給される電源電圧VCCに対
して、 VCC>VDC+2VP とされる。
さらに入力端子1に供給される入力信号の電圧
VSが、VDC+VP≦VS≦VDC+2VPの範囲とされる。
VSが、VDC+VP≦VS≦VDC+2VPの範囲とされる。
この装置において、初期状態では、コンデンサ
C0〜Co-1はすべて端子電圧がVPに充電されてい
る。また入力信号の電圧VSを直流成分VSDCと交
流成分VSACとに分けると、初期状態では交流成分
VSACのみ0になつている。
C0〜Co-1はすべて端子電圧がVPに充電されてい
る。また入力信号の電圧VSを直流成分VSDCと交
流成分VSACとに分けると、初期状態では交流成分
VSACのみ0になつている。
従つて初期状態において、偶数番目のコンデン
サC0,C2…のホツトエンド側は、第2図Cに示
すように、信号φ1がVDC+VPの期間に、一旦VDC
+2VPまで上がつた後にVSDCになり、信号φ2が
VDC+VPの期間に、一旦VSDC−VPまで下がつた後
にVDC+VPになる。また奇数番目のコンデンサ
C1,C3…のホツトエンド側は、第2図Dに示す
ように、信号φ1がVDC+VPの期間に、一旦VSDC−
VPまで下がつた後にVDC+VPになり、信号φ2が
VDC+VPの期間に、一旦VDC+2VPまで上がつた
後にVSDCになる。
サC0,C2…のホツトエンド側は、第2図Cに示
すように、信号φ1がVDC+VPの期間に、一旦VDC
+2VPまで上がつた後にVSDCになり、信号φ2が
VDC+VPの期間に、一旦VSDC−VPまで下がつた後
にVDC+VPになる。また奇数番目のコンデンサ
C1,C3…のホツトエンド側は、第2図Dに示す
ように、信号φ1がVDC+VPの期間に、一旦VSDC−
VPまで下がつた後にVDC+VPになり、信号φ2が
VDC+VPの期間に、一旦VDC+2VPまで上がつた
後にVSDCになる。
そして入力信号が供給された直後の最初の信号
φ1がVDC+VPの期間において、このときの入力信
号の電圧をVS=VS1とするとコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位は一旦VDC+2VPまで上がつた
後にVS1になる。すなわちコンデンサC0は放電し
て、{VS1−(VDC+VP)}Cの電荷を蓄える。この
ときトランジスタQ1はオフなので、コンデンサ
C1,C2…には変化はない。
φ1がVDC+VPの期間において、このときの入力信
号の電圧をVS=VS1とするとコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位は一旦VDC+2VPまで上がつた
後にVS1になる。すなわちコンデンサC0は放電し
て、{VS1−(VDC+VP)}Cの電荷を蓄える。この
ときトランジスタQ1はオフなので、コンデンサ
C1,C2…には変化はない。
次に、続く信号φ2がVDC+VPの期間において、
まず信号φ1の電位がVDCになるので、コンデンサ
C0のホツトエンド側の電位はVS1−(VDC+VP)+
VDC=VS1−VPになる。そしてトランジスタQ1が
オンするので、コンデンサC0のホツトエンド側
の電位は最終的にトランジスタQ1のベース電位
(VDC+VP)まで上昇する。このときトランジス
タQ1は能動領域で動作しているので、コンデン
サCoの充電は、端子7→コンデンサC1→トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミツタ→コンデンサC0
の経路で行われる。そしてコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位がVS1−VPからVDC+VPに変化
するので、コンデンサC1のホツトエンド側から
コンデンサC0のホツトエンド側への電荷の移動
は、 {(VDC+VP)−VS1)}C=(VDC+2VP−VS1)C で与えられる。これに対してコンデンサC1には
最初VP・Cの電荷が蓄えられていたので、コン
デンサC1の最終電荷量は、 VP・C−(VDC+2VP−VS1)C={VS1−(VDC+V
P)}C となる。すなわち、信号φ1がVDC+VPの期間にコ
ンデンサC0がVS1−(VDC+VP)であつたものが、
信号φ2がVDC+VPの期間にコンデンサC1に移動
し、コンデンサC0はVDC+VPに戻る。なおコンデ
ンサQ2がオフであるので、コンデンサC2,C3…
には変化はない。
まず信号φ1の電位がVDCになるので、コンデンサ
C0のホツトエンド側の電位はVS1−(VDC+VP)+
VDC=VS1−VPになる。そしてトランジスタQ1が
オンするので、コンデンサC0のホツトエンド側
の電位は最終的にトランジスタQ1のベース電位
(VDC+VP)まで上昇する。このときトランジス
タQ1は能動領域で動作しているので、コンデン
サCoの充電は、端子7→コンデンサC1→トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミツタ→コンデンサC0
の経路で行われる。そしてコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位がVS1−VPからVDC+VPに変化
するので、コンデンサC1のホツトエンド側から
コンデンサC0のホツトエンド側への電荷の移動
は、 {(VDC+VP)−VS1)}C=(VDC+2VP−VS1)C で与えられる。これに対してコンデンサC1には
最初VP・Cの電荷が蓄えられていたので、コン
デンサC1の最終電荷量は、 VP・C−(VDC+2VP−VS1)C={VS1−(VDC+V
P)}C となる。すなわち、信号φ1がVDC+VPの期間にコ
ンデンサC0がVS1−(VDC+VP)であつたものが、
信号φ2がVDC+VPの期間にコンデンサC1に移動
し、コンデンサC0はVDC+VPに戻る。なおコンデ
ンサQ2がオフであるので、コンデンサC2,C3…
には変化はない。
さらに、次の信号φ1がVDC+VPの期間におい
て、入力信号の電圧がVS=VS2とすると、コンデ
ンサCoはVS2−(VDC+VP)に充電され、コンデ
ンサC1はVDC+VPに戻され、コンデンサC2はVS1
−(VDC+VP)に充電される。なおトランジスタ
Q3がオフなのでコンデンサC3以降は変化しない。
て、入力信号の電圧がVS=VS2とすると、コンデ
ンサCoはVS2−(VDC+VP)に充電され、コンデ
ンサC1はVDC+VPに戻され、コンデンサC2はVS1
−(VDC+VP)に充電される。なおトランジスタ
Q3がオフなのでコンデンサC3以降は変化しない。
