JPS635635U - - Google Patents

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JPS635635U
JPS635635U JP1986100766U JP10076686U JPS635635U JP S635635 U JPS635635 U JP S635635U JP 1986100766 U JP1986100766 U JP 1986100766U JP 10076686 U JP10076686 U JP 10076686U JP S635635 U JPS635635 U JP S635635U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示すＥＣＲ―ＣＶ
Ｄ装置要部の概略断面図であり、第２図はその基
板ホルダ（基板）を示す平面図である。第３図は
その従来例を示す要部の概略断面図である。 １…基板、２…基板ホルダ、３…防着板、３ａ
…開口部、４…シヤツタ、５…試料室、６…プラ
ズマ発生装置、７…プラズマ室、１２…プラズマ
引出窓。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板を配置する試料室に、電子サイクロトロン
    共鳴によるマイクロ波放電によつてプラズマ室に
    生成されるプラズマをそのプラズマ引出窓から発
    散磁界の作用で該試料室に引出すようにしたプラ
    ズマ発生装置を付設してなる成膜装置において、
    前記試料室に、周方向に複数枚の基板を載置する
    基板ホルダを前記プラズマ引出窓と対向する偏心
    位置で軸心まわりに回転可能に設けるとともに、
    この基板ホルダと前記プラズマ引出窓との間に該
    基板ホルダ上の前記基板に相当する開口部を有す
    る防着板を介設したことを特徴とするプラズマ付
    着装置。
JP1986100766U 1986-06-28 1986-06-28 Expired JPH0452994Y2 (ja)

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JP1986100766U JPH0452994Y2 (ja) 1986-06-28 1986-06-28

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Publication Number Publication Date
JPS635635U true JPS635635U (ja) 1988-01-14
JPH0452994Y2 JPH0452994Y2 (ja) 1992-12-14

Family

ID=30970895

Family Applications (1)

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JP1986100766U Expired JPH0452994Y2 (ja) 1986-06-28 1986-06-28

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JP (1) JPH0452994Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011125471A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011125471A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0452994Y2 (ja) 1992-12-14

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