JPS641928B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS641928B2
JPS641928B2 JP15661979A JP15661979A JPS641928B2 JP S641928 B2 JPS641928 B2 JP S641928B2 JP 15661979 A JP15661979 A JP 15661979A JP 15661979 A JP15661979 A JP 15661979A JP S641928 B2 JPS641928 B2 JP S641928B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
pattern
reticle
mask
transferred
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP15661979A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5679430A (en
Inventor
Yoji Yamanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Original Assignee
CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI filed Critical CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority to JP15661979A priority Critical patent/JPS5679430A/ja
Publication of JPS5679430A publication Critical patent/JPS5679430A/ja
Publication of JPS641928B2 publication Critical patent/JPS641928B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路装置の製法に関し、特
に縮少投影露光機を用いた場合の転写像の検査方
法に関する。
近年、半導体集積回路装置は高速化、高集積化
が進むにつれ、微細パターンの形成方法が研究さ
れつつある。微細パターンを形成するための最も
主要な工程は写真蝕刻であり、しかもその中で微
細パターン形成の良否は露光機の種類、性能によ
るところが大である。最近開発された縮少投影露
光機は微細パターンの形成にすぐれた性能を持つ
ているが、レチクルから直接ウエハー上にパター
ンを転写するため、種々の問題が存在する。たと
えば従来はレチクルから多数のチツプを転写して
マスクを作製し、そのマスクを使用してウエハー
上に転写しているため、たとえマスク上に塵埃が
あつたとしてもその１チツプのみ不良となり、他
のチツプには影響しない。しかしながら縮少投影
露光機を使用した場合はレチクル上に塵埃があつ
たり、あるいはレチクルそのものに欠陥があつた
場合には全ウエハー全チツプ不良となつてしま
う。従つてレチクルからウエハーに直接転写した
際厳重な検査が必要となる。しかしながら、微細
パターンをチツプ全体について検査することは困
難であり、しかも往々にして欠陥を見逃すおそれ
がある。
従つて本発明の目的は縮少投影露光機による転
写像検査を簡単に的確に行う方法を提供するもの
である。
本発明によれば半導体基板上に感光性有機被膜
を被膜し、該被膜に所望のパターンを転写する工
程において、前記半導体基板上の平担な未加工の
領域に所望のパターンをチツプ配列とは別に少な
くとも１個所以上転写し、しかもその転写像が時
間的経過をもつた二重露光像であることを特徴と
する半導体集積回路装置が得られる。
本発明はレチクル上に付着する塵埃が二度同じ
場所に付着する可能性がほとんどないという原理
に基づく、本発明によつて得られる効果としては
レチクル上に付着した塵埃を容易に発見できると
いうことがあげられる。すなわち、一度レチクル
の転写像を作製しておき、再びレチクルを洗浄し
た後に同一レチクルの転写像を重ね合わせるよう
にして二重露光するため、塵埃などによるパター
ンの欠陥を一見して見つけ出せるものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図ａ乃至第１図ｃは本実施例を説明するため
のチツプの転写パターンを示したものである。ま
ず、第１図ａに示すように、ポジ型フオトレジス
トを被覆し、その後清浄なレチクルを用いてパタ
ーン１０２を転写し、現像を行なう。その図を第
１図ｂに示す。これは、通常の露光時間の約1/2
で露光し、しかも転写パターンが観察しやすいよ
うにウエハー上の平担な領域に行なうことが望ま
しい。この第一回目の転写を行なつたウエハーを
何枚か用意しておき、数時間あるいは数日間経過
後、実際の製品の露光を行なう前に第二回目の露
光を行なう。即ち、この第一回目の現像によつて
転写されたパターン１０２に対して重なるように
して第二回目の露光を行なう。この露出時間も第
一回目の露出時間と等しく通常露光時間の約1/2
で行なう。その結果第１図ｃに示すように第一回
目のパターン１０２と第二回目のパターン１０３
とが二重に露光され、もし第一回もしくは第二回
目の露光時にレチクル上に塵埃が付着していた場
合、その部分１０４が正常なパターンより露光不
足の状態で検出できる。この塵埃による欠陥が第
一回目の露光時か第二回目の時かの判別は第一回
目露光時の残りのチツプパターンを検査すれば容
易に判断できる。もし第一回目に付着した場合な
らば第二回目の露光には問題なく実際の製品を実
行でき第二回目の露光時に欠陥があるならばレチ
クルを洗浄し直し、再び同様のことを行なえばよ
い。
なお本実施例では実際の製品ではなくレフアレ
ンス用のウエハーを用いて行なつたが、実際の製
品の１チツプ又は２〜３チツプに適用してもよ
い。これは縮少投影露光機の利用技術を使用する
ことによつて可能である。
本実施例によつて得られる効果は、先に述べた
ようにレチクルの主に塵埃によるパターン欠陥を
発見するのに極めて有効な手段であるということ
である。その結果生産工程の時間の短縮化及び歩
留り、信頼性の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ乃至第１図ｃは本発明の実施例を説明
するためのチツプ転写像の平面図である。図中、
１０１は未露光のチツプ図、１０２は第一回目の
露光による転写像、１０３は第二回目の露光によ
る転写像、１０４は塵埃などによる転写像欠陥部
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板上にフオトレジストを形成し、あ
    らかじめ一定パターンのマスクを用いて通常露光
    時間よりも短い時間で第１回目の露光を行い、次
    に同一マスクまたは同一パターンのマスクを用い
    て前記第１回目の露光時間と合せてほぼ通常の露
    光時間になる時間で露光を行い、その後現像処理
    を行つてパターン欠陥部を露光不足状態により検
    出することを特徴とする半導体装置製造用マスク
    の検査方法。
JP15661979A 1979-12-03 1979-12-03 Manufacture of semiconductor integrated circuit device Granted JPS5679430A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15661979A JPS5679430A (en) 1979-12-03 1979-12-03 Manufacture of semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15661979A JPS5679430A (en) 1979-12-03 1979-12-03 Manufacture of semiconductor integrated circuit device

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Publication Number Publication Date
JPS5679430A JPS5679430A (en) 1981-06-30
JPS641928B2 true JPS641928B2 (ja) 1989-01-13

Family

ID=15631670

Family Applications (1)

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JP15661979A Granted JPS5679430A (en) 1979-12-03 1979-12-03 Manufacture of semiconductor integrated circuit device

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JP (1) JPS5679430A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077927U (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 大英産業株式会社 日除けシート
JPH0719701U (ja) * 1993-09-13 1995-04-07 東京メガネ製造株式会社 曇止めシール

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS505105A (ja) * 1973-05-15 1975-01-20
JPS5322370A (en) * 1976-08-13 1978-03-01 Fujitsu Ltd Inspecting method of semiconductor device
JPS5431282A (en) * 1977-08-12 1979-03-08 Mitsubishi Electric Corp Pattern formation method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077927U (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 大英産業株式会社 日除けシート
JPH0719701U (ja) * 1993-09-13 1995-04-07 東京メガネ製造株式会社 曇止めシール

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Publication number Publication date
JPS5679430A (en) 1981-06-30

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