以上の動作がくり返されて、信号は図面の左か
ら右へと、信号φ1,φ2に同期して移動される。
ら右へと、信号φ1,φ2に同期して移動される。
このようにBBDを用いて巡回形トランスバー
サルフイルタを構成するには以下のようにする。
例えば第3図は複合カラー映像信号の処理におい
て、4.5MHzのトラツプを行うフイルタ回路を構
成する場合である。
サルフイルタを構成するには以下のようにする。
例えば第3図は複合カラー映像信号の処理におい
て、4.5MHzのトラツプを行うフイルタ回路を構
成する場合である。
図において7個のトランジスタQa1〜Qa7から
なる第1のBBD,BBDa)と、6個のトランジ
スタQb1〜Qb6からなる第2のBBD,BBDb)と
が設けられる。このBBDaのコンデンサCa3,Ca5
が分割され、それぞれCa3′,Ca3″,Ca5′,Ca5″と
されると共に、これらの容量値がそれぞれa3C、
(1−a3)C、a5C、(1−a5)Cとされる。これ
らの分割された一方のコンデンサCa3′,Ca5′のコ
ールドエンド側が互いに接続され、他方のコンデ
ンサCa3″,Ca5″のコールドエンド側が端子7に接
続される。
なる第1のBBD,BBDa)と、6個のトランジ
スタQb1〜Qb6からなる第2のBBD,BBDb)と
が設けられる。このBBDaのコンデンサCa3,Ca5
が分割され、それぞれCa3′,Ca3″,Ca5′,Ca5″と
されると共に、これらの容量値がそれぞれa3C、
(1−a3)C、a5C、(1−a5)Cとされる。これ
らの分割された一方のコンデンサCa3′,Ca5′のコ
ールドエンド側が互いに接続され、他方のコンデ
ンサCa3″,Ca5″のコールドエンド側が端子7に接
続される。
またコンプリメンタリーなトランジスタ11
a,12aのエミツタが互いに接続され、この接
続点がコンデンサCa3′,Ca5′の接続点に接続され
る。さらにトランジスタ11a,12aのベース
が互いに接続され、この接点が端子37を通じて
発振器38に接続される。この発振器38におい
て信号φ2と同位相で、VDC−VBEとVDC+VP+VBE
(但しVBEはトランジスタのベース・エミツタ間
電圧)の電位を取る信号φ2′が形成され、端子3
7に供給される。そしてpnp形のトランジスタ1
2aのコレクタが接地され、npn形のトランジス
タ11aのコレクタが、カレントミラー回路M1a
を構成する入力側のpnp形のトランジスタ13a
のコレクタ及びベースに接続され、トランジスタ
13aのエミツタが電源端子4に接続される。
a,12aのエミツタが互いに接続され、この接
続点がコンデンサCa3′,Ca5′の接続点に接続され
る。さらにトランジスタ11a,12aのベース
が互いに接続され、この接点が端子37を通じて
発振器38に接続される。この発振器38におい
て信号φ2と同位相で、VDC−VBEとVDC+VP+VBE
(但しVBEはトランジスタのベース・エミツタ間
電圧)の電位を取る信号φ2′が形成され、端子3
7に供給される。そしてpnp形のトランジスタ1
2aのコレクタが接地され、npn形のトランジス
タ11aのコレクタが、カレントミラー回路M1a
を構成する入力側のpnp形のトランジスタ13a
のコレクタ及びベースに接続され、トランジスタ
13aのエミツタが電源端子4に接続される。
このカレントミラー回路M1aを構成する出力側
のpnp形のトランジスタ14a,14a′のベース
がトランジスタ13aのベースに接続され、トラ
ンジスタ14a,14a′のエミツタが電源端子4
に接続される。そしてトランジスタ14a,14
a′のコレクタが前段のコンデンサCa1ホツトエン
ド側に接続される。
のpnp形のトランジスタ14a,14a′のベース
がトランジスタ13aのベースに接続され、トラ
ンジスタ14a,14a′のエミツタが電源端子4
に接続される。そしてトランジスタ14a,14
a′のコレクタが前段のコンデンサCa1ホツトエン
ド側に接続される。
また入力信号中の直流成分VSDCが端子21を通
じてnpn形のトランジスタ22aのベースに供給
される。このトランジスタ22aのエミツタが定
電流源23aを通じて接地され、コレクタが電源
端子4に接続される。さらにトランジスタ22a
のエミツタが逆方向のダイオード24aを通じて
npn形のトランジスタ25aのエミツタに接続さ
れ、このトランジスタ25aのコレクタが電源端
子4に接続され、ベースがクロツク端子7に接続
される。このダイオード24aとトランジスタ2
5aの接続点がコンデンサ26aの一端に接続さ
れる。このコンデンサ26aの容量値が、 maC=(a3+a5)C とされる。このコンデンサ26aの他端がコンプ
リメンタリーなトランジスタ15a,16aのエ
ミツタの接続点に接続される。さらにトランジス
タ15a,16aのベースが互いに接続され、こ
の接続点が端子36を通じて発振器38に接続さ
れる。この発振器38において信号φ1と同位相
で、VDC−VBEとVDC+VP+VBEの電位を取る信号
φ1′が形成され、端子36に供給される。そして
npn形のトランジスタ15aのコレクタが電源端
子4に接続され、pnp形のトランジスタ16aの
コレクタが、カレントミラー回路M2aを構成する
入力側のnpn形のトランジスタ17aのコレクタ
及びベースに接続され、トランジスタ17aのエ
ミツタが接地される。さらにカレントミラー回路
M2aを構成する出力側のトランジスタ18a,1
8a′のベースがトランジスタ17aのベースに接
続され、トランジスタ18a,18a′のエミツタ
が接地され、コレクタがコンデンサCa1のホツト
エンド側に接続される。
じてnpn形のトランジスタ22aのベースに供給
される。このトランジスタ22aのエミツタが定
電流源23aを通じて接地され、コレクタが電源
端子4に接続される。さらにトランジスタ22a
のエミツタが逆方向のダイオード24aを通じて
npn形のトランジスタ25aのエミツタに接続さ
れ、このトランジスタ25aのコレクタが電源端
子4に接続され、ベースがクロツク端子7に接続
される。このダイオード24aとトランジスタ2
5aの接続点がコンデンサ26aの一端に接続さ
れる。このコンデンサ26aの容量値が、 maC=(a3+a5)C とされる。このコンデンサ26aの他端がコンプ
リメンタリーなトランジスタ15a,16aのエ
ミツタの接続点に接続される。さらにトランジス
タ15a,16aのベースが互いに接続され、こ
の接続点が端子36を通じて発振器38に接続さ
れる。この発振器38において信号φ1と同位相
で、VDC−VBEとVDC+VP+VBEの電位を取る信号
