JPS6364045B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6364045B2 JPS6364045B2 JP56213214A JP21321481A JPS6364045B2 JP S6364045 B2 JPS6364045 B2 JP S6364045B2 JP 56213214 A JP56213214 A JP 56213214A JP 21321481 A JP21321481 A JP 21321481A JP S6364045 B2 JPS6364045 B2 JP S6364045B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- terminal
- capacitor
- laminated
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体積層電子回路部品に関し、特に
回路部品に搭載する電子部品と、外部の回路との
接続用電極及び接続端子の改良に関する。
回路部品に搭載する電子部品と、外部の回路との
接続用電極及び接続端子の改良に関する。
従来例を第７図，に図示する。これは、抵
抗やトランジスタ等を搭載する為の基材となつて
おり、一例としては第３図に示される如き増幅回
路を、第４図に示されるように搭載して構成され
る１つの電子回路部品となる。ここで電極１，２
は誘電体３を間に介した積層コンデンサC2を構
成しており、端子T2，T3により外部に接続され
る。また端子T1，T8はコンデンサC1を形成し、
端子T4，T5，T6，T7は積層コンデンサ上に搭載
される電子回路の接続端子である。通常、誘電体
３は酸化チタン（TiO2）やチタン酸バリウム等
で形成されており、その誘電率はTiO2の場合20
〜200程度、BaTiO3の場合1000〜10000程度であ
る。また、端子と電極は通常パラジウム（Pd）
銀（Ag）を単独或いは合金として用いている。
抗やトランジスタ等を搭載する為の基材となつて
おり、一例としては第３図に示される如き増幅回
路を、第４図に示されるように搭載して構成され
る１つの電子回路部品となる。ここで電極１，２
は誘電体３を間に介した積層コンデンサC2を構
成しており、端子T2，T3により外部に接続され
る。また端子T1，T8はコンデンサC1を形成し、
端子T4，T5，T6，T7は積層コンデンサ上に搭載
される電子回路の接続端子である。通常、誘電体
３は酸化チタン（TiO2）やチタン酸バリウム等
で形成されており、その誘電率はTiO2の場合20
〜200程度、BaTiO3の場合1000〜10000程度であ
る。また、端子と電極は通常パラジウム（Pd）
銀（Ag）を単独或いは合金として用いている。
第３図は高周波増幅回路を示し、トランジスタ
Q1，Q2は２段直結増幅器により、信号源抵抗R0
を持つた高周波信号Ａを増幅し、コンデンサC3、
高周波トランスT1によつて信号Ａの周波数に同
調された負荷を通じて出力を取り出している。す
なわち、信号Ａの周波数をfAとすれば、コンデン
サC3、高周波トランスT1のインダクタンスL1は、 に設定されている。また＋Ｂは電源であり、端子
T1〜T8は電子部品を搭載する積層コンデンサ
（以下ベースMLCと云う。）の端子である。抵抗
R1，R2はトランジスタQ1，Q2のエミツタ抵抗、
抵抗R3はトランジスタQ1のベースバイアス抵抗、
抵抗R4はトランジスタQ1のコレクタ抵抗である。
Q1，Q2は２段直結増幅器により、信号源抵抗R0
を持つた高周波信号Ａを増幅し、コンデンサC3、
高周波トランスT1によつて信号Ａの周波数に同
調された負荷を通じて出力を取り出している。す
なわち、信号Ａの周波数をfAとすれば、コンデン
サC3、高周波トランスT1のインダクタンスL1は、 に設定されている。また＋Ｂは電源であり、端子
T1〜T8は電子部品を搭載する積層コンデンサ
（以下ベースMLCと云う。）の端子である。抵抗
R1，R2はトランジスタQ1，Q2のエミツタ抵抗、
抵抗R3はトランジスタQ1のベースバイアス抵抗、
抵抗R4はトランジスタQ1のコレクタ抵抗である。
ここで、コンデンサC1，C2は信号Ａに対して
は、十分小さいインピーダンスを持つものとし、
抵抗R1，R2に比べて高周波的なインピーダンス
は無視できる値とする。第７図において、端子
T6とコンデンサC1の電極の間に生ずる浮遊容量
をCo1、端子T5とコンデンサC2の電極の間に生ず
