JPS6411526B2 - - Google Patents
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- JPS6411526B2 JPS6411526B2 JP57052006A JP5200682A JPS6411526B2 JP S6411526 B2 JPS6411526 B2 JP S6411526B2 JP 57052006 A JP57052006 A JP 57052006A JP 5200682 A JP5200682 A JP 5200682A JP S6411526 B2 JPS6411526 B2 JP S6411526B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の電気特性を連続的に試験
するための試験装置において、半導体装置を単列
に並べて次段部へ供給する試験前シユート部の供
給シユート装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 例えばIC(半導体集積回路装置)等の半導体装
置では、製造された個々の製品について電気的な
特性試験を行ない、これらを良品および不良品に
選別することが必要とされる。そして、大量の製
品について連続的かつ自動的に上記の試験および
選別作業を行なうために、所謂高速ハンドラー装
置を備えた試験装置が従来から使用されている。 第1図は上記従来の半導体装置用試験装置を示
す概略説明図である。同図において、1は連続的
に供給される半導体装置を単列に並べるための試
験前シユート部である。該試験前シユート部1で
単列に並べられた半導体装置a1,a2…は、試験前
シユート部1のすぐ下流に配設された試験ヘツド
部2へ一個づつシユートされるようになつてい
る。試験ヘツド部2ではシユートされて来た半導
体装置の電気特性が試験され、良品か不良品かを
判定された半導体装置は選別シユート部3へシユ
ートされる。そして、試験ヘツド部2が空になつ
た後、次の半導体装置が試験前シユート部1から
シユートされて来る。なお、上記半導体装置の試
験は、試験ヘツド部2に接続された図示しない試
験器で行なわれる。他方、選別シユート部3は、
試験ヘツド部2からシユートされて来た半導体装
置が良品である場合には前記図示しない試験器か
らの指令を受けてこれをそのすぐ下流に配設され
ている良品シユート部4へシユートする。また、
シユートされて来た半導体装置が不良品である場
合には、選別シユート部3は前記図示しない試験
器からの指令により90゜回転し、回転した向きに
配設されている不良品シユート部5へ不良品半導
体装置をシユートするようになつている。 このように、従来の半導体装置用試験装置は試
験ヘツド部2が1個しか具備されておらず、全体
的に単列のシユート回路系として構成されてい
た。しかも、試験ヘツド部2は同時に複数の検体
を試験できるように構成されていなかつたから、
順次1個づつ半導体装置を試験ヘツド部2に供給
し、1個ずつその試験を行なうというシステムを
採用せざるを得ず、その間のロス時間がかなり大
きいという問題があつた。更には、不良品と判定
された半導体装置を不良品シユート部5へシユー
トする際には選別シユート部3を回転させなけれ
ばならず、このときにもロス時間が生じるという
問題があつた。これらの要因により、従来の半導
体装置用試験装置では全体のマシーンインデツク
スが約1.0〜15秒とかなり大きくならざるを得ず、
これが作業能率の向上ひいては全体的な生産性の
向上を計る上で大きな障害となつていた。 ところで、、上記従来の半導体装置用試験装置
における試験前シユート部1の構造および動作は
次の通りである。第2図は前記試験前シユート部
1の概略構造を示す側面図である。同図に示すよ
うに、試験前シユート部1はマガジン部6、供給
シユート部7、円弧状シユート部8、固定シユー
ト部9からなつている。この夫々には上方支持枠
および下方支持枠で限定されたシユート列が形成
されており、これらの隣接するシユート列は相互
に連通している。前記マガジン部6および供給シ
ユート部7は垂直方向に傾斜して設けられてお
り、そのシユート列内を半導体装置が重力でシユ
ートされるようになつている。他方、固定シユー
ト部9は略水平に配設されている。そして、前記
供給シユート部7の上端部付近にはその部分に半
導体装置が存在するか否かを検知するための検知
器10が設けられている。また、供給シユート部
7の下方部にはシユート列に沿つて二つのペンエ
アシリンダ11,12が設けられている。このう
ち、上方のペンエアシリンダ11はシユート列を
連なつて送られて来る半導体装置の側壁を押圧し
て停止させ、下方のペンエアシリンダ12は半導
体装置の下端部に係止してこれを係留させるもの
である。 上記構造の試験前シユート部1において、マガ
ジン部6から半導体装置a1〜a6が図示のように連
なつて送られて来る。これらの半導体装置a1〜a6
は図示のようにペンエアシリンダ12により係留
され、更に、半導体装置a2〜a6は半導体装置a2の
側壁を押圧しているペンエアシリンダ11により
重ねて停止されている。この状態で、まずペンエ
アシリンダ12がシユート列から後退して係留を
解除すると、半導体装置a1のみが分離され、弧状
シユート部8を通つて固定シユート部9へシユー
トされる。続いて、ペンエアシリンダ12が再び
シユート列内に突出した後、今度はペンエアシリ
ンダ11が引込んで押えを解除する。この結果、
半導体装置a2〜a6は連なつたままで落下してペン
エアシリンダ12に係留される。次いでペンエア
シリンダ11が再び突出して今度は半導体装置a3
の側壁を押圧して停止させる。以後、上記の動作
が繰り返され、半導体装置a2〜a6は夫々一個づつ
分離されて固定シユート部9へシユートされるこ
