JPS644500B2 - - Google Patents

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JPS644500B2
JPS644500B2 JP13104081A JP13104081A JPS644500B2 JP S644500 B2 JPS644500 B2 JP S644500B2 JP 13104081 A JP13104081 A JP 13104081A JP 13104081 A JP13104081 A JP 13104081A JP S644500 B2 JPS644500 B2 JP S644500B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
halide
compound
trialkoxybenzyl
hydrogen
formula
Prior art date
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Expired
Application number
JP13104081A
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English (en)
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JPS5832839A (ja
Inventor
Tsunehiko Masatomi
Atsuo Akata
Yasuo Shimizu
Shigeru Torii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Otsuka Chemical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Otsuka Chemical Co Ltd filed Critical Otsuka Chemical Co Ltd
Priority to JP13104081A priority Critical patent/JPS5832839A/ja
Publication of JPS5832839A publication Critical patent/JPS5832839A/ja
Publication of JPS644500B2 publication Critical patent/JPS644500B2/ja
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は3,4,5−トリアルコキシベンジル
ハライドの新規な製造法に関する。
3,4,5−トリアルコキシベンジルハライド
は例えばテリペリムのような医薬品を合成するた
め原料として有用な化合物である。従来3,4,
5−トリアルコキシベンジルハライドの製造法と
しては、例えばラジカル触媒の存在下3,4,5
−トリアルコキシトルエンに紫外線を照射してハ
ロゲンを加熱反応させる方法が知られている。し
かしながらこの方法によれば、高価なラジカル触
媒、紫外線照射装置等を必要とし、また好ましく
ない副反応が併起し収率も約40〜50%程度と低
く、工業的には不利な方法である。
本発明は3,4,5−トリアルコキシベンジル
ハライドを工業的に有利に製造し得る方法を提供
するものであつて、一般式 〔式中R1及びR2は同一又は異なつて低級アルキ
ル基を示す〕 で表わされるシクロヘキサジエン誘導体とハロゲ
ン化水素もしくはハロゲン化水素酸とを溶媒中で
反応させて一般式 〔式中Xはハロゲン原子を示す。R1は前記に同
じ。〕 で表わされる3,4,5−トリアルコキシベンジ
ルハライドを得ることを特徴とする3,4,5−
トリアルコキシベンジルハライドの製造法に係
る。
本発明の方法は3,4,5−トリアルコキシベ
ンジルハライドの工業的生産に極めて有利な方法
である。即ち本発明によれば穏和な条件下特殊な
試薬を使用することなく簡易な操作で目的化合物
を得ることができる。しかも目的化合物の収率は
約90%以上という高収率であり、また簡便な操作
により反応混合物から目的化合物を高純度に単離
精製することができる。
本発明において出発原料として用いられる一般
式()で表わされるシクロヘキサジエン誘導体
は新規化合物であり、例えば 〔式中R1は前記に同じ。〕で表わされる3,4,
5−トリアルコキシトルエンを溶媒中、中性ない
しアルカリ性支持電解質の存在下電解することに
より90%以上の高収率で製造し得る。
一般式()で表わされる3,4,5−トリア
ルコキシトルエンは入手容易な公知化合物であ
り、例えば3,4,5−トリメトキシトルエン、
3,4,5−トリエトキシトルエン等を挙げるこ
とが出来る。上記電解反応に用いる有機溶媒とし
てはメタノール、エタノール等の低級アルコール
が挙げられるが、その使用量は化合物()1モ
ルに対して500ml〜15の範囲で用いるのが好ま
しく、約5〜10の使用量で用いるのが特に好ま
しい。支持電解質として用いられる化合物はアル
カリ金属水酸化物として水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等、アルカリ金属と
してはナトリウム、カリウム等、テトラアルキル
アンモニウム水酸化物としてはテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルア
ンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルア
ンモニウムハイドロオキサイド等、脂肪族カルボ
ン酸のアルカリ金属塩としてはギ酸ナトリウム、
酢酸ナトリウム等、アルカリ金属フツ化物として
はフツ化ナトリウム、フツ化カリウム等が挙げら
れる。その使用量は化合物()1モルに対して
約0.01〜1モルの範囲で用いるのが好ましく、特
に0.1〜0.5モルの範囲で使用するのがより好まし
い。電極材料としては陽極にはチタン、白金、炭
素、二酸化鉛、ニツケル、鉄、ステンレス鋼等
を、陰極には白金、炭素、チタン、ニツケル、
鉄、ステンレス鋼等を用いることが好ましい。ま
た電解に最も重要である電流密度は約1〜200m
A/cm2の範囲で行われるが、好ましくは約5〜
100mA/cm2の範囲である。さらに印加電圧は支
持電解質の添加量によつて大きく影響を受ける
が、該電解反応に於ては約1.5〜15Vの範囲で良
く、約2〜5Vの範囲で行うのがより好ましい。
電解温度は約−10〜50℃の範囲で良いが、約10〜
30℃で行うのが好ましい。
本発明において用いられるハロゲン化水素又は
ハロゲン化水素酸としては公知のものを広く使用
できる。ハロゲン化水素としては例えば塩化水
素、臭化水素、沃化水素等を例示でき、またハロ
ゲン化水素酸としては例えば塩酸、臭化水素酸、
沃化水素酸等を例示できる。これらのハロゲン化