る浮遊容量をCo2とする。実験の一例としては、
Co1，Co2とも20pF〜200pF程度の値が得られて
いる。コンデンサC3が強誘電体（BaTiO3でε＝
4000程度）である。通常、トランジスタQ1の入
力インピーダンスRin１は、1KΩ程度であるか
ら、Co1のインピーダンスがRin１、Roに比べて
無視できない値となる程、信号Ａの周波数が高く
なれば、第３図の回路は高周波増幅器としての性
能を発揮できなくなる。同様に、Co2の値が同調
容量C3の値に比べて無視できなくなれば、コン
デンサC3、端子T1による同調回路の同調周波数
がずれてしまう。さらに、ベースMLCがBaTiO3
で構成される場合には、通常容量値は温度による
容量変化、印加電圧による容量変化が非常に大き
い為、Co1による信号損失、Co2による同調周波
数の変化が大きくなるという大きな欠点を持つて
いる。
は、十分小さいインピーダンスを持つものとし、
抵抗R1，R2に比べて高周波的なインピーダンス
は無視できる値とする。第７図において、端子
T6とコンデンサC1の電極の間に生ずる浮遊容量
をCo1、端子T5とコンデンサC2の電極の間に生ず
る浮遊容量をCo2とする。実験の一例としては、
Co1，Co2とも20pF〜200pF程度の値が得られて
いる。コンデンサC3が強誘電体（BaTiO3でε＝
4000程度）である。通常、トランジスタQ1の入
力インピーダンスRin１は、1KΩ程度であるか
ら、Co1のインピーダンスがRin１、Roに比べて
無視できない値となる程、信号Ａの周波数が高く
なれば、第３図の回路は高周波増幅器としての性
能を発揮できなくなる。同様に、Co2の値が同調
容量C3の値に比べて無視できなくなれば、コン
デンサC3、端子T1による同調回路の同調周波数
がずれてしまう。さらに、ベースMLCがBaTiO3
で構成される場合には、通常容量値は温度による
容量変化、印加電圧による容量変化が非常に大き
い為、Co1による信号損失、Co2による同調周波
数の変化が大きくなるという大きな欠点を持つて
いる。
Co1が無視できる周波数としては、
１／2πfA．Co1≒10KΩ≫1KΩ ……
と仮定し、Co1＝100pFとすると、
fA≒160KHz
となる。160KHzでは、高周波増幅回路としての
能力は無いとみなせる。
能力は無いとみなせる。
また、コンデンサC3の値は、一般的なIFT（中
間周波トランス）においては、周波数10.7MHzで
100pF、周波数455KHzで200pFから1500pF程度
である。したがつて、周波数10.7MHzでは、Co2
の値をC3の1/100として、1pF、また455KHzでも
２〜15pF程度であり、Co2の実験値とは大きくか
けはなれている。
間周波トランス）においては、周波数10.7MHzで
100pF、周波数455KHzで200pFから1500pF程度
である。したがつて、周波数10.7MHzでは、Co2
の値をC3の1/100として、1pF、また455KHzでも
２〜15pF程度であり、Co2の実験値とは大きくか
けはなれている。
本発明は、従来の欠点である大きな浮遊容量に
よる電子回路への悪影響をさける為に、電子回路
中の限定された端子及び表面電極の浮遊容量を減
少させることを目的とするものである。
よる電子回路への悪影響をさける為に、電子回路
中の限定された端子及び表面電極の浮遊容量を減
少させることを目的とするものである。
以下、図示の実施例について本発明を詳述する
と、本発明は例えばベースコンデンサに搭載され
る電子回路中の比較的大きい浮遊容量が生じた場
合問題となる部分の表面電極及び端子と、誘電体
の間にその誘電体の誘電率より小さい誘電率を持
つ絶縁体の層を設け、これによつて浮遊容量を低
減するようにしたものである。この絶縁体として
は、ガラス、アルミナ、低誘電率の酸化チタン等
がある。
と、本発明は例えばベースコンデンサに搭載され
る電子回路中の比較的大きい浮遊容量が生じた場
合問題となる部分の表面電極及び端子と、誘電体
の間にその誘電体の誘電率より小さい誘電率を持
つ絶縁体の層を設け、これによつて浮遊容量を低
減するようにしたものである。この絶縁体として
は、ガラス、アルミナ、低誘電率の酸化チタン等
がある。
第１図及び第２図に本発明の一実施例を示す。
これは低誘電率の絶縁体層４を除いては、第７図
の構成と同じである。すなわち、縁縁体層４を設
けることにより、端子T5，T6とコンデンサC2，
C1の電極間の浮遊容量を大幅に減少させている。
例として誘電体３の誘電電率εを4000、コンデン