とになる。このように、供給部7はマガジン部6
から連なつて送給されて来る半導体装置を1個づ
つに分離して次段部へシユートする役割を果して
いる。 なお、こうして固定シユート部9へ1個づつシ
ユートされた半導体装置は、固定シユート部9の
図示しない先端部に設けられたペンエアシリンダ
およびブローノズルで構成されるシユートタイミ
ング制御機構によつてそのすぐ下流に設けられて
いる試験ヘツド部2へ1個づつシユートされる。
また、マガジン部6が空になつて半導体装置が送
給されなくなると、検知器10が半導体装置の存
在を検知しなくなる。このときは、マガジン部6
を半導体装置の充填されたものに入れ替えて試験
を継続させることができる。 ところで、既述した従来の半導体装置用試験装
置における問題点からの帰結として、マシーンイ
ンデツクスの小さい能率的な半導体装置を実現す
るための基本的な構想として次の三点を挙げるこ
とができる。第1点は複数の試験ヘツド部2を並
列に設けることにより、全体的な半導体装置の流
れを試験前シユート部1から分岐して夫々別の試
験ヘツド部にシユートされる複数の並列したシユ
ート回路系とすることである。第2点は選別シユ
ート部3に代えて効率のよい選別シユート装置を
採用することである。しかし、この2点は何れも
本発明の直接の対象外であるから、その詳細につ
いては割愛する。残る第3の構想は、試験ヘツド
部2で同時に複数個の半導体装置を試験できるよ
うにすることである。このためには、複数個の半
導体装置を同時にセツトできる構造の試験ヘツド
部2が必要とされることは言うまでもないが、そ
れだけでは不十分で、そのような試験ヘツド部2
へ複数個の半導体装置を確実にセツトすることが
できるシユート機構が必要とされる。しかも、半
導体装置を試験ヘツド部2へ直接シユートする部
分(従来例では固定シユート部9)にこのような
シユート機構が必要とされることはもちろん、供
給シユート部7にもそれに対応し得るシユート機
構が必要とされる。そのようなシユート機構とは
試験ヘツド部2で同時に試験されるべき数と同数
の半導体装置を一単位とし、かつその複数個の半
導体装置の総てのシユートタイミングを完全に制
御できるシユート機構である。このようなシユー
ト機構を可能としない限り、複数の半導体装置を
試験ヘツド部2へ確実にセツトすることはでき
ず、従つて、前記第3の構想によるマシーンイン
デツクスの小さい半導体装置用試験装置を実現す
ることはできない。 そこで、このような観点から従来の供給シユー
ト部7を検討すれば次の通りである。前述したと
ころから明らかなように、従来の供給シユート部
7におけるペンエアシリンダ11,12は、マガ
ジン部6から多数連なつて送給されて来る半導体
装置を1個づつ分離して次段へシユート供給する
ための分離供給機構を構成すると共に、それら
個々の半導体装置のシユートタイミングを制御す
るためのシユートタイミング制御機構を構成して
いる。即ち、第2図でいえば、半導体装置a1はペ
ンエアシリンダ12の係留解除によつてそのシユ
ートタイミングは完全に制御されている。しかし
ながら、この場合にシユートタイミングが完全に
制御され得るのは半導体装置a1個だけである。即
ち、半導体装置a2〜a6は夫々が順次1個分づつ落
下し、ペンエアシリンダ12に係留された状態に
なつて始めてそのシユートタイミングが制御され
ることになるからである。従つて、従来の供給シ
ユート部は前記第3の構想を実現し得るものでは
ない。 また、従来の供給シユート部7は複数個の半導
体装置を一単位としてシユートすることができ
ず、この点でも前記第3の構想を実現するに適し
たものではない。 〔発明の目的〕 本発明の第1の目的は、半導体装置用試験装置
の試験前シユート部において、多数連なつて送給
されて来る半導体装置を1個づつに分離した状態
で次段部にシユートし、しかも複数個の半導体装
置を一単位としてその個々の半導体装置のシユー
トタイミングを完全に制御してシユートすること
ができる供給シユート装置を提供するものであ
る。 本発明の第2の目的は、試験ヘツド部で同時に
複数の半導体装置を試験できる構成の半導体装置
用試験装置の実現を可能とする前記供給シユート
装置を提供することである。 〔発明の概要〕 本発明の供給シユート装置における特徴は、従
来の供給シユート部に設けられていた分離供給お
よびシユートタイミング制御機構を構成する第1
および第2の二つのペンエアシリンダに加えて、
次のような機能を有する検知器および第3のペン
エアシリンダを設けたことである。即ち、この検
知器は前記分離供給およびシユートタイミング機
構により1個づつ分離されて落下して来る半導体
装置を検知するものである。また、第3のペンエ
アシリンダはこの検知器の検知信号によりシユー
ト列内に突出し、落下して来た半導体装置を係留
すると共に、シユート列から後退してその係留を
解除することにより半導体装置を次段部へシユー
トするものである。しかも、この第3のペンエア
シリンダは一度シユート動作を行なつてシユート
列から後退すると、前記分離供給およびシユート
タイミング制御機構から分離落下された半導体装
置が1個だけ第3のペンエアシリンダに係留され
ることなく直接次段部へシユートされたことを前
記検知器が確認するまでは、前記検知器が半導体
装置の落下を検知しても係留動作をしないように
なつている。そして、前記検出器がこの直接のシ
ユートを確認した後に半導体装置の落下を検知す
ると、この検知信号によりシユート内に突出して
係留動作を行なう。従つて、半導体装置が次段部
へシユートされる態様は、第3のペンエアシリン
ダに一度係留されてシユートされる場合と、第3
のペンエアシリンダに係留されることなくシユー
トされる場合の二通りあることになる。この検知
器と第3のペンエアシリンダは必要に応じて複数
組設けることができる。 本発明の供給シユート装置は上記の特徴によつ
