JPS6387901U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6387901U JPS6387901U JP18345686U JP18345686U JPS6387901U JP S6387901 U JPS6387901 U JP S6387901U JP 18345686 U JP18345686 U JP 18345686U JP 18345686 U JP18345686 U JP 18345686U JP S6387901 U JPS6387901 U JP S6387901U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- field effect
- effect transistor
- line
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 12
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例を示す平面図及び
側面図、第2図は第1図に示す接続の等価回路を
示す回路図、第3図は従来のマイクロ波半導体ス
イツチの構成を示す平面図及び側面図、第4図は
第3図に示す接続の等価回路を示す回路図。 1は半導体基板、2は第1の線路、3は第2の
線路、4は第3の線路、5は第1のインダクタ用
線路、6は第2のインダクタ用線路、9は地導体
、10は第1のFET、14は第2のFET、1
9は接続点、20は第3のFET、25は第3の
インダクタ用線路。尚、図中同一符号は同一又は
相当する部分を示す。
側面図、第2図は第1図に示す接続の等価回路を
示す回路図、第3図は従来のマイクロ波半導体ス
イツチの構成を示す平面図及び側面図、第4図は
第3図に示す接続の等価回路を示す回路図。 1は半導体基板、2は第1の線路、3は第2の
線路、4は第3の線路、5は第1のインダクタ用
線路、6は第2のインダクタ用線路、9は地導体
、10は第1のFET、14は第2のFET、1
9は接続点、20は第3のFET、25は第3の
インダクタ用線路。尚、図中同一符号は同一又は
相当する部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板に構成されたマイクロストリツ
プ線路上を伝搬するマイクロ波電流の伝搬経路を
切換えるマイクロ波半導体スイツチにおいて、 第1のマイクロストリツプ線路と第2のマイク
ロストリツプ線路との接続点と第3のマイクロス
トリツプ線路の一端との間に挿入される第1の電
界効果トランジスタ、 この第1の電界効果トランジスタに並列に接続
される第1のインダクタ用線路、 上記第1のマイクロストリツプ線路と第2のマ
イクロストリツプ線路との接続点から上記第2の
マイクロストリツプ線上を設計の中心周波数にお
いて1/4波長離れた第1の点と地導体との間に
挿入される第2の電界効果トランジスタ、 この第2の電界効果トランジスタに並列に接続
される第2のインダクタ用線路、 上記第1の点から上記第2のマイクロストリツ
プ線上を更に1/4波長離れた第2の点と地導体
との間に挿入される第3の電界効果トランジスタ
、 この第3の電界効果トランジスタに並列に接続
される第3のインダクタ用線路、 を備え、上記第1、第2、及び第3の電界効果ト
ランジスタを共にオン状態に制御して上記第1の
マイクロストリツプ線路と上記第3のマイクロス
トリツプ線路とをマイクロ波電流に対して接続し
かつ上記接続点から上記第2のマイクロストリツ
プ線路への入力インピーダンスを高インピーダン
スにし、上記第1、第2、および第3の電界効果
トランジスタを共にオフ状態に制御して上記第1
のマイクロストリツプ線路と上記第3のマイクロ
ストリツプ線路との接続をしや断し上記接続点に
より上記第1のマイクロストリツプ線路と上記第
2のマイクロストリツプ線路とをマイクロ波電流
に対して接続するよう制御することを特徴とする
マイクロ波半導体スイツチ。 (2) 第3の電界効果トランジスタのゲート幅を
第1および第2の電界効果トランジスタのゲート
幅に比し狭く設定したことを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第1項記載のマイクロ波半導体ス
イツチ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986183456U JPH0419842Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | |
| US07/045,627 US4789846A (en) | 1986-11-28 | 1987-05-01 | Microwave semiconductor switch |
| FR8706262A FR2607643B1 (fr) | 1986-11-28 | 1987-05-04 | Commutateur a semiconducteurs a micro-ondes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986183456U JPH0419842Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387901U true JPS6387901U (ja) | 1988-06-08 |
| JPH0419842Y2 JPH0419842Y2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=31130209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986183456U Expired JPH0419842Y2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419842Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146667A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164302A (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-29 | レイセオン カンパニ− | 位相制御アレイ・アンテナ |
| JPS60114451U (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-02 | ソニー株式会社 | アンテナ回路 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP1986183456U patent/JPH0419842Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164302A (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-29 | レイセオン カンパニ− | 位相制御アレイ・アンテナ |
| JPS60114451U (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-02 | ソニー株式会社 | アンテナ回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146667A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419842Y2 (ja) | 1992-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3379376B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびそれを用いた電力増幅器 | |
| JPH06232601A (ja) | マイクロ波スイッチ回路 | |
| KR900001009A (ko) | 반도체집적회로 | |
| JPS60153602A (ja) | コプレ−ナ線路・スロツト線路変換回路 | |
| JP3189691B2 (ja) | 高周波半導体デバイス | |
| US6201283B1 (en) | Field effect transistor with double sided airbridge | |
| EP0817275B1 (en) | High-frequency FET | |
| JPS60200547A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2959004B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0281503A (ja) | マイクロ波増幅回路 | |
| JPH0119761B2 (ja) | ||
| JPH0212725Y2 (ja) | ||
| JP2737874B2 (ja) | 半導体線路変換装置 | |
| JPH01273404A (ja) | 高周波半導体デバイス | |
| JPS636882Y2 (ja) | ||
| JP3450721B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2868939B2 (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JPH054281Y2 (ja) | ||
| JPH0419842Y2 (ja) | ||
| JPS6349922B2 (ja) | ||
| JPS635282Y2 (ja) | ||
| JPH0964602A (ja) | 伝送線路 | |
| JPS61140602U (ja) | ||
| JP2522629Y2 (ja) | 線路切り換え型180度移相器 | |
| JPS6134741Y2 (ja) |