サC2の電極と端子T5の平均距離ｔ（μｍ）を500μ
ｍ、コンデンサC2の電極と端子T5の対向面積を
0.5mm2とすると、浮遊容量Co2は絶縁体層４が無い
場合に Co2≒8.855×ε×Ｓ／ｔ≒35.42（pF） また、絶縁体層４（ε＝10、厚さ50μｍ）があ
る場合には、絶縁体層４と誘電体３との境界に電
極が存在すると考えた時と等価となる為、減少し
た浮遊容量Co2′は、Co2と絶縁体層４の容量C′の
直列接続された値となり、 C′＝8.855×10×0.5／50＝0.8855（pF） Co2′＝１／１／CO2＋１／C′＝Co2×C′／Co2＋C′ ＝35.42×0.8855／35.42＋0.8855 ＝0.8639（pF） Co2′は約0.9pFと大幅に減少する。Co1′の値も
同様の値となる。
これは低誘電率の絶縁体層４を除いては、第７図
の構成と同じである。すなわち、縁縁体層４を設
けることにより、端子T5，T6とコンデンサC2，
C1の電極間の浮遊容量を大幅に減少させている。
例として誘電体３の誘電電率εを4000、コンデン
サC2の電極と端子T5の平均距離ｔ（μｍ）を500μ
ｍ、コンデンサC2の電極と端子T5の対向面積を
0.5mm2とすると、浮遊容量Co2は絶縁体層４が無い
場合に Co2≒8.855×ε×Ｓ／ｔ≒35.42（pF） また、絶縁体層４（ε＝10、厚さ50μｍ）があ
る場合には、絶縁体層４と誘電体３との境界に電
極が存在すると考えた時と等価となる為、減少し
た浮遊容量Co2′は、Co2と絶縁体層４の容量C′の
直列接続された値となり、 C′＝8.855×10×0.5／50＝0.8855（pF） Co2′＝１／１／CO2＋１／C′＝Co2×C′／Co2＋C′ ＝35.42×0.8855／35.42＋0.8855 ＝0.8639（pF） Co2′は約0.9pFと大幅に減少する。Co1′の値も
同様の値となる。
本発明によれば、式によつて求められるfA
の値は、fA＝16MHzとなり、高周波をも十分増幅
でき、コンデンサC3との比較からの要求値であ
るところのCo2′＝1pF以下という値をも十分満足
している。
の値は、fA＝16MHzとなり、高周波をも十分増幅
でき、コンデンサC3との比較からの要求値であ
るところのCo2′＝1pF以下という値をも十分満足
している。
第４図は第３図の回路を第１図及び第２図のベ
ースコンデンサの上に構成した上面配置図であ
る。第５図は第４図の構成を側面から見た構造図
である。R2は印刷焼成された抵抗、５はトラン
ジスタQ2のエミツタとR2を接続する電極、Ｒは
端子T5の上面までのびた部分で、トランジスタ
Q2のコレクタに接続されている。７は部分６と
誘電体３の間の浮遊容量を低減する為の絶縁体、
９は固体積層電子部品を搭載する基板、８は基板
９の上に印刷された銅等の配線材である。
ースコンデンサの上に構成した上面配置図であ
る。第５図は第４図の構成を側面から見た構造図
である。R2は印刷焼成された抵抗、５はトラン
ジスタQ2のエミツタとR2を接続する電極、Ｒは
端子T5の上面までのびた部分で、トランジスタ
Q2のコレクタに接続されている。７は部分６と
誘電体３の間の浮遊容量を低減する為の絶縁体、
９は固体積層電子部品を搭載する基板、８は基板
９の上に印刷された銅等の配線材である。
第６図は電子回路を誘電体３のベースMLCと
別のベースMLCの上に構成した場合であり、誘
電体３をチタン酸バリウムとすれば、酸化チタ
ン、アルミナ等で構成されることが多い。
別のベースMLCの上に構成した場合であり、誘
電体３をチタン酸バリウムとすれば、酸化チタ
ン、アルミナ等で構成されることが多い。
もちろん、絶縁体７は、抵抗R4の下にも設け
てよいし、第４図の例で云えば、トランジスタ
Q1，Q2抵抗R3，R4及びその接続電極の下にすべ
て設けることが望ましい。ベースMLCの表面だ
けでなく、裏面にも電子回路を構成するならば、
下面にも絶縁体を設けることが望ましい。
てよいし、第４図の例で云えば、トランジスタ
Q1，Q2抵抗R3，R4及びその接続電極の下にすべ
て設けることが望ましい。ベースMLCの表面だ
けでなく、裏面にも電子回路を構成するならば、
下面にも絶縁体を設けることが望ましい。
本発明では、内部電極と接続されていないとこ
ろの少くともひとつ以上のリードレス端子と、該
端子が設けられている積層誘電体の側面部との間
に、該積層誘電体より低誘電率の絶縁体の層を設
けているので、誘電率の高い基板の上でも、十分
な特性を持つ固体積層電子回路を構成できる。
