JPS6367236U - - Google Patents
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- JPS6367236U JPS6367236U JP16103286U JP16103286U JPS6367236U JP S6367236 U JPS6367236 U JP S6367236U JP 16103286 U JP16103286 U JP 16103286U JP 16103286 U JP16103286 U JP 16103286U JP S6367236 U JPS6367236 U JP S6367236U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- gas
- gas introduction
- manufacturing process
- pipe
- Prior art date
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- Pending
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図はこの考案の実施例の構成を示す一部切
欠断面図、第２図は第１図の端面図、第３図は従
来における拡散装置の略示構成図である。 各図において、１：石英管、３：ウエハ、４：
ガス導入管、８：膨出部、９：分岐管、１０：分
岐管の開口部。
欠断面図、第２図は第１図の端面図、第３図は従
来における拡散装置の略示構成図である。 各図において、１：石英管、３：ウエハ、４：
ガス導入管、８：膨出部、９：分岐管、１０：分
岐管の開口部。
Claims (1)
- ウエハを収容した石英管に対し、その一端側か
らガス導入管を通じて石英管内へキヤリアガスに
不純物ガスを添加した混合ガスを送気導入して熱
拡散を行う半導体素子製造プロセスの拡散装置に
おいて、石英管に接続されるガス導入管の管路途
中に管径が拡大する膨出部を形成するとともに、
該ガス導入管の終端部を複数の管路に分岐させた
上で、この各分岐管を石英管の周面上に分散して
ほぼ半径方向に開口接続して構成したことを特徴
とする半導体素子製造プロセスの拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16103286U JPS6367236U (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16103286U JPS6367236U (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367236U true JPS6367236U (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=31086973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16103286U Pending JPS6367236U (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367236U (ja) |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP16103286U patent/JPS6367236U/ja active Pending
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