水素又はハロゲン化水素酸は−酸式()の化合
物の製造原料であると共に、それ自体触媒として
も作用する。それ故ハロゲン化水素又はハロゲン
化水素酸は一般式()の化合物に対して少なく
とも等モル量、好ましくは等モル〜2倍モル量用
いるのがよい。
本発明において用いられる溶媒としては出発原
料及び目的化合物に対して不活性な溶媒であれば
特に限定されないが、例えばエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハ
ロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノール等
のアルコール類、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素類等を挙げることが出来る。特にテトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハ
ロゲン化炭化水素類が好ましい。
本発明では反応の形態としては均一反応系でも
不均一反応系でもよい。反応温度は通常0〜100
℃程度である。
斯くして得られる一般式()の化合物は通常
公知の方法例えば濃縮、抽出、蒸留、再結晶、カ
ラムクロマトグラフイー等により精製することが
できる。
以下参考例、実施例によつて本発明を説明す
る。
参考例 3,4,5−トリメトキシトルエン182mg、水
酸化ナトリウム20mgをメタノール10mlに溶解させ
た液に、3cm2の電極面積をもつ陽極:白金、陰
極:白金の電極を浸し室温下撹拌しながら30mA
の定電流で3F/モル迄電解を行う。このときの
端子電圧は3.5〜3.7Vである。通電後、反応液を
減圧下で濃縮する。残渣をジクロルメタンで抽出
し、抽出液を減圧下で濃縮することにより粗生成
物を255mg回収した。この粗生成物をアルミナカ
ラム(ベンゼン:酢酸エチル=10:1)で精製す
ることにより、1,3,5,6,6−ペンタメト
キシ−3−メチル−1,4−シクロヘキサジエン
を224mg白色結晶として得た。この得量は理論収
率の92%であつた。この化合物はNMRによつて
確認を行つた。
NMR(CDCl3) δ1.44(s、3H、CH3C) 3.13(s、3H、CH3O) 3.18(s、3H、CH3O) 3.30(s、3H、CH3O) 3.68(s、6H、CH3O−C=) 4.98(s、2H、HC=) 実施例 1 1,3,5,6,6−ペンタメトキシ−3−メ
チル−1,4−シクロヘキサジエン244mgとクロ
ロホルム2mlの混合溶液に濃塩酸200mgを加え、
室温で1時間撹拌する。反応後有機層を分離、炭
酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、減圧下で濃縮
する。油状の粗生成物が210mg回収される。この
粗生成物をシリカゲルカラム(ベンゼン:ヘキサ
ン:酢酸エチル=10:10:1)で精製することに
より、3,4,5−トリメトキシベンジルクロラ
イド203.5mg得た。この得量は理論収率の94%に
相当する。この化合物はNMRによつて確認を行
つた。
NMR(CDCl3) δ3.83(s、3H、OCH3) 3.86(s、6H、OCH3) 4.51(s、2H、−CH2−) 6.56(s、2H、H−Ar) 実施例 2 実施例1において濃塩酸の代りに47%臭化水素
酸を用い、他は同様な処理を行つて3,4,5−
トリメトキシベンジルブロマイド235mg得た。こ
の得量は理論収率の90%に相当する。この化合物
はNMRによつて確認を行つた。
NMR(CDCl3) δ3.84(s、3H、OCH3) 3.86(s、6H、OCH3) 4.36(s、2H、−CH2−) 6.60(s、2H、H−Ar) 実施例 3 1,3,5,6,6−ペンタエトキシ−3−メ
チル−1,4−シクロヘキサジエン314mgとクロ
ロホルム2mlの混合溶液に濃塩酸200mgを加え、
実施例1と同様な操作で、3,4,5−トリエト
キシベンジルクロライド240mg得た。この得量は
理論収率の93%に相当する。この化合物はNMR
によつて確認を行つた。
NMR(CDCl3) δ1.32(t、9H、CH3) 4.00(q、2H、−CH2O−) 4.03(q、4H、−CH2O−) 4.50(s、2H、−CH2Cl) 6.55(s、2H、H−Ar) 実施例 4 実施例3において、濃塩酸の代りに47%臭化水
素酸を用い、他は同様な処理を行つて3,4,5
−トリエトキシベンジルプロマイド276mg得た。
この得量は理論収率の91.5%に相当する。この化
合物はNMRによつて確認を行つた。
NMR(CDCl3) δ1.30(t、9H、CH3) 3.99(q、2H、−CH2O−) 4.01(q、4H、−CH2O−) 4.34(s、2H、−CH2Br) 6.58(s、2H、H−Ar)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中R1及びR2は同一又は異なつて低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるシクロヘキサジエン誘導体とハロゲ
    ン化水素もしくはハロゲン化水素酸とを溶媒中で
    反応させて一般式 〔式中Xはハロゲン原子を示す。R1は前記に同
    じ。〕 で表わされる3,4,5−トリアルコキシベンジ
    ルハライドを得ることを特徴とする3,4,5−
    トリアルコキシベンジルハライドの製造法。 2 溶媒がテトラヒドロフラン、ジオキサンなど
    の環状エーテル類、塩化メチレン、クロロホル
    ム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素類であ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 ハロゲン化水素が塩化水素又は臭化水素であ
    る特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の方
    法。 4 ハロゲン化水素酸が塩酸又は臭化水素酸であ
    る特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の方
    法。 5 0〜100℃にて反応を行う特許請求の範囲第
    1項乃至第4項のいずれかに記載の方法。
JP13104081A 1981-08-20 1981-08-20 3,4,5−トリアルコキシベンジルハライドの製造法 Granted JPS5832839A (ja)

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JPS5832839A JPS5832839A (ja) 1983-02-25
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