φ1′が形成され、端子36に供給される。そして
npn形のトランジスタ15aのコレクタが電源端
子4に接続され、pnp形のトランジスタ16aの
コレクタが、カレントミラー回路M2aを構成する
入力側のnpn形のトランジスタ17aのコレクタ
及びベースに接続され、トランジスタ17aのエ
ミツタが接地される。さらにカレントミラー回路
M2aを構成する出力側のトランジスタ18a,1
8a′のベースがトランジスタ17aのベースに接
続され、トランジスタ18a,18a′のエミツタ
が接地され、コレクタがコンデンサCa1のホツト
エンド側に接続される。
さらにBBDaのコンデンサCa2,Ca4,Ca6が分
割され、それぞれCa2′,Ca2″,Ca4′,Ca4″,
Ca6′,Ca6″とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれa2C、(1−a2)C、a4C、(1−a4)C、
a6C、(1−a6)Cとされる。これらのコンデン
サCa2″,Ca4″,Ca6″のコールドエンド側が端子6
に接続される。
割され、それぞれCa2′,Ca2″,Ca4′,Ca4″,
Ca6′,Ca6″とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれa2C、(1−a2)C、a4C、(1−a4)C、
a6C、(1−a6)Cとされる。これらのコンデン
サCa2″,Ca4″,Ca6″のコールドエンド側が端子6
に接続される。
またトランジスタ11a〜18aと同等の回路
〔トランジスタ11b〜18b〕が設けられ、こ
のトランジスタ11b,12bのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5b,16bのベースの接続点が端子36に接続
される。
〔トランジスタ11b〜18b〕が設けられ、こ
のトランジスタ11b,12bのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5b,16bのベースの接続点が端子36に接続
される。
そしてコンデンサCa2′,Ca4′,Ca6′のコールド
エンド側がトランジスタ15b,16bのエミツ
タの接続点に接続される。
エンド側がトランジスタ15b,16bのエミツ
タの接続点に接続される。
さらにBBDbのコンデンサCb2,Cb4が分割さ
れ、それぞれCb2′,Cb2″,Cb4′,Cb4″とされると
共に、これらの容量値がそれぞれb2C、(1−b2)
C、b4C、(1−b4)Cとされる。これらのコン
デンサCb2″,Cb4″のコールドエンド側が端子7に
接続され、コンデンサCb2′,Cb4′のコールドエン
ド側がトランジスタ11b,12bのエミツタの
接続点に接続される。
れ、それぞれCb2′,Cb2″,Cb4′,Cb4″とされると
共に、これらの容量値がそれぞれb2C、(1−b2)
C、b4C、(1−b4)Cとされる。これらのコン
デンサCb2″,Cb4″のコールドエンド側が端子7に
接続され、コンデンサCb2′,Cb4′のコールドエン
ド側がトランジスタ11b,12bのエミツタの
接続点に接続される。
またトランジスタ22a〜コンデンサ26aと
同等の回路〔トランジスタ22b〜コンデンサ2
6b〕が設けられると共にトランジスタ22bの
ベースが端子21に接続され、トランジスタ25
bのベースが端子7に接続される。さらにコンデ
ンサ26bの容量値が、 mbC={1+(b2+b4)−(a2+a4+a5)}C とされる。このコンデンサ26bの他端がトラン
ジスタ15b,16bのエミツタの接続点に接続
される。
同等の回路〔トランジスタ22b〜コンデンサ2
6b〕が設けられると共にトランジスタ22bの
ベースが端子21に接続され、トランジスタ25
bのベースが端子7に接続される。さらにコンデ
ンサ26bの容量値が、 mbC={1+(b2+b4)−(a2+a4+a5)}C とされる。このコンデンサ26bの他端がトラン
ジスタ15b,16bのエミツタの接続点に接続
される。
そしてカレントミラー回路M1b,M2bの出力側
のトランジスタ14b,14b′,18b,18
b′のコレクタの接続点がコンデンサCb0のホツト
エンド側に接続される。
のトランジスタ14b,14b′,18b,18
b′のコレクタの接続点がコンデンサCb0のホツト
エンド側に接続される。
さらにBBDbのコンデンサCb1,Cb3,Cb5が分
割され、それぞれCb1′,Cb1″,Cb3′,Cb3″,
Cb5′,Cb5″とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれb1C、(1−b1)C、b3C、(1−b3)C、
b5C、(1−b5)Cとされる。これらのコンデン
サCb1″,Cb3″,Cb5″のコールドエンド側が端子6
に接続される。
割され、それぞれCb1′,Cb1″,Cb3′,Cb3″,
Cb5′,Cb5″とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれb1C、(1−b1)C、b3C、(1−b3)C、
b5C、(1−b5)Cとされる。これらのコンデン
サCb1″,Cb3″,Cb5″のコールドエンド側が端子6
に接続される。
またトランジスタ11a〜18aと同等の回路
〔トランジスタ11c〜18c〕が設けられ、こ
のトランジスタ11c,12cのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5c,16cのベースの接続点が端子36に接続
される。
〔トランジスタ11c〜18c〕が設けられ、こ
のトランジスタ11c,12cのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5c,16cのベースの接続点が端子36に接続
される。
そしてコンデンサCb1′,Cb3′,Cb5′のコールド
エンド側がトランジスタ15c,16cのエミツ
タの接続点に接続される。
エンド側がトランジスタ15c,16cのエミツ
タの接続点に接続される。
またトランジスタ22a〜コンデンサ26aと
同等の回路〔トランジスタ22c〜コンデンサ2
6c〕が設けられると共に、トランジスタ22c
のベースが端子21に接続され、トランジスタ2
5cのベースが端子6に接続される。さらにコン
デンサ26cの容量値が、 mcC={(b1+b3+b5)−1}C とされる。このコンデンサ26cの他端がトラン
ジスタ11c,12cのエミツタの接続点に接続
される。
同等の回路〔トランジスタ22c〜コンデンサ2
6c〕が設けられると共に、トランジスタ22c
