JPS6347255B2 - - Google Patents

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JPS6347255B2
JPS6347255B2 JP56212106A JP21210681A JPS6347255B2 JP S6347255 B2 JPS6347255 B2 JP S6347255B2 JP 56212106 A JP56212106 A JP 56212106A JP 21210681 A JP21210681 A JP 21210681A JP S6347255 B2 JPS6347255 B2 JP S6347255B2
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JP
Japan
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film
silicon
polycrystalline silicon
single crystal
silicon film
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JP56212106A
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JPS58116721A (ja
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Junji Sakurai
Seiichiro Kawamura
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、多結晶半導体にレーザ・ビーム、電
子ビームなどの高エネルギ・ビームを照射して単
結晶半導体に変換する工程が含まれる半導体装置
の製造方法の改良に関する。
従来、第１図に見られるように、シリコン半導
体基板１に選択的に二酸化シリコン絶縁膜２を形
成し、次に、全面に多結晶シリコン膜３を形成
し、次に、例えばレーザ・ビームLBを矢印Ａ方
向に走査して多結晶シリコン膜３を単結晶シリコ
ン膜３′に変換するものである。この技術は一般
に、レーザ・アニールに依るラテラル・エピタキ
シヤル成長法と呼んでいる。
ところで、この従来技術に依る場合、絶縁膜２
上の単結晶シリコン膜３′が剥離する事故がしば
しば発生している。その理由は次の通りであると
考えられている。即ち、二酸化シリコンは単結晶
シリコンに比較すると、常温に於いて熱伝導率が
２桁も低い。従つて、シリコン半導体基板１上の
多結晶シリコン膜３が充分にアニールされ、単結
晶シリコン膜３′に変換される条件でレーザ・ビ
ームLBを照射すると二酸化シリコン絶縁膜２上
の多結晶シリコン膜３は過剰アニールになつてし
まうからである。
本発明は、高エネルギ・ビームでアニールされ
るべき多結晶シリコン膜の下地として単結晶シリ
コンと二酸化シリコンとが混在する場合であつて
も、どの部分の多結晶シリコン膜も過不足なく均
一にアニールされて単結晶化され、剥離など発生
することのないようにするものであり、以下これ
を詳細に説明する。
第２図乃至第６図は本発明一実施例を説明する
為の工程要所に於ける半導体装置の要部断面図で
あり、次に、これ等の図を参照しつつ説明する。
第２図参照 (1) 面指数例えば（100）である単結晶シリコン
半導体基板１１に熱酸化法にて厚さ例えば8000
〔Å〕の二酸化シリコン絶縁膜１２を形成する。
(2) CVD法にて第１の多結晶シリコン膜１３を
厚さ例えば2000〔Å〕程度に形成する。
(3) フオト・リソグラフイ技術にて、第１の多結
晶シリコン膜１３及び二酸化シリコン絶縁膜１
２のパターニングを行ない、素子領域相当部分
を残し他を除去する。
第３図参照 (4) CVD法にて再び多結晶シリコンの成長を行
ない、全面に第２の多結晶シリコン膜１４を厚
さ例えば3000〔Å〕程度に形成する。
第４図参照 (5) CVD法にて窒化シリコン膜１５を厚さ例え
ば500〔Å〕程度に形成する。この窒化シリコン
膜１５はレーザ・アニールで生成された単結晶
シリコン膜の表面の平坦性を維持する為と、レ
ーザ照射時の反射防止膜として作用させる為で
ある。
(6) 同じくCVD法にて燐硅酸ガラス膜１６を厚
さ例えば１〔μｍ〕程度に成長させる。この燐
硅酸ガラス膜１６は窒化シリコン膜１５より低
屈折率であるから反射防止に一層有効であり、
また、厚く形成できるので機械的抑止力が大で
あるから単結晶シリコンの平坦性維持に卓効が
あり、更にまた、多結晶シリコン膜１４と窒化
シリコン膜１５との間の歪を防止することもで
きる。
第５図参照 (7) 出力10〔Ｗ〕のCWアルゴン・レーザで10
〔cm／秒〕の走査をしてアニールを行なうと第
１の多結晶シリコン膜１３及び第２の多結晶シ
リコン膜１４はともに単結晶シリコン膜１７に
変換される。この場合、二酸化シリコン絶縁膜
１２上には多結晶シリコン膜１３及び１４が存
在しているので、単結晶シリコン半導体基板１
１上の多結晶シリコン膜１４と比較すると多結
晶シリコン膜１３の分だけ厚くなつている。従
つて、単結晶シリコン半導体基板１１上の多結
晶シリコン膜１４が適正にアニールされる条件
でレーザ・ビーム照射を行なうと、二酸化シリ
コン絶縁膜１２上の多結晶シリコン膜１３，１
４も適正にアニールされるものである。
第６図参照 (8) 燐硅酸ガラス膜１６及び窒化シリコン膜１５
を除去してから二酸化シリコン膜１２上の単結
晶シリコン膜１７に半導体素子を形成する。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、単
結晶シリコンと二酸化シリコンとが混在する面に
多結晶シリコン膜を形成し、その多結晶シリコン
膜に高エネルギ・ビーム照射を行つて単結晶化す
るに際し、二酸化シリコン上の多結晶シリコン膜
を単結晶シリコン上のそれよりも厚く形成するこ
とにより、二酸化シリコンの熱伝導率が低くて
も、そこで過剰アニールが生じることを防止する
ことができるので、単結晶シリコン膜の剥離の問
題は生じない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の説明図、第２図乃至第６図は
本発明一実施例を説明する為の工程要所に於ける
半導体装置の要部断面図である。 図に於いて、１１は基板、１２は絶縁膜、１
３，１４は多結晶シリコン膜、１７は単結晶シリ
コン膜である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ シリコン半導体基板（或いは層）上に選択的
    に二酸化シリコン絶縁膜を形成し、次に、該二酸
    化シリコン絶縁膜上には厚く且つ前記シリコン半
    導体基板（或いは層）上には薄く多結晶シリコン
    膜を形成し、次に、それ等多結晶シリコン膜に高
    エネルギ・ビームを照射して単結晶化する工程が
    含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP56212106A 1981-12-30 1981-12-30 半導体装置の製造方法 Granted JPS58116721A (ja)

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JP56212106A JPS58116721A (ja) 1981-12-30 1981-12-30 半導体装置の製造方法

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JPH0291556A (ja) * 1988-09-29 1990-03-30 Fujikura Ltd 酸素濃度分析計

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JPH0291556A (ja) * 1988-09-29 1990-03-30 Fujikura Ltd 酸素濃度分析計

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