JPS6350123U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350123U JPS6350123U JP14366886U JP14366886U JPS6350123U JP S6350123 U JPS6350123 U JP S6350123U JP 14366886 U JP14366886 U JP 14366886U JP 14366886 U JP14366886 U JP 14366886U JP S6350123 U JPS6350123 U JP S6350123U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doping gas
- gas supply
- vapor phase
- supply section
- phase growth
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例によるＧａ／ＡｓＣ
３／Ｈ２反応系ＧａＡｓ気相成長装置の概略断
面図、第２図は本考案の実施例２の概略断面図、
第３図は従来装置の一例を示す概略断面図である
。 図中１は加熱炉、２は石英反応管、３はＧａＡ
ｓ基板、４は基板ホルダー、５はＧａソース、６
は原料ガス供給管、７はドーピングガス供給管、
８は実施例１によるドーピングガス供給部、９は
軸受機構、１０は歯車、１１は駆動軸、１２はモ
ーター、１３はガス撹拌用回転翼、１４は実施例
２によるドーピングガス供給部、１５は歯車、１
６は回転軸である。
３／Ｈ２反応系ＧａＡｓ気相成長装置の概略断
面図、第２図は本考案の実施例２の概略断面図、
第３図は従来装置の一例を示す概略断面図である
。 図中１は加熱炉、２は石英反応管、３はＧａＡ
ｓ基板、４は基板ホルダー、５はＧａソース、６
は原料ガス供給管、７はドーピングガス供給管、
８は実施例１によるドーピングガス供給部、９は
軸受機構、１０は歯車、１１は駆動軸、１２はモ
ーター、１３はガス撹拌用回転翼、１４は実施例
２によるドーピングガス供給部、１５は歯車、１
６は回転軸である。
Claims (1)
- Ｃａ／ＡｓＣｌ３／Ｈ２反応系ＧａＡｓ気相成
長装置において、基板の真上に多数のガス噴出孔
を有するドーピング・ガス供給部を配置し、結晶
成長中に該ドーピング・ガス供給部をガス流方向
に対し、平行な面内で自転させる、もしくは、該
孔より噴出されたドーピング・ガスを撹拌する手
段を備えた事を特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14366886U JPS6350123U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14366886U JPS6350123U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350123U true JPS6350123U (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=31053565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14366886U Pending JPS6350123U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350123U (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP14366886U patent/JPS6350123U/ja active Pending
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