のベースが端子21に接続され、トランジスタ2
5cのベースが端子6に接続される。さらにコン
デンサ26cの容量値が、 mcC={(b1+b3+b5)−1}C とされる。このコンデンサ26cの他端がトラン
ジスタ11c,12cのエミツタの接続点に接続
される。
そしてカレントミラー回路M1C,M2Cの出力側
のトランジスタ14c,14c′,18c,18
c′のコレクタの接続点から出力端子41が導出さ
れる。
のトランジスタ14c,14c′,18c,18
c′のコレクタの接続点から出力端子41が導出さ
れる。
この回路において、入力信号が供給されていな
いときは、コンデンサは全ての端子電圧がVPに
なつている。
いときは、コンデンサは全ての端子電圧がVPに
なつている。
これに対して入力信号が供給された直後の信号
φ1がVDC+VPの期間において、この期間に供給さ
れた信号の電圧をVS=VS1とすると、コンデンサ
C0の端子電圧はVPからVS1−(VDC+VP)に変化
される。さらに1クロツク期間τ(=1/fc:fcはク ロツク周波数)後の信号φ1がVDC+VPの期間にコ
ンデンサC2の端子電圧がVPからVS1−(VDC+VP)
に変化される。
φ1がVDC+VPの期間において、この期間に供給さ
れた信号の電圧をVS=VS1とすると、コンデンサ
C0の端子電圧はVPからVS1−(VDC+VP)に変化
される。さらに1クロツク期間τ(=1/fc:fcはク ロツク周波数)後の信号φ1がVDC+VPの期間にコ
ンデンサC2の端子電圧がVPからVS1−(VDC+VP)
に変化される。
そして1.5τ後の信号φ2がVDC+VPの期間におい
て、コンデンサC3′,C3″の端子電圧が共にVPか
らVS1−(VDC+VP)に変化され、この間にコンデ
ンサC3′からa3CVP−a3C{VS1−(VDC+VP)}=a3C
{(VDC+2VP)−VS1}の電荷がトランジスタ11
aのコレクタを通じて放電される。
て、コンデンサC3′,C3″の端子電圧が共にVPか
らVS1−(VDC+VP)に変化され、この間にコンデ
ンサC3′からa3CVP−a3C{VS1−(VDC+VP)}=a3C
{(VDC+2VP)−VS1}の電荷がトランジスタ11
aのコレクタを通じて放電される。
さらに2.5τ後の信号φ2がVDC+VPの期間に、コ
ンデンサC5′が放電され、このときの放電電荷は、
a5CVP−a5C{VS1−(VDC+VP)}=a5C{(VDC+
2VP)−VS1}となり、この電荷がトランジスタ1
1aのコレクタを通じて放電される。
ンデンサC5′が放電され、このときの放電電荷は、
a5CVP−a5C{VS1−(VDC+VP)}=a5C{(VDC+
2VP)−VS1}となり、この電荷がトランジスタ1
1aのコレクタを通じて放電される。
そしてこれらの全ての放電電荷はトランジスタ
11aのコレクタを通じて流されるので、トラン
ジスタ11aのコレクタを流れる電荷量Xは次の
ようになる。
11aのコレクタを通じて流されるので、トラン
ジスタ11aのコレクタを流れる電荷量Xは次の
ようになる。
X={(VDC+2VP)−VS}C(a3Z-1.5+a5Z-2.5)
但し、Z=es〓
S=jω=2πf:fは入力信号の周波数
すなわちトランジスタ11のコレクタには、入
力信号を1.5τ遅延、2.5τ遅延した信号をそれぞれ
a3、a5で重み付けし、これらを加算した値に対応
する電荷が流される。
力信号を1.5τ遅延、2.5τ遅延した信号をそれぞれ
a3、a5で重み付けし、これらを加算した値に対応
する電荷が流される。
この電荷の流れによる電流の平均値IAVは、
IAV=X/τ=X・fC
となる。そしてこの電流IAVがトランジスタ13
aを通じて流されることにより、これの2倍の電
流がトランジスタ14a,14a′を通じて流され
る。
aを通じて流されることにより、これの2倍の電
流がトランジスタ14a,14a′を通じて流され
る。
さらに電荷量Xを構成する信号VSには、交流
成分VSACの他に直流成分VSDCも含まれている。そ
こで電荷量Xの直流成分XDCを求めると、VS=
VSDC、Z=1とおいて、 XDC=2・{(VDC+2VP)−VSDC}C(a3+a5) となる。
成分VSACの他に直流成分VSDCも含まれている。そ
こで電荷量Xの直流成分XDCを求めると、VS=
VSDC、Z=1とおいて、 XDC=2・{(VDC+2VP)−VSDC}C(a3+a5) となる。
一方トランジスタ22a〜コンデンサ26aの
回路はBBDの初段と同じ構成になつている。こ
のためコンデンサ26aには、信号φ1がVDC+VP
の期間に、トランジスタ15aを通じて {(VDC+2VP)−VSDC}maC={(VDC+2VP)−VSDC
C(a3+a5) の電荷が流される。そしてこれと等しい電荷が信
号φ2がVDC+VPの期間にトランジスタ16a,1
7aを通じて流され、これの2倍の電荷がトラン
ジスタ18a,18a′を通じて流される。このた
め上述の電荷量Xの直流成分XDCが相殺される。
回路はBBDの初段と同じ構成になつている。こ
のためコンデンサ26aには、信号φ1がVDC+VP
の期間に、トランジスタ15aを通じて {(VDC+2VP)−VSDC}maC={(VDC+2VP)−VSDC
C(a3+a5) の電荷が流される。そしてこれと等しい電荷が信
号φ2がVDC+VPの期間にトランジスタ16a,1
7aを通じて流され、これの2倍の電荷がトラン
ジスタ18a,18a′を通じて流される。このた
め上述の電荷量Xの直流成分XDCが相殺される。
そしてこの直流成分XDCの相殺された電荷がコ
ンデンサCa1に供給される。このためコンデンサ
Ca1にはトランジスタQa2からの電荷と上述の電荷
量Xとが供給されることになり、トランジスタ
Qa2からの電荷が電荷量Xの分減少される。すな
わち電荷量Xによつて負帰還がかけられる。
ンデンサCa1に供給される。このためコンデンサ
Ca1にはトランジスタQa2からの電荷と上述の電荷
量Xとが供給されることになり、トランジスタ
Qa2からの電荷が電荷量Xの分減少される。すな
わち電荷量Xによつて負帰還がかけられる。
同様にして、信号φ2がVDC+VPの期間にコンデ
ンサCa2′,Ca4′,Ca6′からの電荷がトランジスタ
16bを通じて取り出される。またコンデンサ
Cb2′,Cb4′からの電荷がトランジスタ11bを通
じて取り出される。そしてこれらの電荷の差の電
荷量がコンデンサCb0に供給される。さらにコン
デンサ26bからの電荷が供給されることによ
り、コンデンサCb0に供給される電荷の直流変動
が除去されると共に、(VDC+2VP−VSDC)の直流