ろの少くともひとつ以上のリードレス端子と、該
端子が設けられている積層誘電体の側面部との間
に、該積層誘電体より低誘電率の絶縁体の層を設
けているので、誘電率の高い基板の上でも、十分
な特性を持つ固体積層電子回路を構成できる。
第１図は本発明の積層体の一実施例を示す横断
面図、第２図は同上面図、第３図は高周波増幅回
路の一例を示す回路図、第４図は第３図の回路の
積層体上への構成例を示す図、第５図はその側面
図、第６図は本発明の別の実施例を示す側面図、
第７図は従来例を示す横断面図、同はその上
面図である。 １，２は電極、３は誘電体、４は絶縁体層、５
は電極、６は部分、７は絶縁体、８は配線材、９
は基板、T1〜T8は端子である。
面図、第２図は同上面図、第３図は高周波増幅回
路の一例を示す回路図、第４図は第３図の回路の
積層体上への構成例を示す図、第５図はその側面
図、第６図は本発明の別の実施例を示す側面図、
第７図は従来例を示す横断面図、同はその上
面図である。 １，２は電極、３は誘電体、４は絶縁体層、５
は電極、６は部分、７は絶縁体、８は配線材、９
は基板、T1〜T8は端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内部電極層と誘電体層とを積層して構成され
た少くともひとつのコンデンサ機能を有する積層
体において、内部電極と接続されていないところ
の少くともひとつ以上のリードレス端子と、該端
子が設けられている積層誘電体の側面部との間
に、該積層誘電体より低誘電率の絶縁体の層を設
けたことを特徴とする固体積層電子回路部品。 ２ 前記端子の積層誘電体の上面及び下面に廻り
込んだ部分と該積層誘電体の間と、端子と該積層
誘電体側面部の間に、低誘電率の絶縁体の層を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の固体積層電子回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213214A JPS58118130A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 固体積層電子回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213214A JPS58118130A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 固体積層電子回路部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118130A JPS58118130A (ja) | 1983-07-14 |
| JPS6364045B2 true JPS6364045B2 (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=16635420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213214A Granted JPS58118130A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 固体積層電子回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118130A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03167866A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Fujitsu Ltd | Ｉｃチップの実装構造 |
| JP3921177B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2007-05-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 複合電子部品 |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP56213214A patent/JPS58118130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118130A (ja) | 1983-07-14 |
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