て発明の目的を達成したものである。 〔発明の実施例〕 第3図は本発明の一実施例になる供給シユート
装置の平面図であり、第4図はその左側面図であ
る。これらの図において、21は供給シユート装
置である。該供給シユート装置21には上方支持
枠22および下方支持枠23によつて限定された
シユート列24が形成されている。このシユート
列24はその中を半導体装置が重力で落下して得
る方向で形成されている。供給シユート装置21
の下方部位にはシユート列24に沿つて二つのペ
ンエアシリンダ25,26が設けられている。こ
の二つのペンエアシリンダ25,26は従来の供
給シユート部に設けられていた分離供給およびシ
ユートタイミング制御機構を構成する二つのペン
エアシリンダ11,12と同様の機能を有する。
即ち、ペンエアシリンダ26はシユート列に突出
することにより多数連なつて送給されて来る最先
の半導体装置の先端部を係止し、これら半導体装
置全体を係留するようになつている。また、その
上方のペンエアシリンダ25は、ペンエアシリン
ダ26で先端部を直接係止された半導体装置の直
後に連なつている半導体装置の側面を押えること
によりそれ以後に連なる半導体装置の落下を防止
するものである。第4図に示されるように、この
二つのペンエアシリンダ25,26はその先端部
を上方支持枠22に埋設して設けられている。ペ
ンエアシリンダ26の下流側には、ペンエアシリ
ンダ25,26の作用により一個ずつ分離されて
落下して来る半導体装置を検知するための検知器
27が設けられている。この検知器27としては
光フアイバーセンサーが用いられており、第4図
に示されるように下方支持枠23に埋設されてい
る。該検知器27の下流側には第3のペンエアシ
リンダ28が上方支持枠22および下方支持枠2
3の間にこれらと平行に設けられている。この第
3のペンエアシリンダ28は検知器27が半導体
装置の落下を検知したときにシユート列24内に
突出してこれを係留すると共に、シユート列から
後退してその係留を解除することにより半導体装
置を直接次段部40へシユートするようになつて
いる。しかも、一度その係留解除動作により半導
体装置を次段部へ直接シユートすると、その直後
にペンエアシリンダ25,26から分離されて落
下して来る半導体装置を1個だけ係留せずにその
まま次段部40へシユートするようになつてい
る。従つて、この場合はペンエアシリンダ26の
係留解除動作によつて半導体装置が直接次段部へ
シユートされることになる。このペンエアシリン
ダ26からの直接のシユート動作は、検知器27
がシユートされた半導体装置を検知することによ
り検知され、検知器27が次に半導体装置の落下
を検知したときにはペンエアシリンダ28が突出
してこれを係留する。ペンエアシリンダ25,2
6,28の上記動作は図示しない制御装置により
電気的に制御されている。供給シユート装置21
の上端部付近には光フアイバーセンサを下方支持
枠23に埋設した検知器29が設けられている。
該検知器29はシユート列24のその位置まで半
導体装置が連なつて存在しているか否かを検知す
るためのものである。 なお、供給シユート装置21の上流側には、そ
のシユート列24へ多数の半導体装置を連ねて送
供するためのマガジン部30が設けられている。
また、供給シユート装置21の下流側には、半導
体装置用試験装置において試験ヘツド部へ半導体
装置を直接シユートする部分40が配設されてい
る。この次段部40としては、従来例で説明した
固定シユート部9を用いることができる。ただ
し、この場合には既述した第3の構想を実現する
に適したシユート機構が備わつていなければなら
ない。また、この次段部40として横方向に可動
な分配シユート装置を用いれば、供給シユート部
21からシユートされて来た半導体装置を受け取
つてこれをその下流に複数並列に配設された試験
ヘツド部の夫々に分配シユートすることが可能と
なり、既述した第1の構想を実現することも可能
となる。この場合の分配シユート装置にも前記第
3の構想に適したシユート機構が必要であること
は言うまでもない。 上記構成からなる供給シユート装置の作用につ
いて、以下第5図a〜dを参照して説明する。第
5図aの状態は、マガジン部30から連なつて送
給されて来た半導体装置、例えばICa1〜a8のうち
の最先のICa1だけがペンエアシリンダ25,26
の動作により分離されて落下し、落下したICa1が
第3のペンエアシリンダ28に係留された状態で
ある。この状態からの動作は次の通りである。 (i) まず第3のペンエアシリンダ28だけがその
係留を解除する。これによつてICa1は次段部4
0へシユートされる。続いて、ペンエアシリン
ダ26がその係留を解除する。このときペンエ
アシリンダ25はICa3を押えたままであり、ペ
ンエアシリンダ28はシユート列から後退した
ままである。これによつて、係留を解除された
ICa2は直接次段部40へシユートされる。ICa3
がペンエアシリンダ26から直接次段部40へ
シユートされたことは検知器27で検知され、
これによつて検知器27は次のICa3の落下を検
知したときペンエアシリンダ28の係留動作を
指示する態勢となる。(第5図b図示) (ii) 次に、ペンエアシリンダ26がシユート列内
に再突出した後、ペンエアシリンダ25が押え
を解除する。これによりICa3〜a8は一体となつ
て落下し、突出しているペンエアシリンダ26
に係留される。続いて、ペンエアシリンダ25
が突出してICa4の側面を押える(第5図c図
示)。 (iii) 次に、ペンエアシリンダ25がICa4を押えた
ままペンエアシリンダ26が後退し、ICa3の係
留が解除される。係留を解除されたICa3は落下
するが検知器27がこれを検知してペンエアシ
リンダ28をシユート列内に突出させ、この結
果ICa3はペンエアシリンダ28に係留される。