バイアスが与えられる。
ンサCa2′,Ca4′,Ca6′からの電荷がトランジスタ
16bを通じて取り出される。またコンデンサ
Cb2′,Cb4′からの電荷がトランジスタ11bを通
じて取り出される。そしてこれらの電荷の差の電
荷量がコンデンサCb0に供給される。さらにコン
デンサ26bからの電荷が供給されることによ
り、コンデンサCb0に供給される電荷の直流変動
が除去されると共に、(VDC+2VP−VSDC)の直流
バイアスが与えられる。
また、信号φ2がVDC+VPの期間にコンデンサ
Cb1′,Cb3′,Cb5′からの電荷がトランジスタ16
cを通じて取り出される。この電荷量が出力端子
41に出力される。さらにコンデンサ26cから
の電荷が供給されることにより、出力端子41に
出力される電荷の直流変動が除去されると共に、
(VDC+2VP−VSDC)の直流バイアスが与えられ
る。そしてこの出力端子41からの信号が、後段
の例えばYC分離回路を構成するBBDcに供給さ
れる。
Cb1′,Cb3′,Cb5′からの電荷がトランジスタ16
cを通じて取り出される。この電荷量が出力端子
41に出力される。さらにコンデンサ26cから
の電荷が供給されることにより、出力端子41に
出力される電荷の直流変動が除去されると共に、
(VDC+2VP−VSDC)の直流バイアスが与えられ
る。そしてこの出力端子41からの信号が、後段
の例えばYC分離回路を構成するBBDcに供給さ
れる。
さらに第4図は、上述の回路を模式的なブロツ
クで描いたものである。図中、Z-1は単位遅延回
路を示し、上述の回路のトランジスタ2個に相当
する。またA,Bは重みづけ係数でそれぞれ上述
回路のa,bの2倍(A2=2a2…、B1=2b1…)
とする。
クで描いたものである。図中、Z-1は単位遅延回
路を示し、上述の回路のトランジスタ2個に相当
する。またA,Bは重みづけ係数でそれぞれ上述
回路のa,bの2倍(A2=2a2…、B1=2b1…)
とする。
すなわち図において、入力端子1からの信号が
Z--1/2の遅延回路51を通じて合成器52に供給
され、この合成器52からの信号がBBDaを構成
するZ-の遅延回路53,54,55の直列回路
に供給される。この遅延回路53,54の出力が
それぞれ係数A3、A5の重みづけ回路56,57
を通じて合成器52に供給され、原信号から減算
される。また遅延回路53,54,55の出力が
それぞれ係数A2、A4、A6の重みづけ回路58,
59,60を通じて合成器61に供給され、互い
に加算される。この合成器61からの信号BBDb
を構成するZ-1の遅延回路62,63,64の直
列回路に供給される。この遅延回路62,63の
出力がそれぞれ係数B2、B4の重みづけ回路65,
66を通じて合成器61に供給され、上述の加算
信号から減算される。また遅延回路62,63,
64の出力がそれぞれ係数B1、B3、B5の重みづ
け回路67,68,69を通じて合成器70に供
給され、互いに加算される。この合成器70から
の信号が出力端子41に出力される。さらに合成
器52,61,70にそれぞれ直流補正回路7
1,72,73からの直流補正信号が供給され
る。
Z--1/2の遅延回路51を通じて合成器52に供給
され、この合成器52からの信号がBBDaを構成
するZ-の遅延回路53,54,55の直列回路
に供給される。この遅延回路53,54の出力が
それぞれ係数A3、A5の重みづけ回路56,57
を通じて合成器52に供給され、原信号から減算
される。また遅延回路53,54,55の出力が
それぞれ係数A2、A4、A6の重みづけ回路58,
59,60を通じて合成器61に供給され、互い
に加算される。この合成器61からの信号BBDb
を構成するZ-1の遅延回路62,63,64の直
列回路に供給される。この遅延回路62,63の
出力がそれぞれ係数B2、B4の重みづけ回路65,
66を通じて合成器61に供給され、上述の加算
信号から減算される。また遅延回路62,63,
64の出力がそれぞれ係数B1、B3、B5の重みづ
け回路67,68,69を通じて合成器70に供
給され、互いに加算される。この合成器70から
の信号が出力端子41に出力される。さらに合成
器52,61,70にそれぞれ直流補正回路7
1,72,73からの直流補正信号が供給され
る。
従つてこの回路において入力端子1から出力端
子41までの伝達関数H(z)は H(z)=A2+A4Z-1+A6Z-2/1+A3Z-1+A5Z
-2・B1+B3Z-1+B5Z-2/1+B2Z-1+B4Z-2・Z--5/2 となり、ここで各係数A2〜A6、B1〜B5を以下の
ように定めると、この回路は4.5MHzのトラツプ
回路になる。
子41までの伝達関数H(z)は H(z)=A2+A4Z-1+A6Z-2/1+A3Z-1+A5Z
-2・B1+B3Z-1+B5Z-2/1+B2Z-1+B4Z-2・Z--5/2 となり、ここで各係数A2〜A6、B1〜B5を以下の
ように定めると、この回路は4.5MHzのトラツプ
回路になる。
A2=0.856977 B1=0.973363
A3=0.559214 B2=0.871633
A4=0.673626 B3=0.765112
A5=0.828366 B4=0.840204
A6=0.856977 B5=0.973363
そしてこの回路の出力端子41での周波数特性
は、第5図の実線Aで示すようになる。
は、第5図の実線Aで示すようになる。
ところがこの回路において、合成器52の出力
側までの周波数特性は第5図の破線Bのようにな
つている。また合成器60の出力側までの周波数
特性は第5図の一点鎖線Cのようになつている。
すなわちこれらの部分では3MHz附近から高域に
ピーキングを生じている。
側までの周波数特性は第5図の破線Bのようにな
つている。また合成器60の出力側までの周波数
特性は第5図の一点鎖線Cのようになつている。
すなわちこれらの部分では3MHz附近から高域に
ピーキングを生じている。
このためこのような回路に信号を供給すると、
ピーキングを生じる部分でサチユレーシヨンの起
きるおそれがある。特に複合カラー映像信号の場
合には3.58MHzの色副搬送周波数の附近でサチユ
レーシヨンが起きてしまう。さらにピーキングの
部分で0dBになるよう信号レベルを定めると信号
全体のS/Nが劣化してしまう。
ピーキングを生じる部分でサチユレーシヨンの起
きるおそれがある。特に複合カラー映像信号の場
合には3.58MHzの色副搬送周波数の附近でサチユ
レーシヨンが起きてしまう。さらにピーキングの
部分で0dBになるよう信号レベルを定めると信号
全体のS/Nが劣化してしまう。
