JPS6429836U - - Google Patents
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- JPS6429836U JPS6429836U JP12420087U JP12420087U JPS6429836U JP S6429836 U JPS6429836 U JP S6429836U JP 12420087 U JP12420087 U JP 12420087U JP 12420087 U JP12420087 U JP 12420087U JP S6429836 U JPS6429836 U JP S6429836U
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- melting point
- high melting
- point metal
- wiring layer
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例説明図、第２図は本
考案の一実施例の製造工程説明図、第３図は本考
案と従来例の短絡不良率比較図である。 １……半導体基板、２……Ａｌ―Ｓｊ膜、３…
…Ｔｉ膜、４……レジスト・パターン。
考案の一実施例の製造工程説明図、第３図は本考
案と従来例の短絡不良率比較図である。 １……半導体基板、２……Ａｌ―Ｓｊ膜、３…
…Ｔｉ膜、４……レジスト・パターン。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体装置の配線層として、アルミニウム
を含む第１の導体膜の上に高融点金属からなる第
２の導体膜を積層した２層構造の配線層とするこ
とを特徴とする半導体装置。 (2) 前記高融点金属からなる第２の導体膜とし
てチタン膜又はタングステン膜を用いることを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420087U JPS6429836U (ja) | 1987-08-13 | 1987-08-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420087U JPS6429836U (ja) | 1987-08-13 | 1987-08-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6429836U true JPS6429836U (ja) | 1989-02-22 |
Family
ID=31373723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12420087U Pending JPS6429836U (ja) | 1987-08-13 | 1987-08-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6429836U (ja) |
-
1987
- 1987-08-13 JP JP12420087U patent/JPS6429836U/ja active Pending
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