続いて、ペンエアシリンダ26がシユート列内
に再度突出した後、ペンエアシリンダ25が
ICa4の押えを解除することによりICa4〜a8は一
体となつて落下し、ペンエアシリンダ26に係
留される。この結果、第5図aと同様の状態と
なる(第5図d)。 上記(i)〜(iii)の動作において、(i)は2個のICa1,
a2を次段部40へシユートする動作であり、(ii)〜
(iii)は2個のICa3,a4を次段部へシユートし得る状
態に準備する玉込めの動作である。このように2
個のICをシユートする動作と、2個のICを玉込
めする動作とが交互に行なわれることから、上記
実施例の供給シユート装置21によれば2個の
ICを一単位としてこれを一個づつ次段部40へ
シユートすることができる。しかも、(i)のシユー
ト動作から明らかなように、一単位としてシユー
トされる2個のICa1,a2のシユートタイミングは
夫々が係留されているペンエアシリンダ28また
は26の係留解除動作によつて完全に制御されて
いる。従つて、上記実施例の供給シユート装置2
1は一つの試験ヘツド部に2個のICをセツトし
てこれらを同時に試験するという構想、即ち、既
述の第3の構想による半導体装置用試験装置を実
現するための要件に適合したシユート機構を具備
したものであり、前記構想による半導体装置用試
験装置の実現を可能とする大きな効果が得られ
る。 また、上記実施例の供給シユート装置は、次段
部40として前述の分配シユート装置を用いた場
合、分配シユート装置40が横方向に移動してい
る間に玉込め動作(ii)(iii)を行なうことができる。従
つて、既述した第1の構想を実現するための分配
シユート装置の動作に良好に適合するという特徴
を有し、この点においてもマシーンインデツクス
の小さい半導体装置を実現する上で極めて大きな
効果を奏するものである。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、第3のペンエアシリンダ28を二つ以上
設けることにより3個以上のICを一単位として
次段部へシユートするようにすることも可能であ
る。この場合、第3のペンエアシリンダ28を増
加する代りにICの側面を押えるペンエアシリン
ダ25を増加することにより3個以上のICを一
単位としてシユートする構成とすることも可能で
ある。 また、検知器27,29としては光フアイバー
センサ以外にも光電スイツチあるいはマイクロス
イツチ等を用いることもできる。 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明の供給シユート装
置によれば、多数連なつて送給されて来る半導体
装置を1個づつ分離し、しかも複数個の半導体装
置を一単位としてその個々の半導体装置のシユー
へタイミングを完全に制御した状態で次段部へシ
ユートすることができる。この結果、マシーンイ
ンデツクスの小さい極めて効率のよい半導体装置
用試験装置の実現を可能とすることができる。
するための試験装置において、半導体装置を単列
に並べて次段部へ供給する試験前シユート部の供
給シユート装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 例えばIC(半導体集積回路装置)等の半導体装
置では、製造された個々の製品について電気的な
特性試験を行ない、これらを良品および不良品に
選別することが必要とされる。そして、大量の製
品について連続的かつ自動的に上記の試験および
選別作業を行なうために、所謂高速ハンドラー装
置を備えた試験装置が従来から使用されている。 第1図は上記従来の半導体装置用試験装置を示
す概略説明図である。同図において、1は連続的
に供給される半導体装置を単列に並べるための試
験前シユート部である。該試験前シユート部1で
単列に並べられた半導体装置a1,a2…は、試験前
シユート部1のすぐ下流に配設された試験ヘツド
部2へ一個づつシユートされるようになつてい
る。試験ヘツド部2ではシユートされて来た半導
体装置の電気特性が試験され、良品か不良品かを
判定された半導体装置は選別シユート部3へシユ
ートされる。そして、試験ヘツド部2が空になつ
た後、次の半導体装置が試験前シユート部1から
シユートされて来る。なお、上記半導体装置の試
験は、試験ヘツド部2に接続された図示しない試
験器で行なわれる。他方、選別シユート部3は、
試験ヘツド部2からシユートされて来た半導体装
置が良品である場合には前記図示しない試験器か
らの指令を受けてこれをそのすぐ下流に配設され
ている良品シユート部4へシユートする。また、
シユートされて来た半導体装置が不良品である場
合には、選別シユート部3は前記図示しない試験
器からの指令により90゜回転し、回転した向きに
配設されている不良品シユート部5へ不良品半導
体装置をシユートするようになつている。 このように、従来の半導体装置用試験装置は試
験ヘツド部2が1個しか具備されておらず、全体
的に単列のシユート回路系として構成されてい
た。しかも、試験ヘツド部2は同時に複数の検体
を試験できるように構成されていなかつたから、
順次1個づつ半導体装置を試験ヘツド部2に供給
し、1個ずつその試験を行なうというシステムを
採用せざるを得ず、その間のロス時間がかなり大
きいという問題があつた。更には、不良品と判定
された半導体装置を不良品シユート部5へシユー
トする際には選別シユート部3を回転させなけれ
ばならず、このときにもロス時間が生じるという
問題があつた。これらの要因により、従来の半導
体装置用試験装置では全体のマシーンインデツク
スが約1.0〜15秒とかなり大きくならざるを得ず、
これが作業能率の向上ひいては全体的な生産性の
向上を計る上で大きな障害となつていた。 ところで、、上記従来の半導体装置用試験装置
における試験前シユート部1の構造および動作は