また各合成器ごとに直流補正回路を設けるの
で、そのための構成が複雑になるなどの欠点があ
つた。
で、そのための構成が複雑になるなどの欠点があ
つた。
本発明はこのような点にかんがみ、簡単な構成
で、ピーキングによるサチユレーシヨンのおそれ
のない回路を得ようとするものである。以下図面
を参照しながら本発明の一実施例について説明し
よう。
で、ピーキングによるサチユレーシヨンのおそれ
のない回路を得ようとするものである。以下図面
を参照しながら本発明の一実施例について説明し
よう。
すなわち本発明においては、トランスバーサル
フイルタを構成する電荷転送素子を複数に分割
し、それぞれの電荷転送素子をフイルタ構成に
し、これらを所望帯域内での周波数特性のピーキ
ングの小さいものから順に配列にすると共に、こ
れらをカスケード接続したものである。
フイルタを構成する電荷転送素子を複数に分割
し、それぞれの電荷転送素子をフイルタ構成に
し、これらを所望帯域内での周波数特性のピーキ
ングの小さいものから順に配列にすると共に、こ
れらをカスケード接続したものである。
第6図において、5個のトランジスタQd1〜
Qd5からなる第1のBBD,BBDdと、6個のトラ
ンジスタQe1〜Qe6からなる第2のBBD,BBDe
と、第3のBBD,BBDfとが設けられる。この
BBDdのコンデンサCd0,Cd2,Cd4が分割され、
それぞれCd0′,Cd0″,Cd2′,Cd2″,Cd4′,Cd4″と
されると共に、これらの容量値がそれぞれd0C、
(1−d0)C、d2C、(1−d2)C、d4C、(1−
d4)Cとされる。これらの分割された一方のコン
デンサCd0′,Cd2′,Cd4′のコールドエンド側が互
いに接続され、他方のコンデンサCd0″,Cd2″,
Cd4″のコールドエンド側が端子6に接続される。
Qd5からなる第1のBBD,BBDdと、6個のトラ
ンジスタQe1〜Qe6からなる第2のBBD,BBDe
と、第3のBBD,BBDfとが設けられる。この
BBDdのコンデンサCd0,Cd2,Cd4が分割され、
それぞれCd0′,Cd0″,Cd2′,Cd2″,Cd4′,Cd4″と
されると共に、これらの容量値がそれぞれd0C、
(1−d0)C、d2C、(1−d2)C、d4C、(1−
d4)Cとされる。これらの分割された一方のコン
デンサCd0′,Cd2′,Cd4′のコールドエンド側が互
いに接続され、他方のコンデンサCd0″,Cd2″,
Cd4″のコールドエンド側が端子6に接続される。
またトランジスタ11a〜18aと同等の回路
〔トランジスタ11d〜18d〕が設けられ、こ
のトランジスタ11d,12dのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5d,16dのベースの接続点が端子36に接続
される。
〔トランジスタ11d〜18d〕が設けられ、こ
のトランジスタ11d,12dのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5d,16dのベースの接続点が端子36に接続
される。
そしてトランジスタCd0′,Cd2′,Cd4′のコール
ドエンド側がトランジスタ15d,16dのエミ
ツタの接続点に接続される。
ドエンド側がトランジスタ15d,16dのエミ
ツタの接続点に接続される。
さらにBBDeのコンデンサCe2,Ce4が分割さ
れ、それぞれCe2′,Ce2″,Ce4′,Ce4″そされると
共に、これらの容量値がそれぞれe2C、(1−e2)
C、e4C、(1−e4)Cとされる。これらの分割さ
れた一方のコンデンサCe2′,Ce4′のコールドエン
ド側が互いに接続され、この接続点がトランジス
タ11d,12dのエミツタの接続点に接続され
る。また他方のコンデンサCe2″,Ce4″のコールド
エンド側が端子7に接続される。そしてカレント
ミラー回路M1d,M2dの出力側のトランジスタ1
4d,14d′,18d,18d′のコレクタの接続
点がコンデンサCe0のホツトエンド側に接続され
る。
れ、それぞれCe2′,Ce2″,Ce4′,Ce4″そされると
共に、これらの容量値がそれぞれe2C、(1−e2)
C、e4C、(1−e4)Cとされる。これらの分割さ
れた一方のコンデンサCe2′,Ce4′のコールドエン
ド側が互いに接続され、この接続点がトランジス
タ11d,12dのエミツタの接続点に接続され
る。また他方のコンデンサCe2″,Ce4″のコールド
エンド側が端子7に接続される。そしてカレント
ミラー回路M1d,M2dの出力側のトランジスタ1
4d,14d′,18d,18d′のコレクタの接続
点がコンデンサCe0のホツトエンド側に接続され
る。
またBBDeのコンデンサCe1,Ce3,Ce5が分割
され、それぞれCe1′,Ce1″,Ce3′,Ce3″,Ce5′,
Ce5″とされると共に、これらの容量値がそれぞれ
e1C、(1−e1)C、e3C、(1−e3)C、e5C、(1
−e5)Cとされる。これらの分割された一方のコ
ンデンサCe1′,Ce3′,Ce5′のコールドエンド側が
互いに接続され、他方のコンデンサCe1″,Ce3,
Ce5″のコールドエンド側が端子6に接続される。
され、それぞれCe1′,Ce1″,Ce3′,Ce3″,Ce5′,
Ce5″とされると共に、これらの容量値がそれぞれ
e1C、(1−e1)C、e3C、(1−e3)C、e5C、(1
−e5)Cとされる。これらの分割された一方のコ
ンデンサCe1′,Ce3′,Ce5′のコールドエンド側が
互いに接続され、他方のコンデンサCe1″,Ce3,
Ce5″のコールドエンド側が端子6に接続される。
またトランジスタ11a〜18aと同等の回路
〔トランジスタ11e〜18e〕が設けられ、こ
のトランジスタ11e,12eのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5e,16eのベースの接続点が端子36に接続
される。
〔トランジスタ11e〜18e〕が設けられ、こ
のトランジスタ11e,12eのベースの接続点
が端子37に接続されると共に、トランジスタ1
5e,16eのベースの接続点が端子36に接続
される。
そしてコンデンサCe1′,Ce3′,Ce5′のコールド
エンド側がトランジスタ15e,16eのエミツ
タの接続点に接続される。
エンド側がトランジスタ15e,16eのエミツ
タの接続点に接続される。
さらにBBDfのコンデンサCf2,Cf4が分割され、
それぞれCf2′,Cf2″,Cf4′,Cf4″とされると共に、
これらの容量値がそれぞれf2C、(1−f2)C、
f4C、(1−f4)Cとされる。これらの分割された
一方のコンデンサCf2′,Cf4′のコールドエンド側
が互いに接続され、この接続点がトランジスタ1
1e,12eのエミツタの接続点に接続される。
また他方のコンデンサCf2″,Cf4″のコールドエン
ド側が端子7に接続される。そしてカレントミラ
ー回路M1e,M2eの出力側のトランジスタ14
e,14e′,18e,18e′のコレクタがコンデ
ンサCf0のホツトエンド側に接続される。
それぞれCf2′,Cf2″,Cf4′,Cf4″とされると共に、
これらの容量値がそれぞれf2C、(1−f2)C、
f4C、(1−f4)Cとされる。これらの分割された
一方のコンデンサCf2′,Cf4′のコールドエンド側
が互いに接続され、この接続点がトランジスタ1
1e,12eのエミツタの接続点に接続される。
また他方のコンデンサCf2″,Cf4″のコールドエン
ド側が端子7に接続される。そしてカレントミラ
ー回路M1e,M2eの出力側のトランジスタ14
e,14e′,18e,18e′のコレクタがコンデ
ンサCf0のホツトエンド側に接続される。
この回路において、信号φ2がVDC+VPの期間に
コンデンサCd0′,Cd2′,Cd4′,Ce2′,Ce4′の信号
が取り出され、これらが合成されてコンデンサ
Ce0に供給される。また同じく信号φ2がVDC+VP
の期間にコンデンサCe1′,Ce3′,Ce5′,Cf2′,
Cf4′の信号が取り出され、これらが合成されてコ
ンデンサCf0に供給される。
コンデンサCd0′,Cd2′,Cd4′,Ce2′,Ce4′の信号
が取り出され、これらが合成されてコンデンサ
Ce0に供給される。また同じく信号φ2がVDC+VP
の期間にコンデンサCe1′,Ce3′,Ce5′,Cf2′,
Cf4′の信号が取り出され、これらが合成されてコ
ンデンサCf0に供給される。
さらにこの回路を、上述の第4図と同様の模式
的なブロツクで描くと、第7図のようになる。図
中、D,E,Fはd,e,fの2倍(D1=2d1
…、E1=2e1…、F1=2f1…)とする。
的なブロツクで描くと、第7図のようになる。図
中、D,E,Fはd,e,fの2倍(D1=2d1
…、E1=2e1…、F1=2f1…)とする。
すなわち図において、入力端子1からの信号が
BBDdを構成するZ-1の遅延回路81,82の直
列回路に供給される。この入力端子1からの信号
と遅延回路81,82の出力がそれぞれ係数D0、
D2、D4の重みづけ回路83,84,85を通じ
て合成器86に供給され、互いに加算される。こ
の合成器86からの信号がBBDeを構成するZ-1
の遅延回路87,88の直列回路に供給される。
この遅延回路87,88の出力がそれぞれ係数
E2、E4の重みづけ回路89,90を通じて合成
器86に供給され、上述の加算信号から減算され
る。また合成器86からの信号と遅延回路87,
88の出力がそれぞれ係数E1、E3、E5の重みづ
け回路91,92,93を通じて合成器94に供
給され、互いに加算される。この合成器94から
の信号がBBDfを構成するZ-1の遅延回路95,
96の直列回路に供給される。この遅延回路9
5,96の出力がそれぞれ係数F2、F4の重みづ
け回路97,98を通じて合成器94に供給さ
れ、上述の加算信号から減算される。
BBDdを構成するZ-1の遅延回路81,82の直
列回路に供給される。この入力端子1からの信号
と遅延回路81,82の出力がそれぞれ係数D0、
D2、D4の重みづけ回路83,84,85を通じ
て合成器86に供給され、互いに加算される。こ
の合成器86からの信号がBBDeを構成するZ-1
の遅延回路87,88の直列回路に供給される。
この遅延回路87,88の出力がそれぞれ係数
E2、E4の重みづけ回路89,90を通じて合成
器86に供給され、上述の加算信号から減算され
る。また合成器86からの信号と遅延回路87,
88の出力がそれぞれ係数E1、E3、E5の重みづ
け回路91,92,93を通じて合成器94に供
給され、互いに加算される。この合成器94から
の信号がBBDfを構成するZ-1の遅延回路95,
96の直列回路に供給される。この遅延回路9
5,96の出力がそれぞれ係数F2、F4の重みづ
け回路97,98を通じて合成器94に供給さ
れ、上述の加算信号から減算される。
従つてこの回路において入力端子1から合成器
94の出力側までの伝達関係H(z)は H(z)=D0+D2Z-1+D4Z-2/1+E2Z-1+E4Z
-2・E1+E3Z-1+E5Z-2/1+F2Z-1+F4Z-2・Z--5/2 となり、ここで各係数D0〜D4、E1〜E5、F2〜F4
を、D0=A2、D2=A4、D4=A6、E1=B1、E2=
A3、E3=23、E4=A5、E5=B5、F2=B2、F4=B4
とすることにより、上述と同様の4.5MHzのトラ
ツプ回路とすることができる。なお出力信号は
BBDfの各段から任意に取り出すことができる。
94の出力側までの伝達関係H(z)は H(z)=D0+D2Z-1+D4Z-2/1+E2Z-1+E4Z
-2・E1+E3Z-1+E5Z-2/1+F2Z-1+F4Z-2・Z--5/2 となり、ここで各係数D0〜D4、E1〜E5、F2〜F4
を、D0=A2、D2=A4、D4=A6、E1=B1、E2=
A3、E3=23、E4=A5、E5=B5、F2=B2、F4=B4
とすることにより、上述と同様の4.5MHzのトラ
ツプ回路とすることができる。なお出力信号は
BBDfの各段から任意に取り出すことができる。
そしてこの回路において、入力端子1から合成
器86の出力側までの周波数特性は第8図の破線
Aのようになる。これに対して合成器86の生力
側から合成器94の出力側までの周波数特性は第
8図の一点鎖線Bのようになり、これらが合成さ
れて第8図の実線Cのような周波数特性が得られ
る。なおこの特性図において、破線Aは映像信号
帯域内でピーキングを生じないが、一点鎖線Bは
ピーキングを生じている。
器86の出力側までの周波数特性は第8図の破線
Aのようになる。これに対して合成器86の生力
側から合成器94の出力側までの周波数特性は第
8図の一点鎖線Bのようになり、これらが合成さ
れて第8図の実線Cのような周波数特性が得られ
る。なおこの特性図において、破線Aは映像信号
帯域内でピーキングを生じないが、一点鎖線Bは
ピーキングを生じている。
ここで各係数をD0←→E1、D2←→E3、D4←→E5、E2
←→F2、E4←→F4の間で入換えても、入力端子1か
ら合成器94の出力側までの周波数特性は同じに
なる。しかしながらその場合には、入力端子1か
ら合成器86の出力側までの周波数特性にピーキ
ングを生じてしまう。