次の通りである。第2図は前記試験前シユート部
1の概略構造を示す側面図である。同図に示すよ
うに、試験前シユート部1はマガジン部6、供給
シユート部7、円弧状シユート部8、固定シユー
ト部9からなつている。この夫々には上方支持枠
および下方支持枠で限定されたシユート列が形成
されており、これらの隣接するシユート列は相互
に連通している。前記マガジン部6および供給シ
ユート部7は垂直方向に傾斜して設けられてお
り、そのシユート列内を半導体装置が重力でシユ
ートされるようになつている。他方、固定シユー
ト部9は略水平に配設されている。そして、前記
供給シユート部7の上端部付近にはその部分に半
導体装置が存在するか否かを検知するための検知
器10が設けられている。また、供給シユート部
7の下方部にはシユート列に沿つて二つのペンエ
アシリンダ11,12が設けられている。このう
ち、上方のペンエアシリンダ11はシユート列を
連なつて送られて来る半導体装置の側壁を押圧し
て停止させ、下方のペンエアシリンダ12は半導
体装置の下端部に係止してこれを係留させるもの
である。 上記構造の試験前シユート部1において、マガ
ジン部6から半導体装置a1〜a6が図示のように連
なつて送られて来る。これらの半導体装置a1〜a6
は図示のようにペンエアシリンダ12により係留
され、更に、半導体装置a2〜a6は半導体装置a2の
側壁を押圧しているペンエアシリンダ11により
重ねて停止されている。この状態で、まずペンエ
アシリンダ12がシユート列から後退して係留を
解除すると、半導体装置a1のみが分離され、弧状
シユート部8を通つて固定シユート部9へシユー
トされる。続いて、ペンエアシリンダ12が再び
シユート列内に突出した後、今度はペンエアシリ
ンダ11が引込んで押えを解除する。この結果、
半導体装置a2〜a6は連なつたままで落下してペン
エアシリンダ12に係留される。次いでペンエア
シリンダ11が再び突出して今度は半導体装置a3
の側壁を押圧して停止させる。以後、上記の動作
が繰り返され、半導体装置a2〜a6は夫々一個づつ
分離されて固定シユート部9へシユートされるこ
とになる。このように、供給部7はマガジン部6
から連なつて送給されて来る半導体装置を1個づ
つに分離して次段部へシユートする役割を果して
いる。 なお、こうして固定シユート部9へ1個づつシ
ユートされた半導体装置は、固定シユート部9の
図示しない先端部に設けられたペンエアシリンダ
およびブローノズルで構成されるシユートタイミ
ング制御機構によつてそのすぐ下流に設けられて
いる試験ヘツド部2へ1個づつシユートされる。
また、マガジン部6が空になつて半導体装置が送
給されなくなると、検知器10が半導体装置の存
在を検知しなくなる。このときは、マガジン部6
を半導体装置の充填されたものに入れ替えて試験
を継続させることができる。 ところで、既述した従来の半導体装置用試験装
置における問題点からの帰結として、マシーンイ
ンデツクスの小さい能率的な半導体装置を実現す
るための基本的な構想として次の三点を挙げるこ
とができる。第1点は複数の試験ヘツド部2を並
列に設けることにより、全体的な半導体装置の流
れを試験前シユート部1から分岐して夫々別の試
験ヘツド部にシユートされる複数の並列したシユ
ート回路系とすることである。第2点は選別シユ
ート部3に代えて効率のよい選別シユート装置を
採用することである。しかし、この2点は何れも
本発明の直接の対象外であるから、その詳細につ
いては割愛する。残る第3の構想は、試験ヘツド
部2で同時に複数個の半導体装置を試験できるよ
うにすることである。このためには、複数個の半
導体装置を同時にセツトできる構造の試験ヘツド
部2が必要とされることは言うまでもないが、そ
れだけでは不十分で、そのような試験ヘツド部2
へ複数個の半導体装置を確実にセツトすることが
できるシユート機構が必要とされる。しかも、半
導体装置を試験ヘツド部2へ直接シユートする部
分(従来例では固定シユート部9)にこのような
シユート機構が必要とされることはもちろん、供
給シユート部7にもそれに対応し得るシユート機
構が必要とされる。そのようなシユート機構とは
試験ヘツド部2で同時に試験されるべき数と同数
の半導体装置を一単位とし、かつその複数個の半
導体装置の総てのシユートタイミングを完全に制
御できるシユート機構である。このようなシユー
ト機構を可能としない限り、複数の半導体装置を
試験ヘツド部2へ確実にセツトすることはでき
ず、従つて、前記第3の構想によるマシーンイン
デツクスの小さい半導体装置用試験装置を実現す
ることはできない。 そこで、このような観点から従来の供給シユー
ト部7を検討すれば次の通りである。前述したと
ころから明らかなように、従来の供給シユート部
7におけるペンエアシリンダ11,12は、マガ
ジン部6から多数連なつて送給されて来る半導体
装置を1個づつ分離して次段へシユート供給する
ための分離供給機構を構成すると共に、それら
個々の半導体装置のシユートタイミングを制御す
るためのシユートタイミング制御機構を構成して
いる。即ち、第2図でいえば、半導体装置a1はペ
ンエアシリンダ12の係留解除によつてそのシユ
ートタイミングは完全に制御されている。しかし
ながら、この場合にシユートタイミングが完全に
制御され得るのは半導体装置a1個だけである。即
ち、半導体装置a2〜a6は夫々が順次1個分づつ落
下し、ペンエアシリンダ12に係留された状態に
なつて始めてそのシユートタイミングが制御され
ることになるからである。従つて、従来の供給シ
ユート部は前記第3の構想を実現し得るものでは
ない。 また、従来の供給シユート部7は複数個の半導
体装置を一単位としてシユートすることができ
ず、この点でも前記第3の構想を実現するに適し
たものではない。 〔発明の目的〕 本発明の第1の目的は、半導体装置用試験装置