←→F2、E4←→F4の間で入換えても、入力端子1か
ら合成器94の出力側までの周波数特性は同じに
なる。しかしながらその場合には、入力端子1か
ら合成器86の出力側までの周波数特性にピーキ
ングを生じてしまう。
すなわち上述の回路において、合成器86の出
力側での周波数特性は破線Aで示すようになつて
おり、この信号をさらに一点鎖線Bで示すような
周波数特性の回路に供給することにより、合成器
94の出力側の周波数特性は実線Cのようにな
る。従つてこの回路において後半の回路でピーキ
ングを生じても、前半からの総合特性ではピーキ
ングが生じない。
力側での周波数特性は破線Aで示すようになつて
おり、この信号をさらに一点鎖線Bで示すような
周波数特性の回路に供給することにより、合成器
94の出力側の周波数特性は実線Cのようにな
る。従つてこの回路において後半の回路でピーキ
ングを生じても、前半からの総合特性ではピーキ
ングが生じない。
こうして4.5MHzのトラツプ回路が構成される
わけであるが、本発明によれば、フイルタを複数
のフイルタに分割し、ピーキングを生じない回路
を前段に配置するようにしたことにより、各中間
点でのピーキングの発生を防止することができ
る。
わけであるが、本発明によれば、フイルタを複数
のフイルタに分割し、ピーキングを生じない回路
を前段に配置するようにしたことにより、各中間
点でのピーキングの発生を防止することができ
る。
さらに上述の回路において、分割された各フイ
ルタの低域のゲインが、第8図からも明らかなよ
うに全て0dBなので、直流レベルが常に一定で、
直流補正回路を設ける必要がなく、回路構成が極
めて簡単になる。
ルタの低域のゲインが、第8図からも明らかなよ
うに全て0dBなので、直流レベルが常に一定で、
直流補正回路を設ける必要がなく、回路構成が極
めて簡単になる。
また上述の回路において、BBDfは後段の例え
ばYC分離フイルタを構成するBBDの一部を兼用
できる。
ばYC分離フイルタを構成するBBDの一部を兼用
できる。
なお本発明はBBDにかぎらずCCD等の全ての
CTDに適用できる。また4.5MHzのトラツプ回路
に限らず、3.58MHzのトラツプ回路等、種々のフ
イルタに適用できる。
CTDに適用できる。また4.5MHzのトラツプ回路
に限らず、3.58MHzのトラツプ回路等、種々のフ
イルタに適用できる。
第1図、第2図はBBDの説明のための図、第
3図は従来のトランスバーサルフイルタの構成
図、第4図、第5図はその説明のための図、第6
図は本発明の一例の構成図、第7図、第8図はそ
の説明のための図である。 1は入力端子、CはBBDを構成するコンデン
サ、QはBBDを構成するトランジスタ、81,
82,87,88,95,96はZ-1の遅延回路、
83〜85,89〜93,97,98は重みづけ
回路、86,94は合成器である。
3図は従来のトランスバーサルフイルタの構成
図、第4図、第5図はその説明のための図、第6
図は本発明の一例の構成図、第7図、第8図はそ
の説明のための図である。 1は入力端子、CはBBDを構成するコンデン
サ、QはBBDを構成するトランジスタ、81,
82,87,88,95,96はZ-1の遅延回路、
83〜85,89〜93,97,98は重みづけ
回路、86,94は合成器である。
Claims (1)
- 1 電荷転送素子を用いた巡回形トランスバーサ
ルフイルタにおいて、上記電荷転送素子を複数に
分割して前段フイルタとこの前段フイルタにカス
ケード接続された後段フイルタを構成し、上記前
段及び後段フイルタが夫々共通の帯域をフイルタ
リングし、且つ、上記前段フイルタのピーキング
量が上記後段フイルタのピーキング量よりも小と
なるように上記前段及び後段のフイルタ定数を選
定し、上記カスケード接続された前段及び後段フ
イルタの総合特性で上記共通の帯域をフイルタリ
ングすると共に上記後段フイルタのピーキング量
を前段フイルタのピーキング量より大となすこと
によつて信号のサチユレーシヨンを防止するよう
にした巡回形トランスバーサルフイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666680A JPS56104516A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Cyclic transversal filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666680A JPS56104516A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Cyclic transversal filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56104516A JPS56104516A (en) | 1981-08-20 |
| JPS6346606B2 true JPS6346606B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=11644691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP666680A Granted JPS56104516A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Cyclic transversal filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56104516A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453847A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Filter unit |
| JPS54114062A (en) * | 1978-02-25 | 1979-09-05 | Fujitsu Ltd | Input weighting type ccd recursive filter |
-
1980
- 1980-01-23 JP JP666680A patent/JPS56104516A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56104516A (en) | 1981-08-20 |
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