の試験前シユート部において、多数連なつて送給
されて来る半導体装置を1個づつに分離した状態
で次段部にシユートし、しかも複数個の半導体装
置を一単位としてその個々の半導体装置のシユー
トタイミングを完全に制御してシユートすること
ができる供給シユート装置を提供するものであ
る。 本発明の第2の目的は、試験ヘツド部で同時に
複数の半導体装置を試験できる構成の半導体装置
用試験装置の実現を可能とする前記供給シユート
装置を提供することである。 〔発明の概要〕 本発明の供給シユート装置における特徴は、従
来の供給シユート部に設けられていた分離供給お
よびシユートタイミング制御機構を構成する第1
および第2の二つのペンエアシリンダに加えて、
次のような機能を有する検知器および第3のペン
エアシリンダを設けたことである。即ち、この検
知器は前記分離供給およびシユートタイミング機
構により1個づつ分離されて落下して来る半導体
装置を検知するものである。また、第3のペンエ
アシリンダはこの検知器の検知信号によりシユー
ト列内に突出し、落下して来た半導体装置を係留
すると共に、シユート列から後退してその係留を
解除することにより半導体装置を次段部へシユー
トするものである。しかも、この第3のペンエア
シリンダは一度シユート動作を行なつてシユート
列から後退すると、前記分離供給およびシユート
タイミング制御機構から分離落下された半導体装
置が1個だけ第3のペンエアシリンダに係留され
ることなく直接次段部へシユートされたことを前
記検知器が確認するまでは、前記検知器が半導体
装置の落下を検知しても係留動作をしないように
なつている。そして、前記検出器がこの直接のシ
ユートを確認した後に半導体装置の落下を検知す
ると、この検知信号によりシユート内に突出して
係留動作を行なう。従つて、半導体装置が次段部
へシユートされる態様は、第3のペンエアシリン
ダに一度係留されてシユートされる場合と、第3
のペンエアシリンダに係留されることなくシユー
トされる場合の二通りあることになる。この検知
器と第3のペンエアシリンダは必要に応じて複数
組設けることができる。 本発明の供給シユート装置は上記の特徴によつ
て発明の目的を達成したものである。 〔発明の実施例〕 第3図は本発明の一実施例になる供給シユート
装置の平面図であり、第4図はその左側面図であ
る。これらの図において、21は供給シユート装
置である。該供給シユート装置21には上方支持
枠22および下方支持枠23によつて限定された
シユート列24が形成されている。このシユート
列24はその中を半導体装置が重力で落下して得
る方向で形成されている。供給シユート装置21
の下方部位にはシユート列24に沿つて二つのペ
ンエアシリンダ25,26が設けられている。こ
の二つのペンエアシリンダ25,26は従来の供
給シユート部に設けられていた分離供給およびシ
ユートタイミング制御機構を構成する二つのペン
エアシリンダ11,12と同様の機能を有する。
即ち、ペンエアシリンダ26はシユート列に突出
することにより多数連なつて送給されて来る最先
の半導体装置の先端部を係止し、これら半導体装
置全体を係留するようになつている。また、その
上方のペンエアシリンダ25は、ペンエアシリン
ダ26で先端部を直接係止された半導体装置の直
後に連なつている半導体装置の側面を押えること
によりそれ以後に連なる半導体装置の落下を防止
するものである。第4図に示されるように、この
二つのペンエアシリンダ25,26はその先端部
を上方支持枠22に埋設して設けられている。ペ
ンエアシリンダ26の下流側には、ペンエアシリ
ンダ25,26の作用により一個ずつ分離されて
落下して来る半導体装置を検知するための検知器
27が設けられている。この検知器27としては
光フアイバーセンサーが用いられており、第4図
に示されるように下方支持枠23に埋設されてい
る。該検知器27の下流側には第3のペンエアシ
リンダ28が上方支持枠22および下方支持枠2
3の間にこれらと平行に設けられている。この第
3のペンエアシリンダ28は検知器27が半導体
装置の落下を検知したときにシユート列24内に
突出してこれを係留すると共に、シユート列から
後退してその係留を解除することにより半導体装
置を直接次段部40へシユートするようになつて
いる。しかも、一度その係留解除動作により半導
体装置を次段部へ直接シユートすると、その直後
にペンエアシリンダ25,26から分離されて落
下して来る半導体装置を1個だけ係留せずにその
まま次段部40へシユートするようになつてい
る。従つて、この場合はペンエアシリンダ26の
係留解除動作によつて半導体装置が直接次段部へ
シユートされることになる。このペンエアシリン
ダ26からの直接のシユート動作は、検知器27
がシユートされた半導体装置を検知することによ
り検知され、検知器27が次に半導体装置の落下
を検知したときにはペンエアシリンダ28が突出
してこれを係留する。ペンエアシリンダ25,2
6,28の上記動作は図示しない制御装置により
電気的に制御されている。供給シユート装置21
の上端部付近には光フアイバーセンサを下方支持
枠23に埋設した検知器29が設けられている。
該検知器29はシユート列24のその位置まで半
導体装置が連なつて存在しているか否かを検知す
るためのものである。 なお、供給シユート装置21の上流側には、そ
のシユート列24へ多数の半導体装置を連ねて送
供するためのマガジン部30が設けられている。
また、供給シユート装置21の下流側には、半導
体装置用試験装置において試験ヘツド部へ半導体
装置を直接シユートする部分40が配設されてい
る。この次段部40としては、従来例で説明した
固定シユート部9を用いることができる。ただ
し、この場合には既述した第3の構想を実現する
に適したシユート機構が備わつていなければなら
ない。また、この次段部40として横方向に可動
な分配シユート装置を用いれば、供給シユート部
21からシユートされて来た半導体装置を受け取
つてこれをその下流に複数並列に配設された試験
ヘツド部の夫々に分配シユートすることが可能と
なり、既述した第1の構想を実現することも可能
となる。この場合の分配シユート装置にも前記第
3の構想に適したシユート機構が必要であること
は言うまでもない。 上記構成からなる供給シユート装置の作用につ
いて、以下第5図a〜dを参照して説明する。第
5図aの状態は、マガジン部30から連なつて送
給されて来た半導体装置、例えばICa1〜a8のうち
の最先のICa1だけがペンエアシリンダ25,26
の動作により分離されて落下し、落下したICa1が
第3のペンエアシリンダ28に係留された状態で
ある。この状態からの動作は次の通りである。 (i) まず第3のペンエアシリンダ28だけがその
係留を解除する。これによつてICa1は次段部4
0へシユートされる。続いて、ペンエアシリン
ダ26がその係留を解除する。このときペンエ
アシリンダ25はICa3を押えたままであり、ペ
ンエアシリンダ28はシユート列から後退した
ままである。これによつて、係留を解除された
ICa2は直接次段部40へシユートされる。ICa3
がペンエアシリンダ26から直接次段部40へ
シユートされたことは検知器27で検知され、
これによつて検知器27は次のICa3の落下を検
知したときペンエアシリンダ28の係留動作を
指示する態勢となる。(第5図b図示) (ii) 次に、ペンエアシリンダ26がシユート列内
に再突出した後、ペンエアシリンダ25が押え
を解除する。これによりICa3〜a8は一体となつ
て落下し、突出しているペンエアシリンダ26
に係留される。続いて、ペンエアシリンダ25
が突出してICa4の側面を押える(第5図c図
示)。 (iii) 次に、ペンエアシリンダ25がICa4を押えた
ままペンエアシリンダ26が後退し、ICa3の係
留が解除される。係留を解除されたICa3は落下
するが検知器27がこれを検知してペンエアシ
リンダ28をシユート列内に突出させ、この結
果ICa3はペンエアシリンダ28に係留される。
続いて、ペンエアシリンダ26がシユート列内
に再度突出した後、ペンエアシリンダ25が
ICa4の押えを解除することによりICa4〜a8は一
体となつて落下し、ペンエアシリンダ26に係
留される。この結果、第5図aと同様の状態と
なる(第5図d)。 上記(i)〜(iii)の動作において、(i)は2個のICa1,
a2を次段部40へシユートする動作であり、(ii)〜
(iii)は2個のICa3,a4を次段部へシユートし得る状
態に準備する玉込めの動作である。このように2
個のICをシユートする動作と、2個のICを玉込
めする動作とが交互に行なわれることから、上記
実施例の供給シユート装置21によれば2個の
ICを一単位としてこれを一個づつ次段部40へ
シユートすることができる。しかも、(i)のシユー
ト動作から明らかなように、一単位としてシユー
トされる2個のICa1,a2のシユートタイミングは
夫々が係留されているペンエアシリンダ28また
は26の係留解除動作によつて完全に制御されて
いる。従つて、上記実施例の供給シユート装置2
1は一つの試験ヘツド部に2個のICをセツトし
てこれらを同時に試験するという構想、即ち、既
述の第3の構想による半導体装置用試験装置を実
現するための要件に適合したシユート機構を具備
したものであり、前記構想による半導体装置用試
験装置の実現を可能とする大きな効果が得られ
る。 また、上記実施例の供給シユート装置は、次段
部40として前述の分配シユート装置を用いた場
合、分配シユート装置40が横方向に移動してい
る間に玉込め動作(ii)(iii)を行なうことができる。従
つて、既述した第1の構想を実現するための分配
シユート装置の動作に良好に適合するという特徴
を有し、この点においてもマシーンインデツクス
の小さい半導体装置を実現する上で極めて大きな
効果を奏するものである。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、第3のペンエアシリンダ28を二つ以上
設けることにより3個以上のICを一単位として
次段部へシユートするようにすることも可能であ
る。この場合、第3のペンエアシリンダ28を増
加する代りにICの側面を押えるペンエアシリン
ダ25を増加することにより3個以上のICを一
単位としてシユートする構成とすることも可能で
ある。 また、検知器27,29としては光フアイバー
センサ以外にも光電スイツチあるいはマイクロス
イツチ等を用いることもできる。 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明の供給シユート装
置によれば、多数連なつて送給されて来る半導体
装置を1個づつ分離し、しかも複数個の半導体装
置を一単位としてその個々の半導体装置のシユー
へタイミングを完全に制御した状態で次段部へシ
ユートすることができる。この結果、マシーンイ
ンデツクスの小さい極めて効率のよい半導体装置
用試験装置の実現を可能とすることができる。
第1図は従来の半導体装置用試験装置を概略的
に示す説明図、第2図は従来の半導体装置用試験
装置における試験前シユート部を示す説明図、第
3図は本発明の一実施例になる供給シユート装置
を示す平面図であり、第4図はその左側面図、第
5図a〜dは第3図および第4図の実施例になる
供給シユート装置の作用を示す説明図である。 21…供給シユート装置、22…上方支持枠、
23…下方支持枠、24…シユート列、25,2
6…ペンエアシリンダ、27,29…検知器、2
8…第3のペンエアシリンダ。
に示す説明図、第2図は従来の半導体装置用試験
装置における試験前シユート部を示す説明図、第
3図は本発明の一実施例になる供給シユート装置
を示す平面図であり、第4図はその左側面図、第
5図a〜dは第3図および第4図の実施例になる
供給シユート装置の作用を示す説明図である。 21…供給シユート装置、22…上方支持枠、
23…下方支持枠、24…シユート列、25,2
6…ペンエアシリンダ、27,29…検知器、2
8…第3のペンエアシリンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 重力によりその中を半導体装置が単列に多数
連なつて送給されて来る一つのシユート列と、該
シユート列に突出することにより多数連なつた最
先の半導体装置を係留する第1のペンエアシリン
ダと、該第1のペンエアシリンダにより係留され
た半導体装置の直後に位置する半導体装置の側壁
を押えてその落下を防止し、前記第1のペンエア
シリンダの係留解除による前記最先の半導体装置
の分離落下を可能とすると共に、前記第1のペン
エアシリンダが係留解除後に再びシユート列内に
突出したときに押えを解除して半導体装置を落下
させる第2のペンエアシリンダを具備した供給シ
ユート装置において、前記第1のペンエアシリン
ダの係留解除動作により分離落下して来る半導体
装置を検知する検知器および該検知器の検知信号
によりシユート列内に突出して落下して来る半導
体装置を係留すると共に、その係留解除動作によ
り半導体装置を次段部へシユートする第3のペン
エアシリンダを設け、該第3のペンエアシリンダ
は一度シユート動作を行なうと、前記第1のペン
エアシリンダの係留解除動作により半導体装置が
第3のペンエアシリンダに係留されることなく直
接次段部へシユートされたことを前記検知器が確
認した後に、シユート列内に突出して前記係留動
作を行なうことを特徴とする供給シユート装置。 2 前記検知器および該検知器に連動する前記第
3のペンエアシリンダを複数組設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の供給シユート
装置。 3 前記第2のペンエアシリンダを複数個設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の供給シユート装置。 4 前記検知器として光フアイバーセンサを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2
項または第3項記載の供給シユート装置。 5 前記光フアイバーセンサが前記シユート列を
限定する壁体に埋設されていることを特徴とする
特許請求の範囲第4項記載の供給シユート装置。 6 前記第1および第2のペンエアシリンダが前
記シユート列を限定する壁体に埋設されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項
の何れか1項記載の供給シユート装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052006A JPS58168251A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 供給シユ−ト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052006A JPS58168251A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 供給シユ−ト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168251A JPS58168251A (ja) | 1983-10-04 |
| JPS6411526B2 true JPS6411526B2 (ja) | 1989-02-27 |
Family
ID=12902731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052006A Granted JPS58168251A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 供給シユ−ト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168251A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213041A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Sanwa Electron Kk | Icのピンの状態検出装置 |
| JPH0644100Y2 (ja) * | 1986-03-19 | 1994-11-14 | 旭化成工業株式会社 | 半導体素子の位置決め装置 |
| JPS6335712U (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | ||
| JPH0680930B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | 部品供給装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511884U (ja) * | 1978-07-11 | 1980-01-25 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57052006A patent/JPS58168251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58168251A (ja) | 1983-10-04 |
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